专利名称：表面安装晶体振子及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种表面安装用的晶体振子，本发明尤其涉及可使生产性提高、且可实现小型化的表面安装晶体振子及其制造方法。
背景技术：
表面安装晶体振子为小型且重量轻，因此，特别是，作为频率或时间的基准源，而内置于便携式的电子设备。以往，已有如下的表面安装晶体振子，该表面安装晶体振子是将晶体片搭载在陶瓷(ceramic)基板上，使凹状的外壳(cover)颠倒，将该凹状的外壳盖在所述晶体片上，从而密闭封入所述晶体片。近年来，已有频率偏差Af/f比较宽松,例如为±150ppm ±250ppm的廉价的民用表面安装晶体振子。特别是，对于以往的表面安装晶体振子的一般构成而言，在陶瓷基板上形成例如AgPd(银、钯)的金属电极的图案(pattern)，然后将AgPd的支撑电极层叠于支撑着晶体片的部分，利用该支撑电极抬起晶体片。若晶体片的中央部与陶瓷基板(基底)的面发生接触，则会妨碍振动，且会导致等效电阻值变差，因此，必须以某种程度将搭载着晶体片的支撑电极抬离基底面。再者，利用AgPd来形成金属电极及支撑电极的原因在于不易氧化。关联技术再者，作为关联的现有技术，已有日本专利特开2007-158419号公报“表面安装晶体振荡器”(日本电波工业股份有限公司)[专利文献I]、日本专利特开2003-179456号公报“晶体产品用表面安装容器及使用该晶体产品用表面安装容器的晶体产品”(日本电波工业股份有限公司)[专利文献2]、以及日本专利特开2001-110925号公报“导电性盖(cap)、电子零件及导电性盖的绝缘覆膜形成方法”(村田制作所股份有限公司)[专利文献3]。在专利文献I中表示了如下的构成，即，在表面安装晶体振荡器中，将晶体片3搭载在集成电路(Integrated Circuit, IC)芯片(chip) 2上,在安装基板4上形成有IC芯片2等，且设置有金属外壳5。另外，在专利文献2中表示了如下的构成，S卩，在晶体产品用表面安装容器中，将晶体片3经由晶体端子6而设置在单层基板IA上，利用外壳2来密闭封入所述晶体片3。另外，在专利文献3的现有技术的
中表示了如下的内容在基板51上，在金属盖52的下方开口端面与基板51的上表面51a发生接触的部分，形成有矩形框状的绝缘膜55。[专利文献I]日本专利特开2007-158419号公报[专利文献2]日本专利特开2003-179456号公报[专利文献3]日本专利特开2001-110925号公报然而，对于以往的表面安装晶体振子而言，根据不易氧化的理由，利用AgPd来形成金属电极及支撑电极，但为了使晶体片离开基底面，支撑电极必须具有厚度，因此，利用丝网印刷(screen print),将AgPd例如涂布三次而使支撑电极层叠,从而存在表面安装晶体振子的制造变复杂的问题点。特别由于AgPd的粘度低，因此，无法一次性地形成厚膜，必须反复地进行如下的步骤，即，形成薄膜，然后对薄膜进行层叠。另外，由于AgPd的粘度低，因此，在金属电极上形成支撑电极，但支撑电极的AgPd膜有时也会松弛而在金属电极的周围露出。而且，存在如下的问题点目前，Pd(钯)的成本(cost)约为Ag(银)的成本的22倍，若Pd的使用量增加，则制造成本会升高。另外，以往已有悬臂型的表面安装晶体振子，该悬臂型的表面安装晶体振子是在一条短边的两处保持着晶体片，但当从晶体片的上表面，对连接于所述两处的支撑电极的连接端子的牵拉配线进行观察时，有出现在比晶体片更靠外侧处的部位。而且，在制造步骤的频率调整过程中，利用氩(Ar)离子来将晶体片的激振电极削去，但出现在比晶体片更靠外侧处的部位有可能会被削去，从而存在如下的问题点，即，难以对调整机的离子枪(ion gun)的位置进行布置。
发明内容
本发明是鉴于所述实际情况而成的发明，本发明的目的在于提供如下的表面安装晶体振子及其制造方法，该表面安装晶体振子可实现小型化，且可使品质提高，使制造成本减少，从而使生广性提闻。用以解决所述先前例的问题点的本发明是在矩形的陶瓷基板上搭载有晶体片的表面安装晶体振子，该表面安装晶体振子包括第一支撑电极及第二支撑电极，保持着晶体片；贯通端子，形成在基板的角部所形成的贯通孔的壁面；第一下层部及第二下层部，在基板的表面，形成于第一支撑电极及第二支撑电极的下层；第一连接端子，将第一下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接；第二连接端子，将第二下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接；以及外壳，将晶体片予以覆盖，且对内部进行气密密封，且利用抗氧化金属膜来形成贯通端子、第一及第二下层部、及第一及第二连接端子，利用银来形成第一支撑电极及第二支撑电极，从而存在如下的效果，即，可实现小型化，且可使品质提闻，使制造成本减少，从而使生广性提闻。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，使第一连接端子与第二连接端子连接于基板的对角的贯通端子；且使未由第一连接端子及第二连接端子连接的第一下层部及第二下层部的端部，比由第一连接端子及第二连接端子连接的第一下层部及第二下层部的端部更短。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，在基板周围的内侧，形成搭载外壳的带状的绝缘膜。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，利用以银为主成分的合金，来形成
抗氧化金属膜。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，利用以银为主成分的与钯的合金，来形成抗氧化金属膜。
对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，晶体片经斜面加工，且短边具有倾斜，第一支撑电极及第二支撑电极是在第一下层部及第二下层部上，以在所述第一及第二下层部的中央部分形成空间部的方式，而一分为二地分离形成于第一及第二下层部的端部，由于晶体片的透镜状的腹部会被推入至空间部，因此，支撑电极上的导电性接着剂的推压作用变得充分，存在使晶体片的接着强度增大的效果。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，经斜面加工的晶体片经由导电性接着剂，而固定在连接于第一连接端子及第二连接端子的第一下层部及第二下层部的端部上所形成的分离的一个支撑电极上。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，使一个支撑电极的表面积，大于未连接于第一连接端子及第二连接端子的第一下层部及第二下层部的端部上所形成的分离的另一个支撑电极的表面积。本发明是在矩形的陶瓷基板上搭载有晶体片的表面安装晶体振子的制造方法，其中，在基板的角部所形成的贯通孔的壁面，形成贯通端子；并且在基板的表面，在保持着晶体片的第一支撑电极及第二支撑电极的下层，利用抗氧化金属膜来形成第一下层部及第二下层部、第一连接端子、以及第二连接端子，所述第一连接端子将第一下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接，所述第二连接端子将第二下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接；在第一下层部及第二下层部上，利用银来形成第一支撑电极及第二支撑电极；以及设置外壳，该外壳将晶体片予以覆盖，且对内部进行气密密封，从而存在如下的效果，即，可实现小型化，且可使品质提高，使制造成本减少，从而使生产性提闻。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，使第一连接端子与第二连接端子连接于基板的对角的贯通端子；且使未由第一连接端子及第二连接端子连接的第一下层部及第二下层部的端部，形成得比由第一连接端子及第二连接端子连接的第一下层部及第二下层部的端部更短。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，使用金属掩模(metalmask)来一次性地形成第一支撑电极及第二支撑电极。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，利用以银为主成分的合金，来形成抗氧化金属膜。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，利用以银为主成分的与钯的合金，来形成抗氧化金属膜。对于本发明而言，所述表面安装晶体振子的制造方法是搭载有晶体片的表面安装晶体振子的制造方法，其中，所述晶体片经斜面加工，且短边具有倾斜，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，第一支撑电极及第二支撑电极是在第一下层部及第二下层部上，以在所述第一及第二下层部的中央部分形成空间部的方式，而一分为二地分离形成于第一及第二下层部的端部，由于晶体片的透镜状的腹部会被推入至空间部，因此，支撑电极上的导电性接着剂的推压作用变得充分，存在使晶体片的接着强度增大的效果。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，将经斜面加工的晶体片经由导电性接着剂，而固定在连接于第一连接端子及第二连接端子的第一下层部及第二下层部的端部上所形成的分离的一个支撑电极上。
对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，使一个支撑电极的表面积，大于未连接于第一连接端子及第二连接端子的第一下层部及第二下层部的端部上所形成的分离的另一个支撑电极的表面积。另外，本发明是在矩形的陶瓷基板上搭载有晶体片的表面安装晶体振子，该表面安装晶体振子包括第一支撑电极及第二支撑电极，在一条短边上保持着晶体片；贯通端子，形成在基板的角部所形成的贯通孔的壁面上；第一下层部及第二下层部，在基板的表面，形成于第一支撑电极及第二支撑电极的下层；第一连接端子，将第一下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接；第二连接端子，将第二下层部的端部与贯通端子予以连接，该贯通端子是在基板上，与由第一下层部连接的贯通端子处于对角的角部的贯通端子；以及外壳，将晶体片予以覆盖，且对内部进行气密密封，利用抗氧化金属膜来形成贯通端子、第一及第二下层部、及第一及第二连接端子，利用银来形成第一支撑电极及第二支撑电极，从而存在如下的效果，即，可实现小型化，且可使品质提高，使制造成本减少，使生广性提闻。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，第二连接端子包括第一部分，其 一端连接于第二下层部的基板中央侧的端部，且另一端在沿着基板的长边而被连接的贯通端子的方向上延伸；以及第二部分，其一端连接于第一部分的另一端，且另一端连接于贯通端子。由于第二连接端子中的第一部分形成在隐藏于搭载的晶体片的背侧的位置，因此，存在如下的效果，即，不会借由频率调整时的氩离子来错误地将第一部分的配线图案削去，可使品质及生广性提闻。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，在基板周围的内侧，形成搭载外壳的带状的绝缘膜。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，利用以银为主成分的合金，来形成
抗氧化金属膜。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子中，利用以银为主成分的与钯的合金，来形成抗氧化金属膜。本发明是在矩形的陶瓷基板上搭载有晶体片的表面安装晶体振子的制造方法，在基板的角部所形成的贯通孔的壁面，形成贯通端子，并且在基板的表面，在第一支撑电极及第二支撑电极的下层，利用抗氧化金属膜来形成第一下层部及第二下层部、第一连接端子、以及第二连接端子，所述第一连接端子将第一下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接，所述第二连接端子将第二下层部的端部与如下的贯通端子予以连接，该贯通端子是在基板上，与由第一下层连接的贯通端子处于对角的角部的贯通端子，所述第一支撑电极及第二支撑电极在一条短边上保持着晶体片，在第一下层部及第二下层部上，利用银来形成第一支撑电极及第二支撑电极，设置外壳，该外壳将晶体片予以覆盖，且对内部进行气密密封，从而存在如下的效果，即，可实现小型化，且可使品质提高，使制造成本减少，使生广性提闻。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，该表面安装晶体振子是以使第二连接端子包括第一部分与第二部分的方式而形成，所述第一部分的一端连接于第二下层部的基板中央侧的端部，且另一端在沿着基板的长边而被连接的贯通端子的方向上延伸，所述第二部分的一端连接于第一部分的另一端，且另一端连接于贯通端子，由于第二连接端子中的第一部分形成在隐藏于搭载的晶体片的背侧的位置，因此，存在如下的效果，即，不会借由频率调整时的氩离子来错误地将第一部分的配线图案削去，可使品质及生广性提闻。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，使用金属掩模来一次性地形成第一支撑电极及第二支撑电极。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，利用以银为主成分的合金来形成抗氧化金属膜。对于本发明而言，在所述表面安装晶体振子的制造方法中，利用以银为主成分的与钯的合金来形成抗氧化金属膜。
图I是第一晶体振子的电极图案的平面说明图。图2是第一晶体振子的形成有电极图案的状态的剖面说明图。图3是第一晶体振子的绝缘膜图案的平面说明图。图4是第一晶体振子的形成有绝缘膜的状态的剖面说明图。图5是第一晶体振子的支撑电极图案的平面说明图。图6是第一晶体振子的形成有支撑电极图案的状态的剖面说明图。图7是晶体片搭载于第一晶体振子时的平面说明图。图8是外壳搭载于第一晶体振子的状态的剖面说明图。图9是第二晶体振子的电极图案的平面说明图。图10是晶体片搭载于第二晶体振子时的平面说明图。图11是第二晶体振子的短边的剖面说明图。图12是外壳搭载于第二晶体振子的状态的长边的剖面说明图。图13是第三晶体振子的电极图案的平面说明图。图14是第三晶体振子的支撑电极图案的平面说明图。图15是晶体片搭载于第三晶体振子时的平面说明图。图16是外壳搭载于第三晶体振子的状态的剖面说明图。附图标记I :基板(基底)2a、2al、2a2、2a3 :连接端子2b、2c :贯通端子3a:支撑电极下层部3a':支撑下层部3b:支撑电极3bI :第一支撑电极3b2 :第二支撑电极3b':支撑部4 :安装端子5、5':晶体片
5a:激振电极5b:引出电极6 :外壳7:导电性接着剂10 :绝缘膜k' -K':部分d :特定的距离
具体实施方式
一面参照附图，一面对本发明的实施方式进行说明。[第一实施方式的概要]本发明的第一实施方式的表面安装晶体振子是在矩形的陶瓷基板的角部所形成的贯通孔的壁面上形成有AgPd的贯通端子,在基板的表面形成有AgPd的金属电极,该AgPd的金属电极连接于贯通端子且形成支撑电极的下层，在所述金属电极上形成有保持着晶体片的Ag的支撑电极，本发明的第一实施方式的表面安装晶体振子实现了小型化，且使制造成本减少，使生广性提闻。特别是，对于支撑电极而言，使用金属掩模(metal mask)而并非使用丝网掩模(screen mask)来一次性地形成厚的Ag膜，因此,可使制造成本减少,而且也可简化制造工艺(process)。[实施方式的前提]以往，利用AgPd来形成保持着晶体片的支撑电极的原因在于=AgPd印刷的耐环境性(environment resistance)优异，且 AgPd 膜不易氧化。在第一实施方式 第三实施方式中，将金属外壳盖在晶体片上，对封装(package)内进行N2净化(purge)，接着进行气密密封，因此，即使利用Ag来形成封装内的支撑电极，也不易引起氧化。 再者，N2净化是如下的作业，即，将氮送入至封装内，将氧等逐出。然而，由于从封装抽出的金属电极及贯通端子暴露在空气中，因此，必须利用AgPd来形成所述金属电极及贯通端子。[第一晶体振子的电极图案图I]一面参照图1，一面对本发明的实施方式的第一表面安装晶体振子(第一晶体振子)进行说明。图I是第一晶体振子的电极图案的平面说明图。如图I所示，第一晶体振子中的金属电极的电极图案在陶瓷基板(基底)1上，基本包括作为支撑电极的下层的支撑电极下层部3a的图案、形成在基底I的四个角落的贯通端子2b、2c、以及连接端子2a的图案，该连接端子2a将支撑电极下层部3a与贯通端子2c予以连接。此处，将由连接端子2a连接的贯通端子设为2c，且将未由连接端子2a连接的贯通端子设为2b而加以区分。此处，具体地对电极图案的各部分进行说明。贯通端子2b、2c为如下的电极，该电极是在分离成基底之前的陶瓷片状态下，在决定各个晶体振子的区域的破裂线(break line)的交点处形成通孔(through hole)(贯通孔)，在该通孔的壁面上形成金属膜，并连接基底的表背面。另外，对于贯通端子2b、2c而言，为了容易连接其他电极，不仅在通孔的壁面上成为扇形的图案，而且除了通孔部分之外，在基底的表背面上也成为扇形的图案。连接端子2a呈直线地连接于最靠近支撑电极下层部3a的端部的角部的贯通端子2c0而且，连接端子2a连接于各自处于对角的位置的贯通端子2c。在图I中，一个连接端子2a连接于左下方的贯通端子2c，另一个连接端子2a连接于右上方的贯通端子2c。使连接端子2a处于对角，借此，即使外壳在图I的上下方向偏移，也可防止外壳与未由连接端子2a连接的支撑电极下层部3a的端部发生接触，从而可使品质提高。此外，支撑电极下层部3a的未由连接端子2a连接的端部，比由连接端子2a连接 的端部更短。S卩，若对距离(A)与距离⑶进行比较，则距离⑶比距离(A)更长，所述距离(A)是直至靠近由连接端子2a连接的支撑电极下层部3a的端部的基底的长边为止的距离，所述距离(B)是直至靠近未由连接端子2a连接的支撑电极下层部3a的端部的基底的长边为止的距离。因此，在图I的左上方及右下方，使直至靠近支撑电极下层部3a的端部(未由连接端子2a连接的端部)的长边为止的空间(space)扩大，借此，即使之后搭载的外壳在图I的上下方向上稍微偏移，也不会与所述端部发生接触，从而可使品质提高。[第一晶体振子的电极图案的剖面图2]图2表示在基底I上形成有电极图案的状态的剖面说明图。图2是第一晶体振子的形成有电极图案的状态的剖面说明图。如图2所示，在基底I的表面上，借由AgPd来一体地形成支撑电极下层部3a与连接端子2a，并且也同时形成将基底I的表背面予以连接的贯通端子2b、2c。另外，在基底I的背面上，借由AgPd来形成连接于各贯通端子2b、2c的安装端子4的电极图案。连接于贯通端子2c的安装端子4成为被施加电压的电极，连接于贯通端子2b的安装端子4成为连接于地面(ground level)的GND电极。[第一晶体振子的绝缘膜的形成图3]接着，一面参照图3，一面对第一晶体振子的绝缘膜的形成进行说明。图3是第一晶体振子的绝缘膜图案的平面说明图。如图3所示，绝缘膜10处于基底I的表面，以围绕外周的内侧的方式，呈带状地由玻璃(glass)等形成，且将基底I上的连接端子2a予以覆盖地横穿该连接端子2a。而且，绝缘膜10远离基底I的外周端地形成于内侧，且并未覆盖至形成有贯通端子2b、2c的角部为止。然而，也可考虑外壳的偏移，使绝缘膜10向贯通端子2b、2c的中心侧延展。所谓中心侧，是指利用对角线来将基底I的角部予以连结时的线端的部分。[第一晶体振子形成有绝缘膜时的剖面图4]图4表示形成有绝缘膜的状态的剖面说明图。图4是第一晶体振子的形成有绝缘膜的状态的剖面说明图。如图4所示，在基底I的表面上，以围绕外周的内侧的方式而形成绝缘膜10。再者，在连接端子2a上也形成绝缘膜10。[第一晶体振子的支撑电极图案图5]接着，一面参照图5，一面对第一晶体振子的支撑电极图案进行说明。图5是第一晶体振子的支撑电极图案的平面说明图。如图5所示，支撑电极3b层叠在支撑电极下层部3a上且由Ag形成。由于支撑电极3b使用了 Ag，因此粘度高，可使用金属掩模，利用一次涂布来形成具有厚度的金属膜。由一次涂布所形成的支撑电极3b的厚度相当于三层以往使用有AgPd的金属膜(粘度低)的厚度。 S卩，在第一实施方式中，为了形成相同厚度的支撑电极3b，只要对Ag膜进行一次涂布即可，但对于以往的AgPd膜而言，必须涂布三次，使用大量的Pd且成本高，作业步骤也变得复杂。另外，由于支撑电极3b使用了粘度高的Ag，因此，该支撑电极3b不会松弛而从支撑电极下层部3a露出，即使偏移地搭载金属制的外壳，也可使短路(short)的可能性减少。[第一晶体振子的支撑电极图案的剖面图6]图6表示形成有支撑电极图案的状态的剖面说明图。图6是第一晶体振子的形成有支撑电极图案的状态的剖面说明图。如图6所示，在支撑电极下层部3a上的支撑电极3b是形成得比支撑电极下层部3a更厚。[第一晶体振子的晶体片搭载情况图7]接着，一面参照图7，一面对第一晶体振子的晶体片搭载情况进行说明。图7是晶体片搭载于第一晶体振子时的平面说明图。晶体片5设为AT切割的晶体片，且在两个主面上形成有相向的激振电极5a。另外，晶体片5中形成有引出电极5b，该引出电极5b从激振电极5a延伸至彼此相反的方向的两端部，且遍及整个宽度方向地折返。而且，引出电极5b的延伸的一组对角部(端部)借由作为导电材料的导电性接着剂7而固定于支撑电极3b，将引出电极5b与支撑电极3b电性且机械性地予以连接。[第一晶体振子的剖面图8]接着，一面参照图8，一面对外壳搭载于第一晶体振子的状态的剖面进行说明。图8是外壳搭载于第一晶体振子的状态的剖面说明图。如图8所示，晶体片5经由导电性接着剂7而搭载在支撑电极3b上，而且，金属制的外壳6经由作为绝缘性密封材料的树脂，而搭载在绝缘膜10上。外壳6呈凹状的形状，且开口端面弯折为L字状，使该凹状的形状颠倒，将该L字状的部分经由密封剂的树脂而接合至绝缘膜10上。在利用外壳6来进行密封的情况下，由于借由N2净化来进行气密密封，因此，由Ag形成的支撑电极3b不会氧化，品质上无问题。[第一晶体振子的制造方法]接着，对第一晶体振子的制造方法进行说明。
[第一步骤/对片状陶瓷胚料进行煅烧]首先，形成作为片(sheet)状陶瓷基底的基础的片状陶瓷胚料。在片状陶瓷胚料中，对应于各个陶瓷基底1，形成对相邻接的区域彼此进行划分的破裂线(broken line)，并且在四个角落部(角部)形成贯通孔。接着，对形成有贯通孔的片状陶瓷胚料进行煅烧，获得片状陶瓷基底。[第二步骤/形成电路图案]接着，在与片状陶瓷基底的电路图案相对应的区域中，借由使用丝网掩模的印刷，以约10 ii m左右的厚度来形成AgPd合金的金属膏(paste)。如图I所示，在电路图案的一个主面(表面)上形成金属图案，在另一个主面(背 面)上形成安装端子4的图案，而且在贯通孔的壁面上形成贯通端子2b、2c。接着，以约850°C来对作为AgPd合金的金属膏进行煅烧，使金属膏中的粘合剂(binder)蒸发，并且使AgPd合金熔融而变成固体，从而获得形成有金属图案的片状陶瓷基。再者，陶瓷的煅烧温度约为1500°C 1600°C，AgPd合金的煅烧温度为陶瓷的煅烧温度以下的850°C，因此，在对陶瓷进行煅烧之后，涂布AgPd合金膏，接着对陶瓷及AgPd合金膏一起进行煅烧。原因在于若将AgPd合金膏涂布至陶瓷胚料，接着以陶瓷的煅烧温度来进行煅烧，则AgPd合金膏的温度过高，该AgPd合金膏会变成颗粒，从而无法形成电路图案。[第三步骤/形成绝缘膜10]接着，对绝缘膜10的形成进行说明。在形成有金属图案等的片状陶瓷基底的各矩形区域(相当于各基底I)周围的内侦lJ,借由印刷来形成玻璃膏(glass paste)作为绝缘膜10。接着，以约850°C左右的温度来进行煅烧，使玻璃膏变成固体。[第四步骤/形成支撑电极3b]接着，对支撑电极3b的形成进行说明。如图5、图6所示，使用镍(Ni)的金属掩模，在AgPd的支撑电极下层部3a上，借由Ag的金属膜来形成支撑电极3b。由于支撑电极3b为Ag的金属膜，因此粘度高，可利用一次成膜过程来形成具有厚度的膜。因此，支撑电极3b不会松弛而从支撑电极下层部3a露出。[第五步骤/搭载晶体片]接着，借由导电性接着剂7，将晶体片5固定且搭载于形成有金属图案等的片状陶瓷基底的各支撑电极3b，使所述晶体片5电性且机械地连接于所述各支撑电极3b，所述晶体片5从激振电极5a延伸出了引出电极5b。[第六步骤/调整频率]接着,根据质量负载效应(mass load effect),对搭载(固定)于片状陶瓷基底的作为晶体振子的各晶体片5的振动频率进行调整。具体而言，在片状陶瓷基底的背面，使来自测定器的测定端子(探针(probe))与安装端子4发生接触，该安装端子4与各晶体片5形成电性连接。接着，将气体离子(gasion)照射至板面已露出的晶体片5的表面侧的激振电极5a，将表面削去，使激振电极5a的质量减少，从而将振动频率从低频率调整至高频率。然而，例如也可借由蒸镀或溅镀来将金属膜附加至激振电极5a上，从而将振动频率从高频率调整至低频率。[第七步骤/接合金属外壳(密闭封入)]接着，经由密封材料，将呈凹状的金属的外壳6的开口端面(凸缘(flange)下表面)接合至绝缘膜10上，该绝缘膜10处于与搭载有晶体片5的片状陶瓷基底IA的各个陶瓷基底I相对应的矩形状区域的外周表面。此处，将预先涂布或转印至外壳6的开口端面的树脂作为密封材料，进行加热而使所述树脂熔融，从而进行接合。例如，将外壳6的开口端面设为L字状，使所谓的密封路径(seal path)变长。借此，形成片状的晶体振子，该片状的晶体振子是密闭封入各个晶体片5而经集成所得。 [第八步骤/分割]最后，根据破裂线，纵横地对集成有晶体振子的片状陶瓷基底进行分割，获得各个表面安装晶体振子。另外，此处，可在形成有金属图案等的片状陶瓷基底的状态下，连续地进行晶体片5的搭载(第五步骤)、频率调整(第六步骤)及外壳6的接合(第七步骤)的步骤，因此，存在可使生广性提闻的效果。而且，在第一实施方式中，陶瓷基底I的背面的安装端子4是设为各自电性地独立的四个端子。另一方面，在片状陶瓷基底的状态下，相邻接的矩形状区域的四个角部的各安装端子4(四个)是经由贯通端子2b、2c，而在电气性上共用地被连接。因此，存在如下的效果，S卩，即使在四个角部的各安装端子4共用地被连接的状态下，也可使测定端子与各陶瓷基底I的连接于支撑电极3b的一组对角部的安装端子4发生接触,从而对每个晶体片5的振动频率进行调整。另外，虽将绝缘膜10设为玻璃，但例如只要具有比作为密封材料的树脂更高的耐热性，则也可应用树脂。而且，虽将金属图案设为AgPd合金，但也可为以对于陶瓷的附着力比较良好的Ag为主的例如AgPt (银、钼)合金，只要为Ag系厚膜材料，则可适用。[第一实施方式的效果]根据第一晶体振子，存在如下的效果，即，利用AgPd合金来一体地形成支撑电极下层部3a、连接端子2a以及贯通端子2b、2c，在支撑电极下层部3a上形成Ag的支撑电极3b，搭载晶体片5之后，利用外壳6来进行气密密封，因此，不会使支撑电极3b暴露在空气中而氧化，且由于Ag的粘度高，因此，可利用一次成膜过程来形成具有比AgPd更厚的厚度的膜，而且不会松弛，所以可实现小型化，且使品质提高，从而使生产性提高。另外，第一晶体振子是利用Ag膜来形成支撑电极3b，因此，存在可使制造成本减少的效果。[第二实施方式]接着，对第二实施方式的晶体振子(第二晶体振子)进行说明。在第一实施方式中，将晶体片5设为板状，但为了在低频时，使Cl (CrystalImpedance :等效串联电阻)的数值下降,对晶体片进行斜面(bevel)加工。
所谓斜面加工，是指利用倒角加工来使晶体片的端面成为倾斜部的加工处理。借由所述斜面加工，晶体片的腹部形成为透镜状。若将经斜面加工的晶体片搭载在支撑电极3b上，则有时该晶体片的透镜状的腹部会与该支撑电极3b发生接触，导致晶体片在支撑电极3b的端部翘起，由导电性接着剂产生的推压作用变得不充分。若导电性接着剂的推压作用变得不充分，则会引起晶体片的接着强度不足。因此，在第二晶体振子中，不形成支撑电极3b的中央部分，将该支撑电极3b设为分离至两端的形状，在中央部分形成空间部，利用两端的支撑电极3b来支撑晶体片，借此，将晶体片的透镜状的腹部收在所述空间部中，经斜面加工的晶体片的端面可与两端的支撑电极3b发生接触而不会翘起，因此，导电性接着剂的推压作用变得充分，从而可满足晶体片的接着强度。
再者，也可将支撑电极下层部3a—分为二，但为了稳定地形成支撑电极3b，不对支撑电极下层部3a进行分割，而保留该支撑电极下层部3a。[第二晶体振子的电极图案图9]接着，一面参照图9，一面对第二晶体振子的电极图案进行说明。图9是第二晶体振子的电极图案的平面说明图。如图9所示，第二晶体振子与图5的第一晶体振子相比较，分离地部分形成支撑电极3b o具体而言，在未由连接端子2a连接的一侧的支撑电极下层部3a上形成第一支撑电极3bl，在由连接端子2a连接的一侧的支撑电极下层部3a上形成第二支撑电极3b2。再者，使第二支撑电极3b2的面积大于与晶体片发生接触的第一支撑电极3bl的面积。原因在于将导电性接着剂7涂布至第二支撑电极3b2的上表面，接着将晶体片搭载于该第二支撑电极3b2的上表面。借此，形成如下的构成，S卩，第一支撑电极3bl的上表面仅搭载了晶体片而未涂布有导电性接着剂。[第二晶体振子的晶体片搭载情况图10]接着，一面参照图10，一面对第二晶体振子的晶体片搭载情况进行说明。图10是晶体片搭载于第二晶体振子时的平面说明图。第二晶体振子的晶体片5'成为如下的构成，即，借由斜面加工处理端面是经过倒角加工，且包括透镜状的腹部。如图10所示，另外的第二晶体振子基本上与图7的第一晶体振子相同，但晶体片5'搭载在分离的第一支撑电极3bl与第二支撑电极3b2上，晶体片5'与第二支撑电极3b2利用导电性接着剂7而接合，而且电性且物理性地连接。[第二晶体振子的短边上的剖面图11]接着，一面参照图11，一面对第二晶体振子的短边上的剖面进行说明。图11是第二晶体振子的短边上的剖面说明图。如图11所示，在存在第一支撑电极3bl、第二支撑电极3b2的基板I的短边上的剖面中，在基板I的中央形成有支撑电极下层部3a，在基板I的周边内侧形成有绝缘膜10，在支撑电极下层部3a上形成有第一支撑电极3bl与第二支撑电极3b2，透镜状的晶体片5'借由导电性接着剂7而固定于第二支撑电极3b2。因此，晶体片5'仅载置在第一支撑电极3bl上而未被固定。晶体片5'借由导电性接着剂7而固定于沿着两方的短边形成的两个第二支撑电极3b2。然而，晶体片5'被向下方向推压，因此，与第一支撑电极3bl发生接触。[第二晶体振子的长边上的剖面图12]接着，一面参照图12，一面对外壳搭载于第二晶体振子的状态的长边上的剖面进行说明。图12是外壳搭载于第二晶体振子的状态的长边上的剖面说明图。如图12所示，经斜面加工的透镜状的晶体片5'经由导电性接着剂7、而搭载在两个第二支撑电极3b2上，而且，金属制的外壳6经由作为绝缘性密封材料的树脂而搭载在绝缘膜10上。 其他的基本构成与图8的第一晶体振子相同。[第二晶体振子的制造方法]第二晶体振子的制造方法基本上与第一晶体振子的制造方法相同。不同点在于对晶体片5'进行斜面加工；当形成支撑电极时，在中央部设置空间部，借由金属掩模来形成经分割的第一支撑电极3b I与第二支撑电极3b2 ;以及借由导电性接着剂，将晶体片5'固定在第二支撑电极3b2上。[第二晶体振子的效果]根据第二晶体振子，由于基本上包括第一晶体振子的构成，因此，具有第一晶体振子的效果，此外，当在中央部设置空间部，且借由分离的第一支撑电极3b I与第二支撑电极3b2来搭载经斜面加工的晶体片5'时，晶体片5'的透镜状的腹部会被推入至所述空间部，因此，第二支撑电极3b2上的导电性接着剂7的推压作用变得充分，存在使晶体片5'的接着强度增大的效果。[第三实施方式的概要]本发明的第三实施方式的表面安装晶体振子是在一条短边上，借由支撑电极来保持着晶体片的悬臂型(cantilever type)的表面安装晶体振子,在矩形的陶瓷基板的角部所形成的贯通孔的壁面上形成有AgPd的贯通端子，在基板的表面形成有AgPd的金属电极，该AgPd的金属电极连接于贯通端子且形成支撑电极的下层，在所述金属电极上形成有保持着晶体片的Ag的支撑电极，本发明的第三实施方式的表面安装晶体振子实现了小型化，且使制造成本减少，使生产性提高。特别是，对于支撑电极而言，使用金属掩模而并非使用丝网掩模来一次性地形成厚的Ag膜，因此，可使制造成本减少，而且也可简化制造工艺。此外，在基板上，连接端子的与基板长边呈平行的引出配线图案是形成于隐藏在晶体片的背侧的位置，可使品质及生产性提高，而不会借由频率调整时的Ar离子、来错误地将引出配线图案削去。[第三晶体振子的电极图案图13]一面参照图13，一面对本发明的第三实施方式的表面安装晶体振子(第三晶体振子)进行说明。图13是第三晶体振子的电极图案的平面说明图。如图13所示，第三晶体振子的金属电极的电极图案在陶瓷基板(基底)1上，基本包括作为支撑电极的下层的支撑电极下层部3a的图案、形成在基底I的四个角落的贯通端子2b、2c、以及连接端子2al、2a2、2a3的图案，该连接端子2al、2a2、2a3将支撑电极下层部3a与贯通端子2c予以连接。此处，将由连接端子2a连接的贯通端子设为2c，且将未由连接端子2a连接的贯通端子设为2b而加以区分。另外，第三晶体振子是仅保持着晶体片的一条短边的悬臂型的晶体振子，因此，两个支撑电极下层部3a设置在基底I的短边的一侧。而且，在所述短边的相反侧的短边(基板I的另一条短边)上形成有支撑部的下层部(支撑下层部)3a'，该支撑部的下层部(支撑下层部)3a'在晶体片的另一条短边上支撑着晶体片。此处，具体地对电极图案的各部分进行说明。贯通端子2b、2c为如下的电极，该电极是在分离成基底之前的陶瓷片状态下，在决定各个晶体振子的区域的破裂线的交点处形成通孔(贯通孔)，在该通孔的壁面上形成 金属膜，并连接基底的表背面。另外，对于贯通端子2b、2c而言，为了容易连接其他电极，不仅在通孔的壁面上成为扇形的图案，而且除了通孔部分之外，在基底的表背面上也成为扇形的图案。连接端子2al呈直线地连接于最靠近支撑电极下层部3a(图13的下侧的支撑电极下层部3a)的端部的角部的贯通端子2c (图13的左下侧的贯通端子2c)。特别是，连接端子2al从靠近支撑电极下层部3a的基底I的长边一侧引出至贯通端子2c。另外，连接端子2a2是与基底I的长边呈平行地、从支撑电极下层部3a(图13的上侧的支撑电极下层部3a)的端部引出，然后，连接于连接端子2a3的一端，连接端子2a3的另一端连接于贯通端子2c (图13的右上侧的贯通端子2c)。具体而言，连接端子2a3是以从贯通端子2c向基底I的大致中央方向倾斜的方式而形成。而且，作为第三晶体振子的特征，连接端子2a2即使为支撑电极下层部3a的端部，也会从基底I的中央侧的端部引出。通常，连接端子2a2从靠近支撑电极下层部3a的基底I的长边侧的端部引出，但在第三晶体振子中，在与长边侧的端部仅相距特定的距离d的中央侧形成有连接端子2a2。此为如下的构成，S卩，即使在之后的步骤中，为了搭载晶体片且对频率进行调整，借由Ar离子来将激振电极削去，连接端子2a2也隐藏在晶体片的背侧，因此，不会错误对将连接端子2a2削去。而且，在基底I的表面上，借由AgPd来一体地形成支撑电极下层部3a、支撑下层部3a'与连接端子2al、2a2、2a3，并且也同时形成将基底I的表背面予以连接的贯通端子2b、2c0另外，在基底I的背面上，借由AgPd来形成连接于各贯通端子2b、2c的安装端子的电极图案。连接于贯通端子2c的安装端子成为被施加电压的电极，连接于贯通端子2b的安装端子成为连接于地面的GND电极。另外，在基底I上，绝缘膜处于基底I的表面，以围绕外周的内侧的方式，呈带状地由玻璃等形成，且将基底I上的连接端子2al、2a3予以覆盖地横穿该连接端子2al、2a3。而且，绝缘膜远离基底I的外周端地形成于内侧，且并未覆盖至形成有贯通端子2b,2c的角部为止。
然而，也可考虑外壳的偏移，使绝缘膜10向贯通端子2b、2c的中心侧延展。所谓中心侧，是指利用对角线来将基底I的角部予以连结时的线端的部分。[第三晶体振子的支撑电极图案图14]接着，一面参照图14，一面对第三晶体振子的支撑电极图案进行说明。图14是第三晶体振子的支撑电极图案的平面说明图。如图14所示，支撑电极3b层叠在支撑电极下层部3a上且由Ag形成。再者，也在支撑下层部3a'上，借由Ag而形成支撑部3b'。由于支撑电极3b、支撑部3b'使用了 Ag，因此粘度高，可使用金属掩模，利用一次涂布来形成具有厚度的金属膜。由一次涂布所形成的支撑电极3b、支撑部3b'的厚度相当于三层以往使用有AgPd的金属膜(粘度低)的厚度。
即，为了形成相同厚度的支撑电极3b，在第三实施方式中，只要对Ag膜进行一次涂布即可，但对于以往的AgPd膜而言，必须涂布三次，使用大量的Pd且成本高，作业步骤也变得复杂。另外，由于支撑电极3b使用了粘度高的Ag，因此，该支撑电极3b不会松弛而从支撑电极下层部3a露出，即使偏移地搭载金属制的外壳，也可使短路的可能性减少。[第三晶体振子的晶体片搭载情况图15]接着，一面参照图15，一面对第三晶体振子的晶体片搭载情况进行说明。图15是晶体片搭载于第三晶体振子时的平面说明图。晶体片5设为AT切割的晶体片，且在两个主面上形成有相向的激振电极5a。另外，晶体片5中形成有引出电极5b，该引出电极5b从激振电极5a延伸至彼此相同的方向的端部，且遍及整个宽度方向地折返。而且，引出电极5b的延伸的端部是借由作为导电材料的导电性接着剂而固定于支撑电极3b，将引出电极5b与支撑电极3b电性且机械性地予以连接。另外，如上所述，连接端子2a2隐藏在晶体片5的背侧，因此，即使为了对频率进行调整，借由Ar离子来将激振电极削去，也不会错误地将连接端子2a2削去。[第三晶体振子的剖面图16]接着，一面参照图16，一面对外壳搭载于第三晶体振子的状态的剖面进行说明。图16是外壳搭载于第三晶体振子的状态的剖面说明图。特别是图16为图15的A' -A'部分的剖面说明图。如图16所示，在基底I的表面形成有支撑电极下层部3a、支撑下层部3a'、以及连接端子2al、2a2、2a3，在基底I的四个角落的角部形成有贯通端子2b、2c，在基底I的背面、利用AgPd而形成有安装端子4。另外，在支撑电极下层部3a上形成有Ag的支撑电极3b，而且利用导电性接着剂7来将晶体片5接着于支撑电极3b。另外，在基底I的周围形成有绝缘膜10，金属制的外壳6经由作为绝缘性密封材料的树脂而搭载在该绝缘膜10上。外壳6呈凹状的形状，且开口端面弯折为L字状，使该凹状的形状颠倒，将该L字状的部分经由作为密封剂的树脂而接合至绝缘膜10上。在利用外壳6来进行密封的情况下，由于借由N2净化来进行气密密封，因此，由Ag形成的支撑电极3b、支撑部3b'不会氧化，品质上无问题。[第三晶体振子的制造方法]接着，对第三晶体振子的制造方法进行说明。[第一步骤/对片状陶瓷胚料进行煅烧]首先，形成作为片状陶瓷基底的基础的片状陶瓷胚料。在片状陶瓷胚料中，对应于各个陶瓷基底1，形成对相邻接的区域彼此进行划分的破裂线，并且在四个角落部(角部)形成贯通孔。接着，对形成有贯通孔的片状陶瓷胚料进行煅烧，获得片状陶瓷基底。 [第二步骤/形成电路图案]接着，在与片状陶瓷基底的电路图案相对应的区域中，借由使用丝网掩模的印刷，以约10 ii m左右的厚度来形成AgPd合金的金属膏。如图13所示，在电路图案的一个主面(表面)上形成金属图案，在另一个主面(背面)上形成安装端子4的图案，而且在贯通孔的壁面上形成贯通端子2b、2c。接着，以约850°C来对作为AgPd合金的金属膏进行煅烧，使金属膏中的粘合剂蒸发，并且使AgPd合金熔融而变成固体，从而获得形成有金属图案的片状陶瓷基底。再者，陶瓷的煅烧温度约为1500°C 1600°C，AgPd合金的煅烧温度为陶瓷的煅烧温度以下的850°C，因此，在对陶瓷进行煅烧之后，涂布AgPd合金膏，接着对陶瓷及AgPd合金膏一起进行煅烧。原因在于若将AgPd合金膏涂布至陶瓷胚料，接着以陶瓷的煅烧温度来进行煅烧，则AgPd合金膏的温度过高，该AgPd合金膏会变成颗粒，从而无法形成电路图案。[第三步骤/形成绝缘膜10]接着，对绝缘膜10的形成进行说明。在形成有金属图案等的片状陶瓷基底的各矩形区域(相当于各基底I)周围的内侦1J,借由印刷来形成玻璃膏作为绝缘膜10。接着，以约850°C左右的温度来进行煅烧，使玻璃变成固体。[第四步骤/形成支撑电极3b]接着，对支撑电极3b的形成进行说明。如图14所示，使用镍(Ni)的金属掩模，在AgPd的支撑电极下层部3a、支撑下层部3a'上，借由Ag的金属膜来形成支撑电极3b、支撑部3b'。由于支撑电极3b等为Ag的金属膜，因此粘度高，可利用一次成膜过程来形成具有厚度的膜。因此，支撑电极3b不会松弛而从支撑电极下层部3a露出。[第五步骤/搭载晶体片]接着，借由导电性接着剂7，将晶体片5固定且搭载于形成有金属图案等的片状陶瓷基底的各支撑电极3b，使所述晶体片5电性且机械性地连接于所述各支撑电极3b，所述晶体片5从激振电极5a延伸出了引出电极5b。[第六步骤/调整频率]接着，根据质量负载效应，对搭载(固定)于片状陶瓷基底的作为晶体振子的各晶体片5的振动频率进行调整。具体而言，在片状陶瓷基底的背面，使来自测定器的测定端子(探针)与安装端子4发生接触，该安装端子4与各晶体片5形成电性连接。接着，将Ar气体离子照射至板面已露出的晶体片5的表面侧的激振电极5a，将表面削去，使激振电极5a的质量减少，从而将振动频率从低频率调整至高频率。然而，例如也可借由蒸镀或溅镀来将金属膜附加至激振电极5a上，从而将振动频率从高频率调整至低频率。[第七步骤/接合金属外壳(密闭封入)]接着，经由密封材料，将呈凹状的金属的外壳6的开口端面(凸缘下表面)接合至绝缘膜10上，该绝缘膜10处于与搭载有晶体片5的片状陶瓷基底IA的各个陶瓷基底I相对应的矩形状区域的外周表面。此处，将预先涂布或转印至外壳6的开口端面的树脂作为密封材料，进行加热而 使所述树脂熔融，从而进行接合。例如，将外壳6的开口端面设为L字状，使所谓的密封路径变长。借此，形成片状的晶体振子，该片状的晶体振子是密闭封入各个晶体片5而经集成所得。[第八步骤/分割]最后，根据破裂线，纵横地对集成有晶体振子的片状陶瓷基底进行分割，获得各个表面安装晶体振子。另外，此处，可在形成有金属图案等的片状陶瓷基底的状态下，连续地进行晶体片5的搭载(第五步骤)、频率调整(第六步骤)及外壳6的接合(第七步骤)的步骤，因此，存在可使生广性提闻的效果。而且，在第三实施方式中，陶瓷基底I的背面的安装端子4是设为各自电性独立的四个端子。另一方面，在片状陶瓷基底的状态下，相邻接的矩形状区域的四个角部的各安装端子4 (四个)是经由贯通端子2b、2c，而在电气性上共用地被连接。因此，存在如下的效果，即，即使在四个角部的各安装端子4共用地被连接的状态下，也可使测定端子与各陶瓷基底I的连接于支撑电极3b的一组对角部的安装端子4发生接触,从而对每个晶体片5的振动频率进行调整。另外，虽将绝缘膜10设为玻璃，但例如只要具有比作为密封材料的树脂更高的耐热性，则也可应用树脂。而且，虽将金属图案设为AgPd合金，但也可为以对于陶瓷的附着力比较良好的Ag为主的例如AgPt (银、钼)合金，只要为Ag系厚膜材料，则可适用。[第三实施方式的效果]根据第三晶体振子，在悬臂类型中，利用AgPd合金来一体地形成支撑电极下层部3a、支撑下层部3a'、连接端子2al、2a2、2a3、以及贯通端子2b、2c,在支撑电极下层部3a、支撑下层部3a'上形成Ag的支撑电极3b、支撑部3b'，在搭载晶体片5之后，利用外壳6来进行气密密封，因此，不会使支撑电极3b、支撑部3b'暴露在空气中而氧化，且由于Ag的粘度高，因此，可利用一次性成膜过程来形成具有比AgPd更厚的厚度的膜，而且不会松弛，所以存在如下的效果，即，可实现小型化，且使品质提高，从而使生产性提高。另外，根据第三晶体振子，利用Ag膜来形成支撑电极3b、支撑部3b'，因此，存在可使制造成本减少的效果。另外，根据第三晶体振子，在比基底I的长边更靠中央侧处形成连接端子2a2，因此，在搭载晶体片之后，所述连接端子2a2会隐藏在晶体片5的背侧，所以才能存在如下的效果，即，即使为了对频率进行调整，借由Ar离子来将激振电极削去，也不会错误地将连接 端子2a2削去，可使品质提1 ，从而使生广性提1 。本发明适合于如下的表面安装晶体振子及其制造方法，该表面安装晶体振子可实现小型化，且使品质提1 ,使制造成本减少，从而使生广性提
权利要求
1.一种表面安装晶体振子，在矩形的陶瓷基板上搭载有晶体片，所述表面安装晶体振子的特征在于包括第一支撑电极及第二支撑电极，保持着所述晶体片；贯通端子，形成在所述基板的角部所形成的贯通孔的壁面；第一下层部及第二下层部，在所述基板的表面，形成于所述第一支撑电极及第二支撑电极的下层；第一连接端子，将所述第一下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接;第二连接端子，将所述第二下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接；以及外壳，将所述晶体片予以覆盖，且对内部进行气密密封，利用抗氧化金属膜来形成所述贯通端子、所述第一及第二下层部、及所述第一及第二连接端子，利用银来形成所述第一支撑电极及第二支撑电极。
2.根据权利要求1所述的表面安装晶体振子，其特征在于使所述第一连接端子与所述第二连接端子连接于所述基板的对角的所述贯通端子；且使未由所述第一连接端子及所述第二连接端子连接的所述第一下层部及所述第二下层部的端部，比由所述第一连接端子及所述第二连接端子连接的所述第一下层部及所述第二下层部的端部更短。
3.根据权利要求1所述的表面安装晶体振子，其特征在于在所述基板周围的内侧，形成搭载所述外壳的带状的绝缘膜。
4.根据权利要求1所述的表面安装晶体振子，其特征在于利用以银为主成分的合金，来形成所述抗氧化金属膜。
5.根据权利要求4所述的表面安装晶体振子，其特征在于利用以银为主成分的与钯的合金，来形成所述抗氧化金属膜。
6.根据权利要求1所述的表面安装晶体振子，其特征在于所述晶体片经斜面加工，且短边具有倾斜，所述第一支撑电极及所述第二支撑电极是在所述第一下层部及所述第二下层部上，以在所述第一及第二下层部的中央部分形成空间部的方式，而一分为二地分离形成于所述第一及第二下层部的端部。
7.根据权利要求6所述的表面安装晶体振子，其特征在于经斜面加工的所述晶体片经由导电性接着剂，而固定在连接于所述第一连接端子及所述第二连接端子的所述第一下层部及所述第二下层部的端部上所形成的分离的一个支撑电极上。
8.根据权利要求7所述的表面安装晶体振子，其特征在于使所述一个支撑电极的表面积，大于未连接于所述第一连接端子及所述第二连接端子的所述第一下层部及所述第二下层部的端部上所形成的分离的另一个支撑电极的表面积。
9.一种表面安装晶体振子的制造方法，所述表面安装晶体振子在矩形的陶瓷基板上搭载有晶体片，所述表面安装晶体振子的制造方法的特征在于在所述基板的角部所形成的贯通孔的壁面，形成贯通端子；并且在所述基板的表面，在保持着所述晶体片的第一支撑电极及第二支撑电极的下层，利用抗氧化金属膜来形成第一下层部及第二下层部、第一连接端子、以及第二连接端子，所述第一连接端子将所述第一下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接，所述第二连接端子将所述第二下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接；在所述第一下层部及所述第二下层部上，利用银来形成所述第一支撑电极及所述第二支撑电极；以及设置外壳，所述外壳将所述晶体片予以覆盖，且对内部进行气密密封。
10.根据权利要求9所述的表面安装晶体振子的制造方法，其特征在于使所述第一连接端子与所述第二连接端子连接于所述基板的对角的所述贯通端子；且使未由所述第一连接端子及所述第二连接端子连接的所述第一下层部及所述第二下层部的端部，形成得比由所述第一连接端子及所述第二连接端子连接的所述第一下层部及所述第二下层部的端部更短。
11.根据权利要求9所述的表面安装晶体振子的制造方法，其特征在于使用金属掩模来一次性地形成所述第一支撑电极及所述第二支撑电极。
12.根据权利要求9所述的表面安装晶体振子的制造方法，其特征在于在搭载有经斜面加工，且短边具有倾斜的晶体片的表面安装晶体振子的制造方法中， 所述第一支撑电极及所述第二支撑电极是在所述第一下层部及所述第二下层部上， 以在所述第一及第二下层部的中央部分形成空间部的方式，而一分为二地分离形成于所述第一及第二下层部的端部。
13.根据权利要求12所述的表面安装晶体振子的制造方法，其特征在于将经斜面加工的所述晶体片经由导电性接着剂，而固定在连接于所述第一连接端子及所述第二连接端子的所述第一下层部及所述第二下层部的端部上所形成的分离的一个支撑电极上。
14.根据权利要求13所述的表面安装晶体振子的制造方法，其特征在于使所述一个支撑电极的表面积，大于未连接于所述第一连接端子及所述第二连接端子的所述第一下层部及所述第二下层部的端部上所形成的分离的另一个支撑电极的表面积。
15.一种表面安装晶体振子，在矩形的陶瓷基板上搭载有晶体片，所述表面安装晶体振子的特征在于包括第一支撑电极及第二支撑电极，在一条短边上保持着晶体片；贯通端子，形成在所述基板的角部所形成的贯通孔的壁面；第一下层部及第二下层部，在所述基板的表面，形成于所述第一支撑电极及所述第二支撑电极的下层；第一连接端子，将所述第一下层部的端部与最靠近该端部的角部的贯通端子予以连接;第二连接端子，将所述第二下层部的端部与贯通端子予以连接，所述贯通端子是在所述基板上，与由所述第一下层部连接的贯通端子处于对角的角部的贯通端子；以及外壳，将所述晶体片予以覆盖，且对内部进行气密密封，利用抗氧化金属膜来形成所述贯通端子、所述第一及第二下层部、及所述第一及第二连接端子，利用银来形成所述第一支撑电极及所述第二支撑电极。
16.根据权利要求15所述的表面安装晶体振子，其特征在于所述第二连接端子包括第一部分，其一端连接于所述第二下层部的基板中央侧的端部，且另一端在沿着所述基板的长边而被连接的所述贯通端子的方向上延伸；以及第二部分，其一端连接于所述第一部分的另一端，且另一端连接于所述贯通端子。
17.根据权利要求15所述的表面安装晶体振子，其特征在于在所述基板周围的内侧，形成搭载所述外壳的带状的绝缘膜。
18.根据权利要求15所述的表面安装晶体振子，其特征在于利用以银为主成分的合金，来形成所述抗氧化金属膜。
19.根据权利要求18所述的表面安装晶体振子，其特征在于利用以银为主成分的与钯的合金，来形成所述抗氧化金属膜。
全文摘要
一种表面安装晶体振子及其制造方法，该表面安装晶体振子可实现小型化，且使品质提高，使制造成本减少，从而使生产性提高。对于所述表面安装晶体振子及其制造方法而言，在矩形的陶瓷基板(1)的角部所形成的贯通孔的壁面形成有银、钯(AgPd)的贯通端子(2b、2c)，在基板(1)的表面形成有AgPd的支撑电极下层部(3a)的金属电极，该金属电极连接于贯通端子(2c)且形成支撑电极(3b)的下层，在所述支撑电极下层部(3a)上，利用Ag而形成有保持着晶体片(5)的支撑电极(3b)，将外壳(6)搭载于基板(1)的周围内侧所形成的绝缘膜(10)上，从而进行气密密封。
文档编号H03H3/02GK103001600SQ20121032865
公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月6日 优先权日2011年9月8日
发明者佐藤征司 申请人:日本电波工业株式会社