Ldmos功率放大器温度效应抑制的电路装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，电源模块通过限流电阻R0和三极管T1、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚1连通，LDMOS功率放大器的管脚2接地，管脚3为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通。本实用新型有益的效果是：本实用新型结构通过结合三极管的温度特性和NTC热敏电阻，对LDMOS管子的温度效应实现较好的抑制作用，针对现有LDMOS管的特性，提供一种具有温度补偿机制的，可使大功率射频LDMOS放大器在不同温度下维持其静态工作电流的稳定，达到恒定功率输出的目的。
【专利说明】LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置
【技术领域】
[0001]本实用新型是应用于无线通信技术中的射频LDMOS功率放大器的温度效应抑制装置，特别涉及WCDMA，CDMA制式的通信系统中对采用射频LDMOS器件的大功率功率放大器的输出功率稳定有较大作用的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置。
【背景技术】
[0002]LDMOS管是专为射频功放放大器设计的改进型N沟道M0SFET，常工作在AB类，在工作点附近具有正的温度特性，即在一定的栅压下，当工作温度升高时，其静态电流Idq升高；当工作温度降低时，Idq降低。一般地，当LDMOS管热沉温度从20°C升高到100°C时，其静态工作电流Idq变化140% ;当温度降低至0°C时，变化量也有30%。Idq变化会影响系统的增益、效率和线性等指标，其中又以线性影响最大。因此，在工作中维持功率管IDQ稳定，是功放板设计的关键点之一。
【发明内容】
[0003]本实用新型要解决上述现有技术的缺点，提供一种具有温度补偿机制、不同温度下维持其静态工作电流的稳定，达到恒定功率输出的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置。
[0004]本实用新型解决其技术问题采用的技术方案:这种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，主要包括微控制器MCU、电源模块、限流电阻R0、三极管Tl、T2、分压电阻R、NTC电阻R3和LDMOS功率放大器，电源模块通过限流电阻RO和三极管Tl、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚I连通，LDMOS功率放大器的管脚2接地，管脚3为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通。
[0005]所述限流电阻RO和三极管Tl、T2的基级之间连接有分压电阻Rl、R2。
[0006]所述三极管Tl、T2的发射极接地。
[0007]所述LDMOS功率放大器的管脚I为射频信号输入端，射频信号通过电容C从LDMOS功率放大器的管脚I输入。
[0008]本实用新型有益的效果是:本实用新型结构通过结合三极管的温度特性和NTC(Negative Temperature Coefficient负温度系数)热敏电阻,对LDMOS管子的温度效应实现较好的抑制作用，针对现有LDMOS管的特性，提供一种具有温度补偿机制的，可使大功率射频LDMOS放大器在不同温度下维持其静态工作电流的稳定，达到恒定功率输出的目的。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型电路示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:[0011]如图所示，这种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，主要包括微控制器MCU、电源模块、限流电阻R0、三极管Tl、T2、分压电阻R、NTC电阻R3和LDMOS功率放大器，电源模块通过限流电阻RO和三极管Tl、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚I (栅极)连通，限流电阻RO和三极管T1、T2的基级之间连接有分压电阻R1、R2，三极管Τ1、Τ2的发射极接地。LDMOS功率放大器的管脚2 (源极)接地，管脚3 (漏极)为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通，由微控制器MCU来控制电源模块输出一个合适的电压(按照LDMOS功率放大器的输出功率来定)，LDMOS功率放大器的管脚I为射频信号输入端，射频信号通过电容C从LDMOS功率放大器的管脚I输入。LDMOS功率放大器的正温度特性被NTC电阻R3的负温度特性所抵消，最终实现了功放管的额输出功率稳定。
[0012]电路通过三极管Tl来牵制三极管Τ2的集电极电流，温度升高，使三极管Τ2的UBE电压变小，三极管Τ2的集电极电流增加，三极管Τ2集电极对地的电压升高，这时，同样由于温度升高使得三极管Tl的UBE电压也变小，这样就削弱了三极管Τ2基极电流的增大，从而抑制了三极管Τ2集电极电流的增加，使得三极管Τ2集电极对地电压随温度的升高保持一定的稳定。当温度降低时三极管Tl牵制三极管Τ2的效果相同，从而不管是温度升高还是降低三极管Τ2集电极对地的电压都保持在一定的恒定值下。而三极管Τ2集电极的电压在保持恒定的同时，NTC电阻R3与分压电阻R1、R2组成的LDMOS功率放大器栅极供电电压却在有序变化，当温度升高时NTC电阻R3的阻值会变小，从而使得整体上加到栅极的电压会变小，抵制了由于温度升高而使LDMOS功率放大器漏极的电流增大的因素。当温度降低时原理相同，最终使LDMOS功率放大器的栅压也就实现了相对的“负温度特性”，最终保证了LDMOS功率放大器的输出功率稳定。
[0013]本实用新型利用三极管本身的温度特性互相制约实现LDMOS功率放大器栅极供电电源的温度特性稳定，从而为NTC电阻R3的负温度特性提供了一个精准的电压参考，而NTC电阻R3的负温度特性通过电路实现了与LDMOS功率放大器正温度特性的相互抵消，最终实现了有效抑制功放管的温度效应。
[0014]除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，主要包括微控制器MCU、电源模块、限流电阻RO、三极管T1、T2、分压电阻R、NTC电阻R3和LDMOS功率放大器，其特征是:电源模块通过限流电阻RO和三极管T1、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚I连通，LDMOS功率放大器的管脚2接地，管脚3为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通。
2.根据权利要求1所述的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，其特征是:所述限流电阻RO和三极管Tl、Τ2的基级之间连接有分压电阻Rl、R2。
3.根据权利要求1或2所述的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，其特征是:所述三极管Tl、Τ2的发射极接地。
4.根据权利要求1所述的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，其特征是:所述LDMOS功率放大器的管脚I为射频信号输入端，射频信号通过电容C从LDMOS功率放大器的管脚I输入。
【文档编号】H03F3/20GK203387470SQ201320328616
【公开日】2014年1月8日 申请日期:2013年6月6日 优先权日:2013年6月6日
【发明者】吴志坚, 李成恩 申请人:三维通信股份有限公司