专利名称：一种晶振焊接封装方法
技术领域：
本发明涉及一种封装方法，尤其是涉及一种晶振焊接封装方法。
背景技术：
目前，多芯片封装或多器件封装都是通过健合金线或采用PCB板方式来进行封装。但对于柱状晶振的封装，不可能通过健合金线的方式来做接连，如采用PCB板连接方式不仅成本高，产品外形也会比较大，满足不了体积小的应用要求。
发明内容
本发明主要是解决现有技术所存在的技术问题；提供了一种保证封装效率、成本低、用于柱状晶振封装的一种晶振焊接封装方法。本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的 一种晶振焊接封装方法，其特征在于，包括以下步骤
步骤1，将晶振Pin脚弯成V字型；V字型张角距离介于0. 19广0. 89mm之间； 步骤2，将Pin脚弯成V字型晶振焊接在引线框架的一面，并使晶振处于框架的正中
央；
步骤3，通过芯片粘结剂将芯片粘贴在引线框架基岛面上； 步骤4，通过键合方式完成芯片、晶振与引线框架的电性连接； 步骤5，采用注塑的方式对焊接好晶振、黏贴上芯片的引线框架进行包覆并固化； 步骤6，对整个封装结构进行切筋弯脚成型。在上述的一种晶振焊接封装方法，所述步骤2中，将晶振焊接在引线框架的镀银层面上。在上述的一种晶振焊接封装方法，所述步骤2中，所述的引线框架的一端设有与上述V字型Pin脚相对应的V型槽。在上述的一种晶振焊接封装方法，所述步骤3中，芯片粘结剂为银胶。因此，本发明具有如下优点保证封装效率、成本低、用于柱状晶振封装。
附图1是本发明的步骤1的V字型晶振Pin脚； 附图2是本发明的步骤2的结构示意图。
具体实施例方式下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明，图中， 引线框架1，晶振2。实施例
一种晶振焊接封装方法，其特征在于，包括以下步骤步骤1，将晶振2的Pin脚弯成V字型；
步骤2，将Pin脚弯成V字型晶振2焊接在引线框架1的一面，并使晶振2处于框架的正中央；并将晶振2焊接在引线框架的镀银层面上，将引线框架1的一端设有与上述V字型Pin脚相对应的V型槽。步骤3，通过芯片粘结剂将芯片粘贴在引线框架1基岛面上，在这里，芯片粘结剂为银胶；
步骤4，通过键合方式完成芯片、晶振2与引线框架1的电性连接；
步骤5，采用注塑的方式对焊接好晶振2、黏贴上芯片的引线框架1进行包覆并固化；
步骤6，对整个封装结构进行切筋弯脚成型。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
权利要求
1.一种晶振焊接封装方法，其特征在于，包括以下步骤步骤1，将晶振Pin脚弯成V字型；V字型张角距离介于0. 19广0. 89mm之间； 步骤2，将Pin脚弯成V字型晶振焊接在引线框架的一面，并使晶振处于框架的正中央；步骤3，通过芯片粘结剂将芯片粘贴在引线框架基岛面上； 步骤4，通过键合方式完成芯片、晶振与引线框架的电性连接； 步骤5，采用注塑的方式对焊接好晶振、黏贴上芯片的引线框架进行包覆并固化； 步骤6，对整个封装结构进行切筋弯脚成型。
2.根据权利要求1所述的一种晶振焊接封装方法，其特征在于所述步骤2中，将晶振焊接在引线框架的镀银层面上。
3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于所述步骤2中，所述的引线框架的一端设有与上述V字型Pin脚相对应的V型槽。
4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于所述步骤3中，芯片粘结剂为银胶。
全文摘要
本发明涉及一种封装方法，尤其是涉及一种晶振焊接封装方法，包括以下步骤步骤1，将晶振Pin脚弯成V字型；V字型张角距离介于0.191~0.89mm之间；步骤2，将Pin脚弯成V字型晶振焊接在引线框架的一面，并使晶振处于框架的正中央；步骤3，通过芯片粘结剂将芯片粘贴在引线框架基岛面上；步骤4，通过键合方式完成芯片、晶振与引线框架的电性连接；步骤5，采用注塑的方式对焊接好晶振、黏贴上芯片的引线框架进行包覆并固化；步骤6，对整个封装结构进行切筋弯脚成型。因此，本发明具有如下优点保证封装效率、成本低、用于柱状晶振封装。
文档编号H03H3/02GK102368681SQ20111028355
公开日2012年3月7日 申请日期2011年9月22日 优先权日2011年9月22日
发明者詹伟 申请人:武汉昊昱微电子股份有限公司