专利名称：调整多栅场效应晶体管操作点的电路的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及具有改良调整操作点及改良控制特性的多栅场效应晶体管的放大器电路。
背景技术：
多栅场效应晶体管(MG-FETs)例被显示于图1。各晶体管结构设立将参考图1简单描绘作更详细解释。
图1A中，多栅场效应晶体管包含三个栅极结构GS1，GS2及GS3，被连接至第一终端S的第一区域B1及被连接至第二终端D的第二区域B2。区域B1及B2以传统方式藉由如适当掺杂其中区域而被形成于半导体基板中。包含与各栅极结构GS1，GS2及GS3相关的复数信道部件K1，K2及K3的信道区域K被形成于第一区域B1及第二区域B2之间。图1A所示例中，第一栅极结构GS1被连接至多栅场效应晶体管的第一栅极终端G1，第二栅极结构GS2被连接至多栅场效应晶体管的第一终端S，而第三栅极结构GS3被连接至多栅场效应晶体管的第二栅极终端G2。
图1B所示另一例中，如图1A中的相同参考数字在此被运用。相对于图1A所示例，依据图1B，并无任何栅极结构被连接至终端。相反地，栅极结构GS2及GS3彼此相连且被连接至多栅场效应晶体管的第二栅极终端G2。第一栅极结构GS1被连接至多栅场效应晶体管的第一栅极终端G1。
因为依据图1A的多栅场效应晶体管各包含两栅极终端，所其其亦被称为双栅场效应晶体管(DG-FETs)。然而，除了图1所示配置之外，熟练技术人士了解具有双栅结构或具有三个以上栅结构的其它场效应晶体管亦可被使用。同时，亦超过两终端的任何数量栅极终端可被提供，其中此例中栅极结构必须以适当方式被连接。
多栅场效应晶体管被用于放大器电路，其中输入信号经由一个或若干栅极终端(信号栅极终端)被接收，而放大器电路增益可藉助其来调整的控制信号经由一个或若干其它栅极终端(控制栅极终端)被接收。针对调谐器，于此情况中亦被称为调谐器四极管，或于金属氧化半导体场效应晶体管例中被称为金属氧化半导体调谐器四极管之上述仅具有一信号栅极终端及一控制栅极终端的双栅场效应晶体管较佳被使用。该放大器电路操作点是使用被以多栅场效应晶体管集成于芯片上的辅助接线来调整。此辅助接线功能对控制特性有决定性影响，或视被提供给此的亦被称为自动增益控制(AGC)栅极终端的控制栅极终端处控制电压的多栅场效应晶体管增益而定。
多栅场效应晶体管增益或被以其形成的放大器电路为多栅场效应晶体管控制栅极终端处具有低及中间电压的极单调递增函数。此区域中，例如多栅场效应晶体管可被与自动增益控制一起操作以小输入信号增加放大及以大输入信号降低放大来获得具有与输入信号量无关的固定量或振幅的输出信号。增益为极单调函数的多栅场效应晶体管控制栅极终端处的低及中间电压区域亦被称为自动增益控制区域。由于多栅场效应晶体管控制栅极终端处的较高电压，因为与该控制栅极终端相关的多栅场效应晶体管信道部件被完全开启或形成，所以其放大被饱和。此区域中，多栅场效应晶体管增益与多栅场效应晶体管控制栅极终端处的电压无关而大部分为固定。具有多栅场效应晶体管的放大器电路理想及预期控制特性具有自动增益控制区域及饱和区域间的转变尽可能平滑及柔和的特色。
图2显示传统放大器电路10之例。此例中，具有信号栅极终端及控制栅极终端的多栅场效应晶体管，也就是双栅场效应晶体管被使用。放大器电路包含一第一双栅场效应晶体管或主双栅场效应晶体管20。第一双栅场效应晶体管包含一信号栅极终端(栅极1)22，一控制栅极终端(栅极2)24，一源极终端26及一漏极终端28。图2所示例中，第一双栅场效应晶体管20的设立及接线使信号栅极终端22及控制栅极终端24经由如图1所示的栅极结构被与信道的两部件连结。吾人假设如图1B所示的配置例。此例中，栅极结构GS1被与信号栅极终端22及信道部件K1连结。栅极结构GS2及GS3及信道部件K2及K3是被与控制栅极终端24连结。源极终端26乃连接至第一区域B1而漏极终端28乃连接至第二区域B2。因此，被与信号栅极终端22连结的栅极结构是被安置于源极终端26的源极侧上，而被与控制栅极24连结的栅极结构是被安置于漏极终端28的漏极侧上。第一双栅场效应晶体管20是被安置于基板上的井内，或被直接安置于放大器电路10被形成的基板中。当第一双栅场效应晶体管为n信道场效应晶体管时，该井为p井，当第一双栅场效应晶体管为p信道场效应晶体管时，该井为n井。该井是较佳以电导方式被连接至源极26。
放大器电路10另外包含较佳具有类似或相等于第一双栅场效应晶体管20设立的第二双栅场效应晶体管30或辅助双栅场效应晶体管。特别是，第二双栅场效应晶体管30包含如上述参考第一双栅场效应晶体管被连接至栅极结构及区域的一信号栅极终端32，一控制栅极终端34，一源极终端36及一漏极终端38。如同第一双栅场效应晶体管中，信号栅极终端32是被安置于源极侧上，而控制栅极终端34是被安置于漏极侧上。第二双栅场效应晶体管30被安置于其内的井是依序被连接至源极36。
第一双栅场效应晶体管20的信号栅极终端22及第二双栅场效应晶体管30的信号栅极终端32彼此相连且被连接至放大器电路10的信号输入42。第一双栅场效应晶体管20的控制栅极终端24及第二双栅场效应晶体管30的控制栅极终端34彼此相连且被连接至放大器电路10的控制输入44。第一双栅场效应晶体管20的源极终端26及第二双栅场效应晶体管30的源极终端36彼此相连且被连接至放大器电路10的第一外部终端(源极)46。第一双栅场效应晶体管20的漏极终端28乃连接至放大器电路10的第二外部终端(漏极)48。第二双栅场效应晶体管30的漏极终端38乃连接至第二双栅场效应晶体管30的信号栅极终端32，且同时被连接至第一双栅场效应晶体管20的信号栅极终端22及放大器电路10的信号输入42。
放大器电路10通常藉由电阻器52从供给电压终端54施加直流电压vdd至信号输入42来操作，该电压就信号栅极终端22处的电压设定第二双栅场效应晶体管30及第一双栅场效应晶体管20操作点的电压。同时，来自输入信号终端58的如高频(HF)信号的(交流)输入信号经由电容器56被电容耦合或施加至放大器电路10的信号输入42。藉由输入信号，被连结至此的第一双栅场效应晶体管20的信道部件电阻经由信号栅极终端22被控制，且亦以终端46及终端48之间从外侧被施加的电压，电流从源极终端26经由第一双栅场效应晶体管20的信道至漏极终端28。控制电压经由控制输入44被施加至放大器电路10，及特别被施加至调变被与控制栅极终端22连结的第一双栅场效应晶体管20的信道部件电阻及源极终端26及漏极终端28间的电流的第一双栅场效应晶体管控制栅极终端24。被施加至此的控制输入44或控制电压是被用来调整或控制放大器电路10的增益。针对此，控制电压通常仅被慢速改变。
藉由参考图2说明的第二双栅场效应晶体管30的第一双栅场效应晶体管20辅助接线(辅助四极管)提供调整操作点但具有严重实施缺点。当增益被降低从饱和区域，也就是从放大器电路10具有其最大增益的控制输入44处的控制电压开始，因为控制电压亦被施加至控制栅极终端34，所以藉由降低被施加至控制输入44的控制电压，被连结至控制栅极终端34的第二双栅场效应晶体管30的信道部件电阻增加。因此，辅助四极管或第二双栅场效应晶体管30或第二双栅场效应晶体管30的源极终端36及漏极终端38之间处具有较高电压降，此电压依序经由第一双栅场效应晶体管20的信号栅极终端22降低该信道的电阻。此抵销预期降低并导致第一双栅场效应晶体管20的源极终端26及漏极终端28间电流增加。通常，漏极终端38处电位降低或增加控制栅极终端34处递减电位的决定因子为第二双栅场效应晶体管的裁制(如信道长度比率，信道轮廓，基板控制等)。
再者，因为第二双栅场效应晶体管30的两信道部件是被安置于被连接至第二双栅场效应晶体管30的源极终端36之一个且相同井中，所以被与控制栅极终端34连结的第二双栅场效应晶体管30的信道部件是被基板电位强力控制。然而，此问题可藉由”双井计术”(两独立井)来解决，但考量生产而言会有相当程度复杂性。
当调节放大器电路10或降低放大器电路10增益时，Vg2＝1.6V的双栅场效应晶体管20，30的控制栅极终端24，34处的控制电压或电压Vg2处的增益特性是被标示中断，且具有相对突然开始的源极终端26及漏极终端28间的电流超突或过度增加。增益特性中断及电流突出为图2所示传统放大器电路的颇大缺点。
本发明目的是提供促进饱和区域及自动增益控制区域及饱和区域之间平滑转的放大器电路。此目的是藉由依据权利要求1的放大器电路来达成。
发明内容
本发明是提供一种放大器电路，包含一第一多栅场效应晶体管，具有一源极终端，一漏极终端，可接收输入信号的至少一信号栅极终端，及可接收控制信号至少一控制栅极终端，及一第二多栅场效应晶体管，具有一源极终端，一漏极终端，被连接至该第一多栅场效应晶体管的信号栅极终端的至少一信号栅极终端，及被连接至该第一多栅场效应晶体管的控制栅极终端的至少一控制栅极终端，该第二多栅场效应晶体管的信号栅极终端被连接至较靠近该第二多栅场效应晶体管的信号栅极终端的第二多栅场效应晶体管的源极终端/漏极终端。
较佳是，放大器电路中各多栅场效应晶体管包含被连结至漏极终端或源极终端的一第一区域，被连结至源极终端或漏极终端的一第二区域，被安置于该第一区域及第二区域间的一信道区域，被连结至该信道区域的第一区域且被安置邻接该第一区域的至少一第一栅极结构，及被连结至该信道区域的第二区域且被安置邻接该第二区域的至少一第二栅极结构。
依据第一实施例，第一多栅场效应晶体管中，信号栅极终端乃连接至第一栅极结构，控制栅极终端乃连接至第二栅极结构，源极终端是被连结至第一区域，而漏极终端是被连结至第二区域，第二多栅场效应晶体管中，信号栅极终端乃连接至第一栅极结构，控制栅极终端乃连接至第二栅极结构，源极终端是被连结至第二区域，而漏极终端是被连结至第一区域，第二多栅场效应晶体管中的信号栅极终端乃连接至漏极终端。
依据第二实施例，第一多栅场效应晶体管中，信号栅极终端乃连接至第一栅极结构，控制栅极终端乃连接至第二栅极结构，源极终端是被连结至第一区域，而漏极终端是被连结至第二区域，第二多栅场效应晶体管中，信号栅极终端乃连接至第二栅极结构，控制栅极终端乃连接至第一栅极结构，源极终端是被连结至第一区域，而漏极终端是被连结至第二区域，第二多栅场效应晶体管中的信号栅极终端乃连接至漏极终端。
本发明以形成辅助多栅场效应晶体管使得操作时可接收控制信号被连接至主多栅场效应晶体管的栅极终端，位于较可接收输入信号被连接至主多栅场效应晶体管的栅极结构的辅助多栅场效应晶体管的栅极终端为低的电位(n信道场效应晶体管中)或为高的电位(p信道场效应晶体管中)想法为基础。
若辅助多栅场效应晶体管为双栅场效应晶体管，则此意指辅助接线将被选择使辅助双栅场效应晶体管的栅极终端被连接至该栅极终端被安置于其侧面的该辅助双栅场效应晶体管的源极或漏极终端。因为降低放大时，源极反向回授是因增加被连结至控制栅极终端的(源极侧)信道电阻而产生，所以被连结至信号栅极终端的辅助双栅场效应晶体管的(漏极侧)信道的信道电阻降低可被避免或被发明性放大器电路降低。另外，因为发明性放大器电路的源极区域位于基板电位，所以其可避免第二双栅场效应晶体管的源极侧信道的基板控制。
发明性放大器电路的漏极侧信道同时基板控制是导致被连接至此的信号栅极终端处负面效应较控制栅极终端者不显著。仿真结果显示发明性放大器电路包含增益特性较规则及较平坦电流超突出及相当平滑进程。
于共同井中生产第二双栅场效应晶体管的缺点可藉由发明性设计避免先前技术问题甚至以”一井技术”轻易地被消除为本发明的优点。
本发明较佳实施例随后将参考附图作详细说明，其中图1显示多栅场效应晶体管的两例；图2显示传统放大器电路；图3显示依据本发明第一实施例的放大器电路简单电路图；图4显示依据本发明第二实施例的放大器电路简单电路图；及图5显示发明性放大器电路及传统放大器电路的增益特性简单图标。
具体实施例方式
如参考图1所解释者，本发明较佳实施例随后将参考多栅场效应晶体管作详细说明，该实施亦施加至具有两个以上栅极终端的多栅场效应晶体管。
图3为依据本发明第一实施例的放大器电路简单电路图。图3所示发明性放大器电路与图2所示传统放大器电路的不同处为反向操作的辅助四极管或第二双栅场效应晶体管30。再次，因电位条件而当作操作状态中源极的第二双栅场效应晶体管30的终端36乃连接至第一双栅场效应晶体管20的源极终端26及放大器电路10的信号输入42。然而，相对于图2所示传统放大器电路，被连接至第一双栅场效应晶体管20的信号栅极终端22的此第二双栅场效应晶体管30的信号栅极终端32并不被安置于源极侧而是漏极侧。相同地，被连接至第一双栅场效应晶体管20的控制栅极终端24的第二双栅场效应晶体管30的控制栅极终端34并不被安置于漏极侧而是源极侧。不同地，此例中第二双栅场效应晶体管的第一区域B1(见图1)是被操作为漏极，而依据图2的传统电路，第二区域B2当作漏极。第二双栅场效应晶体管的第二区域B2(见图1)形成源极，而依据图2传统电路中其是被第一区域B1形成。
图3所示发明性放大器电路实施例另外包含被连接于第二双栅场效应晶体管的信号输入42及信号栅极终端32间的一电阻器R。此电阻器是防止辅助四极管或第二双栅场效应晶体管30降低主四极管或第一双栅场效应晶体管20增益。此意义中运用电阻器R具有优点但并非必要特征。
另外，放大器电路10包含提供直流电压vdd至第二双栅场效应晶体管30的漏极终端38的一偏压网络。依据一例，该偏压网络为外部且包含一电阻器52及一直流信号终端54。
可替代是，电阻器52，(见图3中虚线)可与第一双栅场效应晶体管20，第二双栅场效应晶体管30一起被集成于一芯片上，直流信号终端与第一双栅场效应晶体管20的漏极终端28一起被连接至放大器电路10的外部终端(漏极)48。
图4为依据本发明第二较佳实施例的放大器电路10简单电路图。此第二实施例与图2所示第一实施例不同处是被连结至栅极终端32，34的第二双栅场效应晶体管的栅极结构配置(如栅极长度)。由于传统上邻接第一区域B1(见图1)的源极侧栅极结构较此例中反向的邻接第二区域B2(见图1)的漏极侧栅极结构为短。图4所示实施例中，第二双栅场效应晶体管的信号栅极终端32乃连接至被邻接安置于第二区域B2(见图1)的栅极结构。第二双栅场效应晶体管的控制栅极终端34乃连接至被邻接安置于第一区域B1(见图1)的栅极结构。如同图2者，此例中的源极终端36乃连接至第一区域B1(见图1)。同时，如同图2例，漏极终端38乃连接至第二区域B2(见图1)。与图2相较，此意指第二双栅场效应晶体管处的两栅极终端32，34交换。另外，依据参考图4说明的本发明第二较佳实施例的放大器电路并不包含参考图3说明的放大器电路10的电阻器70。可替代是，电阻器可被连接于被说明于图4的第二实施例中的第二双栅场效应晶体管信号输入42及信号栅极终端32。
其它事物之间，两实施例(图3及图4)之间差异导因于被集成于反向操作(图3)中漏极中的nLDD具有源极反向回授电阻器效应的事实。类似效应可藉由安置附加电阻器R’(被虚线标示)于图4电路中的终端36及终端46之间来达成。
此例中，亦如同图3，供给网络可被外部或被以双栅场效应晶体管成成方式形成。
图5简单说明第二双栅场效应晶体管的电压增益及漏极电流对被施加至控制输入44控制电压的依赖。被施加至控制输入44的控制电压Vg2被连结至横坐标，而电压增益Gv(以分贝表示；连续线)及漏极电流Id(以微安培表示；虚线)是被连结至纵坐标。
虚线80，82，84标示参考图2说明的传统放大器电路(曲线80)，依据参考图3说明的本发明第一实施例放大器电路(曲线82)，及依据参考图4说明的本发明第二实施例放大器电路(曲线84)的漏极电流Id对控制电压Vg2的依赖。连续线90，92，94显示参考图2说明的传统放大器电路(曲线90)，依据参考图3说明的本发明第一实施例放大器电路(曲线92)，及依据参考图4说明的本发明第二实施例放大器电路(曲线94)的电压增益Gv对控制电压Vg2的依赖。
传统放大器电路(曲线90)及依据本发明的放大器电路(曲线92，94)的电压增益Gv分别具有电压增益Gv于其内非常大且与控制电压Vg2无关Vg2＝1.6V及Vg2＝1.7V及Vg2＝2.0V以上饱和区域102。针对低控制电压Vg2，所有三个放大器电路均包含电压增益Gv于其内对控制电压Vg2具有完全单调依赖的一自动增益控制区域104。因为曲线90(图3)及曲线94(图4)具有被提供于源极侧或漏极侧上LDD区域所造成不对称设立，所以场效应晶体管”反向”接线会导致其间的差异。类似结果亦可藉由如漏极或源极终端处具有一电阻器的传统金属氧化半导体场效应晶体管的对称场效应晶体管来达成。从漏极电流Id于Vg2＝1.4V的控制电压处具有标示超突出的曲线80可明显得知。曲线90中，控制电压Vg2＝1.6V处的传统放大器电路增益特性的标示中断是被与漏极电流Id中的此陡峭超突出成因果关是相连。
相对地，可看到图3所示依据本发明第一实施例的放大器电路仅具有漏极电流Id(曲线82)的最小值及非常平坦超突出，及从饱和区域102至自动增益控制区域104非常平滑转移(Vg2＝1.5V处)。图4所示依据本发明第二实施例的放大器电路于漏极电流Id(曲线84)亦具有不陡峭超突出，及从饱和区域102至自动增益控制区域104非常平滑转移(Vg2＝2V处)(曲线94)。因此，自动增益控制区域104中，第二实施例的电压增益Gv亦具有平均小于传统放大器电路及依据本发明第一实施例放大器电路的电压增益梯度。
参考图5，可轻易得知本发明达成漏极电流Id的些许或小及规则超突出，及调节控制电压Vg2时从饱和区域102至自动增益控制区域104的电压增益Gv非常平滑转移。
本发明或发明性放大器电路内的双栅场效应晶体管辅助接线适用于所有双栅场效应晶体管，特别是双栅金属氧化半导体场效应晶体管，其增益是藉由直流电位或直流电压来控制或决定。此例为调谐器四极管。较佳是，特别是第一双栅场效应晶体管20及第二双栅场效应晶体管30的发明性放大器电路10是被集成于一芯片上。
虽然本发明较佳实施例已参考双栅场效应晶体管作说明，如上述，此并不被视为限制。该实施亦适用于具有两栅极终端的多栅场效应晶体管。例如，只要不背离本发明基本原理，两个或更多信号栅极终端均可被提供。
参考符号表GS1，GS2，GS3栅极结构B1第一区域B2第二区域K 信道区域K1，K2，K3信道部件S 源极D 栅极G1第一栅极终端G2第二栅极终端R 电阻器10放大器电路20第一双栅场效应晶体管22第一双栅场效应晶体管20的信号栅极终端24第一双栅场效应晶体管20的控制栅极终端26第一双栅场效应晶体管20的源极终端28第一双栅场效应晶体管20的漏极终端30第二双栅场效应晶体管32第二双栅场效应晶体管30的信号栅极终端34第二双栅场效应晶体管30的控制栅极终端36第二双栅场效应晶体管30的源极终端38第二双栅场效应晶体管30的漏极终端42放大器电路10的信号输入44大器电路10的控制输入46放大器电路10的第一终端48大器电路10的第二终端52电阻器54供给电压终端56电容器58输入信号终端80曲线
82曲线84曲线90曲线92曲线94曲线
权利要求
1.一种放大器电路，包含一第一多栅场效应晶体管(20)，具有一源极终端(26)，一漏极终端(28)，可接收输入信号的至少一信号栅极终端(22)，及可接收控制信号的至少一控制栅极终端(24)；及一第二多栅场效应晶体管(30)，具有一源极终端(36)，一漏极终端(38)，连接至该第一多栅场效应晶体管(20)的该信号栅极终端(22)的至少一信号栅极终端(32)，及连接至该第一多栅场效应晶体管(20)的该控制栅极终端(24)的至少一控制栅极终端(34)，该第二多栅场效应晶体管(30)的该信号栅极终端(32)乃连接至较靠近该第二多栅场效应晶体管(30)的该信号栅极终端(32)的该第二多栅场效应晶体管(30)的该源极终端/漏极终端(36，38)。
2.如权利要求1所述的放大器电路，其中各多栅场效应晶体管(20，30)包含连至漏极终端(28，38)或源极终端(26，36)的一第一区域(B1)，连至源极终端(26，36)或漏极终端(28，38)的一第二区域(B2)，安置于该第一区域(B1)及第二区域(B2)间的一信道区域(K)，连至该信道区域(K)的第一部分(K1)且邻接该第一区域(B1)而安置的至少一第一栅极结构(GS1)，及连至该信道区域(K)的第二部份(K3；K2，K3)且邻接该第二区域(B2)而安置的至少一第二栅极结构(GS3；GS2，GS3)。
3.如权利要求2所述的放大器电路，其中该第一多栅场效应晶体管(20)中，该信号栅极终端(22)乃连接至该第一栅极结构(GS1)，该控制栅极终端(24)乃连接至该第二栅极结构(GS3；GS2，GS3)，该源极终端(26)乃连接至该第一区域(B1)，而该漏极终端(28)乃连接至该第二区域(B2)；及该第二多栅场效应晶体管(30)中，该信号栅极终端(32)乃连接至该第一栅极结构(GS1)，该控制栅极终端(34)乃连接至该第二栅极结构(GS3；GS2，GS3)，该源极终端(36)系被连结至该第二区域(B2)，而该漏极终端(38)系被连结至该第一区域(B1)，该第二多栅场效应晶体管(30)之该信号栅极终端(32)乃连接至该漏极终端(38)。
4.如权利要求2所述的放大器电路，其中该第一多栅场效应晶体管(20)中，该信号栅极终端(22)乃连接至该第一栅极结构(GS1)，该控制栅极终端(24)乃连接至该第二栅极结构(GS3；GS2，GS3)，该源极终端(26)乃连接至该第一区域(B1)，而该漏极终端(28)乃连接至该第二区域(B2)；及该第二多栅场效应晶体管(30)中，该信号栅极终端(32)乃连接至该第二栅极结构(GS3；GS2，GS3)，该控制栅极终端(34)乃连接至该第一栅极结构(GS1)，该源极终端(36)系被连结至该第一区域(B1)，而该漏极终端(38)乃连接至该第二区域(B2)，该第二多栅场效应晶体管(30)之该信号栅极终端(32)乃连接至该漏极终端(38)。
5.如权利要求1至4任一项的放大器电路，其中该第一多栅场效应晶体管(20)之该源极终端(26)乃连接至该第二多栅场效应晶体管(30)之该源极终端(36)。
6.如权利要求1至5任一项的放大器电路，其中该第一多栅场效应晶体管(20)之该信号栅极终端(22)经由一电阻器(R)而连接至该第二多栅场效应晶体管(30)的该信号栅极终端(32)。
7.如权利要求1至6任一项的放大器电路，其中该第二多栅场效应晶体管(30)的一基板终端乃传导连接至该第二多栅场效应晶体管(30)之该源极终端(36)。
8.如权利要求2至7任一项的放大器电路，其中经由该对应栅极结构(GS3；GS2，GS3)连结至该第二栅极终端的该信道部件(K2；K2，K3)乃较经由该第一栅极结构(GS1)连结至该第一栅极终端的该信道部件(K1)为长。
9.如权利要求1至8任一项的放大器电路，其中，另外有一电阻器(R’)乃连接于该第二多栅场效应晶体管(30)的该源极终端(36)及该第一多栅场效应晶体管(20)的该源极终端(26)间。
10.如权利要求1至9任一项的放大器电路，进一步包含提供直流电压(vdd)至该第二多栅场效应晶体管(30)的该漏极终端(38)的一偏压网络。
11.如权利要求10所述的放大器电路，其中该偏压网络包含一电阻器(52)及一直流信号终端(54)。
12.如权利要求1至11任一项的放大器电路，其中该第一多栅场效应晶体管(20)及该第二多栅场效应晶体管(30)乃集成于一芯片上。
13.如权利要求12所述的放大器电路，其中该偏压网络的电阻器(52)与该第一多栅场效应晶体管(20)及该第二多栅场效应晶体管(30)一起集成于一芯片上，该直流信号终端与该第一多栅场效应晶体管(20)的该漏极终端(28)一起被连接至该放大器电路之外部终端(漏极)。
全文摘要
一种放大器电路，包含一第一多栅场效应晶体管(20)，具有一源极终端(26)，一漏极终端(28)，可接收输入信号之至少一信号栅极终端(22)，及可接收控制信号的至少一控制栅极终端(24)，及一第二多栅场效应晶体管(30)，具有一源极终端(36)，一漏极终端(38)，连接至该第一多栅场效应晶体管(20)的该信号栅极终端(22)的至少一信号栅极终端(32)，及连接至该第一多栅场效应晶体管(20)的该控制栅极终端(24)的至少一控制栅极终端(34)，该第二多栅场效应晶体管(30)的该信号栅极终端(32)乃连接至较靠近该第二多栅场效应晶体管(30)的该信号栅极终端(32)的该第二多栅场效应晶体管(30)的该源极终端/漏极终端(36，38)。
文档编号H03F3/00GK1732619SQ200380108101
公开日2006年2月8日 申请日期2003年11月26日 优先权日2002年12月30日
发明者R·塔哈梅 申请人:因芬尼昂技术股份公司