专利名称：一种具有高驱动能力的脉冲输出电路的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种电平脉冲信号的变换电路，尤其涉及一种对TTL或CMOS电平 脉冲信号进行变换的脉冲输出电路。
背景技术：
TTL或CMOS电平脉冲信号变换为其他电平形式的脉冲信号，通常采用电平转换专 用集成电路或者开关管来实现，但在该类变换方式下，脉冲信号的高低电平电压值一般均 为不小于OV的电压，不能应用到需要负电压电平驱动的电路中，从而使得该类脉冲信号的 驱动能力受到了限制。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于克服上述现有技术之不足，提供一种能使 TTL或CMOS电平的脉冲信号经过变换后，不仅可以实现正电压值的高电平或低电平输出， 还可以实现负电压值的高电平或低电平输出，且高电平和低电平具有相同的驱动能力的脉 冲输出电路。按照本实用新型提供的一种具有高驱动能力的脉冲输出电路，包括输入TTL或 CMOS电平脉冲信号的输入端、与所述输入端相连接的同相器和反相器、与所述同相器相连 接的CMOS模拟开关A、与所述反相器相连接的CMOS模拟开关B、与所述CMOS模拟开关A相 连接的稳压电源A、与所述CMOS模拟开关B相连接的稳压电源B及脉冲信号输出端，从所述 输入端输入的TTL或CMOS电平脉冲信号经由所述同相器和反相器变换成一对互为反相的 TTL或CMOS电平脉冲信号，该对互为反相的TTL或CMOS电平脉冲信号分别控制所述CMOS 模拟开关A和所述CMOS模拟开关B的通断，当所述CMOS模拟开关A导通时，所述脉冲信号 输出端的电平电压值为所述稳压电源A的电源电压值；当所述CMOS模拟开关B导通时，所 述脉冲信号输出端的电平电压值为所述稳压电源B的电源电压值。按照本实用新型提供的一种具有高驱动能力的脉冲输出电路还具有如下附属技 术特征所述CMOS模拟开关A和所述CMOS模拟开关B的工作特性完全相同。该对互为反相的TTL或CMOS电平脉冲信号控制所述CMOS模拟开关A和所述CMOS 模拟开关B择一导通。所述稳压电源A和稳压电源B输出的电源电压为正电压值或负电压值，所述脉冲 信号输出端的电平电压值相应输出正电压值或负电压值。若所述CMOS模拟开关A和CMOS模拟开关B在输入控制信号为TTL或CMOS高电 平脉冲信号时导通，在输入控制信号为TTL或CMOS低电平脉冲信号时关断，则在该对互为 反相的TTL或CMOS电平脉冲信号的控制下，所述CMOS模拟开关A导通时所述CMOS模拟开 关B关断，所述脉冲信号输出端的电平电压值为稳压电源A的电源电压值；所述CMOS模拟 开关A关断时所述CMOS模拟开关B导通，所述脉冲信号输出端的电平电压值为稳压电源B的电源电压值。若所述CMOS模拟开关A和CMOS模拟开关B在输入控制信号为TTL或CMOS低电平脉冲信号时导通，在输入控制信号为TTL或CMOS高电平脉冲信号时关断，则在该对互为 反相的TTL或CMOS电平脉冲信号的控制下，所述CMOS模拟开关A关断时所述CMOS模拟开 关B导通，所述脉冲信号输出端的电平电压值为稳压电源B的电源电压值；所述CMOS模拟 开关A导通时所述CMOS模拟开关B关断，所述脉冲信号输出端的电平电压值为稳压电源A 的电源电压值。按照本实用新型提供的一种具有高驱动能力的脉冲输出电路与现有技术相比具 有如下优点本实用新型的脉冲输出电路旨在使TTL(或CMOS)电平的脉冲信号经过变换 后，不仅可以实现正电压值的高电平(或低电平)输出，还可以实现负电压值的高电平(或 低电平)输出，且高电平和低电平具有相同的驱动能力，从而拓展了脉冲输出电路的应用 场合，使得本实用新型具有较高的应用价值。
图1是本实用新型的结构框图。图2是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
参见图1和图2，在本实用新型给出的一种具有高驱动能力的脉冲输出电路的实 施例，包括输入TTL电平脉冲信号的输入端1、与所述输入端1相连接的同相器2和反相器 3、与所述同相器2相连接的CMOS模拟开关A5、与所述反相器3相连接的CMOS模拟开关B6、 与所述CMOS模拟开关A5相连接的稳压电源A7、与所述CMOS模拟开关B6相连接的稳压电 源B8及脉冲信号输出端4，从所述输入端1输入的TTL电平脉冲信号经由所述同相器2和 反相器3变换成一对互为反相的TTL电平脉冲信号，该对互为反相的TTL电平脉冲信号分 别控制所述CMOS模拟开关A5和所述CMOS模拟开关B6的通断，当所述CMOS模拟开关A5导 通时，所述脉冲信号输出端4的电平电压值为所述稳压电源A7的电源电压值；当所述CMOS 模拟开关B6导通时，所述脉冲信号输出端4的电平电压值为所述稳压电源B8的电源电压 值。本实用新型将TTL电平脉冲信号作为控制信号，控制CMOS模拟开关的导通，从而使脉 冲信号输出端4输出稳压电源A或稳压电源B。因此，该脉冲输出电路的输出脉冲电平电压 取决于稳压电源A和稳压电源B的类型，可以通过设置稳压电源的电压值使脉冲信号输出 端4输出不同电平电压的脉冲信号。其输入信号为TTL电平脉冲信号，输出为与输入脉冲 信号相位差恒定的脉冲信号。相位差恒定的意思是输出信号与输入信号同步，且带有相同 的需要传递的信息。参见图1和图2，在本实用新型给出的上述实施例中，所述CMOS模拟开关A5和 所述CMOS模拟开关B6的工作特性完全相同。工作特性完全相同是指CMOS模拟开关A和 CMOS模拟开关B集成在一片CMOS模拟开关电路中，该CMOS模拟开关电路内部所有的CMOS 模拟开关具有相同的电气结构且能够相互独立工作，由于生产制造工艺技术和工艺流程相 同，所以能保证一片CMOS模拟开关电路中的所有CMOS模拟开关具有非常好的一致性。输 出脉冲信号的驱动能力由CMOS模拟开关A和CMOS模拟开关B的最大允许导通电流决定，由于CMOS模拟开关A和CMOS模拟开关B的工作特性完全相同，所以输出脉冲信号的高、低 电平具有相同的驱动能力。参见图1和图2，在本实用新型给出的上述实施例中，该对互为反相的TTL或CMOS 电平脉冲信号控制所述CMOS模拟开关A5和所述CMOS模拟开关B6择一导通。所谓的择一 导通是指CMOS模拟开关A和CMOS模拟开关B在同一时刻只有一个导通。具体导通时间由 TTL或CMOS电平脉冲信号的控制电平保持时间决定。参见图1和图2，在本实用新型给出的上述实施例中，所述稳压电源A7和稳压电源 B8输出的电压为正电压值或负电压值，所述脉冲信号输出端4的电平电压值相应输出正电 压值或负电压值。当选择电源电压为正电压的稳压电源A或电源电压为正电压的稳压电源 B时，输出脉冲信号的电平电压值为正电压值；当选择电源电压为负电压的稳压电源A或电 源电压为负电压的稳压电源B时，输出脉冲信号的电平电压值为负电压值；稳压电源A或稳 压电源B也可用OV电源地替代，以便满足OV电平的输出要求。其实需要说明的意思是，输 出脉冲信号的高、低电平均可为正电压，也可为负电压，还可为零电压(但高低电平不能同 为零电压，因为这种情况没有实际应用价值)，通过改变稳压电源A和稳压电源B的输出电 压和输出电压极性即可实现，具体实现方法是根据需要更换稳压电源的输入电压及相应的 电源转换芯片，使得稳压电源输出的电源电压及输出电压的极性均满足使用要求。参见图1和图2，在本实用新型给出的上述实施例中，若所述CMOS模拟开关A和 CMOS模拟开关B在输入控制信号为TTL高电平脉冲信号时导通，在输入控制信号为TTL低 电平脉冲信号时关断，则在该对互为反相的TTL电平脉冲信号的控制下，所述CMOS模拟开 关A导通时所述CMOS模拟开关B关断，所述脉冲信号输出端的电平电压值为稳压电源A的 电源电压值；所述CMOS模拟开关A关断时所述CMOS模拟开关B导通，所述脉冲信号输出端 的电平电压值为稳压电源B的电源电压值。参见图1和图2，在本实用新型给出的上述实施例中，若所述CMOS模拟开关A和 CMOS模拟开关B在输入控制信号为TTL低电平脉冲信号时导通，在输入控制信号为TTL高 电平脉冲信号时关断，则在该对互为反相的TTL电平脉冲信号的控制下，所述CMOS模拟开 关A关断时所述CMOS模拟开关B导通，所述脉冲信号输出端的电平电压值为稳压电源B的 电源电压值；所述CMOS模拟开关A导通时所述CMOS模拟开关B关断，所述脉冲信号输出端 的电平电压值为稳压电源A的电源电压值。本实施例中的TTL电平脉冲信号还可以为CMOS电平脉冲信号，整体结构完全相 同。
权利要求一种具有高驱动能力的脉冲输出电路，其特征在于包括输入TTL或CMOS电平脉冲信号的输入端、与所述输入端相连接的同相器和反相器、与所述同相器相连接的CMOS模拟开关A、与所述反相器相连接的CMOS模拟开关B、与所述CMOS模拟开关A相连接的稳压电源A、与所述CMOS模拟开关B相连接的稳压电源B及脉冲信号输出端，从所述输入端输入的TTL或CMOS电平脉冲信号经由所述同相器和反相器变换成一对互为反相的TTL或CMOS电平脉冲信号，该对互为反相的TTL或CMOS电平脉冲信号分别控制所述CMOS模拟开关A和所述CMOS模拟开关B的通断，当所述CMOS模拟开关A导通时，所述脉冲信号输出端的电平电压值为所述稳压电源A的电源电压值；当所述CMOS模拟开关B导通时，所述脉冲信号输出端的电平电压值为所述稳压电源B的电源电压值。
2.如权利要求1所述的一种具有高驱动能力的脉冲输出电路，其特征在于所述CMOS 模拟开关A和所述CMOS模拟开关B的工作特性完全相同。
3.如权利要求1所述的一种具有高驱动能力的脉冲输出电路，其特征在于该对互为 反相的TTL或CMOS电平脉冲信号控制所述CMOS模拟开关A和所述CMOS模拟开关B择一 导通。
4.如权利要求1所述的一种具有高驱动能力的脉冲输出电路，其特征在于所述稳压 电源A和稳压电源B输出的电压为正电压值或负电压值，所述脉冲信号输出端的电平电压 值相应输出正电压值或负电压值。
5.如权利要求1所述的一种具有高驱动能力的脉冲输出电路，其特征在于若所述 CMOS模拟开关A和CMOS模拟开关B在输入控制信号为TTL或CMOS高电平脉冲信号时导通， 在输入控制信号为TTL或CMOS低电平脉冲信号时关断，则在该对互为反相的TTL或CMOS 电平脉冲信号的控制下，所述CMOS模拟开关A导通时所述CMOS模拟开关B关断，所述脉冲 信号输出端的电平电压值为稳压电源A的电源电压值；所述CMOS模拟开关A关断时所述 CMOS模拟开关B导通，所述脉冲信号输出端的电平电压值为稳压电源B的电源电压值。
6.如权利要求1所述的一种具有高驱动能力的脉冲输出电路，其特征在于若所述 CMOS模拟开关A和CMOS模拟开关B在输入控制信号为TTL或CMOS低电平脉冲信号时导通， 在输入控制信号为TTL或CMOS高电平脉冲信号时关断，则在该对互为反相的TTL或CMOS 电平脉冲信号的控制下，所述CMOS模拟开关A关断时所述CMOS模拟开关B导通，所述脉冲 信号输出端的电平电压值为稳压电源B的电源电压值；所述CMOS模拟开关A导通时所述 CMOS模拟开关B关断，所述脉冲信号输出端的电平电压值为稳压电源A的电源电压值。
专利摘要一种具有高驱动能力的脉冲输出电路，包括输入TTL或CMOS电平脉冲信号的输入端、同相器和反相器、CMOS模拟开关A、CMOS模拟开关B、稳压电源A、稳压电源B及脉冲信号输出端，从输入端输入的TTL或CMOS电平脉冲信号经由同相器和反相器变换成一对互为反相的TTL或CMOS电平脉冲信号，该对互为反相的TTL或CMOS电平脉冲信号分别控制CMOS模拟开关A和CMOS模拟开关B的通断，当CMOS模拟开关A导通时，脉冲信号输出端的电平电压值为稳压电源A的电源电压值；当CMOS模拟开关B导通时，脉冲信号输出端的电平电压值为稳压电源B的电源电压值。本实用新型能使TTL或CMOS电平的脉冲信号经过变换后，不仅可以实现正电压值的高电平或低电平输出，还可以实现负电压值的高电平或低电平输出，且高电平和低电平具有相同的驱动能力。
文档编号H03K5/00GK201557088SQ20092022055
公开日2010年8月18日 申请日期2009年10月30日 优先权日2009年10月30日
发明者向伟荣, 姜洪雷, 徐杰, 曲凤新, 李守峰, 梁杰, 王小飞, 陈京谊, 高岩 申请人:航天科工惯性技术有限公司