双工器的利记博彩app

专利名称：双工器的利记博彩app
技术领域：
本发明的特定方面涉及双工器。
背景技术：
以蜂窝电话为代表的移动通信终端被广泛使用。近年来，在终端的多频带取得进展的同时要求缩小终端的尺寸。为此，还非常需要缩小在终端中采用的双工器的尺寸。然而，缩小双工器的尺寸可能使发射端子和接收端子之间的隔离劣化。因而，对双工器而言，需要缩小尺寸并改善隔离。日本专利申请特开No. 2006-180192描述了一种为互连线之间的间隔提供接地图案的技术。日本专利申请特开No. 2006-80921和2006-66978描述了一种利用倒装焊接将表面声波(SAW)芯片安装在绝缘基板上并且以形成在绝缘基板上的环形电极来密封该表面声波芯片的技术。日本专利申请特开No. 2006-180192中公开的技术在互连线和接地图案之间需要较大的距离。因此，可能很难在发射端子和接收端子之间获得充分的隔离。日本专利申请特开No. 2006-80921和2006-66978中提出的环形电极可能使隔离劣化。

发明内容
根据本发明的方面，提供一种双工器，所述双工器包括绝缘基板，所述绝缘基板具有之上安装有发射滤波器和接收滤波器的上表面，和之上形成有电连接到所述发射滤波器和接收滤波器底部焊盘层的下表面；发射用焊盘，设置在所述上表面上并且电连接到所述发射滤波器；接收用焊盘，设置在所述上表面上并且电连接到所述接收滤波器；环形电极，设置在所述上表面上并且配置以围绕所述发射用焊盘和所述接收用焊盘；接地用底部焊盘，包括在所述底部焊盘中，以及贯通互连线，配置为将所述环形电极和所述接地用底部焊盘相互电连接，并且在所述环形电极中设置在沿着所述环形电极将发射用焊盘和接收用焊盘连接到一起的路径中的较短一个的区间中。


图1中的(a)是RF单元的图，图1中的(b)是滤波器数量被减少的RF单元的图；图2中的(a)是双工器的框图，图2中的(b)是该双工器的截面图；图3中的(a)是在双工器中设置的绝缘基板的上部导电层的平面图，图3中的(b)是在双工器中设置的绝缘基板内的第一内导电层的平面图；图4中的(a)是在双工器中设置的绝缘基板内的第二内导电层的平面图，图4中的(b)是在双工器中设置的绝缘基板的下部导电层的平面图；图5是介于发射用焊盘和接收用焊盘之间的磁场的示意图；图6中的(a)是在根据第一实施方式的双工器中设置的绝缘基板的上部导电层的平面图，图6中的(b)是在根据第一实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第一内导电层的平面图；图7中的(a)和图7中的(b)例示了根据第一实施方式的双工器的隔离的计算结果；图8是在根据第一实施方式的变型的双工器中设置的绝缘基板的上部导电层的平面图；图9中的(a)是在根据第二实施方式的双工器中设置的绝缘基板的上部导电层的平面图，图9中的(b)是在根据第二实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第一内导电层的平面图；图10是在根据第二实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第二内导电层的平面图；图11中的(a)和图11中的(b)例示了根据第二实施方式的双工器的隔离的计算
结果；图12是在根据第三实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第二内导电层的平面图；图13是在根据第四实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第二内导电层的平面图；图14中的(a)是在根据第五实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第一内导电层的平面图，图14中的(b)是在根据第五实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第二内导电层的平面图；图15是在根据第五实施方式的双工器中设置的绝缘基板的截面图；图16中的(a)是在根据第六实施方式的双工器中设置的绝缘基板的下部导电层的平面图，图16中的(b)是在根据第六实施方式的双工器中设置的绝缘基板的上部导电层的平面图；以及图17是具有另一种结构的环形电极的绝缘基板的上部导电层的平面图。
具体实施例方式下面将参考附图来描述根据本发明的实施方式。第一实施方式首先，将描述示例性双工器和使用该双工器的示例性装置。将描述射频(RF)单元的构造作为所述装置的示例。图1(a)和图1(b)例示了 RF单元。参照图1(a)，RF单元90包括双工器100 ；天线104 ；放大器106、110、116、IM和126 ；级间接收滤波器(interstage reception filter) 108 ；混频器112和120 ；低通滤波器114和122 ；局部振荡器118 ；以及级间发射滤波器(interstage transmissionfilter) 1观。例如，在蜂窝电话中使用RF单元，RF单元对应于W-CDMA(宽带码分多址)的频带1。在W-CDMA频带1中，接收频带的范围从2110MHz到2170MHz，并且发射频带的范围从 1920MHz 到 1980MHz。双工器100包括接收滤波器Fl和发射滤波器F2，并且连接到天线104。例如，接收滤波器Fl的通带与W-CDMA频带1的接收频带相同。例如，发射滤波器F2的通带与W-CDMA频带1的发射频带相同。天线104接收信号。天线104接收的信号被输入到双工器100的接收滤波器F1。接收滤波器Fl使被输入的信号中的具有通带内的频率的信号通过。来自接收滤波器Fl的信号施加到放大器106。接收滤波器Fl对频率处于通带之外的信号进行衰减。放大器106放大所接收的信号并且向级间接收滤波器108输出放大的信号。例如，级间接收滤波器108具有不平衡输入端子和平衡输出端子。级间接收滤波器108如接收滤波器Fl那样对信号滤波，并且向放大器110输出信号。级间接收滤波器108经由两个输出端子向放大器110输出信号。放大器110放大信号并且从两个输出端子输出信号。从放大器110输出的信号被输出到混频器112和120。局部振荡器118向混频器112和120输出本地信号。输入到混频器112的本地信号与输入到混频器120的本地信号在相位上相差90度。混频器112和120中的每一个都将从放大器110输入的信号与本地信号混频，并且将信号的频率下变频。在低通滤波器114去除了从混频器112输出的信号中的高频分量之后，从混频器112输出的信号被输入到放大器116。在低通滤波器122去除了从混频器112输出的信号中的高频分量之后，从混频器112输出的信号被输入到放大器124。放大器116和IM放大接收的信号。发射机130产生发射信号并且将发射信号输出到级间发射滤波器128。例如，级间发射滤波器1 具有不平衡输入端子和不平衡输出端子。在对信号滤波之后，级间发射滤波器1 将信号输出到放大器126。放大器1 放大所接收的信号并且向双工器100输出放大的信号。例如，双工器100中设置的发射滤波器F2具有不平衡输入端子和不平衡输出端子。发射滤波器F2使具有通带内的频率的信号通过。来自发射滤波器F2的信号被输出到天线104。频率在发射滤波器F2的通带之外的信号被抑制。天线104发射信号。为了缩小RF单元，优选地减少部件的数量以简化结构。图1 (b)是滤波器的数量被减少的RF单元90a的图。RF单元90a具有通过从图1 (a)中例示的RF单元90中去除级间接收滤波器108和级间发射滤波器1 而获得的结构。双工器100中设置的接收滤波器Fl具有连接到放大器106的两个平衡输出端子。放大器106放大两个输入信号。从放大器106输出的放大的信号在没有级间接收滤波器108的干涉的情况下输入到放大器110，并且被放大器110进一步放大。从发射机130输出的信号不经过级间发射滤波器1 而被输入到放大器126。如图1(b)所例示，通过去除级间接收滤波器108和级间发射滤波器128，可以缩小RF单元的尺寸。然而，数量减少的滤波器可以使对信号的抑制程度下降。为此，期望改善双工器100的性能。具体地，期望接收滤波器Fl和发射滤波器具有改善的抑制程度。为了改善抑制程度，在双工器100的接收端子和发射端子之间获得高性能的隔离就变得很重要。具体地，当把接收滤波器Fl和发射滤波器F2提供在单个封装中时，滤波器之间的距离缩短，双工器的尺寸也因而缩小。然而，发射端子和接收端子之间的隔离可能劣化。接着，描述双工器的结构。图2(a)是双工器的框图，图2(b)是双工器的截面图。如图2(a)所例示，双工器100包括接收滤波器Fl和发射滤波器F2。接收滤波器Fl的一端连接到天线端子Ant。接收滤波器F2的一端连接到天线端子Ant。接收滤波器Fl和发射滤波器F2中的每一个以及天线端子Ant都被互连线Ll连接到一起。接收滤波器Fl的另一端分别通过互连线L2和L3连接到接收端子Rxl和Rx2。发射滤波器F2的另一端通过互连线L4连接到发射端子Tx。接收端子Rxl和Rx2是平衡端子并且连接到图1 (b)中示出的放大器106。发射端子Tx是不平衡端子并且连接到图1(b)中示出的放大器126。 天线端子Ant连接到天线104。如下所述，互连线L1、L2、L3和L4以焊盘、底部焊盘(foot pad)、互连线、和贯通互连线构成，并且设置在绝缘基板中。如图2(b)所例示，双工器100包括接收滤波器F1、发射滤波器F2、绝缘基板10、盖 12、密封部14、上部导电层20、第一内导电层22、第二内导电层M、底部焊盘层沈以及贯通互连线观。盖12由诸如柯伐(Kovar)合金的金属制成。密封部14由诸如锡铅的焊料制成。绝缘基板10具有多层结构，其中叠置了诸如第一层10-1、第二层10-2和第三层10-3 的三个陶瓷层的绝缘层。例如，每一层都由诸如Al2O3(氧化铝)的陶瓷制成。上部导电层20设置在第一层10-1的上表面上。第一内导电层22设置在第一层 10-1和第二层10-2之间。第二内导电层M设置在第二层10-2和第三层10-3之间。底部焊盘层26设置在第三层10-3的下表面上。如上所述，上部导电层20设置在绝缘基板10的上表面上，并且第一内导电层22和第二内导电层M设置在绝缘基板10内，底部焊盘层沈设置在绝缘基板10的下表面上。这些层通过在绝缘基板10的厚度方向(附图中的竖直方向)上延伸的贯通互连线观彼此电连接。例如，第一内导电层22、第二内导电层M和贯通互连线观均由诸如Ag(银)、Cu(铜)或W(钨)的金属制成。例如，上部导电层20和底部焊盘层沈均包括由诸如Ag、Cu、或者W的金属制成的导电层、由诸如Au (金)或者Ni (镍) 的金属制成的在该导电层上形成的镀层。例如，导电层通过印刷形成，镀层通过电镀形成。例如，接收滤波器Fl和发射滤波器F2倒装安装在绝缘基板10的上表面上。例如， 接收滤波器Fl和发射滤波器F2经过均由金或者焊料制成的凸块电连接到上部导电层20。 接收滤波器Fl和发射滤波器F2被以盖12和密封部14密封。具体地，盖12设置在接收滤波器Fl和发射滤波器F2上，并且密封部14设置在绝缘基板10和盖12之间。上部导电层 20包括形成在绝缘基板10的外周的环形电极30。密封部14将盖12和环形电极30接合起来。因此，接收滤波器Fl和发射滤波器F2高度气密密封。因而，环形电极30被用于密封。在此情况下，密封部分14不电连接到接收滤波器Fl和发射滤波器F2。接着，将详细描述在绝缘基板10中设置的每个层。图3(a)是在双工器中设置的绝缘基板的上部导电层的平面图，图3(b)是在双工器中设置的绝缘基板内的第一内导电层的平面图。图4(a)是在双工器中设置的绝缘基板内的第二内导电层的平面图，图4(b) 是在双工器中设置的绝缘基板的下部导电层的平面图。网格线描绘了在附图的深度方向上延伸的贯通互连线28。如图3(a)所例示，上部导电层20设置在绝缘基板10的第一层10_1的上表面上。 上部导电层20包括环形电极30、接收用焊盘3 和32b、发射用焊盘34(用于信号的焊盘)、 接地用焊盘36a、36b和36b以及天线用焊盘38。图3中示出的虚线指示安装接收滤波器 Fl的区域，点线指示安装发射滤波器F2的区域。接收滤波器Fl电连接到两个接收用焊盘 3 和32b、接地用焊盘36a和天线用焊盘38。接收用焊盘3 和32b用作平衡端子。发射滤波器F2电连接到发射用焊盘34、接地用焊盘36b和36c以及天线用焊盘38。天线用焊盘38既用于接收滤波器Fl也用于发射滤波器F2。环形电极30的宽度(线宽)Wl是恒定的。环形电极30沿绝缘基板10的外周设置。换言之，环形电极30与绝缘基板10的边缘接触。环形电极30包围接收用焊盘3 和32b、发射用焊盘34、接地用焊盘36a、36b和36b 以及天线用焊盘38。另外，环形电极30接触密封部14(参见图2(b))。另外，上部导电层20通过穿透第一层10-1的贯通互连线观电连接到第一内导电层22。如图3(b)所例示，第一内导电层22设置在第二层10-2的上表面上。第一内导电层22包括接收用布线40a和40b、发射用布线42、接地用布线44a、44b和44c以及天线用布线46。图3 (a)中示出的被设置在上部导电层20中的接收用焊盘3 通过穿透第一层 10-1的贯通互连线观电连接到图3(b)中示出的设置在第一内导电层22中的接收用布线 40a。接收用焊盘32b通过贯通互连线观电连接到接收用布线40b。发射用焊盘34通过贯通互连线28电连接到发射用布线42。环形电极30通过贯通互连线28电连接到接地用布线4 和44c。接地用焊盘36a通过贯通互连线28电连接到接地用布线44a。接地用焊盘36b和36c通过贯通互连线28电连接到接地用布线44b。天线用焊盘38通过贯通互连线28电连接到天线用布线46。另外，第一内导电层22经过穿透第二层10-2的贯通互连线 28电连接到第二内导电层M。图3(b)中示出的虚线指示当从绝缘基板10的顶面对其进行观察时与环形电极30交迭的区域。下面将联系第二实施方式对互连线、贯通互连线及环形电极30之间的关系进行描述。将在第二实施方式中描述区域30c和30d。如图4(a)所例示，第二内导电层M设置在第三层10-3的上表面上。第二内导电层M包括电源线四、接收用布线50a和50b、发射用布线52、接地用布线Ma、Mb、Mc、Md 以及天线用布线56。在图3(b)中示出的在第一内导电层22中设置的接收用布线40a通过穿透第二层10-2的贯通互连线观电连接到图4(a)中示出的接收用布线50a。接收用布线 40b通过多个贯通互连线观中的贯通互连线^b电连接到接收用布线50b。发射用布线42 通过多个贯通互连线28中的贯通互连线^c电连接到发射用布线52。接地用布线4 通过贯通互连线28电连接到接地用布线Ma。接地用布线44b通过贯通互连线28电连接到接地用布线Mb。接地用布线Mc通过贯通互连线观电连接到接地用布线Mc。天线用布线46通过贯通互连线28电连接到天线用布线56。另外，接收用布线50a和50b、发射用布线52、接地用布线Ma、MC、Md、Me以及天线用布线56电连接到延伸到绝缘基板10的边缘的电源线20。例如，电源线四由与接收用布线50a和50b、发射用布线52、接地用布线Ma、MC、Md、Me以及天线用布线56相同的金属层制成。在用于在上部导电层20和底部焊盘层沈上形成镀层的电镀工序中，电源线四用于提供电力。多个电源线四中的一些电源线具体限定如下。电源线29a连接到接收用布线50a。电源线29b连接到接收用布线50b。电源线29c连接到接收用布线50c。附图中示出的环形电极30的一部分30b以及电源线^b、29c将在第二实施方式中描述。边 10a、IOb将在第三实施方式中描述。这里，参照图4(b)继续对绝缘基板10进行说明。第二内导电层M电连通过穿透第三层10-3的贯通互连线28连接到底部焊盘层26。如图4(b)所示，底部焊盘层沈设置在第三层10-3的下表面上。另外，图4(b)例示了透过第三层10-3看到的第三层10-3的下表面。底部焊盘层沈包括接收用底部焊盘 60a和60b ；发射用底部焊盘62 (信号底部焊盘)；接地用焊盘64a、64b、64c、64d和6 ；以及天线用底部焊盘66。在图4(a)中示出的第二内导电层M中设置的接收用布线50a通过穿透第三层10-3的贯通互连线观电连接到在图4(b)中示出的底部焊盘层沈中设置的接收用底部焊盘60a。接收用布线50b通过多个贯通互连线28中的贯通互连线^b电连接到接收用底部焊盘60b。发射用布线52通过多个贯通互连线28中的贯通互连线^c电连接到发射用底部焊盘62。接地用布线5 通过贯通互连线28电连接到接地用底部焊盘64a和64b。接地用布线54b通过贯通互连线观电连接到接地用底部焊盘64a。接地用布线5 通过贯通互连线28电连接到接地用底部焊盘64c。接地用布线Md通过贯通互连线 28电连接到接地用底部焊盘64d。接地用布线5 通过贯通互连线28电连接到接地用底部焊盘64e。天线用布线56通过贯通互连线28电连接到天线用底部焊盘66。图4(b)中示出的接收用底部焊盘60a和60b对应于图2(a)中示出的发射端子 Rxl和Rx2。发射用底部焊盘62对应于发射端子Tx。天线用底部焊盘66对应于天线端子 Ant0天线用焊盘38、贯通互连线观、天线用布线46和56对应于图2 (a)中示出的互连线 Li。接收用焊盘32a、贯通互连线观、接收用布线40a和50a对应于图2 (a)中示出的互连线L2。接收用焊盘32b、贯通互连线^b、接收用布线40b和50b对应于图2 (a)中示出的互连线L3。连接发射滤波器F2和发射用底部焊盘62的发射用焊盘34、贯通互连线^c、发射用布线42和52对应于图2(a)中示出的互连线L4。如图2(b)到图4(b)所示，接收滤波器Fl和发射滤波器F2倒装安装在同一个绝缘基板10上以形成单个封装，从而可以缩小双工器的尺寸。此外，导电层形成在绝缘基板 10内以抑制绝缘基板10的尺寸增加。因此，可以使双工器小型化。此外，环形电极30沿绝缘基板10的外周形成，并且密封部14接合到该环形电极30。因此，可以确保高度的气密密封。然而，在同一个绝缘基板10上安装接收滤波器Fl和发射滤波器F2这种结构缩短了接收滤波器Fl和发射滤波器F2之间的距离。另外，很多焊盘、底部焊盘、互连线以及贯通互连线被设置在单个绝缘基板内。因此，缩短了焊盘之间的距离以及底部焊盘之间的距离。因而，发射端子Tx和接收端子Rx之间的隔离可能劣化。另外，如下所述，环形电极30的使用会使隔离劣化。为了核实隔离劣化的原因，进行实验来测量绝缘基板10中产生的磁场。在实验中，使用未安装接收滤波器Fl和发射滤波器F2的绝缘基板10作为例子。将绝缘基板10 放置在实验设备上并且将频率为1920MHz且功率为OdBm的信号输入到发射用底部焊盘62， 测得了在绝缘基板10的上表面上产生的磁场。图5是在绝缘基板10的上表面上产生的磁场的示意图。图中示出的实线均指示具有相同大小的磁场。图中示出的虚线指示布置了绝缘基板10的区域。点线所示的圆指示发射用底部焊盘62和发射用焊盘34的位置。如图5中的实线所示，按照更接近发射用焊盘34的顺序，磁场的强度是-99. OdBm,-97. OdBm,-95. 7dBm和-93. Ocffim。因此，磁场产生在绝缘基板10的设置有发射用焊盘34的右下部区域。磁场越接近发射用焊盘34，磁场的强度越大。具体地，在沿绝缘基板10的外周的方向上观察到强磁场。下面将讨论产生磁场的原因。被输入到设置在绝缘基板10的下表面上的发射用底部焊盘62 (参见图4(b))的信号通过贯通互连线观以及发射用布线42和52到达设置在绝缘基板10的上表面上的发射用焊盘34(参见图3(a))。在环形电极30和到达发射用焊盘34的信号之间发生静电耦合和磁耦合中的一种或两种。结果，电流在环形电极30中流动(参见图5中示出的箭头)。 电流在环形电极30中流动以产生围绕环形电极30的磁场。当电流在图5的左方向上延伸的环形电极30中流动时，电流由于静电耦合而在接收用焊盘3 和32b中流动。当电流流入环形电极30中时，同样在围绕接收用焊盘3 和32b的区域中产生磁场(参见图3(a))。 此时，电流由于磁耦合而在接收用焊盘3 和32b中流动。这可能使接收用焊盘3 和32b 与发射用焊盘34之间的隔离劣化。因此，接收用底部焊盘60a和60b与发射用底部焊盘62之间的隔离劣化。如图5所示，磁场越接近发射用焊盘34，则磁场的强度就越大。因此，在多个接收用焊盘3 和32b中，更接近发射用焊盘34的接收用焊盘32b会受到磁场影响。 因此，具体地，发射用底部焊盘62与接收用底部焊盘60b之间的隔离会劣化。第一实施方式具有向环形电极30增加贯通互连线以改善隔离的示例性结构。图 6(a)是在根据第一实施方式的双工器中设置的绝缘基板的上部导电层的平面图。图6(b) 是在根据第一实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第一内导电层的平面图。这里，省略与图3(a)到图4(b)中示出的已描述过的部件相同的部件的描述。如图6(a)所示，贯通互连线28a连接到第一层10_1的环形电极30。贯通互连线 28a设置在环形电极30中的沿着将接收用焊盘32b和发射用焊盘34沿环形电极30相互连接起来的两个路径中较短的一个路径的部分或者区段30a中。在图6(a)中，以箭头A指示沿环形电极30的较短路径。较长路径包括了环形电极30的四个边。环形电极30中的设置了贯通互连线28a的部分的宽度W2大于环形电极30中未设置贯通互连线^a的部分的宽度W1。如图6(b)所例示，贯通互连线^a穿透第一层10-1并电连接到第一内导电层22 中包括的接地用布线22。接地用布线44d通过贯通互连线^a电连接到第二内导电层M 中包括的接地用布线5 和底部焊盘层沈中包括的接地用底部焊盘64e。也就是说，环形电极30通过贯通互连线28a接地。因此，除了进一步设置了贯通互连线28a和接地用布线 44d并改变了环形电极30的宽度之外，根据第一实施方式的双工器的结构与图3(a)和图 3(b)例示的结构相同。下面，将给出针对计算根据第一实施方式的双工器的隔离的仿真的描述。在该仿真中，如图2 (a)所示，双工器连接到天线104，并且在从发射端子Tx (对应于图4 (b)中的发射用底部焊盘6 输入信号时计算从接收端子Rxl和Rx2(对应于图4(b)中的接收用底部焊盘60a和60b)输出的信号。将第一实施方式的计算结果与具有图3(a)到图4(b)所示的绝缘基板10的双工器的比较例进行比较。使用具有SAW谐振器和双模耦合型SAW滤波器(双模SAW滤波器DMS滤波器)的组合的滤波器作为接收滤波器Fl。使用梯型SAW滤波器作为发射滤波器F2。双工器的封装具有2. OX 1.6mm的大小和0. 55mm的厚度。接收滤波器Fl的通带设定为与W-CDMA频带1的接收频带相同，并且发射滤波器F2的通带设定为与W-CDMA频带1的发射频带相同。下面具体描述Fl和F2的通带。接收滤波器Fl的通带从2110MHz到2170MHz发射滤波器F2的通带从1920MHz到1980MHz图7 (a)和图7(b)例示了根据第一实施方式的双工器的隔离的计算结果。图7 (a) 例示从接收用底部焊盘60a输出的信号的计算结果。图7(b)例示了从接收用底部焊盘60b 输出的信号的计算结果。横轴代表频率，纵轴代表衰减量。衰减量代表从发射用底部焊盘泄露到接收用底部焊盘的信号的大小。此外，实线代表根据第一实施方式的双工器的计算结果，虚线代表根据比较例的双工器。如图7(a)所示，第一实施方式中的信号与比较例中的信号相比受到更大抑制。具体地，信号在发射频带中受到抑制。信号的抑制意味着发射用底部焊盘62和接收用底部焊盘60a之间的隔离得到改善。在与发射滤波器F2的通带相对应的频带1920MHz到1980MHz 中，信号被极大地抑制。
如图7(b)所示，第一实施方式中发射用底部焊盘62和接收用底部焊盘60b之间的隔离与比较例中的隔离相比得到进一步改善。另外，与图7(a)的结果相比，信号在宽的频率带内被抑制。在第一实施方式中，贯通互连线28a设置在环形电极30中的沿着将接收用焊盘 32b和发射用焊盘34连接到一起的较短路径A的部分30a中。为此，取决于发射信号而在环形电极30中流动的电流通过贯通互连线28a流入底部焊盘64e中。由于这减小了在环形电极30中流动的电流，因此也减小了取决于电流的磁场。因而，围绕接收用焊盘3 和 32b产生的磁场也被减小。在环形电极30中流动的被减小的电流抑制接收用焊盘3 和 32b之间的静电耦合和磁耦合，并且抑制在环形电极30中流动的电流。这使得接收用底部焊盘60a和60b与发射用底部焊盘62之间的隔离得到改善。如图5所指示，越接近发射用焊盘34，磁场就越强。因此，发射用底部焊盘62和接收用底部焊盘60b之间的隔离会劣化。如图6(a)所示，在第一实施方式中，贯通互连线 28a设置在发射用焊盘34和多个接收用焊盘3 和32b中更接近发射用焊盘34的接收用焊盘32b之间。由于在环形电极30中流动的电流流入贯通互连线中，因此到达接收用焊盘附近的电流减小。因此，围绕接收用焊盘32b产生的磁场减小，以改善发射用底部焊盘 62和接收用底部焊盘60b之间的隔离。在环形电极30中设置的贯通互连线^a的数量不限于一个，而可以是超过一个。环形电极30的设置有贯通互连线的部分的宽度W2大于环形电极30的未设置贯通互连线28a的部分的宽度Wl。换言之，当设置贯通互连线28a时，可以不需要增加未设置贯通互连线观的部分的宽度W1，而是可以例如与比较例的相同。这抑制了在环形电极 30中流动的电流的增加，由此抑制了磁场。当从绝缘基板10的顶面观察时，绝缘基板10具有矩形形状。在图3(a)中，接收用焊盘3 和32b设置在左下角部，发射用焊盘34设置在右下角部，天线用焊盘38设置在上边附近。然而，可以改变焊盘的位置。绝缘基板10可以具有除了四边形之外的正方形形状、多边形形状，或者具有其它形状。接着，将描述第一实施方式的变形。图8是在根据第一实施方式的变型的双工器中设置的绝缘基板的上部导电层的平面图。省略了对与图6(a)和图6(b)例示的部件相同的部件的描述。如图8所示，贯通互连线^a电连接到设置在环形电极30中的沿将发射用焊盘34 和接收用焊盘32b连接到一起的较短路径的部分30a中的接地底部焊盘。环形电极30的沿着设置了贯通互连线^a的边的宽度W2是恒定的。宽度W2大于环形电极30的沿未设置贯通互连线的边的宽度Wl。类似于第一实施方式，第一实施方式的变形可以确保高度隔离。然而，环形电极30的沿设置了贯通互连线^a的边的宽度W2大于环形电极30的沿着其余边的宽度W1。由此，更大的电流可以在环形电极30中流动。为了抑制在环形电极 30中流动的电流并更有效地实现有效隔离，优选地增加环形电极的沿着设置了贯通互连线 28a的边的宽度，如图6(a)所示。第二实施方式第二实施方式具有改变了绝缘基板10的内导电层的示例性结构。首先，将对图 3(a)到图4(b)中示出的内导电层的问题进行描述。
如图3(b)所例示，接收用布线40b的一部分与环形电极30的最接近接收用布线 40b的区域30b平行(参见附图中的箭头和虚线)。如图5所例示，磁场围绕环形电极30 产生。当接收用布线40b与环形电极30平行时，电流会由于围绕环形电极30产生的磁场而在接收用布线40b中流动。由此，在环形电极30中流动的电流趋于与接收用布线40b耦合。发射用布线42的一部分与环形电极30的最接近发射用布线42的区域30c平行(参见附图中的箭头和虚线)。因此，在环形电极30中流动的电流趋于与发射用布线42耦合。当从绝缘基板10的顶面观察绝缘基板10时，接收用布线40b的一部分以及发射用布线42的一部分与环形电极30交迭。如图5所示，越接近环形电极34的区域，磁场就越强。因此，环形电极30与接收用布线40b之间的距离越小，接收用布线40b对磁场的影响就越大。而且，静电耦合越大。这对于发射用布线42也同样如此。因此，由于接收用布线40b及发射用布线42与环形电极30部分交迭，这些布线趋于与环形电极30磁耦合和电耦合。此外，连接到接收用布线40b的贯通互连线28b和连接到发射用布线42的贯通互连线^c的一部分与环形电极30交迭。这种结构增大了环形电极30和贯通互连线^bJSc 之间的磁耦合以及它们之间的静电耦合。如上所述，环形电极30趋于与接收用布线40b、发射用布线42以及贯通互连线28b和^c中的每一个耦合。如图4(a)所示，当从绝缘基板10的顶面观察绝缘基板10时，接收用布线50b的一部分及发射用布线52的一部分与环形电极30交迭。连接到发射用布线52的贯通互连线28c的一部分和连接到接收用布线50b的贯通互连线^b的一部分与环形电极30交迭。 因此，在环形电极30中流动的电流趋于与接收用布线50b、发射用布线52以及贯通互连线 28b和^c中的每一个耦合。因此，隔离被劣化。图4(a)中示出的电源线观^2%和29c用于在电镀过程中提供电力，但不涉及在接收用焊盘32b和接收用底部焊盘60b之间或者发射用焊盘34和发射用底部焊盘62之间进行连接。也就是说，电源线^a、29b和29c不是用于承载接收信号和发射信号的布线。因此，电源线^a、29b和29c对隔离的影响比接收用布线50b和发射用布线52对隔离的影响小。然而，电源线可能彼此耦合，因而隔离可能劣化。区域30d在将绝缘基板10的接收用焊盘32b和发射用焊盘34连接起来的较短路径A的方向上延伸(参见箭头和虚线)。也就是说，区域30d对应于的环形电极30的在图6(a)中示出的区域30a所属的边。在多个电源线四中，连接到接收用布线50b的两个电源线29b及连接到发射用布线52的电源线 29c与环形电极30的区域30d交迭。如图5所示，当输入了发射信号时，发射用布线52和环形电极30彼此静电耦合或磁耦合。因此，电流在环形电极30中流动，并因此围绕环形电极30产生磁场。当电源线29c与环形电极30如图4(a)所示地交迭时，电源线29c和环形电极30之间的距离较短。由此，被输入到发射用底部焊盘62的信号进一步趋于与环形电极30耦合。由于耦合而产生电流在环形电极30的区域30d中流动，以产生围绕另一电源线29b的磁场。该磁场的产生使得电流在电源线29b中流动。如上所述，电源线29b和29c 与环形电极30交迭。这种结构通过环形电极30进一步增大了发射用底部焊盘62和接收用底部焊盘60b之间的耦合。因此，隔离可能劣化。第二实施方式改变了第一内导电层22和第二内导电层M的结构。图9(a)是在根据第二实施方式的双工器中设置的绝缘基板的上部导电层的平面图。图9(b)是在根据第二实施方式的双工器中设置的绝缘基板中的第一内导电层的平面图。图10是在根据第二实施方式的双工器中设置的绝缘基板中的第二内导电层的平面图。底部焊盘层26与在图4(b)中示出的层沈相同。省略了已对参照图3(a)到图4(b)描述的部件的说明。如图9(a)所示，与图6(a)相比，改变了发射用焊盘34的位置。除了发射用焊盘 34以外，上部导电层20与在图6(a)中示出的实施方式相同。如图9 (b)所示，接收用布线40b连接到贯通互连线28b并且不具有在绝缘基板10 的平面方向上延伸的任何部分。因此，当从绝缘基板10的顶面观察绝缘基板10时，接收用布线40b不与环形电极30的部分30b平行。接收用布线40b及贯通互连线28b不与环形电极30交迭。发射用布线42具有在图中的左右方向上延伸的部分。环形电极30的最接近发射用布线42的部分30c位于发射用布线42的右侧。因此，发射用布线42不与环形电极30的部分30c平行。而且，发射用布线42连接到贯通互连线^c。当从绝缘基板10的顶面观察绝缘基板10时，发射用布线42及贯通互连线28c不与环形电极30交迭。如图10所示，接收用布线50b连接到贯通互连线观山发射用布线52连接到贯通互连线^e。接收用布线50b不与环形电极30的最接近接收用布线50b的部分30e平行 (参见附图中的箭头和虚线)。当从绝缘基板10的顶面观察绝缘基板10时，接收用布线 50b不与环形电极30交迭。而且，发射用布线52不与环形电极30的最接近发射用布线52 的部分30f平行(参见附图中的箭头和虚线)。当从绝缘基板10的顶面观察绝缘基板10 时，发射用布线52不与环形电极30交迭。贯通互连线28d和28e不与环形电极30交迭。 另一方面，连接到接收用布线50b的电源线29b与环形电极30交迭。连接到发射用布线52 的电源线29c和^d与环形电极30交迭。然而，如上所述，电源线^b、29c和29d用于在电镀过程中提供电力，并且不涉及在接收用焊盘32b和接收用底部焊盘60b之间或者在发射用焊盘34和发射用底部焊盘62之间进行连接。也就是说，电源线^b、29c和29d不是由于承载接收信号和发射信号的布线。因此，减小了电源线对隔离的影响。电源线29b和29c与环形电极30的区域30d交迭。由此，仅存在连接到接收用布线50b并且与区域30d交迭的一个电源线^b。并且，仅存在连接到发射用布线42并且与区域30d交迭的一个电源线^c。另外，电源线29d连接到发射用布线42并与区域30d交迭。两个电源线^a连接到接收用布线40a，但不与区域30d交迭。如图9 (a)和图10所示， 除了互连线和贯通互连线的位置被改变以外，根据第二实施方式的双工器与根据第一实施方式的双工器相同。下面将对计算根据第二实施方式的双工器的隔离的仿真进行描述。在仿真中，当从发射端子Tx(对应于图4(b)中的发射用底部焊盘6 输入信号时，计算从接收端子Rxl 和Rx2(对应于图4(b)中的接收用底部焊盘60a和60b)输出的每一个信号。具有SAW谐振器和DMS滤波器的组合的滤波器被用作接收滤波器Fl。梯型SAW滤波器被用作发射滤波器F2。双工器的封装具有2. OX 1. 6mm的尺寸和0. 55mm的厚度。接收滤波器Fl的通带被设定为与W-CDMA频带1的接收频带相同，并且发射滤波器F2的通带被设定为与W-CDMA频带1的发射频带相同。将第一实施方式和第二实施方式的计算结果进行相互比较。另外， 如上所述，除了设置有贯通互连线28a和接地用布线44d之外，第一实施方式中的第一内导电层22和第二内导电层M与图3(b)和图4(a)中例示的相同。图11(a)和图11(b)例示了根据第二实施方式的双工器的隔离的计算结果。图 11(a)例示了从接收用底部焊盘60a输出的信号的计算结果。图11(b)例示从接收用底部焊盘60b输出的信号的计算结果。横轴代表频率，纵轴代表衰减量。实线代表根据第二实施方式的双工器的计算结果，虚线代表根据第一实施方式的双工器。如图11(a)所示，第二实施方式中的信号与第一实施方式中的信号相比受到更大抑制。信号的抑制意味着改善了发射用底部焊盘62和接收用底部焊盘60a之间的隔离。如图11(b)所示，第二实施方式中的信号比第一实施方式中的信号受到更大的抑制。具体地，信号在与W-CDMA频带1的接收频率相对应的频带1920MHz到1980MHz受到很大的抑制。另外，与图11(a)的结果相比较，信号在宽的频率带内被抑制。根据第二实施方式，由接收用布线40b和50b以及发射用布线42和52组成的四个布线中的每一个都不与环形电极30的最接近于这四条线的部分平行。这种结构使得由围绕环形电极30产生的磁场所引起的电流很难在接收用布线40b和50b以及发射用布线 42和52中流动。这种困难抑制了在环形电极30中流动的电流和环形电极30和接收用布线40b和50b以及发射用布线42和52的耦合。因此能够实现接收用底部焊盘60a和60b、 和发射用底部焊盘62之间的高度隔离。如图9(b)和图10所例示，接收用布线40b和50b以及发射用布线42和52不与环形电极30交迭。这种结构增加了环形电极30与接收用布线40b和50b以及发射用布线 42和52之间的距离。增加的距离使接收用布线40b和50b以及发射用布线42和52很难受到磁场的影响。因此能够抑制在环形电极30中流动的电流与接收用布线40b和50b以及发射用布线42和52之间的耦合，并且能够实现高度隔离。当从绝缘基板10的顶面观察绝缘基板10时，贯通互连线^bJ8c、28d和28e不与环形电极30交迭。这种结构抑制在环形电极30中流动的电流与贯通互连线观13、观(3、观(1和28e之间的耦合，并且实现了高度隔1 °如上所述，与接收用布线40b和50b和发射用布线42和52相比，电源线
和29d对隔离的影响较小。然而，隔离可能受到电源线四和在环形电极30中流动的电流之间的耦合的影响。如图10所示，在第二实施方式中，仅存在连接到接收用布线50b并与区域30d交迭的一个电源线^b。仅存在连接到发射用布线52并且与区域30d交迭的一个电源线^c。换言之，仅存在连接到接收用焊盘32b并与区域30d交迭的一个电源线^b。 换言之，仅存在连接到发射用焊盘34并与区域30d交迭的一个电源线^c。由此，例如与图 4(a)所示的两个电源线29b和^c与区域30d交迭的情况相比，电源线29b和29c之间的耦合受到更大抑制，这更有效地实现了高度隔离。如参照图5描述的，越接近发射用焊盘34，磁场就越强。因此，接近发射用焊盘34 的接收用焊盘32b趋于被磁场影响。第二实施方式改变了连接到接收用焊盘32b的接收用布线40b和50b和贯通互连线28b和^d以及电源线29c的位置。这更有效地改善了隔离。另外，连接到接收用焊盘32a的接收用布线40a和50a可以不与环形电极30的最接近于接收用布线40a和50a的部分平行。接收用布线40a和50a可以不与环形电极30 交迭。连接到接收用布线40a和50a的贯通互连线可以不与环形电极30交迭。由此，可以改变贯通互连线观以及连接到接收用焊盘32a的接收用布线40a和50a的位置。另外，可以改变接收用布线40a和50a以及连接到接收用布线40a和50a的贯通互连线28的位置， 同时可以不改变接收用布线40b和50b以及贯通互连线28b和^d的位置。也就是说，仅需要改变连接到接收用焊盘3 的接收用布线和贯通互连线以及连接到接收用焊盘32b的接收用布线和贯通互连线中的至少一个。然而，为了有效地获得高度隔离，优选地改变连接到更接近于发射用焊盘34的接收用焊盘32b的接收用布线和贯通互连线的位置。可以仅使用一个接收用焊盘。在此情况下，仅需要改变连接到唯一的一个接收用焊盘的接收用布线和贯通互连线的位置。并且，可以改变接收用布线40b和50b和贯通互连线28b和^d的位置，同时可以不改变发射用布线42和52和贯通互连线28c和^e的位置。此外，可以改变发射用布线 42和52和贯通互连线28c和^e的位置，同时可以不改变接收用布线40b和50b和贯通互连线28b和^d的位置。如上所述，电连接到接收用焊盘3 和32b和发射用焊盘34中的至少一方的互连线(接收用布线或者发射用布线)可以不与环形电极30的最接近于上述互连线的部分平行。此外，电连接到接收用焊盘3 和32b和发射用焊盘34中的至少一方的互连线可以不与环形电极30交迭。此外，电连接到接收用焊盘3 和32b和发射用焊盘 34中的至少一个的贯通互连线可以不与环形电极30交迭。连接到接收用布线50b的单个电源线29b可以与区域30d交迭，连接到发射用布线52的电源线29c可以不与区域30d交迭。电源线29c可以与区域30d交迭，并且电源线 29b可以不与区域30d交迭。由此，连接到接收用布线50b的单个电源线^b和连接到发射用布线52的单个电源线^b中的一方可以与区域30d交迭，并且另一方可以不与区域30d 交迭。换言之，单个电源线电连接到接收用焊盘32b或者发射用焊盘34并且与区域30d交迭。可以使用图3(a)中示出的上部导电层20来代替图9(a)中示出的层20。然而，优选地使用具有贯通互连线^a的上部导电层20以有效地获得高隔离。第三实施方式第三实施方式具有改变了电源线的位置的示例性结构。首先，将参照图4(a)对由于电源线之间的耦合而造成的隔离劣化进行描述。如上所述，多个电源线可以通过环形电极30彼此耦合。如图4(a)所示，连接到接收用布线50b的电源线^b以及连接到发射用布线52的电源线29c到达绝缘基板10的边 IOb (附图中的下边)的边缘。由此，电源线29b和29c趋于通过环形电极30彼此耦合。因而，隔离可能劣化。下面，将描述根据第三实施方式的双工器。图12是在根据第三实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第二内导电层的平面图。上部导电层20例如与图9(a)中示出的层20相同。第一内导电层22例如与图 9(b)中例示的层22相同。底部焊盘层沈例如与图4(b)中例示的层沈相同。另外，接地用布线5 和54d和天线用布线56的结构与图4(a)例示的不同。然而，接地用布线Mc 和54d及天线用布线56的结构例如可以与图4(a)例示的相同。如图12所例示，电源线29a和29b到达绝缘基板10的边10a(附图中的左边)的边缘。电源线29c到达绝缘基板10的边IOc(附图中的右边)的边缘。分别连接到接收用布线50a和50b的电源线29a和^b以及连接到发射用布线52的电源线29c分别到达绝缘基板10的不同的边的边缘。这种结构增加了电源线29a和电源线29c之间的距离以及电源线29b和电源线29c之间的距离。因此，能够实现接收用底部焊盘60a和60b与发射用底部焊盘62之间的高隔离。电源线29a和29b可以到达绝缘基板10的边IOa的边缘，电源线29c可以到达边IOb的边缘。然而，优选地，电源线之间的距离应很大以获得高度隔离。因此，优选地，电源线29a和^b以及电源线29c应到达绝缘基板10的边IOa的边缘和IOc的边缘。即使当设置了单个接收用布线时，电源线也到达绝缘基板10的不同的边的边缘。尽管使用图6(a) 中例示的上部导电层20，但例如可以使用图3(a)中例示的层20。然而，优选地使用图6(a) 中例示的上部导电层20以有效地获得高隔离。第四实施方式第四实施方式具有通过非电镀形成的镀层的示例性结构。上部导电层20和底部焊盘层沈均包括如上所述的镀层作为保护层。当使用电镀来形成镀层时，使用电源线四来提供电力(例如，参见图4(b))。由于电源线四到达绝缘基板10的边缘，因此与环形电极30交迭。由此，电源线四和在环形电极30中流动的电流可以彼此耦合，因而使隔离劣化。在第四实施方式中，镀层是通过非电镀提供的。图13是在根据第四实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第二内导电层的平面图。上部导电层20例如与图9(a)中例示的层20相同。第一内导电层22例如与图9(b)中例示的层22相同。底部焊盘层沈例如与图4(b)中例示的层沈相同。如图13所例示，电源线不包括在第二内导电层M内。换言之，在第二层10-2和第三层10-3之间不存在连接到接收用布线50a和50b或者发射用布线52并与环形电极30 交迭的导体。此外，电源线不包括在上部导电层20、第一内导电层22和底部焊盘层沈内 (参见图3(a)、图3(b)和图4(b))。在第四实施方式中，上部导电层20和底部焊盘层沈均包括利用非电镀而形成的镀层。为此，没必要设置与环形电极30交迭的电源线。因此，抑制了电源线和在环形电极 30中流动的电流之间的耦合，由此确保接收用底部焊盘60a和60b和发射用底部焊盘62之间的高隔离。使用了图6(a)中例示的上部导电层20，但是例如可以使用图3(a)中例示的层 20。然而，优选地使用图6(a)例示的上部导电层20以更有效地获得高度隔离。可以使用去除了电源线的图4(a)或者图10中例示的第二内导电层对来代替图13中例示的第二内导电层对。为了有效地获得高度隔离，优选地如图10所示那样改变接收用布线50a、发射用布线52和贯通互连线28d和^e的位置。第五实施方式第五实施方式具有改变了导体之间的距离的示例性结构。图14(a)是在根据第五实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第一内导电层的平面图。图14(b)是在根据第五实施方式的双工器中设置的绝缘基板内的第二内导电层的平面图。上部导电层20例如与图9(a)中例示的层20相同。底部焊盘层沈例如与图4(b)中例示的层沈相同。如图14(a)所示，第一内导电层22(另一个导电层)中包括的接收用布线40a和 40b中的每一方(另一个线)以及发射用布线42是连接到贯通互连线观的互连线，并且不具有在绝缘基板10的平面方向上延伸的部分。如图14(b)所示，第二内导电层内导电层)中包括的接收用布线50a和50b 中的每一个(布线)以及发射用布线52具有在绝缘基板10的平面方向上延伸的部分。因此，接收用布线50a比接收用布线40a长。接收用布线50b比接收用布线40b长。发射用布线52比发射用布线42长。因此，第二内导电层M是包括接收用布线中的最长接收用布线和发射用布线中的最长发射用布线的导体。图15是在根据第五实施方式的双工器中设置的绝缘基板的截面图。如图15所示， 绝缘基板10的介于第二内导电层M和绝缘基板10的上表面之间的厚度Tl大于绝缘基板 10的介于第二内导电层M和绝缘基板10的下表面之间的厚度T2。换言之，在绝缘基板10 的厚度方向上，第二内导电层M和上部导电层20之间的距离大于第二内导电层M和底部焊盘层沈之间的距离。环形电极30与接收用布线50a和50b以及发射用布线52中的每一方之间的距离很大。因此，第五实施方式在耦合环形电极30中流动的电流与接收用布线 50a和50b及发射用布线52方面具有困难。因此能够实现接收用底部焊盘60a和60b以及发射用底部焊盘62之间的高隔离。布线由于更长而暴露出于磁场的部分也更长，并且更容易被磁场影响。第二内导电层M中包括的接收用布线50a和50b以及发射用布线52比第一内导电层22中包括的接收用布线40a和40b和发射用布线42长，并且更容易被磁场影响。接收用布线50a和50b 以及发射用布线52趋于与在环形电极30中流动的电流耦合。在第五实施方式中，包括长布线的第二内导电层M和环形电极30之间的距离很大。因此，更有效地实现了高隔离。当第一内导电层22包括接收用布线中的最长接收用布线和发射用布线中的最长发射用布线时，绝缘基板10的介于第一内导电层22和绝缘基板10的上表面之间的厚度被设定为大于绝缘基板10的介于第一内导电层22和绝缘基板10的下表面之间的厚度。例如，第一内导电层22包括最长发射用布线和最长接收用布线中的一方，并且第二内导电层 M包括另一方。在此情况下，将绝缘基板10的介于第一内导电层22和绝缘基板10的上表面之间的厚度设置为大于绝缘基板10的介于第一内导电层22和绝缘基板10的下表面之间的厚度。而且，将介于绝缘基板10的第二内导电层M和绝缘基板10的上表面之间的厚度设置为大于绝缘基板10的介于第二内导电层M和绝缘基板10的下表面之间的厚度。 即使设置三个内导电层，也可以采用上述相同的构造。此外，在仅设置一个内导电层的情况下，将绝缘基板10的介于该单个内导电层和绝缘基板10的上表面之间的厚度设置为大于绝缘基板10的介于该内导电层22和绝缘基板10的下表面之间的厚度。可以使用图3(a)中例示的层20来代替例如图6 (a)中例示的层20。然而，优选地使用图6(a)中例示的上部导电层20以便于更有效地获得高隔离。类似于第二实施方式， 第二内导电层M的布线、贯通互连线和电源线的位置被改变。第五是实施方式不限于上述结构，并且可以具有图4(a)中例示的第二内导电层M。然而，优选地采用图14(b)中例示的第二内导电层M以便于有效地获得高隔离。第六实施方式第六实施方式具有改变了底部焊盘的位置的示例性结构。图16(a)是在根据第六实施方式的双工器中设置的绝缘基板的下部导电层的平面图。图16(b)是在根据第六实施方式的双工器中设置的绝缘基板的上部导电层的平面图。如图16 (a)所例示，设置在底部焊盘层沈中的接收用底部焊盘60a沿着绝缘基板 10的边IOa设置。接收用底部焊盘60b围绕绝缘基板10的边IOa和边IOb彼此相交的角部设置。发射用底部焊盘62沿着绝缘基板10的边IOc设置。图4(b)中例示的发射用底部焊盘62的位置被改变为围绕边IOc的中心的位置。因此，接收用底部焊盘60a和60b以及发射用底部焊盘62沿不同的边设置。该结构增加了接收用底部焊盘60a和60b与发射用底部焊盘62之间的距离。如图16(b)所示，设置在上部导电层20中的发射用焊盘34的位置也根据发射用底部焊盘62的改变的位置而改变。具体地，围绕图6(a)中的边IOb和IOc彼此相交的角部(图16(b)中用虚线描绘的椭圆)设置的发射用焊盘34的位置被改变为围绕边IOc的中心的位置。该结构可以增加接收用焊盘3 和32b与发射用焊盘34之间的距离，并且实现高隔离。此外，环形电极30在接收用焊盘3 和32b与发射用焊盘34之间弯曲。弯曲的环形电极30使在环形电极30中流动的电流产生损耗。因此，能够获得接收用底部焊盘 60a和60b与发射用底部焊盘62之间的高隔离。除了图16(a)例示的结构，接收用底部焊盘60a和60b以及发射用焊盘62还可以沿不同的边设置。在此情况下，优选地，接收用底部焊盘60a和60b与发射用底部焊盘62 之间具有大的距离以实现高隔离。优选地，如图16(a)所例示，接收用底部焊盘60a和发射用底部焊盘62在接地用底部焊盘6 两边彼此相向。发射用底部焊盘62可以设置在连接发射用底部焊盘62和接收用底部焊盘60b的对角线上的位置(例如，图16(b)中例示的接地用底部焊盘6 的位置)。可以使用图3(a)中例示的上部导电层20来代替图6(a)例示的层20。然而，优选地使用图6(a)中例示的上部导电层20以更有效地获得高隔离。还能够使用图4(a)或者图10中的任一个所例示的第二内导电层24。然而，优选地使用图10中例示的第二内导电层M以有效地获得高隔离。接下来，将对设置环形电极30的位置进行描述。如参照图2(b)和图3(a)所示， 环形电极30用于密封。对于密封，需要环形电极30包围接收用焊盘3 和32b、发射用焊盘34、接地焊盘36a、36b和36c以及天线用焊盘38。环形电极30可以具有另一种结构用于围绕。图17是具有另一个结构的环形电极的绝缘基板的上部导电层的平面图。为了简化附图，附图中省略了接收用焊盘3 和32b、发射用焊盘34、接地用焊盘36a、36b和36c 以及天线用焊盘38。如图17所示，环形电极与绝缘基板10的外周相距距离X地设置。环形电极30围绕接收用焊盘3 和32b、发射用焊盘34、接地用焊盘36a、36b和36c以及天线用焊盘38。 这使得能够实现气密密封。然而，由于该环形电极30并不沿着绝缘基板10的外周，因而环形电极30与绝缘基板10的外周之间存在空间。这种空间阻碍了双工器的小型化。优选地， 如图6(a)、图8、图9和图16(b)所示，为了缩小双工器的尺寸，沿着绝缘基板10的外周设置环形电极30。环形电极30不限于连续的环形形状，而可以具有例如可以在环形形状中具有切口的其它形状。接收滤波器Fl和发射滤波器F2可以是具有在压电性绝缘基板上形成的叉指式换能器的SAW滤波器、边界声波滤波器或利用压电薄膜谐振器(薄膜体声波谐振器(FBAR)) 的滤波器。双工器不限于实施方式中的W-CDMA频带1，而是可以对应于例如W-CDMA频带 2、全球移动通信系统(GSM)或者其它通信类型。以上描述了本发明的实施方式。本发明不限于这些具体实施方式
，而是可以在所附的权利要求的范围内改变。
权利要求
1.一种双工器，该双工器包括绝缘基板，其具有安装有发射滤波器和接收滤波器的上表面，并且具有形成有电连接到所述发射滤波器和所述接收滤波器的底部焊盘层的下表面；发射用焊盘，其设置在所述上表面上并电连接到所述发射滤波器；接收用焊盘，其设置在所述上表面上并电连接到所述接收滤波器；环形电极，其设置在所述上表面上并被配置成包围所述发射用焊盘和所述接收用焊盘；接地用底部焊盘，其被包括在所述底部焊盘层中，以及贯通互连线，其被配置成使所述环形电极与所述接地用底部焊盘相互电连接，并且被设置在所述环形电极中的沿着将所述发射用焊盘和所述接收用焊盘沿所述环形电极相互连接起来的路径中的较短路径的区段中。
2.根据权利要求1所述的双工器，其中，所述环形电极具有设置有所述贯通互连线的部分，并且所述部分比所述部分以外的其它部分宽。
3.根据权利要求1或2所述的双工器，该双工器还包括上部导电层，其被设置在所述绝缘基板的上表面上并且包括所述发射用焊盘和所述接收用焊盘；镀层，其通过电镀形成，并且被包括在所述上部导电层中和所述底部焊盘层中；以及多个电源线，它们被设置在所述绝缘基板内并一直延伸到所述绝缘基板的边缘，并且被配置成电连接到所述上部导电层和所述底部焊盘层以用于在电镀过程中提供电力，其中，所述多个电源线中的一个电源线电连接到所述发射用焊盘或所述接收用焊盘，并且与所述环形电极的沿着将所述发射用焊盘和所述接收用焊盘相互连接起来的路径中的较短路径的区段交迭。
4.一种双工器，该双工器包括绝缘基板，其具有设置有上部导电层、发射滤波器和接收滤波器的上表面、设置有底部焊盘层的下表面、以及内导电层；信号用焊盘，其被包括在所述上部导电层中并电连接到所述发射滤波器和所述接收滤波器中的至少一方；环形电极，其被包括在所述上部导电层中并包围所述信号用焊盘；信号用底部焊盘，其被包括在所述底部焊盘层中并通过所述信号用焊盘电连接到所述发射滤波器和所述接收滤波器中的至少一方；以及互连线，其被包括在所述内导电层中并电连接到所述信号用焊盘和所述信号用底部焊，其中，所述互连线不与所述环形电极的从所述上表面观察所述绝缘基板时最接近于所述互连线的部分平行。
5.一种双工器，该双工器包括绝缘基板，其具有设置有上部导电层、发射滤波器和接收滤波器的上表面、设置有底部焊盘层的下表面、以及内导电层；信号用焊盘，其被包括在所述上部导电层中并电连接到所述发射滤波器和所述接收滤波器中的至少一方；环形电极，其被包括在所述上部导电层中并包围所述信号用焊盘；信号用底部焊盘，其被包括在所述底部焊盘层中，并且通过所述信号用焊盘电连接到所述发射滤波器和所述接收滤波器中的至少一方；以及互连线，其被包括在所述内导电层中并电连接到所述信号用焊盘和所述信号用底部焊，其中，所述内导电层与所述上表面之间的所述绝缘基板的厚度大于所述内导电层与所述下表面之间的所述绝缘基板的厚度。
6.根据权利要求5所述的双工器，其中所述绝缘基板包括另一内导电层；所述另一内导电层包括另一互连线，所述另一互连线电连接到所述信号用焊盘和所述信号用底部焊盘；并且所述布线比所述另一布线长。
7.—种双工器，所述双工器包括绝缘基板，其具有设置有上部导电层、发射滤波器和接收滤波器的上表面、设置有底部焊盘层的下表面、以及内导电层；信号用焊盘，其被包括在所述上部导电层中并电连接到所述发射滤波器和所述接收滤波器中的至少一方；环形电极，其被包括在所述上部导电层中并包围所述信号用焊盘；信号用底部焊盘，其被包括在所述底部焊盘层中，并且通过所述信号用焊盘电连接到所述发射滤波器和所述接收滤波器中的至少一方；以及布线，其被包括在所述内导电层中并电连接到所述信号用焊盘和所述信号用底部焊，其中，当从所述上表面观察所述绝缘基板时，所述布线不与所述环形电极交迭。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的双工器，该双工器还包括贯通互连线，该贯通互连线与所述互连线电连接，并且当从所述上表面观察所述绝缘基板时，所述贯通互连线与所述环形电极不交迭。
9.根据权利要求4至7中任一项所述的双工器，其中所述信号用焊盘是电连接到所述接收滤波器的接收用焊盘；并且所述信号用底部焊盘是接收用底部焊盘。
10.根据权利要求4至7中任一项所述的双工器，其中所述上部导电层包括电连接到所述发射滤波器的发射用焊盘和电连接到所述接收滤波器的多个接收用焊盘；并且所述信号用焊盘是所述多个接收用焊盘中最接近于所述发射用焊盘的接收用焊盘。
11.根据权利要求4至7中任一项所述的双工器，其中所述信号用焊盘是电连接到所述发射滤波器的发射用焊盘；并且所述信号用底部焊盘是发射用底部焊盘。
12.根据权利要求4至7中任一项所述的双工器，其中所述信号用焊盘包括电连接到所述发射滤波器的发射用焊盘和电连接到所述接收滤波器的接收用焊盘；并且所述信号用底部焊盘包括发射用底部焊盘和接收用底部焊盘。
13.根据权利要求4至7中任一项所述的双工器，其中，所述上部导电层和所述底部焊盘层都包括通过非电镀形成的镀层。
14.根据权利要求4至7中任一项所述的双工器，其中所述上部导电层和所述底部焊盘层都包括通过电镀形成的镀层；所述上部导电层包括电连接到所述发射滤波器的发射用焊盘和电连接到所述接收滤波器的接收用焊盘；该双工器还包括电源线，所述电源线被配置成包括在所述内导电层中并一直延伸至所述绝缘基板的边缘，并且所述电源线被配置成电连接到所述互连线并且用于在进行电镀时提供电力；并且所述电源线连接到所述互连线，并且与所述环形电极的在将所述发射用焊盘和所述接收用焊盘沿所述环形电极连接起来的路径中的较短路径的方向上延伸的部分交迭。
15.根据权利要求4至7中任一项所述的双工器，其中所述上部导电层和所述底部焊盘层都包括通过电镀形成的镀层；所述上部导电层包括电连接到所述发射滤波器的发射用焊盘和电连接到所述接收滤波器的接收用焊盘；该双工器还包括多个电源线，所述多个电源线被配置成包括在所述内导电层中并且一直延伸至所述绝缘基板的边缘，并且所述多个电源线被配置成电连接到所述互连线并且用于在电镀中提供电力；并且所述多个电源线中电连接到所述发射用焊盘的一个电源线和所述多个电源线中电连接到所述接收用焊盘的另一个电源线到达所述绝缘基板的不同边缘。
16.根据权利要求1、2、4至7中任一项所述的双工器，其中，所述环形电极沿所述绝缘基板的外周设置。
全文摘要
本发明涉及一种双工器。该双工器包括绝缘基板，其具有安装有发射滤波器和接收滤波器的上表面，并且具有形成有电连接到发射滤波器和接收滤波器的底部焊盘层的下表面；发射用焊盘，其设置在所述上表面上并且电连接到所述发射滤波器；接收用焊盘，其设置在所述上表面上并且电连接到所述接收滤波器；环形电极，其设置在所述上表面上并且被配置成包围所述发射用焊盘和所述接收用焊盘；接地用底部焊盘，其被包括在所述底部焊盘中；以及贯通互连线，其被配置成将所述环形电极和所述接地用底部焊盘相互电连接，并且设置在所述环形电极中的沿着将发射用焊盘和接收用焊盘沿所述环形电极连接起来的路径中的较短路径的区段中。
文档编号H03H9/64GK102571030SQ20111036622
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月17日 优先权日2010年11月18日
发明者中村浩, 堤润, 岩城匡郁 申请人:太阳诱电株式会社