专利名称：N沟道功率mos管驱动芯片中电流模式电平转换电路的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种N沟道功率MOS管驱动芯片，尤其涉及该芯片中电平 转换电路。
技术背景双电压供电式接口电路中，往往需要电平转换电路。 由图1可见在电平信号转换中，输入信号是在VDD1和GND1之间 变化，而输出信号是在VDD2和GND2之间变化。由于在实际应用中，对 于VDD2>VDD1, GND2>GND1的情况，传统的电平转换电路往往要求 MOS管P2、 N2的耐压要达到VDD2，原因是L2点会被拉到GND1 ，这 样加在MOS管P2栅极上的电压就等于VDD2-GND1，加在MOS管N2栅 极的电压为GND2-GND1，这样对MOS管的栅耐压要求就会较高，栅极的 厚度就会加厚，从而影响信号的速度和性能。图中IV1代表了前级驱动 的反相器，它的电平是在VDD1和GND1间变化，电阻R1、第一NMOS 管N1组成了电平转换的电路。当IN电平为低(GND1)时，Ll被拉高 (VDD1 )，这样，第一 NMOS管Nl就被打开，L2点就被Nl拉到GND1 点，这时候，第二NMOS管N2被关断，PMOS管P2被打开，OUT点 就被拉到VDD2。反之，当IN为高电平时，Ll被拉低(GND1)，这样， 第一NMOS管N1就被关断，L2点就被电阻R1拉至U VDD2点，这时候，第 二NMOS管N2被打开，PMOS管P2被关断，OUT点就被拉到GND2。 这样数字信号就从VDD1和GND1间变化被转换到VDD2和GND2间变化。 在这个过程中，PMOS管P2要承受VDD2-GND1的压差，第二 NOMS管N2的删极要承受GND2-GND1的压差，这就要求工艺中的MOS管删极能 抗高压，带来的结果就是删要做厚，这样，MOS管的速度就变慢，同时 工艺成本将极大的增加。 发明内容本发明需要解决的技术问题是提供了一种芯片中电流模式电平转换电 路，旨在解决上述的问题。为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的本发明包括第零NMOS管和第零PMOS管的栅极连在一起连到输入 端，第零PMOS管的源极接到VDD1，第零PMOS管的漏极接第一电阻的 一端，第零NM0S管的源接地GND1，第零NMOS管的漏极和第一NMOS 管的漏极和栅极、第二 NMOS管的栅极以及第一电阻的另一端连在一起， 第一 NMOS管和第二 NMOS管的源极接地GND1 ，第二 NMOS管的漏极、 第一 PMOS管的栅极和漏极以及第二 PMOS管的栅极连在一起，第一 PMOS管和第二 PMOS管的源极连到VDD2，第二 NMOS管的漏极与第二 电阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的栅极连在一起，第二电阻 的另一端和第三NMOS管的源极连接到GND2上，第三PMOS管的源极连 到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏极连到输出端OUT。与现有技术相比，本发明的有益效果是有效的解决了传统电平转换 电路中存在的对栅耐压要求较高的问题。
图1是现有技术中电平转换电路线路示意图； 图2是本发明线路示意图；具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细描述由图2可见本发明包括第零NMOS管N0和第零PMOS管P0的栅极连在一起连到输入端IN，第零PMOS管P0的源极接到VDDl，第零 PMOS管P0的漏极接第一电阻Rl的一端，第零NMOS管NO的源接地 GND1,第零NMOS管的漏极和第一 NMOS管Nl的漏极和栅极、第二 NMOS管N2的栅极以及第一电阻Rl的另一端连在一起L3，第一 NMOS 管Nl和第二 NMOS管N2的源极接地GND1 ，第二 NMOS管N2的漏极、 第一 PMOS管PI的栅极和漏极以及第二 PMOS管P2的栅极连在一起Ll， 第一 PMOS管PI和第二 PMOS管P2的源极连到VDD2，第二 NMOS管 P2的漏极与第二电阻R2的一端以及第三PMOS管P3和第三NMOS管N3 的栅极连在一起L2，第二电阻R2的另一端和第三NMOS管N3的源极连 接到GND2上，第三PMOS管P3的源极连到VDD2上，第三PMOS管P3 和第三NMOS管N3的漏极连到输出端OUT。本发明的工作原理是当输入IN为低电平时(GND1) ， MOS管NO 关断，P0打开，Nl管打开，这样R1与N1管产生一路电流I!，该电流通 过N1 (I,)与N2 (I2)的电流镜像，以及P1 (I2)与P2 (I3)的电流镜像 复制被放大到P2管，P2管有足够的驱动力将L2点拉成高电平(VDD2)， 经过P3和N3组成的反向器将OUT电平拉到GND2;当输入IN为高电平 (VDDO时，N0打开，L3被拉到GND1， P0， Nl, N2被关断，这样就 没有电流通路流过N2，从而P1， P2就被关断，P2就没有电流流过，从而 R2上无电流，L2被R2拉到GND2，再经过P3和N3组成的反向器将OUT 电平拉到VDD2。由上分析可知，线路在工作时，Ll， L2两点电平始终被 钳制在VDD2与GND2之间变化，这样对MOS管Pl， P2， P3， N3的栅极 耐压要求(VDD2-GND2)就要比现有技术中图1低的多，从而有效的解决 了传统电平转换电路中存在的对栅耐压要求较高的问题，使电平转换的线 路的性能得到很大的提高。
权利要求
1.一种N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路，其特征在于包括第零NMOS管和第零PMOS管的栅极连在一起连到输入端，第零PMOS管的源极接到VDD1，第零PMOS管的漏极接第一电阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极和栅极、第二NMOS管的栅极以及第一电阻的另一端连在一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地GND1，第二NMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极连在一起，第一PMOS管和第二PMOS管的源极连到VDD2，第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的栅极连在一起，第二电阻的另一端和第三NMOS管的源极连接到GND2上，第三PMOS管的源极连到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏极连到输出端OUT。
全文摘要
本发明涉及N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路，包括第零NMOS管和第零PMOS管的栅极连在一起连到输入端，第零PMOS管的源极接到VDD1，第零PMOS管的漏极接第一电阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极和栅极、第二NMOS管的栅极以及第一电阻的另一端连在一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地GND1，第二NMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极连在一起，第一PMOS管和第二PMOS管的源极连到VDD2，第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的栅极连在一起，第二电阻的另一端和第三NMOS管的源极连接到GND2上，第三PMOS管的源极连到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏极连到输出端；解决对栅耐压要求较高的问题。
文档编号H03K19/0185GK101594136SQ20081003809
公开日2009年12月2日 申请日期2008年5月27日 优先权日2008年5月27日
发明者戴忠伟 申请人:上海广晶电子科技有限公司