专利名称：SMD5032-48MHz型晶体谐振器用晶片的利记博彩app
技术领域：
SMD5032-48MHz型晶体谐振器用晶片技术领域[0001]本实用新型涉及一种SMD5032-48MHZ型晶体谐振器用晶片。
背景技术：
[0002]SMD晶体谐振器的主体是其中的石英晶片，为了增加抗振性和防止氧化，将晶片置于基座内密封。未加工的晶片由于其导电性能差，在晶体谐振器制造中都要在晶片部分表面镀上一层银，作为晶片的电极，使晶体在电场的作用下形成逆压电效应。[0003]对谐振器生产厂家来说，选择合适的晶片后要搭配相应的电极，才能保证产品的电性能(电阻、频率温度特性、寄生)正常。一般镀膜面积越大，电阻越小，但对于高频产品，电极面积大容易造成寄生不良。因此，闻频晶体制作难度较闻，关键在于锻I旲电极的设计。[0004]目前常用的SMD5032-48MHZ产品，其晶片镀膜电极的长度为2.15^2.25mm,宽度为1.15 1.25_，寄生振荡较大，晶体谐振器上机后，可能导致频率跳变而引起整机工作状态不良的后果。发明内容[0005]本实用新型的目的是提供一种SMD5032-48MHZ型晶体谐振器用晶片，改善了高频晶体谐振器寄生不良。[0006]本实用新型是这样实现的:晶片表面设有镀膜电极，所述镀膜电极的长度为1.45 1.55mm,宽度为 0.75 0.85 mm。[0007]如前所述，晶体电性能主要决定于晶片本身和镀膜电极的尺寸两个方面，虽然减小镀膜电极尺寸，可以降低产品的寄生振荡，但镀膜电极过小，会引起电阻值的严重增加。同时，随意改变镀膜电极面积，会导致温度特性严重不良。本发明人通过实验发现，电极在上述尺寸时，SMD5032-48MHz型晶体谐振器的寄生振荡(即主振频率附近的干扰振荡)能从前期的-1OdB降低到-20dB。随着寄生振荡的有效被抑制，完全符合客户要求。本实用新型晶体谐振器温度特性也能满足要求。
[0008]图1是本实用新型结构示意图。
具体实施方式
本实用新型SMD5032-48MHZ型晶体谐振器所用晶片I表面设有镀膜电极2，镀膜电极2的长度L为1.45 1.55mm,宽度W为0.75 0.85mm。
权利要求1.SMD5032-48MHZ型晶体谐振器用晶片，晶片(I)表面设有镀膜电极(2)，其特征在于:所述镀膜电极(2)的长度为1.45 1.55mm,宽度为0.75 0.85mm。
专利摘要本实用新型涉及一种SMD5032-48MHz型晶体谐振器用晶片，晶片表面设有镀膜电极，所述镀膜电极的长度为1.45~1.55mm，宽度为0.75~0.85mm。本实用新型极大的改善了高频晶体谐振器寄生不良的现象，同时，晶体谐振器的频率(电阻)温度特性较传统的SMD5032-48MHz型晶体谐振器的频率温度特性更集中。
文档编号H03H9/17GK202978853SQ201220681028
公开日2013年6月5日 申请日期2012年12月11日 优先权日2012年12月11日
发明者唐兵, 吴成秀, 吴亚华 申请人:安徽铜峰电子股份有限公司