一种低噪声高增益-带宽乘积跨阻抗放大器的利记博彩app

文档序号:7525751阅读:434来源:国知局
专利名称:一种低噪声高增益-带宽乘积跨阻抗放大器的利记博彩app
技术领域
本发明属于电子学与信息系统中之敏感电子学与传感器领域,具体涉及一种低噪声、高 增益-带宽乘积跨阻抗放大器,该放大器适用于模拟或数字光信号的光接收机,特别适用于接 收到的光信号中,被提取信号对应的光强微弱的模拟或数字光接收机,以及频带宽、灵敏度 高、信噪比高的上述光接收机。
背景技术
跨阻抗放大器(以下简称TIA)是光接收机中广泛釆用的前置放大器,其作用是将光信号照 射到光电器件上产生的微弱电流信号转换为电压信号,光电器件可以是p-i-n型光电二极管 PIN,或雪崩光电二极管APD等,以下以PIN为代表代表进行描述。光接收机的带宽、灵敏 度、稳定性、动态范围等重要性能取决于TIA的信号带宽Ss/C、信号增益^s/G、噪声电压增 益^w、单位带宽输出噪声电平e0、相位闭合比(Closure Rate, Rate-of-Closure)或相位裕余度 PM(Phase Margin)、动态范围等特性,这些特性因此也成为是高性能TIA主要指标。
TIA有单端输入型与双端输入型(或称为差分输入型)两种。双端输入型的共模抑制能力优 于单端输入型,但其开环增益、低频截止频率、噪声性能、动态范围、带宽等方面的性能均 劣于单端输入型(见美国专利5343160和6433638的描述),所以单端型是TIA的主要形式。 图l一图4是现有单端输入型TIA的几种形式。
图1是现有TIA的基本形式,可以作为分析TIA性能的基础。图中,虚线连接的&是反 馈电阻及/的寄生电容,/^是PIN的输出电流,Wa、 ^是PIN并联电阻与放大器输入电阻, CV是TIA总输入电容(包括PIN并联电容Cp!n、放大器输入电容C^放大器输入端布线电容 及其它寄生电容Cp等)。在图1的这种基本形式中,跨阻抗放大器TIA的信号带宽5fflC、信 号增益J泥、噪声电压增益和输出噪声电平e0与电路参数的关系如以下(1)—(4)式所示(见 参考文献[l]-[5]的描述)
」—i-__^ ~ —

1
2"7^"((1 + 4)C,+CV)
—1 + s(CV + C,)A, _ 1 + sCj;i
(1)
(2)
(3)
(4)式中^oi是TIA的开环增益,CE=C'r+C>, /^是PIN平均输出电流(包括信号电流与非信号电 流),2^^是/^产生的散粒噪声(shotnoise)的功率谱密度,i 、 是放大器的输入电流噪声与 输入电压噪声,《=1.6x10—19库仑是电子电荷,hl.38xl0—"焦耳/K是玻尔茨曼常数,r是绝 对温度。J0i、 A/G、 Jw与频率的关系见图5。特别值得注意的是,在的零点/z与极点/P 之间,4(/)以20dB/decade的斜率上升,这不仅增加了输入电压噪声对输出电压噪声的贡献, 而且容易出现Jw(/)与^0£(/)之间的相位闭合比等于40dB/decade的情况,使得TIA系统不稳 定,详细说明见参考文献[l]-[4]、问、[7〗。
由以上各式可知,幅值随及/而增加,M随C^"2而增加,因此增加及/有利于提高TIA 输出信号的信噪比。然而A/增加将引起5wc 下降,并引起高频时噪声电压上升;但这种不利 影响可通过降低Cr、 C/来予以抵消,所以现有改进TIA性能的方案都集中在增加i /与(或) 降低CV、 &的影响这两方面。
增加及/值以改善TIA噪声性能、提高TIA增益-带宽乘积,或在增加及/值的前提下扩展 TIA的动态范围的方案很多,以专利技术为例,国外如美国专利5343160、 5455705、 5521555、 5532471、 5889605、 5982232、 7221229、 7330668,欧洲专利EP720729,国际专利申i青 WO/2006/017846等;国内只见到扩展TIA的动态范围的专利91306421.x,发明名称为"超 动态范围光接收机前置放大器",但未涉及i /或TIA的噪声性能。
减少反馈电容或输入级等效电容对TIA性能影响的方案相对较少,主要有以下几种
1.采用最佳反馈电容
如图2所示,在基本TIA的&两端添加具有特定电容值的反馈电容,使得噪声电压增益 XN在其极点频率力=1/(2:^/:/)时的幅值等于开环增益j0i在该频率时的幅值,即Jw C^)^4w《),这就既能采用带宽尽可能窄的放大器达到要求的TIA带宽,又能使噪声电压增 益的相位裕余度达到45°,从而TIA工作稳定,不至于引起振荡。能达到这种要求的最佳反 馈电容值为
式中/^,是放大器的开环增益为1时的频率,(V是&的寄生电容。详细说明见参考文献[l]、 [2〗。
2.采用i -C补偿型反馈网络
如图3所示,采用图1、图2的及/-(:/并联型反馈网络时,反馈阻抗Z/在TIA输入端引起 的等效输入阻抗为对应的等效输入电阻为^f^/(l+^x),等效输入电容为 Q^(l+厶i)C/ 。详情参见文献[8]
采用i -C补偿型反馈网络时,在/ /<^/=&(^的条件下(/ / / 0 CC〉>Q,相当于在TIA 的反馈回路跨接/ M-及,+及c^/的纯电阻,在输入端接入C,与Cc串联的纯电容Q^C/Cc/(C/+Cc)MT/。 /^#在输入端产生的等效输入电阻为及加=(及/+^)/(1+^^)^//(1+^1),与图1或图2 的情况相同,但这时的Qj"只是图1、图2的1/(1+J0i),因此这种TIA能大大减小C/对TIA 输入回路时间常数的影响,但不能减小Cr的影响。 3.采用自举(bootstrap)输入级
如图4所示,这种TIA的输入级为电压跟随器,PIN并联在电压跟随器的输入、输出端, PIN两端的交流电位相同,CPIN不存在交流充放电过程,消除了 CptN对TIA时间常数"w的 影响,但不能消除其它电容(如C》C,"、 Cp等)对^c的影响。具体参见美国专利4535233, 5521555和欧洲专利EP720729。
以上分析说明,现有TIA不能同吋消除CPIN、 C户G 、 Cp等各种电容对TIA时间常数r恥 的影响,从而不能充分利用放大器的开环特性,不能采用更大电阻值的/ /改善TIA的噪声性 能,因此应进一步寻求能消除各种电容对TIA时间常数影响的方案。
参考专利
美国专利4535233, 5343160, 5455705, 5521555, 5532471, 5889605, 5982232, 6433638, 7221229, 7330668;欧洲专利EP720729;国际专利申请WO/2006/017846; 中国专利91306421.x;中国专利申请200610078460.1, 200580026425.9。
参考文献. David Westerman, Understand and Apply the Transimpedance Amplifier, Mobile Handset Design Line, 08/08/2007, ov"!7aWe:
http:〃www.mobilehandsetdesignline.com/howto/201400084. National Semiconductor Application Note 180, Design Considerations for a Transimpedance Amplifier, Maithil Pachchigar, February 28, 2008
P]. P Wright, K B Ozanyan, S J Carey and H McCann, Optimisation of the Signal to Noise Performance of Photodiode Receivers in Near-Infrared Absorption Tomography, iVoc.
WWW Cowgre^ /wi/敏Wa/ iVocew 7b附ograp/ 少(Banff, Canada, September 2003), pp.219-225.. Burr-Brown Application Bulletin, Noise Analysis of FET Transimpedance Amplifier, February, 1994.. Toby Whitley, Transimpetance Feedback Amplifier, Bath University Handout, httD:〃people.bath,ac.uk/tw236/TRANSIMPEDANCEo/o20FEEDBACKo/o20AMPUF正R.
doc. Bonnie Baker, Transimpedace隱amplifier stability is key in light-sensing application, EDN, September 4, 2008.
6[7]. Tim Green, "Operational Amplifier Stability, Part 1 of 15: Loop Stability Basics," Texas Instruments, 2005, AnalogZone, Acquistion-Zone.. J. L. Hullett and T. V. Muoi, A Feedback Receiver for Optical Transmission Systems [J], IEEE Trans. Communication, 1976, 24(10): 1180-1185.

发明内容
本发明的目的是改善现有TIA的噪声性能,提高增益-带宽乘积,提高灵敏度,提高稳定性。
本发明的技术方案是提供了一种跨阻抗型光接收机前置放大器TIA,包括 一个高增益 放大器A1, 一个具有光电转换器的输入电路, 一个连接在所述高增益放大器A1的反向输入 端和输出端的负反馈阻抗Zf, 一个低增益放大器A2, 一个连接所述低增益放大器A2的输出 端与所述高增益放大器A1的反向输入端的反馈电容Cff ;所述高增益放大器Al的输出端与 所述低增益放大器A2的输入端连接,所述前置放大器的输出信号从所述高增益放大器Al的 输出端取出,所述输出信号直接进行后续信号处理,或进一步放大后再进行后续信号处理。
其中,所述高增益放大器A1的输出端与一个缓冲器Buffer的输入端连接,所述低增益 放大器A2的输入端与缓冲器Buffer的输出端连接,所述前置放大器的输出信号从缓冲器 Buffer的输出端取出。
其中,所述低增益放大器A2配备有增益可调装置。
其中,所述负反馈阻抗Zf由电阻Rf与电容Cf并联组成。
其中,所述负反馈阻抗Zf由电阻Rf、 RC与电容Cf、 CC组成,其中电阻Rf的一端与所 述高增益放大器A1的反向输入端以及电容Cf的一端连接;电阻Rf的另一端与电容Cf的另 一端以及电阻RC的一端、电容CC的一端连接,电阻RC的另一端与所述低增益放大器A2 的输出端连接,电容CC的另一端接地电位。
其中,所述缓冲器Buffer与增益可调的低增益放大器A2合为一体,该一体化的缓冲器 Buffer与增益可调的低增益放大器A2由一个场效应晶体管JFET与至少两个电阻RN、 RP组 成,其中场效应晶体管JFET的栅极与所述TIA中高增益放大器A1的输出端连接,源极与电 阻RP连接,电阻RP的另一端与信号地连接,漏极与电阻RN连接,电阻RN的另一端与信 号电源连接;所述跨阻抗放大器TIA中反馈阻抗Zf的两端分别与所述高增益放大器Al的输 入端、场效应晶体管JFET的源极连接,跨阻抗放大器TIA中反馈电容Cff的两端分别与所述 高增益放大器A1的输入端、场效应晶体管JFET的漏极连接,跨阻抗放大器TIA的输出信号 从场效应晶体管JFET的源极取出。
其中,所述反馈阻抗Zf的两端分别与所述高增益放大器Al的输入、输出端连接。
其中,所述缓冲器Buffer与增益可调的低增益放大器A2合为一体,该一体化缓冲器Buffer
7与增益可调的低增益放大器A2由一个双极晶体管BJT与至少两个电阻RN、 RP组成,其中 双极晶体管BJT的基极与所述跨阻抗放大器TIA中高增益放大器Al的输出端连接,发射极 与电阻RP连接,电阻RP的另一端与信号地连接,集电极与电阻RN连接,电阻RN的另一 端与信号电源连接;所述跨阻抗放大器TIA中反馈阻抗Zf的两端分别与所述高增益放大器 Al的输入端、双极晶体管BJT的发射极连接,跨阻抗放大器TIA中反馈电容Cff的两端分别 与所述高增益放大器A1的输入端、双极晶体管BJT的集电极连接,跨阻抗放大器TIA的输 出信号从双极晶体管BJT的发射极取出。
其中,所述反馈阻抗Zf的两端分别与所述高增益放人器Al的输入、输出端连接。
本发明的有益效果是
(1 )依据本发明的跨阻抗放大器利用正反馈电容&在TIA输入端产生的负密勒(Miller) 电容,抵消TIA输入端原有的CpjN、 C, 、 Cp,以及负反馈C/在TIA输入端产生的等效输入 电容(HJozO&,以增加TIA的信号带宽。
(2) 依据本发明的跨阻抗放大器可采用比现有方案电阻值的更大i /以提高TIA的信号 增益与信噪比,但不影响TIA的带宽。
(3) 依据本发明的跨阻抗放大器利用正反馈电容C^在TIA输入端产生的负密勒电容, 改变噪声电压增益^w(必)零、极点位置,消除^v(")在高频端的上升部分,使得噪声电压增益 始终为0dB,减少放大器输入噪声电压对TIA输出噪声电压的贡献,并能保证TIA的稳定性。
(4) 依据本发明的跨阻抗放大器可在W/两端并联较大电容值的电容C户用以基本消除 电容值不稳定的/ /寄生电容与布线电容的影响,但不影响TIA的带宽。
(5) 依据本发明的跨阻抗放大器能方便地通过调整低增益辅助放大器A2的增益来调整 正反馈电容在TIA输入端产生的负电容值,以与包括及/的寄生电容、线路布线电容等数值难 以预先确定的影响因素在内的TIA输入端等效电容相匹配。这就可采用性能稳定的固定电容 器作为正反馈电容,而不必采用性能不稳定的可变电容器。


下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是现有技术的基本结构型跨阻抗放大器TIA的结构示意图2是现有技术的最佳反馈电容型跨阻抗放大器TIA的结构示意图,其目的在于使TIA 工作稳定,不至于因噪声电压而引起振荡;
图3是现有技术的及-C补偿反馈网络型跨阻抗放大器TIA的结构示意图,其目的在于减 少反馈电容对TIA带宽与噪声性能的影响;
图4是现有技术的自举输入级型跨阻抗放大器TIA的结构示意图,其目的在于减少PIN 电容对TIA带宽与噪声性能的影响,图中缓冲器(Buffer)的电压增益为1;图5是跨阻抗放大器TIA开环增益、信号增益、噪声电压增益与频率之间的关系曲线图; 图6是依据本发明的实施例1的跨阻抗放大器TIA的结构示意图(a)及其等效电路示意图
(6);
图7是依据本发明的实施例1的跨阻抗放大器TIA的输入电压噪声^转换为等效输入电 流噪声/£ 过程示意图8是依据木发明的实施例1的跨阻抗放大器TIA实施方案与现有技术的TIA性能比较
表;
图9是依据本发明的实施例2的跨阻抗放大器TIA的结构示意图10是依据本发明的实施例3的跨阻抗放大器TIA的结构示意图11是依据本发明的实施例4的跨阻抗放大器TIA的结构示意图(及AK〈&)。
具体实施方式
实施例l
图6是依据本发明的实施方案1的跨阻抗放大器TIA的结构示意图(a:i及其等效电路 示意图(b)实施方案。图中PIN是将光信号转换为电流信号的光电转换器,^是主放大器, A是辅助放大器,它们的开环增益亦分别记作A、 ^2,且满足条件
y4i i,爿2<1,, ^rv42=4^ >1;
Buffer是电压增益为1的缓冲器,并非本实施例不可缺少部分;i ',"是PIN并联电阻 与放大器输入电阻凡"相并联的等效电阻,Cr是TIA总输入电容(包括PIN并联电容CPIN、 放大器输入电容C,"、放大器输入端布线电容及其它寄生电容Cp等);Z^是连接A输出端 N至A输入端M的负反馈电阻,C/是A的寄生电容,C^是连接A输出端M'至^输入 端M的正反馈电容(M'、 M两点处的信号相位同相)。由图6(6)可知,及/、 C/在^输入端 M产生等效输入电阻为i^^i^/(l+^),等效输入电容为C加K1+^)C/。不存在正反馈电 容时,A输入端总等效输入电阻/^与总等效输入电容Q:为
及2/ =i1,1l+^) (及',"^//(l+O)
Qy《11(l+^)C/《+(l+A)C, TIA输入端的时间常数与信号带宽为2;rf^[C,+Cr/(l + 4)]
由于这种TIA有很大的等效输入电容Cz,这时为提高TIA的噪声比而采用很高电 阻值的及/,就难以得到很宽的信号带宽。
采用本发明提供的正反馈电容Qr时,C^将在TIA输入端M处产生负值密勒电容
~—1
从而TIA输入端M处
~—1
调整4^调整A),使得C/加s-Qy,就可使得TIA的等效输入电容约为零。这时即使采 用很高电阻值的及/,也能得到很宽的信号带宽。
Qr还能消除噪声电压增益^w(w)在高频端的上升部分,使得JwO)始终为0dB,减 少放大器输入噪声电压对TIA输出噪声电压的贡献,并能保证TIA不发生振荡。
推导Jw(")的过程见图7(")、 (W、 (c)、(力,图中ZW;giCr, Z广&ll&。由(a)得
<formula>formula see original document page 10</formula>由(6)及其密勒等效电路(c)得:
<formula>formula see original document page 10</formula>
如果(c)等效于(a),即两电路屮的输出电压噪声K。相等,则<formula>formula see original document page 10</formula>
于是/£ 引起的r"。为 <formula>formula see original document page 10</formula>
在i ; l/(/ Cr)、 (l+^C/)》Cr的条件下,Z"=l/(/ C。, ^S/G = —^/(l+j^i^C/),上 式变为 c/+cr)
由此得到这时的噪声电压增益^w为
这就是文献中普遍采用的Jw表达式,即公式(3).
当2', 中的电容(^与2//(1+^41)中的电容(l+^)C/都被Qr产生的负密勒电容抵消时, 电路(c)将变为电路(cO, /£ 将变为
于是/£ 引起的r"。变为
i i
——

上式中,由于Cr与(l+^)C/均被抵消,所以^。 = &,艮P
换句话说,这时的噪声电压增益为0dB,相当于图5中的Jw(/)曲线为水平直线,Jw(/) 与爿oi (/)之间的相位闭合比(rate-of-closure)为-20dB/decade -0dB/decade = -20dB/decade, 所以TIA稳定(见参考文献[7])。
实施方案例1的TIA性能与现有技术TIA性能的比较见图8。以图8中及/(相对值)=1.8 时的性能为例,实施方案例1的TIA的增益-带宽乘积,分别是常用的基本跨阻抗型TIA与 R-C补偿反馈网络型TIA的增益-带宽乘积的9.02倍与7.19倍。这意味着与后两种TIA相比, 在带宽相同的情况下,实施方案例1的TIA可采用电阻值更高的的反馈电阻^,从而可降低 /^对应的等效输入噪声电流,提高TIA的信噪比;在i /的电阻值相同的情况下,实施方案例 1的TIA可具有更宽的带宽,从而可接收更宽频带范围的光信号。
实施例2
本发明的实施方案2参见图9,图中PIN、 ^、 ^2、 Buffer、 Cr、及 、 i /、 C^的定 义与实施方案i相同,cy是大于A寄生电容的固定电容,可使TIA的等效输入电容Cs 不会因i /寄生电容不稳定而影响TIA的使用性能。根据实施方案1的分析,调整」2可 使得TIA的等效输入电容约为零,从而采用很高电阻值的A时也能得到很宽的信号带宽, 并且能使噪声电压增益为OdB,使TIA稳定。
11实施例3
本发明的实施方案3见图IO所示,图中PIN、 ^、 J2、 Buffer、 Cr、 i ', 、 C^的定 义与实施方案l相同,及/、 C户及c、 Cc共同组成^的反馈网络Z/,且满足条件i / i c, Cc C/, i /C>=i cCc。与实施方案1和2不同的是,这时反馈网络Z/在TIA输入端产生
的等效输入电容为c力fC/Cc /(C/+cc) c>,而不是实施方案i和2中的(i+^)cy,这就可
用较小电容值的Cf补偿TIA的等效输入电容;等效输入电阻为J /^(JV+i c)/(l+^)W/ /(1+^),与实施方案l、 2相同。调整A同样可使得TIA的等效输入电容约为零,从而 采用很高电阻值的i /时也能得到很宽的信号带宽,并且能使噪声电压增益为0dB,使TIA 稳定。
实施例4
本发明实施方案4是将实施方案1、 2、 3中的缓冲器Buffer与辅助放大器A合为一 体的方案,参见图ll(")、 (6)、 (c)、(司所示。图中JFET是结型场效应晶体管,BJT是双 极晶体管,偏置电路与馈电电路省略。取7^ 及7>,以使JFET级、BJT级的输入阻抗很 高,输出电压与A输出端电压基本相同,从而JFET级、BJT级的电路功能与缓冲器相 同。由图,爿2 7^/及/><<1,但^1>>1,由此可保证.^2=乂// >1。 ( #接在M、 M'之间, 而这两点的信号相位同相,所以<://可在丁1八的输入端^1处引入实施方案1、 2、 3中要 求的负值密勒电容(^# =-Cy(4r/ -1)。调整i w即可调整J2,进而调整」//、 C#, ,达到使 TIA的等效输入电容被补偿的目的。
此处已经根据特定的示例性实施例对本发明进行了描述。对本领域的技术人员来说在不 脱离本发明的范围下进行适当的替换或修改将是显而易见的。示例性的实施例仅仅是例证性 的,而不是对本发明的范围的限制,本发明的范围由所附的权利要求定义。
1权利要求
1. 一种跨阻抗型光接收机前置放大器TIA,包括一个高增益放大器A1,一个具有光电转换器的输入电路,一个连接在所述高增益放大器A1的反向输入端和输出端的负反馈阻抗Zf,一个低增益放大器A2,一个连接所述低增益放大器A2的输出端与所述高增益放大器A1的反向输入端的反馈电容Cff;所述高增益放大器A1的输出端与所述低增益放大器A2的输入端连接,所述前置放大器的输出信号从所述高增益放大器A1的输出端取出,所述输出信号直接进行后续信号处理,或进一步放大后再进行后续信号处理。
2. 如权利要求1所述的跨阻抗型光接收机前置放人器TIA,其特征在于所述高增益放大 器^的输出端与一个缓冲器Buffer的输入端连接,所述低增益放大器J2的输入端与缓冲器 Buffer的输出端连接,所述前置放大器的输出信号从缓冲器Buffer的输出端取出。
3. 如权利要求1或2所述的跨阻抗型光接收机前置放大器TIA,其特征在于所述低增益 放大器J2配备有增益可调装置。
4. 如权利要求1或2所述的跨阻抗型光接收机前置放大器TIA,其特征在于所述负反馈 阻抗々由电阻及/与电容C,并联组成。
5. 如权利要求1或2所述的跨阻抗型光接收机前置放大器TIA,其特征在于所述负反馈 阻抗Z/由电阻^、 i c与电容C,、 Cc组成,其中电阻及/的一端与所述高增益放大器A的反向输入端以及电容C/的一端连接;电阻及/的另一端与电容C/的另一端以及电阻i c的一端、电容Cc的一端连接,电阻7 c的另一端与所述低增益放大器A的输出端连接,电容Cc的另一 端接地电位。
6. 如权利要求1-5任一项所述的跨阻抗型光接收机前置放大器TIA,其特征在于所述缓 冲器Buffer与增益可调的低增益放大器J2合为一体,该一体化的缓冲器Buffer与增益可调的 低增益放大器A由一个场效应晶体管JFET与至少两个电阻i^、 i^组成,其中场效应晶体管 JFET的栅极与所述TIA中高增益放大器A的输出端连接,源极与电阻i P连接,电阻的 另一端与信号地连接,漏极与电阻及w连接,电阻及w的另一端与信号电源连接;所述跨阻抗 放大器TIA中反馈阻抗Z,的两端分别与所述高增益放大器A的输入端、场效应晶体管JFET 的源极连接,跨阻抗放大器TIA中反馈电容Cf的两端分别与所述高增益放大器A的输入端、 场效应晶体管JFET的漏极连接,跨阻抗放大器TIA的输出信号从场效应晶体管JFET的源极 取出。
7. 如权利要求6所述的跨阻抗型光接收机前置放大器TIA,其特征在于所述反馈阻抗 々的两端分别与所述高增益放大器A的输入、输出端连接。
8. 如权利要求1-5中任一项所述的跨阻抗型光接收机前置放大器TIA,其特征在于所述 缓冲器Buffer与增益可调的低增益放大器A合为一体,该一体化缓冲器Buffer与增益可调的 低增益放大器A由一个双极晶体管BJT与至少两个电阻^、及p组成,其中双极晶体管BJT 的基极与所述跨阻抗放大器TIA中高增益放大器A的输出端连接,发射极与电阻/ p连接, 电阻/^的另一端与信号地连接,集电极与电阻及w连接,电阻i iv的另一端与信号电源连接; 所述跨阻抗放大器TIA中反馈阻抗々的两端分别与所述高增益放大器A的输入端、双极晶 体管BJT的发射极连接,跨阻抗放大器TIA中反馈电容Cf的两端分别与所述高增益放大器 A的输入端、双极晶体管BJT的集电极连接,跨阻抗放大器TIA的输出信号从双极晶体管 BJT的发射极取出。
9. 如权利要求8所述的跨阻抗型光接收机前置放大器TIA,其特征在于所述反馈阻抗 々的两端分别与所述高增益放大器A的输入、输出端连接。
全文摘要
本发明提供了一种接收模拟或数字光信号的光接收机前置放大器,该前置放大器包括一个高增益放大器A<sub>1</sub>,一个以光电转换器为主要组成部分的输入电路,一个连接在A<sub>1</sub>的反向输入端和输出端的负反馈阻抗Z<sub>f</sub>,一个增益可调的低增益放大器A<sub>2</sub>,一个连接A<sub>2</sub>的输出端与A<sub>1</sub>的反向输入端的反馈电容C<sub>ff</sub>;A<sub>1</sub>的输出端可直接与A<sub>2</sub>的输入端连接,也可通过缓冲器Buffer与A<sub>2</sub>的输入端连接。所述前置放大器的输出信号从A<sub>1</sub>的输出端或缓冲器的输出端取出,该信号可直接进行后续信号处理,也可进一步放大后再进行后续信号处理。
文档编号H03F1/26GK101505140SQ20091007904
公开日2009年8月12日 申请日期2009年3月4日 优先权日2009年3月4日
发明者陈祥训 申请人:中国电力科学研究院;中电普瑞科技有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1