专利名称：超高速高效率放大器的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种改的放大器，特别是提高放大器的速度与使用频率，输出电压的幅值，输出功率、效率、线性度、开环有效增益带宽乘积，稳定性、可靠性各项与频率有关的参数等，即使放大器趋向理想化所做的各种改进。
现有的放大器，对于上述各项参数的提高，受半导体材料、器件设计、应用限制很大，还不能充分放挥、提高整体性能与降低成本。本说明书所称的器件包含所有种类的低压器件。本放大器可用于各种线性与数字功率放大器中。
本发明的任务是提供较完善的方法，使放大器的整体性能大幅提高，成本大幅下降，达到较理想的目的。可广泛应用于微波、射频、雷达、视频、音频、自动控制、运算放大器、脉冲，数字，PWM、放大，各种超高速、超大功率应用领域。
本发明是以如下方法完成的(所指的低压器件与高压器件是指所有种类的器件)为了使整体性能全面提高，首先使开环参数全面提高，选择各种较好的组态放大器配合。其次全面使用低电压、超低压器件作为前置级至大电流输出级，并使其在高度可靠、高性能的低压条件下或并施恒压条件工作，同时，又能使该级输出任意大小的电压，即在低电压条件下工作，可输出任意大小的推动电压。同时，得到上述全面指标的提高。为了使上述低压器件输出高电压摆动，使用可动态供电的放大器，由它供给低压放大器较恒定的工作电压，而动态电压全部降落在负载上，这样既有大电流又有高电压输出，又整体提高了放大器的全面指标。
众所周知，在其它条件相等的前提下，提高速度与使用频率及增益，低电压、超低电压与减短电子运行距离是最有效的方法之一，但必须克服并提高其输出功率。
目前，全世界最高速度、最高频率的器件，均出现在低压相对小功率的器件。例如，ft达100-350GHz的高速器件，工作电压均在1V-20V以下，而工作电流的扩大不是太大的问题。影响ft最大的不是电压而是应选取适当的A类工作电流IQ。
通常，50V器件与200V工作的器件比较，相同条件下输入电容Ci与反馈电容Cr之和C，减少至高压器件的1/4-1/6。当进一步使器件的设计工作极限电压为1-2V时，低压器件的C减为200V器件的1/100-1/200，在后面将要提到的工作条件下，决定速度的主要是C的影响。它表明在1V-2V工作的器件，将使工作速度提高100-200倍之巨，同时，由于工作电压下降、功率进一步下降，随之C也更进一步下降。解决低压器件的大电流工作，只须要采用平面并行排列，扩大阵列的等效宽度，与并行并列放大即可较正比的扩大极限电流。也可以采用在圆柱体表面并行排列的方法扩大表面积。当低压器件输出足够大的动态电流后，剩下的问题是如何取得高的电压输出。
下面结合图1具体说明方框A为低压放大器，方框B为电源供给器(放大器)，前置放大器1的输出电流17，在电阻16上产生高电压摆幅输出为电压推动级，2为电流增益级，产生足够的电流增益与功率增益，输出电压U2与电阻16上的U16相同，2的组态为射极跟随器共C组态。放大器1、2设置于A类，可使频率特性得到提高。
电源±E1为±(1-10)V视器件电压设计而定，可以是定压。电源±E2为±(0.1-50)V，若为A类功率级，可取电压为±(0.5-2.4)V左右，可以用定压充电的Ni-Cd等低内阻二次充电池作为±E2的滤波元件，同时可加并电解电容与CBB电容。通常Ni-Cd电池的内阻为0.02-0.00001(Ω)之间动态电流在其re上的Δve＝ΔI×re，通常小于0.01uV-10V以下，可足够保证极小的动态纹波。本例中±E2为±1.30V左右，在A类大电流IQ时，具有极高的整机效率。例如IQ＝±3A的A类推挽输出放大器2，效率＝PO/PQ，可输出不失真的A类功率＝(IQ×2×2)2RL/8＝(6×2)2×(8-32)/8＝144-288-576(W)效率＝94.5％-97.3％-98.6％是相当可观的。若使电源供给器3的效率趋近97％-98％，则整体效率＝(94.5-98.6)％×0.97-0.97＝91.7％-97.3％。±E3由P0决定，在±(10-1000)V左右。
放大器1、2、3各自可有各种组态，或直接由运算放大器组成，下面还将另外举例说明。
放大器A，电源供给器B的分析参图1放大器1为前置低压供电的小功率放大器，输出电流17流过电阻16，在电阻16的6与9端产生I17×R16的任意大小的高电压输出，而不受放大器1、2的耐压与供电电压大小影响，同时，放大器1、2的供电是恒压的，随信号的波动可达mV-uV以下对减小失真与共模干扰是有利的。
放大器2为电流功率增益级，为共C组态为主的同相跟随放大器，在其输出端7输出电流I7，流过电阻14，负载15，在7与9端产生与电阻16上的ΔU16电同相同值的功率输出Uo2。本例中电阻16为10KΩ。电阻14为1mΩ-3.2mΩ，负载15为8-32(Ω)当I17为Δ0.02A时，产生有效功率输出为156W-500W，Δio＝20A-6.25A。
本例中使用输出电流为20A-30A的FET管作推挽放大器2未级，各管只承担10A最大电流。饱和压降0.14V(10A)，1.2V以上已进入线性区，1.35V时的Ft＝200MHz-1000MHz以上。20V时的dv/dt＝20kv/us，dI/dt＜600A/us效高压器件提高许多。两只FET功耗＝1.35V×2×5.2A＝14W，A类输出＝500W，效率＝97.2％。电阻11为100Ω电阻12为50Ω电阻13为1KΩ，电阻16为10KΩ，电阻18为100Ω左右。
前置电压推动级1为0.1w-0.6w的小功率放大器，-3dB开环带宽fβ可达50-100MHz以上，开环增益为60-140dB以上(fB处)A类偏置约0.02A。功率增益级FET在1.35V恒压工作，IQ＝5.2A，P耗＝7.02(W)可选Pm≤10w-40wFET，成本较低，频率特性极佳。由于是A类工作线性较好，全面特性上升。
应当特别说明，使用的FET并非专门设计的VDS＝2-1.2V专用管，而是常规器件。可以专门设计0.01V-50V的以下专用管。其特征频率10-200倍地提升。如专门设计在1.35V时的可达(10-350)GHz以上，而且并非特别困难，可全部利用已有技术制造，特征频率反而上升。所有工作在定压(恒压)状态的晶体管，其输出电容Co，由于变化甚小，其交流电流因为是电压工作，损耗极微小，相当于开路，频率特性得到提高。对频率有影响的仅为Ci+Cr。通常FET的计算值ft＝gm/ci＝1-20GHz以上，实际值为(0.2-10)GHz。即使用低压器件频率特性得到大幅提高，特别是A类使用。另外，由于A类低压工作，功耗下降，Pcm下降可使表面积减少，Cr、Ci、Co下降ft进一上升。
总之利用低压小功率器件来推动产生高压输出对提高速度有极大的优势。FET放大器可采用环内放大器增加，达林顿复合等，增加开环放大量，使闭环1+kB量增加。每个发射极加电阻，设立各自工作点。为进一步提高供电放大器3的效率，可采用任何一种±E3调节的方法，如交流调压器在初极的调压等，使在任何Po时效率提高。也可以采用图3的调压方法，其中K1、K2开关与Po调节器W同步跟踪。现在PWM，可控硅类，脉冲类、数字类放大器与可控制电压的开关电源已很难普遍，用它们代替图1的电源供给器3，可使其效率为97％-98％则总电路可达95％-97％以上。放大器3为反相放大器。因为电阻14仅为1mΩ-3.2mΩ，可以视为短路，而负载为8-32Ω，故Uo 7端与9端，近似为放大器2的Uo2，与电阻16上的uin16相等。因而放大器2输入端等效在6与9端之间，输出端在7与9之间或等同于8与9端，所以放大器2为共C跟随器组态，线性极佳，功率增益可达104-1010且很容易制造，速度与频率特性亦可提高。
电源供给器3的速率，对放大器2的影响极小，这是因为放大2的h22参数开环时已很小，闭环时又提升了1+KB＝104-1010倍，故而，既使速率与相位不及补充，缺少100mv-300mv给予放大器2的供电，±E2可自动补给Uo2，仍为原值，也就是表明电源供给器3的速率对整电路影响极小。但应保证电源供给器3的-3dB闭环fB，为放大器A的开环fBA附近。其晶体管可使用至f(a)附近，这就是整个电路的优势。对放大器3未级功率管要求较低，同时，可靠性提高，因为低速晶体管总体可靠性上升，成本下降。
本例中的放大器，可以采用任意形式的低电压器件组成和任意形态组合，或采用现成IC与模块，在2～n阶以上时，须各自在反馈环内加入R、C；R、L、C滞后、超前相位校正。放大器1、2、3均是这样。当然对于放大器3或放大器1、2、3有特别高要求时，可专门设计优良电路。下面将另行说明。为了保证可靠性可以在放大器的7与10端或8与10端之间并上大电流高速二极管，正反向各并一个，同时可加并瞬态抑制器件。可保证任何情况下放大器1、2不会损坏。当然，放大器3应有微秒至毫秒及的任何种类的断路保护器。另外，电源供给器可采用受控的高速开关电源，其输出时间常数按电路要求设定。当电源供给器3采用任何一种脉冲、数字电路时它将使电路效率提高同时，使放大器A的输出阻抗极低。其阻尼系数是时间连续性的，非断续性的，在极宽的频带内，与频率参数无关，一直不变。
它可以使数字功率放大器的各项参数得到根本的改善，例如优良的阻尼系数，电磁兼容都得到1+KB倍的提高。或由电阻14任意调节阻尼系数。为了保证±E1±E2、(6)端子对(10)端的波动电压足够小，应使电源供给器3的开环与闭环增益大于放大器2的Uo2/uin值。由于电源供给器3的脉冲残余，受放大器1、2的h22与1+KB反馈，放大器2的高次谐波可得到(10-300)dB以上的进一步抑制。还可以大为降低数字功放的最大脉冲电流峰值，以及对频率参数的要求，失真率可得到(40-200)dB以上的提高，既保持了数字功率放大器效率，又保持了模拟放大器所有的优点，包含其成熟性与极低的成本，何况，目前数字功放有些弱项，暂时实际上无法解决，成本很高采用数字式电源3时可以去除放大器1直接使用经积分的数字信号源，可以是数字信号的前极小信号。
本实例在此时，成为介于模拟与数字放大器之间的结合物，兼有两者优势。特别是将它们集成化或模块化后，使用简单，成本可降到极低，体积、重量、效率以及前述的放大器整体性能，得到最大提高。
其中，任何一种数字式、脉冲、开关电源、可控类、PWM，放大器3，其控制信号的取样，必须直接从放大器2的Io及Uo中取得，可以直接控制放大器3，少经过放大环路，必须有，也应是高速放大器，取样也可使用光耦或变压器与其他隔离传感器。目前，已有多种单片IC脉冲控制电源，使用极为方便。
放大器3的反相输入端(或同相放大器的同相端)，可以对应±E1、±E2，6端的补偿要求，接至4、5、6、7、8端。当放大器3使用同相放大器时，其输出端改接±E2的中点G1，±E3改接至9端(G2)处，同相输入端接至4、5、6、7、8端值，放大器1-3，特别是放大器2工作电流可以任何一种方法使它与输出功率相对应调整，使它始终处于A类效率最高点。这里采用未级电流控制电阻与功率控制器W同步的方法，优点是不引入任何非线性失真，电流控制电阻可以与功率控制W同轴联动，亦可采用数字非易失性电阻作为电流控制或其它任何方法。这样，从效率、体积、重量、等参数可进一步提高。当放大器3的一个输入端子接至4、5、6、7、8端子时，可以串入一个RC相位超前网络补偿，以提高速率与有效带宽。在图1中±E1、±E2、±E3的各自中点抽头都都接在地线G1上，即10端点，这样，多路放大器可以共用这三个电源，同时成本下降，亦可适当分组独立使用。放大器1、2、3内部组态，不受任何限止。可以e，e+b+b，c；e、e+b、c；e、b、c；e、c+b、c；e，b+b，c；各种组使均可，但原则是，每一个单级放大，均要保证频率特性，失真率等整体指标要较好，这样闭环后的特性才能得到保证。
本发明所指的-3dB fB频率是指，从Ohz或增益最高处开始，当频率提高后，增益下降3dB处的频率。正因为使用超低压器件才有可能将它们ft提高到350GHz。在高压器件中是不可能的。至少渡跃时间变长，同时，由于厚度与功率上升，Cr、Ci、Co上升，ft自然下降。
各个独立放大器的环反馈可以自成一环，也可以后环部分套入前环，多环相扣。成复合反馈链。
放大器1、2、3可以采用图5带有特殊电位转移级的e、b、e高速电流反馈放大器，成为较纯的二阶电路。特征在于，共b放大器的基极串有相对于G03、G04输入阻抗足够大的Rb，例如，10Ω-10MΩ以上，或分布电容足够小的恒流源，使其b极处不向地有大的分流。G01、G02组成的共b放大器，指在任何从0Hz-任意高的频率范围，不对G0、G03、G04组成高频率分流，只须传递1倍不变的信号电流，不产生新的R、C阶，但是必须将电位从±Ec上减少2-2000V直流压降，或更大的直流压降，这样，就由G01、G02组成无损耗的0阶1倍电流放大器，但它可以有任意设定的电压增益。G0、G01、G02与G03、G04各自都可以采用n级达林顿复合管扩大B，或多级电压放大，特别是G01、G02、在Rb较大时。图5中，Ci、Cr、Co均被Rb阻止到地的分流，这样就保证了G01、G02的零阶放大。另外G01、G02作为小信号传递，其耐压只须稍大于(+Ec+Ec)/2，可靠性提高，整个放大器只须未G03、G04为高压管。
上述的零阶电位转移共b放大，可以使用在各种组态放大器中，凡是涉及共b态的，例如图6中的共b态4个晶体管。可以将G05、G06去除，前及共b直藕到后及共b，成为特殊的e，b+b，c态组合主二阶高速Amp。去除G05、G06后，如图6中虚线相联二级b+b态，Re1接G07e极，Re2接G08e极。当图6中Rb1，Rb2，Re1，Re2大到不能对两共b态分流高频信号时，G05、G06就成为零阶反相器，而应用于环反馈内的各种组态与上述提到的各种组态。电流增益由Rb/Re值决定，可以大于1或小于1，它可以为第一级共b级带来电压增益，而无附加相移。超过纯二阶的n阶放大器，如众所周知，必须加入最小相移接正网络，可以上R、C滞后节，R、C超前节，或R、L、C高阶网络。这都是已有技术。当它们集成在IC内，或模块内，成本下降性能大幅提高，使用变得极为方便。特别是开环fB大为上升，1+KB大幅上升各项指标全面上升。常用的放大器，多为主一阶放大器，不采用相位校正，有效fB以内开环增益减少40-60dB，本发明使用二阶放大器的fB相近，或相同，使fB内增益上升40-80dB以上，对改善放大器的整体指标作出了40-80dB以上的贡献。当采用本发明的零阶电位移动共b电路与零阶共e反相器时，或两者结合使用时，二阶电路的校正变得极简单，有时甚至可以不用，这对提高可靠性降低成本，集成化、模块化生产及为有利，为了便于不同fB调整与使用，每一阶放大器与下阶放大器相联的端点，可引出外接端，使可以在外端控制时间常数fβ与增益的乘积，例如图1中的4、5、6、7、8、9端子。现有的IC可加该引线端。特别是IC或模块可以使之扩大应用范围。现有的IC蕊片可加引线端，或将二个蕊片组成二阶电路，封装在一个底座内。可以从uin至uo之间加入BBE电路，以调整群相移。图7电路b端相位为0°A端相位反相-180°，在Z上调节时，可从0-180°之间任意调节，以适合实际需要。可加入等响电路Q(图8)特别是在调节功率电阻W时完全自动适应等响曲线变化要求。图8中Q为等响电路阻抗，使r0趋向0，rin趋向极大，当W趋向0时，等响曲线为一平直线，反之，当W趋向max时，等响曲线下凹达到预定最大值。可以利用合适的Rb1，改变曲线速率。
在放大器1、2的输出端加电阻并联至-Ec或+Ec可以使原AB类放大，进入高偏置或A类工作。对于原设为AB类的放大器，这样可在外端调节工作点。
图1本例中电阻[11]100欧，电阻[12]50欧，电阻[13]1千欧，电阻[13]接[4]端时为恒压输出，接[5]端时为恒流输出，电阻[14]为1～3.2毫欧。负载电阻[15]为8～32欧，电阻[16]为10千欧，±E1＝±5～±15V，±E2＝±1.2～±2.4V，±E3＝±20V～±100V，放大器[1]为前置电压放大级，[2]为功率增益级，[1]与[2]为放大器[A]、[B]为电源极。
图2本例中可用达林顿复合管[19]作恒流输出[17]、[20]为恒流电路。
图3W为功率调节电位器，与开关K1、K2同步调节于±E3于C1、C2之上图4放大器[1]、[2]、[7]端与[10]端地之间加并的两个方向的保护二极管。
图5由G01、G02组成的零阶电位转移共b电路。G0共e态，G03、G04为共e态。Rb01、Rb02阻止高频分流。
图6由G05、G06组成的零阶反相共e电路。去除G05、G06时，由虚线联接两级共b电路，Rb1、Rb2保留。
图7可调相位0°～-180°的BBE电路。
图8可自动控制等响下凹幅值的功率调节电路。
权利要求
1.一种改进的放大器，其特征在于放大器[1]恒定低压供电，恒压输出或恒流输出；放大器[2]恒定低压供电，恒压输出或恒流输出；放大器[1]、[2]的输出电压为任意大小的高压摆动；放大器[3]是电源供给装置。
2.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]工作在低电压0.01V～50V以下，令其输出端在电阻[16]产生任意大小的电压U[16]，在跟随放大器[2]输出[7]与[9]之间产生与U[16]相同的Uo功率输出。
3.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]可以工作在饱和压降以上，与进入线性区后的超低电压，范围在0.01V～50V以下，该电压在器件输出端[E]-[C]或[D]-[S]间，可以是恒定电压，或作正负电源范围内摆动。
4.根据权利要求1与3所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]的反馈电阻[13]可接[4]端作定压输出，亦可接于[5]、[6]端作恒流输出，亦可同时在[4]、[5]、[6]取得复合反馈，或用晶体管[19]作恒流输出，电阻[13]接于[21]端子。
5.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于在放大器[2]工作于低电压±E2＝±0.01V～±50V以下，令工作电流于高偏或者A类时，fT(Q)≥0.98～0.1fT(max)。
6.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[2]工作于低电±E2，范围在±0.5V～±6V以下，为A类。
7.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[2]作电流增益用，可为共C态或共E态或共C共b，共E共b，共b，运算放大器等各种组态。
8.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]的电流工作点可以与功率调节器节器W作同步调节，放大器[±E3]可以与[W]作同步调节。
9.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]可以工作在A、B、AB、C、D类，特别是A类低电压设计。
10.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[3]作为放大器[1]与[2]电源供给装置，使放大器[1]、[2]工作在较恒定的低电压状态，其范围在±0.01V～±50V以下，并使其动态稳定范围小于或是Δ0.001mV～Δ50V以下，或是Δ0.00001mV～Δ5V以下。
11.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[3]的电源供给，可以是可调的，亦可以是与(W)同步调节。
12.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[3]可是任意种类的，例如A、B、AB、C、D类PWM或其它数字类，可控类，可直接控制的开关电流。
13.根据权利要求1与12所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]中输出的脉冲高次谐波设计范围为-10dB～-300dB以下。
14.根据权利要求1与12所述的放大器，其进一步特征在于在放大器[1]或[2]输入端可以输入任意数字放大器产生的积分模拟信号电压作为输入信号，作用于Uin或电阻[16]两端，或[6]端与地[G2]端。
15.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[2]的输出阻抗为连续时间的低阻抗，范围为ro2×1/1+kβ，在0.01微欧至1兆欧以下。
16.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大[2]通过调节负载[15]与电阻[14]的比值，调节其阻尼系数，或以1+Kβ量控制该值。放大器[3]的开环增益，闭环增益大于放大器[1]、[2]的Uo2/Uin值。
17.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[3]反相输入端或同相放大器的同相输入端可以接至[4]、[5]、[6]、[7]、[8]端。
18.根据权利要求1与17所述的放大器，其进一步特征在于放大器[3]输入端接[4]、[5]、[6]、[7]端子时，可串入R、C相位超前网络。
19.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]可采用超低工作电压的高速器件，极限工作电压在0.01V～50V以下。
20.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]开环-3dBfβ与增益乘积为(0.1KHz～350GHz)×(2dB～300dB)以上。fβ由放大器[1]、[2]为主设定。
21.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]的各自反馈环内可以为一阶～n阶最小相位校正放大器。
22.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]为一阶～n阶主电路，含R、C、L滞后，超前校正电路，或外置单独使用R、C、L滞后与超前校正电路，并可将其集成化或模块制造。
23.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于[±E1]、[±E2]、[±E3]的中点电压是相联的，多路的放大器可以共用该两个电源，或再增加电源组分组使用。
24.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[3]输出接±E2中点[G1]，[±E3]中点接[9]端，放大器[3]为同相放大器，同相输入可接[4]、[5]、[6]、[7]、[8]端。
25.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于电源[±E1]、[±E2]可以使用限压充电的二次低内阻电池，电压范围为±0.1V～±50V以下，或同时并有各种电容，使动态工作时ΔV＜0.01微伏～10伏以下范围。
26.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于用于供电或充电电源[±E1]、[±E2]、[±E3]可以是整流，可控整流或稳压电路或开关电源，可以同时加并电容与二次电池。
27.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]采用[±E1]、[±E2]为±0.01V～±50V以下，IQ1-2为A、AB、B、C、D类与放大器[3]组成的功率放大器，特别放大器[1]、[2]为A类。
28.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]可以采用高速保护器件大电流二极管两只，分别正反向并联于[7]与[10]或[8]与[10]两端，保护器件还可用使用其它瞬态高速器件。
29.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于电源供给器[3]可以采用任何种类的高速或mS级保护断路器。
30.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]可由共[E]、共[S]、零阶电位转移级[G01]、[G02]，共[E]、共[S]、[G03]、[G04]构成，零阶电位转移器的b极串联电阻[Rb01]、[Rb02]大于10欧～10兆欧以下，为其两端旁路阻抗2～100倍以上。
31.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]可由零阶电位转移级共b态组合，组成e，b+b，C态组合主二阶高速放大器，或e，b，e+b，C态组合，运算放大器组态。
32.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]可由零阶共e反相器组合，组成e，b，e+b，C态组合，e，b+b，C；运算放大器。此时，[Rb1]、[Rb2]、[Re1]、[Re2]必须远大于并联于其两端的分流阻抗，其倍数为2～100倍以上。
33.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于宽带电位转移的共[B]、共[G]的串联电阻高达10欧～10兆欧以上或是电容足够小的恒流源，放大器件可以由多管输入端达林顿串联。
34.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于可以在放大器[1]前或[1]与[2]之间插BBE电路或可调相位的BBE。
35.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于可以在放大器[1]前或[1]与[2]之间插入等响电路或可控制曲线下凹幅值的等响电路。(图8)
36.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]可以在输出端各自接电阻至[±E1]、[±E2]端，使之进入A类或高偏置工作。
37.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]的各自开环电路为主二阶～n阶，内含或外置最小相移校正网络。
38.根据权利要求1与37所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]各为一个独立主一阶～n阶放大器，内部的电压增益级与功率增益级，可以合成一个电路，IC或模块，其中放大器[1]、[2]可合成一个电路，IC或模块，放大器[1]、[2]、[3]可合成一个电路，IC或模块。
39.根据权利要求1与37所述的放大器，其进一步特征在于包含功率增益级[2]与前置放大器[1]的放大器，[1]、[2]合成一个电路，IC或模块单片放大器，其外部可以引出[4]、[5]、[6]端子，或其中部分或其它端子。
40.根据权利要求1与37所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]可部分或全部集成化或模块化。
41.根据权利要求1与37所述的放大器，其进一步特征在于主n阶放大器可以合成在一个蕊片上或n块蕊片上，可以将n个原已有的主一阶蕊片，封装在一上底座内。
42.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于每一个放大管，可以多管达林顿复合，或P型N型交错复合，复合级可以在2～5级以上，每一个管的射极(源极)均可接电阻，设立独立工作点电流，使用FET时，采用多级电压增益复合为一单级放大，并自行构成一个环反馈，成为一个单级放大管用。
43.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于设计为超低压工作的器件，其极限工作电压为0.01V～50V以下。
44.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于在分立或集成化、模块化的电路中，每一个单元放大器，采用主二阶～n阶放大级，构成环反馈，后一单元放大器的环反馈，可以在自环内或延伸至前一级放大器反馈环内一部分或全环反馈，组成多环复合反馈链。
45.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[3]为任意脉冲、可控类、开关、数字式时，其控制信号直接从放大器[2]的输出Io、Uo取得。
46.根据权利要求1所述的放大器，其进一步特征在于放大器[1]、[2]、[3]可以是任何组态的运算放大器，可以在各放大器间插入R，C；R、L、C滞后、超前相位校正。
全文摘要
本发明涉及一种改进的放大器，特别是涉及高速线性、脉冲放大器与环反馈A类放大器性能的提高。如何提高带内有效增益f
文档编号H03F3/30GK1531191SQ03115738
公开日2004年9月22日 申请日期2003年3月11日 优先权日2003年3月11日
发明者于志伟 申请人:于志伟