专利名称：声表面波元件、声表面波器件及分路滤波器的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及声表面波元件、声表面波器件及分路滤波器。
背景技术：
近年来以便携式电话机为主的移动通信终端设备快速发展。从便于携带移动的观点考虑，特别希望这样的终端设备体积小重量轻。
为使移动通信终端设备体积小重量轻，其所使用的电子部件也必须体积小重量轻，因此在终端设备的高频部分和中频部分大多采用有利于减小体积和重量的声表面波器件，也就是说，采用了很多声表面波滤波器。
举例来说，插入损耗及带外衰减是声表面波滤波器的重要指标。插入损耗影响到设备的功耗。插入损耗低的话，可以延长电池的寿命，从而可以减小电池容量，有利于减小体积减轻重量。此外，用一个弹性表面波滤波器可以得到宽的带外衰减的话，也有利于减小体积减轻重量。
例如，日本国专利申请公开No.平5-183380号公报所公布的梯型滤波器便是满足低损耗高衰减特性的第一种现有技术的声表面波滤波器。梯型滤波器是一种多级滤波器，由与输入输出电极串联的声表面波谐振器和与输入输出电极并联的声表面波谐振器组成。此梯型滤波器由于其损耗低且通带附近的衰减特性优良，故大多用于便携式电话机的高频滤波器。
再如，日本国专利申请公开No.平8-56136号公报公布的陷波滤波器便是满足低损耗高衰减特性的第二种现有技术的声表面波滤波器。陷波滤波器由互相串联的多级声表面波谐振器组成，其损耗低且通带附近的衰减特性优良。
虽然梯型滤波器在通带附近的衰减特性优良，但存在在高频区域衰减特性急剧恶化的问题。其中利用由互相并联的声表面波谐振器的静电电容C与包含在从元件接地极到封装参考电位之间布线段中的电感成分L所产生的LC串联谐振，也可获得衰减。但在因某种原因而使布线段中的串联阻抗成分造成特性恶化的情况下，由于衰减特性急剧恶化，因而难以获得稳定的衰减特性。
此外，虽然陷波滤波器在通带高频区域的衰减特性优良，但其低频区域的衰减特性逐渐变差，故难以获得一致的带通特性。另外，由于陷波滤波器的衰减频带限定在谐振器的反谐振频率上，故其设计自由度亦较低。
因此，本发明的目的是解决上述第一种及第二种现有技术滤波器所存在的问题，提供具有低损耗及高衰减特性的声表面波元件、声表面波器件及分路滤波器。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供一种声表面波元件，其包括在输入端与输出端之间形成的第1布线段；在第1布线段上串联布置的多个第1声表面波谐振器；与第1声表面波谐振器相对、且在输入端侧或输出端侧的第1布线段上串联布置的多个第2声表面波谐振器；在第1布线段上的第2声表面波谐振器相互之间的中点与参考电位电极之间形成的多个第2布线段；分别布置在第2布线段上的多个第3声表面波谐振器，它们具有与第2声表面波谐振器谐振频率相一致的反谐振频率。
按照上述发明，可以将第1声表面波谐振器所实现的超低损耗及低衰减带通特性与第2和第3声表面波谐振器所实现的低损耗及中等程度的衰减特性相结合，从而获得具有低损耗及高衰减特性的声表面波元件。
此外，亦可将上述第1声表面波谐振器的谐振频率设定在离开上述第2和第3声表面波谐振器通带的频带上。
形成上述第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片可采用LiNbO3制成。
形成上述第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片也可采用LiTaO3制成。
此外，形成上述第1声表面波谐振器的压电基片可采用LiNbO3制成，而形成上述第2和第3声表面波谐振器的压电基片可采用LiTaO3制成。
在上述声表面波元件中，可在反谐振点上产生波动。
根据本发明的另一方面，提供一种具有其上装有声表面波元件的安装基片的声表面波器件，该声表面波元件包括在输入端与输出端之间形成的第1布线段；在第1布线段上串联布置的多个第1声表面波谐振器；与第1声表面波谐振器相对、且在输入端侧或输出端侧的第1布线段上串联布置的多个第2声表面波谐振器；在第1布线段上的第2声表面波谐振器相互之间的中点与参考电位电极之间形成的多个第2布线段；分别布置在第2布线段上的多个第3声表面波谐振器，它们具有与第2声表面波谐振器的谐振频率相一致的反谐振频率。
此外，声表面波元件亦可以如下方式安装在安装基片上形成第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片的元件形成面与安装基片的安装面相对。
根据本发明的再一方面，提供包含2个通带中心频率彼此不同的声表面波元件的分路滤波器，其中上述任何一个声表面波元件各包括在输入端与输出端之间形成的第1布线段；在第1布线段上串联布置的多个第1声表面波谐振器；与第1声表面波谐振器相对、且在输入端侧或输出端侧的第1布线段上串联布置的多个第2声表面波谐振器；在第1布线段的第2声表面波谐振器相互之间的中点与参考电位电极之间形成的多个第2布线段；分别布置在第2布线段上的多个第3声表面波谐振器，它们具有与第2声表面波谐振器的谐振频率相一致的反谐振频率。
图1为根据本发明的一个实施例的、封装有声表面波元件的声表面波器件的截面图。
图2为根据本发明的一个实施例的声表面波元件的等效电路图。
图3为在根据本发明的一个实施例的声表面波元件中，在压电基片的元件形成面上所形成的元件布局示意图。
图4为图3所示声表面波元件中的声表面波谐振器图案的平面图。
图5为根据本发明实施例的声表面波元件的带通特性曲线图。
图6为第1声表面波谐振器的各级声表面波谐振器的阻抗特性以及它们彼此互连时的带通特性曲线图。
图7显示在构成第1声表面波谐振器的声表面波谐振器级数为4的情况下，其各级的阻抗特性与第1声表面波谐振器的带通特性曲线图。
图8为采用具有如图7所示特性的第1声表面波谐振器的声表面波元件的频率特性曲线图。
图9为采用本发明实施例的声表面波元件的分路滤波器的频率特性曲线图。
具体实施例方式
以下参照附图详细说明本发明的实施例。附图中的同一部件采用相同标号，而且省略了重复说明。此外，本发明的实施例是实施本发明的特别有用的方式，但本发明并不仅限于这些实施例。
图1为根据本发明的一个实施例的、封装有声表面波元件的声表面波器件的截面图；图2为本发明一个实施例的声表面波元件的等效电路图；图3为在本发明一个实施例的声表面波元件中、在压电基片的元件形成面上所形成的元件布局示意图；图4为图3所示声表面波元件中的声表面波谐振器的图案平面图；图5为根据本发明实施例的声表面波元件的带通特性曲线图；图6为第1声表面波谐振器各级声表面波谐振器的阻抗特性以及它们彼此互连时的带通特性曲线图；图7显示在构成第1声表面波谐振器的声表面波谐振器级数为4级的情况下，各级阻抗特性与第1声表面波谐振器带通特性曲线图；图8为采用具有图7所示特性的第1声表面波谐振器的声表面波元件的频率特性曲线图；图9为采用根据本发明实施例的声表面波元件的分路滤波器的频率特性曲线图。
图1所示的声表面波器件10包括安装在安装基片12上的声表面波元件11。该声表面波元件11具有形成于压电基片上的预定导电图案。一层或多层预定布线图案与电路图案形成在安装基片12上。该安装基片12由陶瓷或树脂制成。此外，声表面波元件11的元件形成面与安装基片12的安装面相对布置，声表面波元件11和安装基片12通过凸块13进行倒装芯片(flip-chip)连接，亦可采用线焊接技术将二者用线连接在一起。
其中压电基片可由LiNbO3、LiTaO3或结晶石英等压电单晶或锆钛酸铅系等压电陶瓷制成。但亦可采用在绝缘底板上形成ZnO等压电薄膜的压电基片。
此外，安装基片12上附有遮罩14，它将声表面波元件11包围，以使声表面波元件11免受灰尘、机械冲击等的破坏。
如图2及图3所示，在声表面波元件11的压电基片(例如Y旋转39°切断X传输的LiTaO3压电基片)上，可在其安装面上形成具有预定声表面波谐振频率的声表面波谐振器15、16及17。
如图所示，在输入、输出电信号的输入电极18与输出电极19之间形成第1布线段20；在第1布线段20上串联布置2个第1声表面波谐振器15。此外，在第1布线段20上，相对于第1声表面波谐振器15在输出端19侧串联布置3个第2声表面波谐振器16。
在第1布线段20上的第2声表面波谐振器16相互间的中点与参考电位电极21之间形成两个第2布线段22。此外，分别在第2布线段22上布置第3声表面波谐振器17，它们具有与第2声表面波谐振器16的谐振频率相一致的反谐振频率。
此外，在压电基片上，除上述输入电极18、输出电极19与参考电位电极21以外，再形成3个虚拟电极23。另外再于输入端18与第1声表面波谐振器15之间形成与输入负载相匹配的匹配电路25。
在图2中，标号26、标号27和标号28分别代表围绕第1和第2布线段20、22所绘制的、包含在布线中的电感成分；标号29和标号30则表示在作为信号线的第1布线段20与参考电位电极21之间产生的电容成分。但这些成分26、27、28、29及30是把在实际结构中不可避免的寄生效应作为元件来表示，亦可加上其他寄生效应元件。
其中，本说明书中的所谓“与谐振频率一致的反谐振频率”并不要求二者的频率严格一致，只需一致到可完成滤波器等预定功能的程度即可。
此外，可分别布置多个第1声表面波谐振器15、第2声表面波谐振器16、第3声表面波谐振器17及第2布线段，并不限于图中所示的数目。而且，在本实施例中，第1声表面波谐振器15布置在输入端18侧，第2声表面波谐振器16布置在输出端19侧，但亦可将第1声表面波谐振器15布置在输出端19侧，而将第2声表面波谐振器16布置在输入端18侧。
在电极18、19、21及23上形成图1所示的凸块13，利用超声波将该凸块与安装基片12连接。采用这样的凸块连接，元件形成面即能位于与安装基片12的安装面相对的位置上，如前所述。
如图4所示，弹性表面波谐振器15、16、17形成相互交叉的一对梳齿形。在这样的手指交叉形电极的输入侧施加电压产生电场的话，利用压电效应在压电基片上产生声表面波。此外，由此产生的声表面波会引起机械应变，产生电场，并在输出侧转换成电信号。而且声表面波谐振器15、16及17的频率特性亦可随电极交叉的宽度及电极对数量等条件的改变而改变。
在声表面波谐振器15、16及17两侧布置用来反射声表面波的反射器24。
下面对根据本实施例的声表面波元件11的频率特性进行说明。
图5表示采用本实施例结构的声表面波元件11的带通特性。
图5中的实线表示本实施例的声表面波元件的带通特性，双点划线表示仅采用第1声表面波谐振器15的带通特性，虚线表示采用第2和第3声表面波谐振器16、17的带通特性。
从图中可以看出，采用本实施例的声表面波元件在2.14GHz附近可得到很深的衰减，亦即，采用本实施例的声表面波元件在距离通带的高频侧可获得比采用第2和第3声表面波谐振器16、17更大的衰减，在通带低频侧可获得比采用单个第1声表面波谐振器15更大的衰减。此外，采用本声表面波元件的带内插入损耗与采用第2和第3声表面波谐振器16、17的带内插入损耗相同。
因此，根据本实施例，通过将第1声表面波谐振器15所实现的超低损耗及低衰减的带通特性与第2和第3声表面波谐振器16、17所实现的低损耗及中等程度的衰减特性相结合，即可获得具有低损耗及高衰减特性的声表面波元件11。
下面对第1声表面波谐振器15进行说明。
如上所述，第1声表面波谐振器1 5是由拥有不同梳齿形电极间距的2个(或2级)声表面波谐振器所组成。
图6显示第1声表面波谐振器15各级声表面波谐振器的阻抗特性以及它们彼此互连时的带通特性。实线表示第1声表面波谐振器15的带通特性，虚线和双点划线表示该声表面波谐振器第1级和第2级的阻抗特性。
从图中可以看出，该声表面波谐振器的第1和第2级的反谐振频率与第1声表面波谐振器15的带通特性衰减点相对应，此外，该声表面波谐振器各级的谐振频率远大于图5所示的本实施例的声表面波元件的通带。亦即，第1声表面波谐振器15的谐振频率设定得不是位于第2和第3声表面波谐振器16、17的通带高频侧附近，而是位于离开其通带的频带内。这样，第1声表面波谐振器15即可在离开通带的频带内拥有比采用第2和第3声表面波谐振器16、17更宽的衰减频带。
此外，仅由第1声表面波谐振器所构成的声表面波元件通带被设定在第1声表面波谐振器谐振频率附近。而另一方面，采用本实施例的声表面波元件则具有带通被设定在比谐振频率足够低的低频侧的特点。
在仅由第1声表面波谐振器构成的声表面波元件中，通过形成利用信号线和参考电位之间压电基片的电容率的电容成分而实现高衰减；而另一方面，在本实施例的声表面波元件中，由于不要求这样利用电容来实现衰减，故适用于采用压电基片的元件形成面和安装基片的安装面相对的倒装芯片结构的安装方式，因此能减薄声表面波器件。
此外，采用本声表面波元件的倒装芯片安装方式具有以下优点由于压电基片的电容率ε为40(LT)左右，故电容率成为构成正面屏蔽接地(引线焊接)中电容的主要因素，因此不可避免地会在第2布线段中形成杂散电容。由于存在这种杂散电容，故在某些情况下会在声表面波谐振器的谐振频率低频侧形成衰减带。与此相反，采用倒装片安装则能消除这种杂散电容。
具体而言，例如，厚度为350μm的压电基片，由于与电容率40(LT)相当的电容率1的空气间隙为350/40＝9μm，使实际安装后的凸块高度比9μm高，因此采用倒装芯片安装即可减少杂散电容。
这样，即使把第1声表面波谐振器15与第2声表面波谐振器16多级串联在第1布线段20上来形成大面积谐振器，亦可避免出现因杂散并联电容而造成的不利局面。
其中在比谐振频率低的低频区域的第1声表面波谐振器15中，各级声表面波谐振器的阻抗特性几乎可以只用手指形电极之间的电容来表示。因此，声表面波谐振器的静电电容在压电基片与手指形电极的间隙相同的情况下，可由手指形电极的对数乘以交叉的宽度来确定。在本实施例的第1声表面波谐振器15中，适当设定手指形电极的对数乘以交叉的宽度，以使声表面波元件11的通带匹配在50Ω电容性阻抗内变化。故只需连接由串联电感组成的匹配电路25，即很容易调整到50Ω阻抗上。
以下对扩大衰减域带宽的手段进行说明。
通过调整第1声表面波谐振器15中各级声表面波谐振器的交叉手指形电极间的间隙，可在希望频率上获得反谐振点以形成衰减域，因此，不仅能通过增加第1声表面波谐振器15的级数，而且也能通过使各级声表面波谐振器的交叉手指形电极的间隙不同来扩大衰减域的宽度。此外，当声表面波谐振器各级的交叉手指形电极间间隙差增加时，由于声表面波谐振器各级的反谐振频率之间产生波动，故必须选择不产生波动的适当间隙。
图7表示在构成第1声表面波谐振器15的声表面波谐振器级数为4的情况下，第1声表面波谐振器15各级的阻抗特性以及第1声表面波谐振器15的带通特性，图8表示采用这种第1声表面波谐振器15的声表面波元件的频率特性。
从以上附图可看出，构成第1声表面波谐振器15的声表面波谐振器的级数越多，衰减域的宽度就越大。
如前所述，用本实施例的声表面波元件可使第1声表面波谐振器15的谐振频率设定在离开第2和第3声表面波谐振器16、17通带的频带内。
以下对将这种声表面波元件用于声表面波器件之一的分路滤波器的情况进行说明。分路滤波器是将通带中心频率彼此不同的2个滤波器端子相对并联构成，一个滤波器的通带中心频率被设定在低频侧，另一个滤波器的通带中心频率被设定在高频侧。使用这种分路滤波器时，例如，可将上述端子连接在天线上，将上述低频侧的滤波器的另一个端子连接在发射机上，而将上述高频侧的滤波器的另一个端子连接在接收机上来使用。在这种分路滤波器中，由于低频侧的滤波器采用本实施例的声表面波元件，在低频侧的滤波器输出中使高频侧的信号有一定程度的衰减，所以分路滤波器可使从发射机输出至接收机的不需要的信号得到一定程度的衰减。
图9表示将本实施例的声表面波元件用于低频侧滤波器(实线)情况下的频率特性，以及将众所周知的梯型滤波器用于高频侧滤波器(虚线)情况下的频率特性。
如图所示，若采用这种分路滤波器，则可在对方频率侧的的滤波器通带内获得充分的衰减。此外还不需要在单独使用声表面波元件时所必需的由串联电感构成的匹配电路。
其中，若压电基片采用传输损耗大于LiTaO3的Y旋转41°切断X传输LiNbO3的话，由于反谐振点变钝，故可得到更平滑的衰减。通过把这样的声表面波元件用于分路滤波器，在对方频率侧的滤波器通带内构成影响的波动被降低。
用上述方法不仅能获得平滑的衰减域，而且还能降低对方频率侧滤波器通带内的波动，但有时低频侧滤波器的插入损耗会增加。因此，通过在LiNbO3上形成第1声表面波谐振器15，在LiTaO3上形成第2和第3声表面波谐振器16、17，可在不牺牲插入损耗的情况下获得平滑的衰减域，且能减少对方频率侧滤波器通带内的波动。
要使反谐振点变钝，可在反谐振点上产生波动。图4中这可通过调整手指形电极31与母线32之间的间隙W来实现。
下面对在Y旋转39°切断X传输的LiTaO3压电基片上形成声表面波元件时产生波动的情况进行说明。
将构成第1声表面波谐振器15的2个声表面波谐振器制成手指形电极31的对数为260对、手指形电极的交叉宽度为34λ、手指形电极31与母线32之间的间隔为3.0λ以及反射器24的手指形电极的数量为100(参照图4)。可通过改变手指形电极31的间距来使声表面波谐振器各级的反谐振频率错开。其中λ为声表面波的波长。这样，在反谐振点上产生波动，实际上使反谐振点变钝，故同样可获得更平滑的衰减域。
此外，作为获得平滑衰减域及降低对方频率侧滤波器通带内波动的其他手段，亦可通过在第1声表面波谐振器15中分别在各级谐振器上构成2种手指形电极31的间距，即可在各谐振器中得到2种谐振频率和2种反谐振频率。这样即可扩大各级反谐振频率的间隔，以在宽频带上获得平滑的衰减域。
本发明的适用范围不限定于滤波器，亦可适用于除安装1个或多个声表面波元件的滤波器外的各种声表面波器件。
产业上利用的可能性从以上说明可看出，根据本发明，通过将第1声表面波谐振器实现的超低损耗及低衰减特性与由第2和第3声表面波谐振器实现的低损耗及中等程度的衰减特性相结合，可得到具有低损耗及高衰减特性的声表面波元件。
此外，当将第1声表面波谐振器的谐振频率设定在离开第2和第3声表面波谐振器通带的频带内时，即可在离开通带的频带内建立较大的衰减域。
另外，当形成第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片采用LiNbO3制成时，由于传输损耗大而使反谐振点变钝，故可获得更平滑的衰减域。
当形成第1声表面波谐振器的压电基片使用LiNbO3制成，以及形成第2和第3声表面波谐振器采用LiTaO3制成时，可以不牺牲插入损耗而获得平滑的衰减域，并能降低对方频率侧滤波器通带中的波动。
另外，当在反谐振点上产生波动时，由于波动会使反谐振点变钝，故可获得更平滑的衰减域。
当使形成第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片的元件形成面与安装基片的安装面相对而将声表面波元件安装在安装基片上时，由于无需采用电容成分的衰减，故能使声表面波器件变薄。
当分路滤波器是由包含两个通带中心频率不同的声表面波元件的声表面波器件构成，且这两个声表面波元件中的一个为前述声表面波元件时，则在对方频率侧的滤波器通带内可获得充分的衰减，同时不需要单独使用声表面波元件时所必需的、由串联电感构成的匹配电路。
权利要求
1.一种声表面波元件，其包括在输入端与输出端之间形成的第1布线段；在所述第1布线段上串联布置的多个第1声表面波谐振器；与所述第1声表面波谐振器相对、且在输入端侧或输出端侧的所述第1布线段上串联布置的多个第2声表面波谐振器；在所述第1布线段上的所述第2声表面波谐振器相互之间的中点与参考电位电极之间形成的多个第2布线段；分别布置在所述第2布线段上的多个第3声表面波谐振器，它们具有与所述第2声表面波谐振器的谐振频率一致的反谐振频率。
2.如权利要求1所述的声表面波元件，其特征在于，所述第1声表面波谐振器的谐振频率设定在离开所述第2和第3声表面波谐振器通带的频带上。
3.如权利要求1所述的声表面波元件，其特征在于，形成所述第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片由LiNbO3制成。
4.如权利要求1所述的声表面波元件，其特征在于，形成所述第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片由LiTaO3制成。
5.如权利要求1所述的声表面波元件，其特征在于，形成所述第1声表面波谐振器的压电基片由LiNbO3制成，形成所述第2和第3声表面波谐振器的压电基片由LiTaO3制成。
6.如权利要求1所述的声表面波元件，其特征在于，在反谐振点上产生波动。
7.一种具有其上装有声表面波元件的安装基片的声表面波器件，其特征在于，所述声表面波元件包括在输入端与输出端之间形成的第1布线段；在第1布线段上串联布置的多个第1声表面波谐振器；与第1声表面波谐振器相对、且在输入端侧或输出端侧的第1布线段上串联布置的多个第2声表面波谐振器；在第1布线段上的第2声表面波谐振器相互之间的中点与参考电位电极之间形成的多个第2布线段；分别布置在所述第2布线段上的多个第3声表面波谐振器，它们具有与第2声表面波谐振器的谐振频率一致的反谐振频率。
8.如权利要求7所述的声表面波器件，其特征在于，所述第1声表面波谐振器的谐振频率设定在离开所述第2和第3声表面波谐振器通带的频带上。
9.如权利要求7所述的声表面波器件，其特征在于，形成所述第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片由LiNbO3制成。
10.如权利要求7所述的声表面波器件，其特征在于，形成所述第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片由LiTaO3制成。
11.如权利要求7所述的声表面波器件，其特征在于，形成所述第1声表面波谐振器的压电基片由LiNbO3制成，而形成所述第2和第3声表面波谐振器的压电基片由LiTaO3制成。
12.如权利要求7所述的声表面波器件，其特征在于，在反谐振点上产生波动。
13.如权利要求7所述的声表面波器件，其特征在于，形成所述第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片的元件形成面与所述安装基片的安装面相对，安装在所述安装基片上。
14.一种包含两个通带中心频率彼此不同的声表面波元件的分路滤波器，其特征在于，所述任何一个声表面波元件都包括在输入端与输出端之间形成的第1布线段；在所述第1布线段上串联布置的多个第1声表面波谐振器；与所述第1声表面波谐振器相对、且在输入端侧或输出端侧的所述第1布线段上串联布置的多个第2声表面波谐振器；在所述第1布线段上的所述第2声表面波谐振器相互之间的中点与参考电位电极之间形成的多个第2布线段；分别布置在所述第2布线段上的多个第3声表面波谐振器，它们具有与所述第2声表面波谐振器的谐振频率相一致的反谐振频率。
15.如权利要求14所述的分路滤波器，其特征在于，所述第1声表面波谐振器的谐振频率设定在离开所述第2和第3声表面波谐振器通带的频带上。
16.如权利要求14所述的分路滤波器，其特征在于，形成所述第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片由LiNbO3制成。
17.如权利要求14所述的分路滤波器，其特征在于，形成所述第1、第2和第3声表面波谐振器的压电基片由LiTaO3制成。
18.如权利要求14所述的分路滤波器，其特征在于，形成所述第1声表面波谐振器的压电基片由LiNbO3制成，而形成所述第2和第3声表面波谐振器的压电基片由LiTaO3制成。
19.如权利要求14所述的分路滤波器，其特征在于，在反谐振点上产生波动。
全文摘要
本发明公开了一种声表面波元件(11)，其包括在输入端(18)与输出端(19)之间形成的第1布线段(20)；在第1布线段(20)上串联布置的多个第1声表面波谐振器(15)；与第1声表面波谐振器(15)相对、在输入端(18)侧或输出端(19)侧的第1布线段(20)上串联布置的多个第2声表面波谐振器(16)；在第1布线段(20)上的第2声表面波谐振器(16)相互之间的中点与参考电位电极(21)之间形成的多个第2布线段(22)；分别布置在第2布线段(22)上的多个第3声表面波谐振器(17)，它们的反谐振频率与第2声表面波谐振器(16)的谐振频率一致。
文档编号H03H9/64GK1653689SQ03810508
公开日2005年8月10日 申请日期2003年5月14日 优先权日2002年5月14日
发明者井上宪司, 中野正洋, 佐藤胜男 申请人:Tdk株式会社