专利名称：Cmos密码清除电路的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种CMOS密码清除电路。
背景技术：
通常使用一跳线来清除南桥芯片中CMOS (Complementary Metal OxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)数据。计算机主板上最常见的是一种键帽式跳线，键帽式跳线由底座和键帽组成。跳线的底座上设置有若干不连通的引脚，相连的两根引脚之间可通过跳线的键帽电性连接以实现特定的连接关系。当计算机的设置出现故障时，用户需打开计算机的机箱，之后，再将键帽从底座上取下并安装在另外两个引脚之间以清除南桥芯片中CMOS数据。然而，对于刚接触计算机的用户来说，其无法判知跳线位于计算机主板何处，用户还需拆开、组装机箱，如此给用户带来了极大的不便。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种可方便、快捷地清除CMOS密码的CMOS密码清除电路。一种CMOS密码清除电路，包括:
一电源电路，用于为该南桥芯片提供工作电压，计算机工作时由系统电源为南桥芯片供电，电脑系统关机后由电池为南桥芯片供电；以及
一第一按键电路，包括一第一二极管、一第一电阻、一第一电子开关以及一第一按键，该第一按键的一端接地，另一端通过该第一电阻连接于该第一二极管的阴极，还连接于该第一电子开关的第一端，该第一二极管 的阳极与该电池的正极相连，该第一电子开关的第二端接地，第三端与该南桥芯片相连，当该第一按键按下时，该第一电子开关的第一端为低电平，该第一电子开关的第二端与第三端导通，该第一电子开关的第三端输出低电平的密码清除信号至南桥芯片，以清除该南桥芯片内的CMOS密码。上述CMOS密码清除电路通过设置于计算机前板上的第一按键来清除南桥芯片内CMOS密码，避免了直接通过跳线的方式来清理CMOS密码而带来的不便。
图1是本发明CMOS密码清除电路的较佳实施方式的电路图。主要元件符号说明 _
电源电路 I ο 南桥芯片 —20 第一按键电路_ 30 第二按键电路_ 40 电池Τ5
电源3V—DliIT
^特基二极管—D1 二极管|D2-D5~
权利要求
1.一种CMOS密码清除电路，包括: 一电源电路，用于为该南桥芯片提供工作电压，计算机工作时由系统电源为南桥芯片供电，电脑系统关机后由电池为南桥芯片供电；以及 一第一按键电路，包括一第一二极管、一第一电阻、一第一电子开关以及一第一按键，该第一按键的一端接地，另一端通过该第一电阻连接于该第一二极管的阴极，还连接于该第一电子开关的第一端，该第一二极管的阳极与该电池的正极相连，该第一电子开关的第二端接地，第三端与该南桥芯片相连，当该第一按键按下时，该第一电子开关的第一端为低电平，该第一电子开关的第二端与第三端导通，该第一电子开关的第三端输出低电平的密码清除信号至南桥芯片，以清除该南桥芯片内的CMOS密码。
2.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路，其特征在于:该第一按键电路还包括一第二二极管及一第二电阻，该第二二极管的阴极通过该第二电阻连接于该第一电子开关的第一端，阳极连接于该系统电源。
3.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路，其特征在于:该第一电子开关为一P沟道场效应管或一 PNP三极管，当该第一电子开关为P沟道场效应管时，该第一电子开关的第一端、第二端及第三端分别为P沟道场效应管的栅极、漏极及源极；当该第一电子开关为PNP三极管时，该第一电子开关的第一端、第二端及第三端分别为PNP三极管的基极、集电极及发射极。
4.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路，其特征在于:该第一按键为该计算机前板上的复位键。
5.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路，其特征在于:该CMOS电路还包括一第二按键电路，该第二按键电路包括一第三二极管、一第三电阻、一第二电子开关及一第二按键；该第二按键的一端接地，另一端通过该第三电阻与该第三二极管的阴极相连，还连接于该第二电子开关的第一端，该第三二极管的阳极连接于该电池的正极，该第二电子开关的第二端连接于该第一电子开关的第三 端，该第二电子开关的第三端与该南桥芯片相连，当该第一按键及第二按键均被按下时，该第一电子开关及第二电子开关的第一端均为低电平，该第一电子开关的第二端与第三端导通，如此使得该第二电子开关的第二端及第三端导通，该第二电子开关的第三端输出低电平的密码清除信号至南桥芯片，以清除该南桥芯片内的CMOS密码。
6.如权利要求5所述的CMOS密码清除电路，其特征在于:该第二按键电路还包括一第四二极管及一第四电阻，该第四二极管的阴极通过该第四电阻连接于该第二电子开关的第一端，阳极与该系统电源相连。
7.如权利要求5所述的CMOS密码清除电路，其特征在于:该第二电子开关的为一P沟道场效应管或一 PNP三极管，当该第二电子开关为P沟道场效应管时，该第二电子开关的第一端、第二端及第三端分别为P沟道场效应管的栅极、漏极及源极；当该第二电子开关为PNP三极管时，该第二电子开关的第一端、第二端及第三端分别为PNP三极管的基极、集电极及发射极。
8.如权利要求5所述的CMOS密码清除电路，其特征在于:该第二电子开关为该计算机前板上的电源键。
9.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路，其特征在于:该电源电路包括一肖特基二极管、一电池、第一及第二电容、一第五电阻及一第六电阻，该电池的的负极接地，正极通过该第五电阻与该肖特基二极管 的第一阳极相连，该肖特基二极管的第二阳极连接于该系统电源，阴极通过该第六电阻与该第二电容的一端相连，还与该第一电容的一端相连，该第一及第二电容的另一端接地，该第六电阻与第二电容的节点处连接于该南桥芯片。
全文摘要
一种CMOS电路，用于清除一南桥芯片内CMOS的密码，该CMOS电路包括一电源电路及至少一按键电路，该电源电路为该南桥芯片提供工作，该按键电路连接于该南桥芯片，还与该电源电路相连，该按键电路包括一按键、一二极管、一电阻及一电子开关，该电子开关设置与一计算机的前板上，当该按键按下时，该电子开关导通，输出低电平的信号至该南桥芯片，以清除该南桥芯片内CMOS的密码。本发明CMOS电路可方便、快捷地清除CMOS密码。
文档编号H03K17/22GK103164008SQ20111041447
公开日2013年6月19日 申请日期2011年12月13日 优先权日2011年12月13日
发明者周海清 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司