专利名称：具有改良的偏压的开关的利记博彩app
技术领域：
本发明大体来说涉及电子装置，且更具体来说涉及开关。
背景技术：
开关通常用于各种电子电路(例如，无线通信装置中的发射器)中。开关可通过各种类型的晶体管(例如，金属氧化物半导体(MOS)晶体管)来实施。开关可在源极/漏极端子处接收输入信号，且在栅极端子处接收控制信号。开关可在所述开关由控制信号接通的情况下将输入信号传递至另一源极/漏极端子，且可在开关通过控制信号断开的情况下阻挡输入信号。开关在其端子之间可具有寄生电容，寄生电容可能会不利地影响开关的性能，如下文所描述。
发明内容
图1展示无线通信装置的框图。图2展示功率放大器(PA)模块及天线收发切换器。图3A及;3B展示通过MOS晶体管实施的开关。图4展示通过堆叠的MOS晶体管实施的开关。图5及6展示具有改良的偏压的开关的两个示范性设计。图7展示用于执行信号切换的过程。
具体实施例方式词语“示范性”在本文中用以意谓“充当实例、例子或说明”。未必要将本文中描述为“示范性”的任何设计解释为比其它设计优选或有利。本文中描述具有改良的偏压且具有较佳隔离及可靠性的开关。开关可用于各种电子装置，例如无线通信装置、蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、手持型装置、无线调制解调器、膝上型计算机、无绳电话、蓝牙装置、消费型电子装置等。为了清楚起见，下文描述开关在无线通信装置中的使用。图1展示无线通信装置100的示范性设计的框图。在此示范性设计中，无线装置 100包括数据处理器110及收发器120。收发器120包括支持双向通信的发射器130及接收器170。
在发射路径中，数据处理器110可处理(例如，编码及调制)待发射的数据，且将输出基带信号提供至发射器130。在发射器130内，上变频转换器电路140可处理(例如， 放大、滤波及上变频转换)输出基带信号，且提供经上变频转换的信号。上变频转换器电路 140可包括放大器、滤波器、混频器等。功率放大器(PA)模块150可放大经上变频转换的信号以获得所要输出功率电平，且提供输出射频(RF)信号，所述输出RF信号可经由开关/双工器160路由并经由天线162发射。在接收路径中，天线162可接收由基站及/或其它发射器台发射的RF信号，且可提供经接收的RF信号，所述经接收的RF信号可经由开关/双工器160路由且可经提供至接收器170。在接收器170内，前端模块180可处理(例如，放大及滤波)经接收的RF信号，且提供经放大的RF信号。前端模块180可包括低噪声放大器(LNA)、滤波器等。下变频转换器电路190可进一步处理(例如，下变频转换、滤波及放大)经放大的RF信号，且将输入基带信号提供至数据处理器110。下变频转换器电路190可包括混频器、滤波器、放大器等。数据处理器110可进一步处理(例如，数字化、解调及解码)输入基带信号以恢复所发射的数据。图1展示发射器130及接收器170的示范性设计。发射器130的全部或一部分及 /或接收器170的全部或一部分可在一个或一个以上模拟IC、RF IC(RFIC)、混频信号IC等上实施。数据处理器110可产生用于发射器130及接收器170中的电路及模块的控制。所述控制可指导电路及模块的操作以获得所要性能。数据处理器110还可执行无线装置100 的其它功能，例如，对于正被发射或接收的数据的处理。存储器112可存储用于数据处理器 110的程序代码及数据。数据处理器110可在一个或一个以上专用集成电路(ASIC)及/或其它IC上实施。图2展示图1中的PA模块150及开关/双工器160的示范性设计的框图。在图2 所展示的示范性设计中，开关/双工器160包括双工器250a及250b以及天线收发切换器 (switchplexer) 260。PA模块150包括图2中的剩余电路。在PA模块I50内，开关222耦合于节点附与驱动器放大器(DA)220的输入端之间，且驱动器放大器220的输出端耦合至节点N3。将输入RF信号提供至节点附。开关224 耦合于节点W与节点N2之间，且开关2 耦合于节点N2与节点N3之间。开关228a耦合于节点N3与第一功率放大器(PAl) 230a的输入端之间，且开关228b耦合于节点N3与第二功率放大器(PA2)230b的输入端之间。匹配电路MOa耦合于功率放大器230a的输出端与节点N4之间，且匹配电路MOb耦合于功率放大器230b的输出端与节点N5之间。开关23h、232b及232c的一端耦合至节点N2，且另一端分别耦合至节点N7、N8及N6。开关 242a及的一端耦合至节点N4，且另一端分别耦合至节点N6及N7。开关M2b及M4b 的一端耦合至节点N5，且另一端分别耦合至节点N8及N7。匹配电路MOc与开关串联耦合，且所述组合耦合于节点N7与节点N9之间。用于频带1的双工器250a的发射端口耦合至节点N6，其接收端口耦合至接收器 (例如，图1中的前端模块180)，且其共同端口经由开关沈加耦合至节点N9。用于频带2 的双工器250b的发射端口耦合至节点N8，其接收端口耦合至接收器，且其共同端口经由开关耦合至节点N9。开关耦合于节点N9与接收器之间，且可用以支持(例如)用于全球移动通信系统(GSM)的时分双工(TDD)。天线162耦合至节点N9。可选择/启用驱动器放大器220以提供信号放大或可绕过驱动器放大器220。还可选择每一功率放大器230以提供功率放大或可绕过功率放大器230。匹配电路MOa可为功率放大器230a提供输出阻抗匹配，且匹配电路MOb可为功率放大器230b提供输出阻抗匹配。匹配电路MOa及MOb各自可提供一目标输入阻抗(例如，4至6欧姆)及一目标输出阻抗(例如，50欧姆)。在功率放大器230a与230b两者经启用且开关对如及对仙闭合时，匹配电路240c可为匹配电路MOa及MOb提供阻抗匹配。匹配电路240a、M0b及 240c还可提供滤波以使谐波频率下的不合需要的信号分量衰减。PA模块150可支持若干操作模式。每一操作模式可与从节点附经由零个或多个放大器至节点N9的不同信号路径相关联。可在任何给定时刻选择一种操作模式。可通过适当地控制发射器150内的开关来获得用于选定操作模式的信号路径。举例来说，高功率模式可与从节点附经由开关222、驱动器放大器220、开关228a及22 、功率放大器230a 及230b、匹配电路MOa及MOb、开关及M4b、匹配电路MOc及开关至天线162 的信号路径相关联。中等功率模式可与从节点W经由开关222、驱动器放大器220、开关 2^a、功率放大器230a、匹配电路240a、开关、匹配电路MOc及开关至天线162 的信号路径相关联。低功率模式可与从节点W经由开关222、驱动器放大器220、开关226 及23 、匹配电路MOc及开关至天线162的信号路径相关联。极低功率模式可与从节点附经由开关2M及23 、匹配电路MOc及开关沈沘至天线162的信号路径相关联。 还可支持其它操作模式。在图2所展示的示范性设计中，开关可用以路由RF信号且支持多个操作模式。开关可通过MOS晶体管、其它类型的晶体管或其它电路组件来实施。为了清楚起见，下文描述通过MOS晶体管实施的开关。图3A展示通过N沟道MOS (NMOS)晶体管310实施的开关300的示意图。匪OS晶体管310的源极接收输入信号(Vin)，其栅极接收控制信号(VromJ，且其漏极提供输出信号(U。理想地，NMOS晶体管310应在其接通时传递Vin信号且在其断开时阻挡Vin信号。 然而，NMOS晶体管310具有寄生栅极至源极电容(Ces)以及寄生栅极至漏极电容(Cra)。当 NMOS晶体管310接通时，Vin信号的一部分传递通过经由Ces及CeD电容至V··信号源的泄漏路径，所述Vromm信号源可具有低阻抗。经由Ces及CeD电容的信号损失可能是显著的， 尤其对于RF应用来说是如此。为简单起见，可假定其它寄生电容是可忽略的。举例来说， 可假定源极至主体(bulk)、源极至衬底、漏极至主体及漏极至衬底的寄生电容是可忽略的， 或可减轻其效应。图;3B展示通过NMOS晶体管310实施的开关302的示意图，NMOS晶体管310具有 RF浮动栅极。NMOS晶体管310的源极接收Vin信号，其栅极耦合至电阻器320的一端，且其漏极提供Vott信号。电阻器320的另一端接收信号。电阻器320具有电阻R，电阻R 可为相对较大的值(例如，在千欧姆(kQ)范围内)。当NMOS晶体管310接通时，泄漏路径为经由Ces及CeD电容以及电阻器320至νωΝΤ·信号源。电阻器320的高电阻可在RF频率下使NMOS晶体管310的栅极本质上浮动，此情形可接着减少信号损失。电阻器320可称为 RF浮动电阻器。Vin信号可具有大的信号摆幅，其可超过NMOS晶体管310的击穿电压。当NMOS晶体管310断开时，栅极可处于特定电压(例如，0V)下，且源极可观测到Vin信号的信号摆幅。 栅极至源极电压(Ves)可取决于Vin信号的信号摆幅，且可超过NMOS晶体管310的击穿电压。当Ves电压超过击穿电压时，NMOS晶体管310的可靠性可受到损害。图4展示通过堆叠NMOS晶体管实施以改良可靠性的开关400的示意图。在开关 400内，以堆叠配置(或串联)耦合K个NMOS晶体管410a至410k，其中K可为大于1的任何整数值。每一 NMOS晶体管410 (除第一 NMOS晶体管410a之外)的源极耦合至前一 NMOS 晶体管的漏极。第一 NMOS晶体管410a的源极接收Vin信号，且最后NMOS晶体管410k的漏极提供Vot信号。每一 NMOS晶体管410可用对称结构实施，且每一 NMOS晶体管的源极与漏极可互换。K个电阻器420a至420k的一端耦合至节点A，且另一端分别耦合至NMOS晶体管410a至410k的栅极。将Vromm信号施加至节点A。电阻器420a至420k可分别具有电阻值Rl至RK，电阻值Rl至RK可为相对较大的值(例如，在kQ范围内)。当NMOS晶体管410接通时，电阻器420可通过在经由每一 NMOS晶体管的Ces及CeD电容的泄漏路径中对Vin信号呈现大电阻而减少信号损失。当NMOS 晶体管410断开时，电阻器420可有助于在堆叠的K个NMOS晶体管410上大致均勻地分布 Vin信号的电压摆幅。如果不存在电阻器420，则NMOS晶体管410的栅极可在NMOS晶体管断开时处于低阻抗。第一 NMOS晶体管410a可接着观测到Vin信号的大部分电压摆幅，且可能更易出现可靠性问题。一般来说，可靠性在以下状况下可能成问题1.多路径开关配置，其中所有开关连接至共同节点(例如，图2中的节点N9)。通常，仅一个开关接通而所有其它开关断开，及2.分流/直通配置，其中分流开关断开而直通开关接通。在以上两种状况下，断开的开关的一端子可耦合至固定电压(例如，电路接地)， 而另一端子可连接至RF信号。开关可接着观测到大的信号摆幅(例如，几伏特)。开关可通过堆叠晶体管来实施，(例如)如图4所展示。如果晶体管足够大且栅极及主体端子为RF浮动的(例如，经由足够大的电阻器隔离)，则可在晶体管上大致相等地分割/分布电压摆幅。然而，如果晶体管为小的，则寄生电容器的阻抗可与用以使栅极及主体端子RF浮动的电阻器相当。在此状况下，电阻器应具有较大值以确保信号摆幅在晶体管上的适当分割。图5展示具有改良的偏压的开关500的示范性设计的示意图。开关500是通过堆叠的NMOS晶体管及额外RF浮动电阻器来实施，以改良可靠性。对于开关500，K个NMOS晶体管510a至510k及K个电阻器520a至520k以与图4中的K个NMOS晶体管410a至410k 及K个电阻器420a至420k类似的方式耦合。额外电阻器530的一端耦合至节点A，且另一
端接收信号。电阻器520a至520k可分别具有电阻值Rl至RK，且电阻器530可具有电阻值Ra。 在一种示范性设计中，所有电阻器520及530具有相同值，使得Rl = R2 =…=RK = Ra。 在另一示范性设计中，电阻器520具有相同值，且电阻器530具有不同值，使得Rl = R2 =… =RK^ Ra。在又一示范性设计中，电阻器520及530具有不同值。图5所展示的具有额外RF浮动电阻器530的开关拓扑可提供各种优点。首先，可通过电阻器530实现Vin输入与νωΝΤ·输入的优选隔离(即，经由数字的较少RF耦合)，这是因为阻抗通过电阻器530的值得以升高。较高阻抗还可允许对Vtont■信号使用较小电容器，以滤出可能从νωΝΤ·输入耦合至RF输入的数字噪声。其次，相对于图4所展示的具有相当电阻(例如，两倍电阻)的开关拓扑，特定性能量度在图5所展示的开关拓扑的情况下可能较佳。举例来说，图5中的所有电阻器具有值R的开关500的插入损失可低于图4中的所有电阻器具有值2R的开关400的插入损失。所有电阻器具有值R的开关500的输入阻抗可高于所有电阻器具有值2R的开关400的输入阻抗。所有电阻器具有值R的开关500 可具有比所有电阻器具有值2R的开关400更好的线性(例如，较低二次谐波及三次谐波)。 图5中的开关拓扑可提供其它优点。图6展示具有改良的偏压的开关502的示范性设计的示意图。开关502也通过堆叠的NMOS晶体管及额外RF浮动电阻器来实施。开关502包括如上文关于图5所描述而耦合的K个MOS晶体管510a至510k、K个电阻器520a至520k及电阻器530。开关502进一步包括K个电阻器MOa至540k，所述K个电阻器MOa至MOk的一端耦合至节点B，且另一端分别耦合至NMOS晶体管510a至510k的主体节点。电阻器550耦合于节点B与主体电压(Vbim)之间。Vbim电压可为交流(AC)接地(0 V)、低于Vin信号的DC电压的电压，或某一其它电压。电阻器540及550为NMOS晶体管的主体节点提供RF浮动，此可提供的益处类似于电阻器520及530使NMOS晶体管510的栅极RF浮动所获得的益处。图5及6展示具有改良的偏压且通过NMOS晶体管实施的开关500及502的示范性设计。具有改良的偏压的开关还可通过P沟道MOS (PMOS)晶体管、互补金属氧化物半导体(CM0Q晶体管、接面晶体管(BJT)、双极CMOS (BiCMOQ晶体管、硅锗(SiGe)晶体管、砷化镓(GaAs)晶体管等来实施。在示范性设计中，(例如)如图5所展示，一设备可包含多个晶体管、多个电阻器及一额外电阻器。所述多个晶体管(例如，NMOS晶体管510)可以堆叠配置耦合，可接收输入信号，且可提供输出信号。所述多个电阻器(例如，电阻器520)可耦合至所述多个晶体管的栅极。额外电阻器(例如，电阻器530)可耦合至所述多个电阻器，且可接收用于所述多个晶体管的控制信号。所述多个晶体管可包含MOS晶体管、NMOS晶体管、PMOS晶体管等。所述多个电阻器可具有相等的电阻值或不同的电阻值。额外电阻器可具有与多个电阻器相同或不同的电阻值。在示范性设计中，每一电阻器可具有至少IkQ的值。当所述多个晶体管接通时，所述多个电阻器及额外电阻器可减少经由所述多个晶体管的寄生电容的信号损失。输入信号可具有大于每一晶体管的击穿电压的信号摆幅。当所述多个晶体管断开时，所述多个电阻器及额外电阻器可有助于在所述多个晶体管上大致均勻地分割信号摆幅。电阻器还可改良切换性能，如上文所描述。所述设备可进一步包括第二多个电阻器及第二额外电阻器，(例如)如图6所展示。所述第二多个电阻器(例如，电阻器M0)可耦合至所述多个晶体管的主体节点。第二额外电阻器(例如，电阻器550)可耦合至所述第二多个电阻器及一主体电压(例如，AC接地)。所述设备可进一步包括用以提供经放大的RF信号的功率放大器。输入信号可为 RF信号，所述RF信号可基于经放大的RF信号而导出。在另一示范性设计中，集成电路可包含多个MOS晶体管、多个电阻器及一额外电阻器。所述多个MOS晶体管可以堆叠配置耦合，可接收输入RF信号，且可提供输出RF信号。 所述多个电阻器可耦合至所述多个MOS晶体管的栅极。额外电阻器可耦合至所述多个电阻器，且可接收用于所述多个MOS晶体管的控制信号。所述集成电路可进一步包含(i)耦合至多个MOS晶体管的主体节点的第二多个电阻器及(ii)耦合至所述第二多个电阻器及主体电压的第二额外电阻器。在又一示范性设计中，设备(例如，无线通信装置)可包含模块。所述模块可包含多个开关以实施多个信号路径。所述模块可接收RF信号，且可经由所述多个信号路径中的一者路由RF信号。每一开关可包含以堆叠配置耦合的多个晶体管、耦合至所述多个晶体管的栅极的多个电阻器，及耦合至所述多个电阻器且接收用于所述多个晶体管的控制信号的额外电阻器。在示范性设计中，所述模块可为天线收发切换器(例如，图2所展示的天线收发切换器260)。在另一示范性设计中，所述模块可为PA模块，PA模块可进一步包含用以在启用时放大RF信号的至少一个功率放大器。所述模块也可为具有多个信号路径的某一其它单元。图7展示用于执行信号切换的过程700的示范性设计。可将控制信号经由第一电阻器且进一步经由多个电阻器施加至以堆叠配置耦合的多个晶体管的栅极(框71 。当所述多个晶体管由控制信号接通时，可使输入信号传递通过所述多个晶体管(框714)。当所述多个晶体管通过控制信号断开时，可阻挡输入信号使其不能传递通过所述多个晶体管 (框716)。当所述多个晶体管接通时，可通过第一电阻器减少经由所述多个晶体管的寄生电容的信号损失(框718)。当所述多个晶体管断开时，可在所述多个晶体管上大致均勻地分割输入信号的信号摆幅(框720)。本文中所描述的具有改良的偏压的开关可在IC、模拟IC、RFIC、混频信号IC、 ASIC、印刷电路板(PCB)、电子装置等上实施。开关也可通过各种IC工艺技术(例如，CMOS、 NM0S、PM0S、BJT、BiCM0S、SiGe、GaAs等)来制造。开关也可通过绝缘体上硅(SOI)来制造， 所述SOI为其中将薄硅层形成于绝缘体(例如，氧化硅或玻璃)顶上的IC工艺。用于开关的MOS晶体管可接着建置于此薄硅层顶上。SOI工艺可减小开关的寄生电容，此使开关可能够更快地进行操作。实施本文中所描述的具有改良的偏压的开关的设备可为独立装置或可为较大装置的一部分。装置可为(i)独立IC、(ii)可包括用于存储数据及/或指令的存储器IC的一个或一个以上IC的组、(iii)例如RF接收器(RFR)或RF发射器/接收器(RTR)等RFIC、 (iv)例如移动台调制解调器(MSM)等ASIC、(ν)可嵌入其它装置内的模块、(vi)接收器、蜂窝式电话、无线装置、手持机或移动单元、(vii)等。在一个或一个以上示范性设计中，所描述的功能可以硬件、软件、固件或其任何组合来实施。如果以软件实施，则所述功能可作为一个或一个以上指令或代码而存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体进行传输。计算机可读媒体包括计算机存储媒体及通信媒体两者，通信媒体包括促进计算机程序从一处转移至另一处的任何媒体。存储媒体可为可由计算机存取的任何可用媒体。通过实例而非限制，这类计算机可读媒体可包含RAM、 R0M、EEPR0M、⑶-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用以载运或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码且可由计算机存取的任何其它媒体。又， 将任何连接适当地称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤缆线、双绞线、数字用户线(DSL)或无线技术(例如，红外线、无线电及微波)从网站、服务器或其它远程源传输软件，则同轴电缆、光纤缆线、双绞线、DSL或无线技术(例如，红外线、无线电及微波)均包括于媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘及光盘包括压缩光盘(CD)、激光光盘、 光盘、数字多功能光盘(DVD)、软性磁盘及蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再生数据，而光盘通过激光以光学方式再生数据。上述各物的组合也应包括在计算机可读媒体的范畴内。 提供本发明的先前描述以使任何所属领域的技术人员能够制造或使用本发明。对本发明的各种修改对于所属领域的技术人员将显而易见，且在不脱离本发明的范畴的情况下，可将本文中所界定的一般原理应用于其它变体。因此，本发明不意在限于本文中所描述的实例及设计，而应被赋予与本文所揭示的原理及新颖特征一致的最广范畴。
权利要求
1.一种设备，其包含多个晶体管，其以堆叠配置耦合，且用以接收输入信号并提供输出信号； 多个电阻器，其耦合至所述多个晶体管的栅极；及额外电阻器，其耦合至所述多个电阻器，且用以接收用于所述多个晶体管的控制信号。
2.根据权利要求1所述的设备，所述多个晶体管包含金属氧化物半导体MOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的设备，所述多个晶体管包含N沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管。
4.根据权利要求1所述的设备，所述多个电阻器具有相等的电阻值。
5.根据权利要求1所述的设备，所述多个电阻器及所述额外电阻器具有相等的电阻值。
6.根据权利要求1所述的设备，所述多个电阻器各自具有第一电阻值，且所述额外电阻器具有不同于所述第一电阻值的第二电阻值。
7.根据权利要求1所述的设备，所述多个电阻器及所述额外电阻器各自具有至少1000 欧姆的值。
8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含第二多个电阻器，其耦合至所述多个晶体管的主体节点；及第二额外电阻器，其耦合至所述第二多个电阻器及主体电压。
9.根据权利要求8所述的设备，所述主体电压为交流AC接地或低于所述输入信号的直流DC电压的偏压。
10.根据权利要求1所述的设备，所述输入信号包含输入射频RF信号，且所述输出信号包含输出RF信号。
11.根据权利要求10所述的设备，其进一步包含功率放大器，其用以提供经放大的RF信号，且所述输入RF信号是基于所述经放大的RF 信号而导出。
12.根据权利要求1所述的设备，所述输入信号具有大于每一晶体管的击穿电压的信号摆幅。
13.一种集成电路，其包含多个金属氧化物半导体MOS晶体管，其以堆叠配置耦合，且用以接收输入射频RF信号并提供输出RF信号；多个电阻器，其耦合至所述多个MOS晶体管的栅极；及额外电阻器，其耦合至所述多个电阻器，且用以接收用于所述多个MOS晶体管的控制信号。
14.根据权利要求13所述的集成电路，其进一步包含第二多个电阻器，其耦合至所述多个MOS晶体管的主体节点；及第二额外电阻器，其耦合至所述第二多个电阻器及主体电压。
15.一种设备，其包含模块，其包含多个开关以实施多个信号路径，所述模块接收射频RF信号且经由所述多个信号路径中的一者路由所述RF信号，所述多个开关中的每一者包含 多个晶体管，其以堆叠配置耦合，多个电阻器，其耦合至所述多个晶体管的栅极，及额外电阻器，其耦合至所述多个电阻器，且用以接收用于所述多个晶体管的控制信号。
16.根据权利要求15所述的设备，所述模块为耦合至天线的天线收发切换器。
17.根据权利要求15所述的设备，所述模块为功率放大器PA模块，所述功率放大器PA 模块进一步包含用以放大所述RF信号的至少一个功率放大器。
18.根据权利要求15所述的设备，所述设备为无线通信装置。
19.一种执行信号切换的方法，其包含将控制信号经由第一电阻器且进一步经由多个电阻器施加至以堆叠配置耦合的多个晶体管的栅极；当所述多个晶体管通过所述控制信号接通时，使输入信号传递通过所述多个晶体管；及当所述多个晶体管通过所述控制信号断开时，阻挡所述输入信号使其不能传递通过所述多个晶体管。
20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包含当所述多个晶体管接通时，通过所述第一电阻器减少经由所述多个晶体管的寄生电容的信号损失。
21.根据权利要求19所述的方法，其进一步包含当所述多个晶体管断开时，在所述多个晶体管上均勻地分割所述输入信号的信号摆幅。
22.—种设备，其包含用于在通过控制信号接通时传递输入信号及用于在通过所述控制信号断开时阻挡所述输入信号的装置，及用于将所述控制信号经由第一电阻器且进一步经由多个电阻器施加至所述用于传递及阻挡所述输入信号的装置的装置。
全文摘要
本发明描述具有改良的偏压且具有较佳的隔离及可靠性的开关。在示范性设计中，开关(50D)通过晶体管组(510a-k)、电阻器组(520a-k)及额外电阻器(530)来实施。所述晶体管组(510a-k)以堆叠配置耦合，接收输入信号(Vout)，且提供输出信号。所述电阻器组(520a-k)耦合至所述晶体管组(510a-k)的栅极。所述额外电阻器(530)耦合至所述电阻器组(520a-k)，且接收用于所述晶体管组(510a-k)的控制信号(vcontrol)。当所述晶体管接通时，所述电阻器减少经由所述晶体管的寄生电容的信号损失。当所述晶体管断开时，所述电阻器也有助于在所述晶体管上大致均匀地分割所述输入信号的信号摆幅，此可改良所述晶体管的可靠性。所述开关(50D)可用于天线收发切换器、功率放大器PA模块等中。
文档编号H03K17/10GK102474249SQ201080032876
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月28日 优先权日2009年7月28日
发明者马尔科·卡西亚 申请人:高通股份有限公司