专利名称：高频振荡电路的利记博彩app
本申请为1998年7月24日提交的名为“高频振荡电路”的98116397.1号专利申请的分案申请。
本发明涉及诸如蜂窝式电话或卫星通信设备等无线电通信设备中的诸如压控振荡器等高频振荡电路。
参考附图来描述常规的技术。
图19是常规高频振荡电路的电路图。在此图中，1和17是振荡晶体管；2，3，4，18，19和20是电容器；5和21是谐振器耦合电容器；6和22是输出耦合电容器；7是谐振器；8和23是变容二极管耦合电容器；9和24是变容二极管；11，12，13，26，27和28是偏压电阻器；14和29是变容二极管偏压扼流圈(choke)；15和16是高频输出端；10，25和30是高频扼流圈；31和32是旁路电容器；33是调谐电压电源端；34是偏压电源端。
此结构的常规高频振荡电路如下进行操作。
在图19中，振荡晶体管1和17的基极分别经由在振荡频带中具有足够低阻抗的电容器4和20接地。电容器2和18分别连到晶体管1和17作为集电极-发射极的电容性元件。此外，电容器3和19分别连接在地与晶体管1和17的发射极之间，也相当于连接在发射极和基极之间，因为此电路属于接地基极型。此外，经由谐振器耦合电容器5和21连接的谐振器7是其接头(tip)开路的半长度谐振器。由于谐振器的中点相当于用作对地的短路点，所以谐振器7相当于经由作为电感性元件的谐振器耦合电容器5连接在晶体管1的集电极和基极之间，并经由作为电感性元件的电容器21连接在晶体管17的集电极和基极之间。
于是，在图19的电路中，两个接地的基极振动振荡电路用一个半波振荡器来进行振荡操作，以提供相位相互偏移180°的振荡信号，通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得它们的输出作为两个电路之间的差分信号输出。
此外，每个变容二极管9和24分别经由变容二极管耦合电容器8和23连到谐振器7。此外，由于变容二极管偏压扼流圈14和29以直流方式给变容二极管9和24的阳极提供了地电势，所以经由高频扼流线圈30加到调谐电压电源端33的电压值改变了变容二极管9和24的电容值，以改变振荡频率。
此外，执行此电路操作的振荡电路可用IC工艺做在IC上，元件不仅包括振荡晶体管1和17及其周边元件，还包括谐振器7和由变容二极管9和24构成的谐振电路。
然而，在以上结构中，电容器3，4，19和20接地，所以如果产生外部电磁干扰，可能在安装有电路的电路板的地表面上产生电势差，从而两个晶体管之间失去平衡而降低S/N比。
此外，由于在IC芯片上使用IC工艺来形成谐振器7和变容二极管9和24，所以不容易制作具有高Q值因子即小损耗的元件。结果，这种振荡电路IC的谐振电路不能容易地实现高的Q值因子，因此难于对振荡电路IC提供高的C/N比。
针对这些问题，本发明的一个目的是提供一种高频振荡电路，该电路没有诸如在外部电磁干扰下S/N比下降的特性。
本发明的另一个目的是对振荡电路IC提供一种能提供高Q值因子的谐振电路和一种使用此谐振电路的高频振荡电路，从而获得高的S/N比。
本发明是一种高频振荡电路，它包括第一和第二振荡晶体管，其中第一和第二晶体管的基极直接连在一起或经由阻抗低于振荡频率下预定值的电容器连接在一起，并把从第一和第二振荡晶体管的发射极之间获得的差分信号输出作为振荡输出。
依据此结构，连接在振荡晶体管的基极和地之间的电容器不连到安装电路板上的地线(ground)图案，而两个振荡晶体管的基极直接或经由电容器连接起来。于是，可在高频下进行差分振荡操作而不使用安装电路板上的地线图案，所以可提供这样一种高频振荡电路，该电路不受安装电路板上的地线图案中产生的共模噪声源的影响，或者即使在产生外部电磁干扰时也没有诸如S/N比下降等特性。
尤其是，如果这两个基极直接连接起来，就消除了在振荡频率下基极所不想要的阻抗负载，从而提供没有诸如S/N比下降等特性的高频振荡电路。
此外，本发明是一种高频振荡电路，它包括第一和第二振荡晶体管，其中第一和第二晶体管的集电极直接或经由阻抗低于振荡频率处预定值的电容器连接在一起，并把从第一和第二振荡晶体管的发射极之间获得的差分信号输出作为振荡输出。
依据此结构，连接在振荡晶体管的集电极和地之间的电容器不连到安装电路板上的地线图案，而两个振荡晶体管的集电极直接或经由电容器连接起来。于是，可在高频下进行差分振荡操作而不使用安装电路板上的地线图案，所以可提供这样一种高频振荡电路，该电路不受安装电路板上地线图案中产生的共模噪声源的影响，或者即使在产生外部电磁干扰时也没有诸如S/N比下降等特性。
尤其是，如果这两个集电极直接连接起来，就消除了在振荡频率下集电极所不想要的阻抗负载，从而提供没有诸如S/N比下降等特性的高频振荡电路。
此外，依据本发明，把对振荡电路IC构成谐振电路的谐振器、变容二极管以及电容器和扼流圈集成在一起作为模块，与构成IC和包括振荡晶体管的负电阻产生电路分开。
于是，通过在介电衬底上形成条状导体的谐振器来获得高的Q值因子。此外，不使用IC工艺，变容二极管可包括常规的单一分立元件以增大Q值因子和电容比，从而提供具有高Q值因子的谐振电路。于是，此谐振电路与振荡电路IC相组合可提供具有高S/N比的振荡电路IC。
从以上描述很明显，本发明经由电容器而不是经由地把两个振荡晶体管的基极和发射极或其集电极和发射极连接起来，无论是否有外部的电磁干扰，诸如S/N比等特性不会下降。
本发明的优点还在于，把公共集电极电流路径用于振荡晶体管和缓冲放大器晶体管，以减少电流消耗。
本发明的优点还在于，可增大Q值因子和电容比，从而提供具有高Q值因子的谐振电路。于是，此谐振电路与振荡电路IC相组合可提供高S/N比的振荡电路。
本发明的优点还在于，在两个振荡晶体管之间未连接基极接地电容器，而是把两个振荡晶体管的基极或集电极直接连接起来，从而提供了一种高频振荡电路，该电路不受接地电容器的阻抗的影响，或者没有诸如S/N比下降等特性。
此外，依据本发明，即使把缓冲放大器连到振荡电路，在两个缓冲放大器晶体管的发射极之间未连接电容器，而是把两个缓冲放大器晶体管的发射极直接连接起来，从而提供一种高频振荡电路，该电路不受接地电容器阻抗的影响，或者没有诸如S/N比下降等特性。
图1是示出依据本发明第一实施例的高频振荡电路的电路图2是示出第一实施例的高频振荡电路另一个例子的电路图；图3是示出依据本发明第二实施例的高频振荡电路的电路图；图4是示出第二实施例的高频振荡电路另一个例子的电路图；图5是示出依据本发明第三实施例的高频振荡电路的电路图；图6是示出第三实施例的高频振荡电路另一个例子的电路图；图7是示出依据本发明第四实施例的高频振荡电路的电路图；图8是示出第四实施例的高频振荡电路另一个例子的电路图；图9是示出依据本发明第五实施例的高频振荡电路的电路图；图10是示出依据本发明第六实施例的高频振荡电路的电路图；图11示出本发明第五和第六实施例中高频振荡电路的结构；图12是示出依据本发明第七实施例的高频振荡电路的电路图；图13是示出依据本发明第八实施例的高频振荡电路的电路图；图14是示出本发明第七和第八实施例中谐振电路的结构；图15示出本发明第七和第八实施例中高频振荡电路一个例子的结构；图16示出本发明第七和第八实施例中高频振荡电路另一个例子的结构；图17是依据本发明第一实施例的高频振荡电路另一个例子的电路图；图18是依据本发明第一实施例的高频振荡电路再一个例子的电路图；以及图19是示出常规高频振荡电路的电路图。
以下将参考示出实施例的附图来描述本发明。
(实施例1)图1是示出依据本发明第一实施例的高频振荡电路的电路图。在该图中，1和17是振荡晶体管；2，3，4，18，35和36是电容器；5和21是谐振器耦合电容器；6和22是输出耦合电容器；7是谐振器；8和23是变容二极管耦合电容器；9和24是变容二极管；11，12，13，26，27和28是偏压电阻器；14和29是变容二极管偏压扼流圈；15和16是高频输出端；10，25和30是高频扼流圈；31和32是旁路电容器；33是调谐电压电源端；34是偏压电源端。在此情况下，振荡晶体管1是第一振荡晶体管，而振荡晶体管17是第二振荡晶体管。电容器4和3在振荡频率下具有足够低的阻抗(低于特定的值)，以允许产生振荡。这适用于以下的每个实施例。
依据第一实施例结构的高频振荡电路如下进行操作。
在图1中，振荡晶体管1和17的基极分别经由在振荡频带中具有足够低阻抗的电容器4连接。电容器2和18作为集电极-发射极的电容性元件连到晶体管1和17，选择这两个电容器的值以在振荡频带中提供最佳的S/N比。电容器35和36作为集电极-基极的电容性元件连到晶体管1和17，选择这两个电容器的值以在振荡频带中提供最佳的S/N比。此外，电容器3连接在晶体管1和17的发射极之间，选择其元件值以在振荡频带中提供最佳的S/N比。此外，经由谐振器耦合电容器5和21连接的谐振器7是其接头开路的半长度谐振器。由于谐振器的中点相当于用作对地的短路点，所以谐振器7相当于经由谐振器耦合电容器5连接在晶体管1的集电极和基极之间作为电感性元件并经由电容器21连接在晶体管17的集电极和基极之间作为电感性元件。
此外，每个变容二极管9和24分别经由变容二极管耦合电容器8和23连到谐振器7。此外，由于变容二极管偏压扼流圈14和29以直流方式给变容二极管9和24的阳极提供了地电势，所以经由高频扼流线圈30加到调谐电压电源端33的电压值改变了变容二极管9和24的电容值，以改变振荡频率。
于是，在图1的电路中，两个接地的基极振动(clap)振荡电路用一个半长度谐振器来进行振荡操作，以提供相位相互偏移180°的振荡信号，通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得它们的输出作为两个电路之间的差分信号输出。
依据此结构，不把通常连接在振荡晶体管和地之间的基极接地电容器和发射极-地电容器连到安装电路板的地线图案上，而是直接连接在两个振荡晶体管的基极和发射极之间。于是，可在高频下进行差分振荡操作而不使用安装电路板上的地线图案。相应地，可提供这样一种高频振荡电路，该电路不受安装电路板上地线图案中产生的电位差的影响，或者即使在产生外部电磁干扰时也没有诸如S/N比下降等特性。
图2是本实施例的高频振荡电路另一个例子的电路图。在此结构中，1和17是振荡晶体管；2，3，4，18，35和36是电容器；5和21是谐振器耦合电容器；6和22是输出耦合电容器；7是谐振器；8和23是变容二极管耦合电容器；9和24是变容二极管；11，12，13，26和28是偏压电阻器；14和29是变容二极管偏压扼流圈；15和16是高频输出端；10，25和30是高频扼流圈；31和32是旁路电容器；33是调谐电压电源端；34是偏压电源端。
依据本实施例结构的高频振荡电路如下进行操作。
在图2中，振荡晶体管1和17的基极直接连接在一起。电容器2和18分别作为集电极-发射极电容性元件连到晶体管1和17，选择这两个电容器的值以在振荡频带内提供最佳S/N比。电容器35和36作为集电极-基极电容性元件连到晶体管1和17，选择这两个电容器的值以在振荡频带内提供最佳S/N比。
此外，电容器3连接在晶体管1和17的发射极之间，选择其元件值以在振荡频带内提供最佳S/N比。此外，经由谐振器耦合电容器5和21连接的谐振器7是其接头开路的半长度谐振器。由于谐振器的中点相当于用作对地的短路点，所以谐振器7相当于经由谐振器耦合电容器5连接在晶体管1的集电极和基极之间作为电感性元件并经由电容器21连接在晶体管17的集电极和基极之间作为电感性元件。
此外，每个变容二极管9和24分别经由变容二极管耦合电容器8和23连到谐振器7。此外，由于变容二极管偏压扼流圈14和29以直流方式给变容二极管9和24的阳极提供了地电势，所以经由高频扼流线圈30加到调谐电压电源端33的电压值改变了变容二极管9和24的电容值，以改变振荡频率。
于是，在图2的电路中，两个接地的基极振动振荡电路用一个半长度谐振器进行振荡操作，以提供相位相互偏移180°的振荡信号，通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得它们的输出作为两个电路之间的差分信号输出。
依据此结构，直接连接振荡晶体管的基极以消除在高频下在基极中起到噪声源作用的阻抗元件，而不必连接通常连接在振荡晶体管的基极之间的基极接地电容器。结果，可提供没有诸如S/N比下降等特性的高频振荡电路。
(实施例2)图3是示出依据本发明第二实施例的高频振荡电路的电路图。在该图中，1和17是振荡晶体管；2，3，4，18，35和36是电容器；5和21是谐振器耦合电容器；6和22是输出耦合电容器；7是谐振器；8和23是变容二极管耦合电容器；9和24是变容二极管；11，12，13，26，27和28是偏压电阻器；14和29是变容二极管偏压扼流圈；15和16是高频输出端；30是高频扼流圈；31和32是旁路电容器；33是调谐电压电源端；34是偏压电源端。
依据第二实施例结构的高频振荡电路如下进行操作。
在图3中，振荡晶体管1和17的集电极分别经由在振荡频带中具有足够低阻抗的电容器4连接。电容器2和18作为基极-发射极的电容性元件连到晶体管1和17，选择这两个电容器的值以在振荡频带中提供最佳的S/N比。电容器3连接在晶体管1和17的发射极之间，选择其元件值以在振荡频带中提供最佳的S/N比。此外，经由谐振器耦合电容器5和21连接的谐振器7是其接头开路的半长度谐振器。由于谐振器的中点相当于用作对地的短路点，所以谐振器7相当于经由谐振器耦合电容器5连接在晶体管1的基极和集电极之间作为电感性元件并经由电容器21连接在晶体管17的基极和集电极之间作为电感性元件。
此外，每个变容二极管9和24分别经由变容二极管耦合电容器8和23连到谐振器7。此外，由于变容二极管偏压扼流圈14和29以直流方式给变容二极管9和24的阳极提供了地电势，所以经由高频扼流线圈30加到调谐电压电源端33的电压值改变了变容二极管9和24的电容值，以改变振荡频率。
于是，在图3的电路中，两个接地的集电极振动振荡电路用一个半长度谐振器进行振荡操作，以提供相位相互偏移180°的振荡信号，通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得它们的输出作为两个电路之间的差分信号输出。
依据此结构，不把通常连接在振荡晶体管和地之间的集电极接地电容器和发射极-地电容器连到安装电路板的地线图案上，而是直接连接在两个振荡晶体管的集电极和发射极之间。于是，可在高频下进行差分振荡操作而不使用安装电路板上的地线图案，从而提供这样一种高频振荡电路，该电路不受安装电路板上的地线图案中产生的电位差的影响，或者即使在产生外部电磁干扰时也没有诸如S/N比下降等特性。
图4是第二实施例的高频振荡电路另一个例子的电路图。在此结构中，1和17是振荡晶体管；2，3和18是电容器；5和21是谐振器耦合电容器；6和22是输出耦合电容器；7是谐振器；8和23是变容二极管耦合电容器；9和24是变容二极管；11，12，13，26，27和28是偏压电阻器；14和29是变容二极管偏压扼流圈；15和16是高频输出端；30是高频扼流圈；31和32是旁路电容器；33是调谐电压电源端；34是偏压电源端。
依据第二实施例结构的高频振荡电路如下进行操作。
在图4中，振荡晶体管1和17的集电极直接连接在一起。电容器2和18分别作为基极-发射极电容性元件连到晶体管1和17，选择这两个电容器的值以在振荡频带内提供最佳S/N比。
电容器3连接在晶体管1和17的发射极之间，选择其元件值以在振荡频带内提供最佳S/N比。此外，经由谐振器耦合电容器5和21连接的谐振器7是其接头开路的半长度谐振器。由于谐振器的中点相当于用作对地的短路点，所以谐振器7相当于经由谐振器耦合电容器5连接在晶体管1的基极和集电极之间作为电感性元件并经由电容器21连接在晶体管17的基极和集电极之间作为电感性元件。
此外，每个变容二极管9和24分别经由变容二极管耦合电容器8和23连到谐振器7。此外，由于变容二极管偏压扼流圈14和29以直流方式给变容二极管9和24的阳极提供了地电势，所以经由高频扼流线圈30加到调谐电压电源端33的电压值改变了变容二极管9和24的电容值，以改变振荡频率。
于是，在图4的电路中，两个接地的集电极振动振荡电路用一个半长度谐振器来进行振荡操作，以提供相位相互偏移180°的振荡信号，通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得它们的输出作为两个电路之间的差分信号输出。
依据此结构，直接连接振荡晶体管的集电极以消除在高频下在集电极中起到噪声源作用的阻抗元件，而不必连接通常连接在振荡晶体管的集电极之间的集电极接地电容器。结果，可提供没有诸如S/N比下降等特性的高频振荡电路。
(实施例3)图5是示出依据本发明第三实施例的高频振荡电路的电路图。在此图中，41和42是缓冲放大器晶体管；43和44是偏压电阻器；45是电容器；32是旁路电容器；39和40是高频扼流线圈；37和38是级间耦合电容器；6和22是输出耦合电容器；34是偏压电源端；15和16是高频输出端。在此情况下，振荡晶体管1是第一振荡晶体管，振荡晶体管17是第二振荡晶体管，缓冲放大器晶体管41是第一缓冲放大器晶体管，缓冲放大器晶体管42是第二缓冲放大器晶体管。其他元件与图1中的元件相同。
依据第三实施例结构的高频振荡电路如下进行操作。
在图5中，如第一实施例一样，振荡晶体管1和17构成接地的基极振动振荡电路并通过提供相位相互偏移180°的振荡信号来执行振荡操作。其输出经由级间耦合电容器37和38被缓冲放大器晶体管41和42放大，然后通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得作为差分信号输出。
缓冲放大器晶体管41和42具有接地的发射极差分放大电路的形式。作为接地电容器，在振荡频带中具有足够低阻抗的电容器45直接连接两个缓冲放大器晶体管(如在振荡晶体管1和17中)的发射极。
如上所述，通常连接在缓冲放大器晶体管和地之间的发射极接地电容器不连到安装电路板上的地线图案，而是直接连接在两个振荡晶体管的发射极之间。于是，振荡电路和缓冲放大器部分可在高频下进行差分电路操作而不使用安装电路板上的地线图案，从而提供这样一种高频振荡电路，该电路不受安装电路板上的地线图案中产生的电位差的影响，或者即使在产生外部电磁干扰时也没有诸如S/N比下降等特性。
此外，在直流偏压电路中，振荡晶体管1和17的集电极通过高频扼流圈10和25连到缓冲放大器晶体管41和42的发射极。于是，对缓冲放大器晶体管41和振荡晶体管1使用同一条集电极电流路径，同样，对缓冲放大器晶体管42和振荡晶体管17使用同一条集电极电流路径。
与使用不同电流路径把集电极电流提供给振荡和缓冲放大器晶体管的电路相比，本结构提供了一种可减少电流消耗的高频振荡电路。
图6是示出依据本发明第三实施例的高频振荡电路另一个例子的电路图。在此图中，41和42是缓冲放大器晶体管；11，26，43和44是偏压电阻器；32是旁路电容器；39和40是高频扼流线圈；37和38是级间耦合电容器；6和22是输出耦合电容器；34是偏压电源端；15和16是高频输出端。其他元件与图2中的元件相同。在此情况下，级间耦合电容器37和38是第六和第七电容器，输出耦合电容器6和22是第八和第九电容器。
依据第三实施例结构的高频振荡电路如下进行操作。
在图6中，如第一实施例一样，振荡晶体管1和17构成接地的基极振动振荡电路并通过提供相位相互偏移180°的振荡信号来执行振荡操作。其输出经由级间耦合电容器37和38被缓冲放大器晶体管41和42放大，然后通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得作为差分信号输出。
缓冲放大器晶体管41和42具有接地的发射极差分放大电路的形式。两个缓冲放大器晶体管的发射极直接连接在一起。
如上所述，不连接通常连接在两个缓冲放大器晶体管之间的发射极接地电容器，而是把两个缓冲放大器晶体管的发射极直接连接在一起，以消除在高频下在振荡电路和缓冲放大器部分中具有阻抗分量的接地电容器，从而提供没有诸如S/N比下降等特性的高频振荡电路。
此外，在直流偏压电路中，振荡晶体管1和17的集电极通过高频扼流圈10和25即第一和第二电感器连到缓冲放大器晶体管41和42的发射极。于是，对缓冲放大器晶体管41和振荡晶体管1使用同一条集电极电流路径，同样，对缓冲放大器晶体管42和振荡晶体管17使用同一条集电极电流路径。
与使用不同电流路径把集电极电流提供给振荡和缓冲放大器晶体管的电路相比，本结构提供了一种可减少电流消耗的高频振荡电路。
(实施例4)图7是示出依据本发明第四实施例的高频振荡电路的电路图。在此图中，41和42是缓冲放大器晶体管；43和44是偏压电阻器；32是旁路电容器；39和40是高频扼流线圈；37和38是级间耦合电容器；6和22是输出耦合电容器；34是偏压电源端；15和16是高频输出端。在此情况下，振荡晶体管1是第一振荡晶体管，振荡晶体管17是第二振荡晶体管，缓冲放大器晶体管41是第一缓冲放大器晶体管，缓冲放大器晶体管42是第二缓冲放大器晶体管。其他元件与图3中的元件相同。
依据第四实施例结构的高频振荡电路如下进行操作。
在图7中，如第二实施例一样，振荡晶体管1和17构成接地的集电极振动振荡电路并通过提供相位相互偏移180°的振荡信号来执行振荡操作。其输出经由级间耦合电容器37和38被缓冲放大器晶体管41和42放大，然后通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得作为差分信号输出。
缓冲放大器晶体管41和42具有接地的发射极差分放大电路的形式。用于使振荡晶体管1和17的集电极接地的电容器4也可用作缓冲放大器晶体管41和42的接地电容器。
如上所述，通常连接在缓冲放大器晶体管和地之间的发射极接地电容器不连到安装电路板上的地线图案，而是直接连接在两个振荡晶体管的发射极之间。于是，振荡电路和缓冲放大器部分可在高频下进行差分电路操作而不使用安装电路板上的地线图案，从而提供这样一种高频振荡电路，该电路不受安装电路板上的地线图案中产生的电位差的影响，或者即使在产生外部电磁干扰时也没有诸如S/N比下降等特性。
此外，在直流偏压电路中，振荡晶体管1和17的集电极连到缓冲放大器晶体管41和42的发射极。于是，对缓冲放大器晶体管41和振荡晶体管1使用同一条集电极电流路径，同样，对缓冲放大器晶体管42和振荡晶体管17使用同一条集电极电流路径。
与使用不同电流路径把集电极电流提供给振荡和缓冲放大器晶体管的电路相比，本结构提供了一种可减少电流消耗的高频振荡电路。
图8是示出依据本发明第四实施例的高频振荡电路另一个例子的电路图。在此图中，41和42是缓冲放大器晶体管；43，44，46和47是偏压电阻器；32是旁路电容器；39和40是高频扼流线圈；37和38是级间耦合电容器；6和22是输出耦合电容器；34是偏压电源端；15和16是高频输出端。其他元件与图4中的元件相同。
依据第四实施例结构的高频振荡电路如下进行操作。
在图8中，如第二实施例一样，振荡晶体管1和17构成接地的集电极振动振荡电路并通过提供相位相互偏移180°的振荡信号来执行振荡操作。其输出经由级间耦合电容器37和38被缓冲放大器晶体管41和42放大，然后通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得作为差分信号输出。
缓冲放大器晶体管41和42具有接地的发射极差分放大电路的形式。两个缓冲放大器晶体管的发射极直接连接在一起。
如上所述，不连接通常连接在两个缓冲放大器晶体管之间的发射极接地电容器，而是把两个缓冲放大器晶体管的发射极直接连接在一起，于是，可在高频下用振荡电路和缓冲放大器部分执行差分电路操作，而不使用接地电容器，从而提供没有诸如因接地电容器的阻抗而使S/N比下降等特性的高频振荡电路。
此外，在直流偏压电路中，振荡晶体管1和17的集电极连到缓冲放大器晶体管41和42的发射极。于是，对缓冲放大器晶体管41和振荡晶体管1使用同一条集电极电流路径，同样，对缓冲放大器晶体管42和振荡晶体管17使用同一条集电极电流路径。
与使用不同电流路径把集电极电流提供给振荡和缓冲放大器晶体管的电路相比，本结构提供了一种可减少电流消耗的高频振荡电路。
依据本实施例的电路结构只是示意的，有关晶体管的附加电路的结构不限于这一方面，只要两个振荡晶体管的基极或集电极直接连接在一起，而两个缓冲放大器晶体管的发射极直接连接在一起，从而不受接地电容器的阻抗影响。
(实施例5)图9是示出本发明第五实施例的高频电路的电路图。依据本实施例，相互分离地连接谐振电路56和振荡电路55。在图9中，1和17是作为第一和第二振荡晶体管的振荡晶体管；2，35，4，18，36和3是电容器；6和22是输出耦合电容器；11，12，13，26，27和28是偏压电阻器；15和16是高频输出端；10和25是高频扼流圈；34是偏压电源端；54是接地端；52和53是对谐振电路的连接点；55是作为产生负电阻的外部电路的负电阻产生集成电路。
再者，在图9中，5和21是谐振器耦合电容器；7是谐振器；8和23是变容二极管耦合电容器；9和24是变容二极管；14和29是变容二极管偏压扼流圈；30是高频扼流圈；31是旁路电容器；33是调谐电压电源端；51是接地端；56是谐振电路。分别连到电容器5和21的负电阻产生集成电路的连接点49和50是第一和第二连接点。
使用依据本发明第五实施例的结构的谐振电路的振荡电路如下进行操作。
在图9中，振荡晶体管1和17的基极经由在振荡频带中具有足够低阻抗的电容器4连接在一起。电容器2和18作为集电极-发射极的电容性元件连到晶体管1和17，选择这两个电容器的值以在振荡频带中提供最佳的S/N比。电容器35和36作为集电极-基极的电容性元件连到晶体管1和17，选择这两个电容器的值以在振荡频带中提供最佳的S/N比。此外，电容器3连接在晶体管1和17的发射极之间，选择其元件值以在振荡频带中提供最佳的S/N比。此外，经由谐振器耦合电容器5和21连接在谐振电路56中的谐振器7是其接头开路的半波谐振器。由于谐振器的中点相当于用作对地的短路点，所以谐振器7相当于经由谐振器耦合电容器5连接在晶体管1的集电极和基极之间作为电感性元件并经由电容器21连接在晶体管17的集电极和基极之间作为电感性元件。
此外，每个变容二极管9和24分别经由变容二极管耦合电容器8和23连到谐振器7。此外，由于变容二极管偏压扼流圈14和29以直流方式经接地端51给变容二极管9和24的阳极提供了地电势，所以经由高频扼流线圈30从调谐电压电源端33加给变容二极管9和24的阴极的电压值改变了变容二极管9和24的电容值，以改变振荡频率。
于是，在图9的电路中，两个接地的基极振动振荡电路用一个半长度谐振器来进行振荡操作，以提供相位相互偏移180°的振荡信号，通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得它们的输出作为两个电路之间的差分信号输出。
用IC工艺在半导体芯片上形成负电阻产生集成电路55作为集成电路。
另一方面，与负电阻产生集成电路55分开地形成谐振电路56模块，从而经由负电阻产生集成电路55的连接点49和50连到负电阻产生集成电路55中谐振电路的连接点52和53。
于是，与用于振荡电路IC的常规谐振电路相反，不把依据本实施例的谐振电路配置在形成负电阻产生电路部分的振荡电路IC上，而是设置为分离的模块。于是，构成的谐振电路的Q值因子不降低，以对振荡电路IC提供高的S/N比。
此外，当如上所述构成负电阻产生集成电路55时，通常连接在振荡晶体管和地之间的基极接地电容器和发射极-地电容器不连到安装有负电阻产生电路的电路板上的地线图案，而是直接连接在两个振荡晶体管的基极和发射极之间。于是，可在高频下执行差分振荡操作而不使用安装电路板上的地线图案，从而提供这样一种高频振荡电路，该电路不受安装电路板上的地线图案中产生的电位差的影响或者即使在产生外部电磁干扰时也没有诸如S/N比下降等特性。
只要外部负电阻产生电路是在集成电路内部形成的，则它不限于图9中的结构。
(实施例6)图10是示出本发明第六实施例的使用谐振电路的振荡电路的电路图。在该图中，1和17是作为第一和第二振荡晶体管的振荡晶体管；2，4，18和3是电容器；6和22是输出耦合电容器；11，12，13，26，27和28是偏压电阻器；15和16是高频输出端；10和25是高频扼流圈；34是偏压电源端；54是接地端；52和53是谐振电路的连接点；55是负电阻产生集成电路。
再者，在图10中，56是具有与依据上述第一实施例的谐振电路相同结构的谐振电路。
使用依据第六实施例结构的谐振电路的振荡电路如下进行操作。
在图10中，振荡晶体管1和17的集电极经由在振荡频带中具有足够低阻抗的电容器4连接在一起。电容器2和18作为基极-发射极的电容性元件连到晶体管1和17，选择这两个电容器的值以在振荡频带中提供最佳的S/N比。此外，电容器3连接在晶体管1和17的发射极之间，选择其元件值以在振荡频带中提供最佳的S/N比。此外，经由谐振器耦合电容器5和21连接在谐振电路56中的谐振器7是其接头开路的半波谐振器。由于谐振器的中点相当于用作对地的短路点，所以谐振器7相当于经由谐振器耦合电容器5连接在晶体管1的集电极和基极之间作为电感性元件并经由电容器21连接在晶体管17的集电极和基极之间作为电感性元件。
此外，每个变容二极管9和24分别经由变容二极管耦合电容器8和23连到谐振器7。此外，由于变容二极管偏压扼流圈14和29以直流方式经接地端51给变容二极管9和24的阳极提供了地电势，所以经由高频扼流线圈30从调谐电压电源端33加到变容二极管9和24的阴极的电压值改变了变容二极管9和24的电容值，以改变振荡频率。
于是，在图10的电路中，两个接地的集电极振动振荡电路用一个半长度谐振器来进行振荡操作，以提供相位相互偏移180°的振荡信号，通过输出耦合电容器6和22从高频输出端15和16之间获得它们的输出作为两个电路之间的差分信号输出。
用IC工艺在半导体芯片上形成负电阻产生集成电路55作为集成电路。
另一方面，与负电阻产生集成电路55分开地形成谐振电路56模块，从而经由负电阻产生集成电路55的连接点49和50连到负电阻产生集成电路55中谐振电路的连接点52和53。
于是，如本发明第一实施例一样，与用于振荡电路IC的常规谐振电路相反，不把依据本实施例的谐振电路配置在形成负电阻产生电路部分的振荡电路IC上，而是设置为分离的模块。于是，构成的谐振电路的Q值因子不降低，以对振荡电路IC提供高的S/N比。
此外，当如上所述构成负电阻产生集成电路55时，通常连接在振荡晶体管和地之间的集电极接地电容器和发射极-地电容器不连到安装有负电阻产生电路的电路板上的地线图案，而是直接连接在两个振荡晶体管的集电极和发射极之间。于是，可在高频下执行差分振荡操作而不使用安装电路板上的地线图案，从而提供这样一种高频振荡电路，该电路不受安装电路板上的地线图案中产生的电位差的影响或者即使在产生外部电磁干扰时也没有诸如S/N比下降等特性。
只要负电阻产生电路55即外部负电阻产生电路是在集成电路内部形成的，则它不限于图10中的结构。
图11示出使用依据第五和第六实施例的谐振电路的振荡电路的结构。在该图中，69是包括依据第五和第六实施例的负电阻产生集成电路55的IC封装。
标号70到75指IC封装连接端，它们在IC封装69的内部连到依据第五和第六实施例的负电阻产生集成电路55(连到谐振电路)的连接点52和53，IC封装连接端也连到偏压电源端34、接地端54和高频输出端15和16。
标号64指由依据第五和第六实施例的谐振电路56形成的谐振电路模块。谐振电路56的侧边65和66是由依据第五和第六实施例的谐振电路56(连到负电阻产生集成电路)的连接点49和50构成的端电极。
标号67和68表示把IC封装69中的负电阻产生集成电路连到形成谐振电路模块64的谐振电路以构成振荡电路的连接图案。
例如，通过在介电衬底上形成的条状线谐振器、包括在介电衬底的上部和下部内形成的导电图案之间耦合电容的电容器或包括在介电衬底上形成的导电图案的电感器来实现谐振电路模块64。在此情况下，较好的是介电衬底具有高Q值因子并采用层叠处理把具有高介电常数的生材板层叠而成，以提供优良的特性和小的尺寸。在介电衬底上安装作为裸露芯片的变容二极管9和24。
以上结构可把谐振电路实现成为具有高Q值因子的小型谐振电路模块，该模块连到安装在IC封装的外部电路，把负电阻产生电路部分构成IC以提供具有高的总S/N比的小型振荡电路。
(实施例7)图12是示出具有本发明第七实施例的谐振电路的振荡电路的电路图。在该图中，1和17是作为第一和第二振荡晶体管的振荡晶体管；2，35，4，18，36和3是电容器；6和22是输出耦合电容器；11，12，13，26，27和28是偏压电阻器；15和16是高频输出端；10和25是高频扼流圈；34是偏压电源端；54是接地端；5和21是谐振器耦合电容器；8和23是变容二极管耦合电容器；14和29是变容二极管偏压扼流圈；30是高频扼流圈；33是调谐电压电源端；86是接地端；81，82，83，84和85是谐振电路的连接点；57是作为用于产生负电阻的外部电路的负电阻产生集成电路。
再者，在图12中，7是谐振器；9和24是变容二极管；59，60，61，62和63是对负电阻产生集成电路的第一、第三、第四、第五和第二连接点；58是谐振电路。
连到谐振电路的负电阻产生集成电路57的连接点81，82，83，84和85分别连到谐振电路58(连到负电阻产生集成电路)的连接点59，60，61，62和63。
使用依据第七实施例以上结构的谐振电路的振荡电路，其操作与本发明第五实施例中的操作完全相同，所以省略其描述。
第七实施例与第五实施例的不同在于，配置在用IC工艺集成的负电阻产生电路57外的谐振电路58只由谐振器7和变容二极管9和24构成。
这是因为如果使用IC工艺来形成依据图9所示第五实施例的谐振电路56的元件，则谐振器7和变容二极管9和24的Q值因子的降低将明显地影响谐振电路的Q值因子。
于是，与用于振荡电路IC的常规谐振电路不同，不把依据本实施例的谐振电路配置在其中形成负电阻产生电路部分的振荡电路IC上。此外，在使用IC工艺来形成元件时，明显地受到Q值因子降低影响的谐振器和变容二极管形成与负电阻产生电路分离的模块。结果，如此构成的谐振电路可避免Q值因子的降低，从而对振荡电路IC实现高的S/N比。
此外，通过如上所述构成负电阻产生集成电路57，不把通常连接在振荡晶体管和地之间的基极接地电容器和发射极-地电容器连到其上安装有负电阻产生电路的电路板上的地线图案，而是直接连接在两个振荡晶体管的基极和发射极之间。于是，如第一实施例一样，可在高频下进行差分振荡操作而不使用安装电路板上的地线图案，从而提供这样一种高频振荡电路，该电路不受安装电路板上的地线图案中产生的电位差的影响或者即使在产生外部电磁干扰时也没有诸如S/N比下降等特性。
只要外部负电阻产生电路是在集成电路内部形成的，则它不限于图12中的结构。
(实施例8)图13是示出使用本发明第八实施例的谐振电路的振荡电路的电路图。在该图中，1和17是作为第一和第二振荡晶体管的振荡晶体管；2，4，18和3是电容器；6和22是输出耦合电容器；11，12，13，26，27和28是偏压电阻器；15和16是高频输出端；10和25是高频扼流圈；34是偏压电源端；54是接地端；5和21是谐振器耦合电容器；8和23是变容二极管耦合电容器；14和29是变容二极管偏压扼流圈；30是高频扼流圈；33是调谐电压电源端；86是接地端；81，82，83，84和85谐振电路的连接点；57是负电阻产生集成电路。
再者，在图13中，7是谐振器；9和24是变容二极管；59，60，61，62和63是对负电阻产生集成电路的第一、第三、第四、第五和第二连接点；58是谐振电路。
连到谐振电路的负电阻产生集成电路57的连接点81，82，83，84和85是分别连到谐振电路58(连到负电阻产生集成电路)的连接点59，60，61，62和63。
使用依据第八实施例的以上结构的谐振电路的振荡电路，其操作与本发明第六实施例中的操作完全相同，所以省略其描述。
第八实施例与第六实施例的不同在于，配置在用IC工艺集成的负电阻产生电路57外的谐振电路58只由谐振器7和变容二极管9和24构成。
如同第七实施例中的谐振电路58一样，这是因为如果使用IC工艺来形成依据图10所示第六实施例的谐振电路56的元件，则谐振器7和变容二极管9和24的Q值因子的降低将明显地影响谐振电路的Q值因子。
于是，与用于振荡电路IC的常规谐振电路不同，不把依据本实施例的谐振电路配置在其中形成负电阻产生电路部分的振荡电路IC上。此外，在使用IC工艺来形成元件时，明显地受到Q值因子降低影响的谐振器和变容二极管形成与负电阻产生电路分离的模块。结果，如此构成的谐振电路可避免Q值因子的降低，从而对振荡电路IC实现高的S/N比。
此外，通过如上所述构成负电阻产生集成电路57，不把通常连接在振荡晶体管和地之间的集电极接地电容器和发射极-地电容器连到其上安装有负电阻产生电路的电路板上的地线图案，而是直接连接在两个振荡晶体管的集电极和发射极之间。于是，可在高频下进行差分振荡操作而不使用安装电路板上的地线图案，从而如同第六实施例，提供这样一种高频振荡电路，该电路不受安装电路板上的地线图案中产生的电位差的影响或者即使在产生外部电磁干扰时也没有诸如S/N比下降等特性。
只要负电阻产生电路57即外部负电阻产生电路是在集成电路内部形成的，则它不限于图13中的结构。
图14示出本发明第七和第八实施例的谐振电路的结构。在该图中，95是介电衬底；7是介电衬底95上由条状线所形成的谐振器，它是波长的一半长。
标号9和24是变容二极管(裸露芯片)，其中在芯片的正面形成变容二极管的阳极端90和91，而在芯片的背面形成变容二极管的阴极端92和93。经由阴极端连接图案94(在介电衬底95上形成的导电图案)来连接两个变容二极管9和24的变容二极管的阴极端92和93。最好用具有高Q值因子和高介电常数的陶瓷衬底或玻璃来形成介电衬底，以提供优良的特性和小的尺寸。
图15示出使用本发明第七和第八实施例的谐振电路的振荡电路的一个例子的结构。在该图中，57是负电阻产生集成电路；15和16是高频输出端；33是调谐电压电源端；34是偏压电源端；54和86是接地端；81到85是谐振电路的连接点；98是谐振电路模块；7是谐振器；9和24是变容二极管；90和91是变容二极管阳极端；94是阴极端连接图案；100是焊线；96是IC封装。
图15中谐振电路的连接点81到85在IC上形成焊接区，具有与图12和13(它们是表示第七和第八实施例的电路图)中相同的标号，并经由焊线100连到谐振电路模块98，从而与图12和13所示的电路图相匹配。
此外，如图所示，把谐振电路模块98和负电阻产生集成电路57安装在IC封装中。然而，在此情况下，谐振电路部分也可形成配置在图14所示介电衬底上的谐振电路模块98，并连到负电阻产生集成电路57(即，外部电路)以构成振荡电路。
以上结构可把谐振电路实现为一个具有高Q值因子的小型谐振电路模块，该模块被安装在具有构成IC的负电阻产生电路部分的IC封装中，以提供具有高的总S/N比的小型振荡电路。
此外，图16示出使用本发明第七和第八实施例的谐振电路的振荡电路另一个例子的结构。在该图中，57是负电阻产生集成电路；15和16是高频输出端；33是调谐电压电源端；34是偏压电源端；54和86是接地端；81到85是谐振电路的连接点；7是谐振器；9和24是变容二极管；90和91是变容二极管阳极端；94是阴极端连接图案；100是焊线；97是介电衬底；99是端电极。
在图16中，介电衬底97包括其侧面和上表面镀金并具有可接合的焊接区的端电极99。
此外，谐振器为波长的一半长，其开路接头在介电衬底97上形成条状线性谐振器，变容二极管的阴极端连接图案94也由介电衬底97上的导电图案形成。
例如，通过裸露芯片把变容二极管9和24安装到阴极端连接图案94上。把负电阻产生集成电路57安装在介电衬底97上。
图16所示谐振电路的连接点81到85在IC上形成焊接区，具有与图12和13(它们是表示本发明第七和第八实施例的电路图)所示相同的标号，并经由焊线100连到谐振器7和变容二极管的阳极90和91，以与图12和13所示的电路图相匹配，从而构成一振荡电路。
此外，如图所示，高频输出端15和16、调谐电压电源端33、偏压电源端34和接地端54和86连到在介电衬底97上形成的端电极99。
在此情况下，为了保护元件，最好使介电衬底、安装在介电衬底上的负电阻产生集成电路芯片和变容二极管芯片都覆盖上密封剂。
以上结构可把谐振电路实现为具有高Q值因子的谐振电路模块，然后可把构成IC的负电阻产生电路芯片安装到构成谐振电路的介电衬底上，从而提供具有高的总S/N比的小型振荡电路。
如上所述，虽然常规技术使振荡电路与用于该振荡电路的谐振电路部分一起构成IC，但本发明把构成谐振电路部分的谐振器、变容二极管、电容器和扼流圈集成在一起而构成与构成IC并包括振荡晶体管的负电阻产生电路相分离的模块。于是，例如，由介电衬底上的条状导体来形成谐振器以提供高的Q值因子，与IC工艺不同，把常规的单一分立元件用于变容二极管也可增加Q值因子和容积比，从而实现具有高Q值因子的谐振电路。于是，结合振荡电路IC可提供具有高S/N比的振荡电路IC。
在第五到第八实施例中，如图1和2或图4和5所示来构成谐振电路，只要该电路包括谐振器和两个变容二极管，则不限制所包含的诸如电容器和线圈等其他元件。在此情况下，负电阻产生电路中可包含谐振电路中不包含的元件。
虽然第一实施例经由电容器把两个振荡晶体管的基极和发射极直接连接起来，但本发明不限于这个方面，可如图17所示经由一电容器把这两个晶体管的基极直接连接起来，或如图18所示经由一电容器只把这两个晶体管的发射极直接连接起来。在图3中，可经由一电容器而只把晶体管的集电极直接连接起来，或经由一电容器只把晶体管的发射极直接连接起来。在此情况下，可不用电容器而把基极和集电极直接连接起来。
权利要求
1.一种谐振电路，其特征在于包括长度基本上等于谐振频率处波长一半的谐振器；其阴极连接在一起的第一和第二变容二极管；对于集成电路内部形成的外部负电阻产生电路的多个连接点。
2.如权利要求1所述的谐振电路，其特征在于所述多个连接点包括第一和第二连接点，该电路包括连接在所述第一变容二极管的阳极和所述谐振器的一端之间的第一电容器；连接在所述第二变容二极管的阳极和所述谐振器另一端之间的第二电容器；串联在所述第一和第二变容二极管的阳极之间的第一和第二扼流线圈；第三和第四电容器，每个电容器的一端分别连到所述谐振器的一端，其另一端分别连到所述第一和第二连接点；第三扼流线圈，它的一端连到所述第一和第二变容二极管的阴极；连接在第三扼流线圈的另一端和所述第一和第二扼流线圈的所述串联连接点之间的第五电容器。
3.如权利要求1所述的谐振电路，其特征在于所述多个连接点包括第一到第五(五个)连接点，所述谐振器的一端连到所述第一连接点，所述谐振器的另一端连到所述第二连接点，所述第一变容二极管的阳极连到所述第三连接点，所述第一和第二变容二极管的阴极之间的连接点连到所述第四连接点，所述第二变容二极管的阳极连到所述第五连接点。
4.一种振荡电路，其特征在于包括如权利要求1、2或3所述的谐振电路，以及连到谐振电路的每个所述连接点并在集成电路内部形成的外部负电阻产生电路。
5.一种振荡电路，其特征在于包括如权利要求2所述的谐振电路；以及在集成电路内部形成的外部负电阻产生电路，所述外部负电阻产生电路具有第一振荡晶体管；连接在第一振荡晶体管的集电极和发射极之间的第一电容器；第二振荡晶体管；连接在第二振荡晶体管的集电极和发射极之间的第二电容器；第三电容器，它的一端连到所述第一振荡晶体管的集电极；第四电容器，它的一端连到所述第二振荡晶体管的集电极；连接在所述第一和第二振荡晶体管的发射极之间的第五电容器；第六电容器，它的一端连到所述第一振荡晶体管的发射极；第七电容器，它的一端连到所述第二振荡晶体管的发射极，所述第一和第二振荡晶体管的基极直接或经由其阻抗在振荡频率下低于预定值的第八电容器连接在一起，所述谐振电路的第一连接点连到所述第一振荡晶体管的集电极，所述谐振电路的第二连接点连到所述第二振荡晶体管的集电极，经由所述第六和第七电容器获得振荡输出。
6.一种振荡电路，其特征在于包括如权利要求2所述的谐振电路；以及在集成电路内部形成的外部负电阻产生电路，所述外部负电阻产生电路具有第一振荡晶体管；连接在第一振荡晶体管的基极和发射极之间的第一电容器；第二振荡晶体管；连接在第二振荡晶体管的基极和发射极之间的第二电容器；第三电容器，它的一端连到所述第一振荡晶体管的基极；第四电容器，它的一端连到所述第二振荡晶体管的基极；连接在所述第一和第二振荡晶体管的发射极之间的第五电容器；第六电容器，它的一端连到所述第一振荡晶体管的发射极；第七电容器，它的一端连到所述第二振荡晶体管的发射极，所述第一和第二振荡晶体管的集电极直接或经由其阻抗在振荡频率下低于预定值的第八电容器连接在一起，所述谐振电路的第一连接点连到所述第一振荡晶体管的基极，所述谐振电路的第二连接点连到所述第二振荡晶体管的基极，经由所述第六和第七电容器获得振荡输出。
7.如权利要求2所述的谐振电路，其特征在于所述谐振器是在介电体内部形成的条状线，所述第一到第五电容器是在所述介电体的上部和下部中所形成的导体图案的耦合电容，所述第一到第三扼流线圈是在所述介电体内形成的条状线并在所述介电体内被模块化。
8.如权利要求4、5或6所述的振荡电路，其特征在于所述外部负电阻产生电路安装在IC封装内，所述谐振电路安装在所述IC封装外。
9.如权利要求8所述的谐振电路，其特征在于由介电衬底上的条状线来形成所述谐振器，由所述介电衬底上的导体图案来形成所述第一和第二变容二极管阴极之间的连接图案，所述第一和第二变容二极管作为裸露芯片安装在所述连接图案上。
10.一种振荡电路，其特征在于包括如权利要求3所述的谐振电路；以及在集成电路内部形成的外部负电阻产生电路，所述外部负电阻产生电路具有第一振荡晶体管；第二振荡晶体管；连接在第一振荡晶体管的集电极和发射极之间的第一电容器；连接在第二振荡晶体管的集电极和发射极之间的第二电容器；连接在所述第一振荡晶体管的集电极和基极之间的第三电容器；连接在所述第二振荡晶体管的集电极和基极之间的第四电容器；连接在所述第一和第二振荡晶体管的基极之间的第五电容器；连接在所述第一和第二振荡晶体管的发射极之间的第六电容器；第七电容器，它的一端连到所述第一振荡晶体管的发射极；第八电容器，它的一端连到所述第二振荡晶体管的发射极；第九电容器，它的一端连到所述第一振荡晶体管的集电极；第十电容器，它的一端连到所述第二振荡晶体管的集电极；第十一电容器，它的一端连到所述第九电容器的另一端；第十二电容器，它的一端连到所述第十电容器的另一端；第一扼流线圈，它的一端连到所述第十一电容器的另一端；第二扼流线圈，它的一端连到所述第十二电容器的另一端，它的另一端连到所述第一扼流线圈的另一端；第三扼流线圈，所述谐振电路的第一连接点连到所述第九电容器的所述另一端，所述谐振电路的第二连接点连到所述第十电容器的所述另一端；所述谐振电路的第三连接点连到所述第一扼流线圈的所述一端；所述谐振电路的第五连接点连到所述第二扼流线圈的所述一端，所述谐振电路的第四连接点连到所述第三扼流线圈的一端，从所述第七和第八电容器的另一端之间获得差分信号输出作为振荡输出。
11.一种振荡电路，其特征在于包括如权利要求3所述的谐振电路；以及在集成电路内部形成的外部负电阻产生电路，所述外部负电阻产生电路具有第一振荡晶体管；第二振荡晶体管；连接在第一振荡晶体管的基极和发射极之间的第一电容器；连接在第二振荡晶体管的基极和发射极之间的第二电容器；连接在所述第一和第二振荡晶体管的集电极之间的第三电容器；连接在所述第一和第二振荡晶体管的发射极之间的第四电容器；第五电容器，它的一端连到所述第一振荡晶体管的发射极；第六电容器，它的一端连到所述第二振荡晶体管的发射极；第七电容器，它的一端连到所述第一振荡晶体管的基极；第八电容器，它的一端连到所述第二振荡晶体管的基极；第九电容器，它的一端连到所述第七电容器的另一端；第十电容器，它的一端连到所述第八电容器的另一端；第一扼流线圈，它的一端连到所述第九电容器的另一端；第二扼流线圈，它的一端连到所述第十电容器的另一端，它的另一端连到所述第一扼流线圈的另一端；第三扼流线圈，所述谐振电路的第一连接点连到所述第七电容器的所述另一端，所述谐振电路的第二连接点连到所述第八电容器的所述另一端；所述谐振电路的第三连接点连到所述第一扼流线圈的所述一端；所述谐振电路的第五连接点连到所述第二扼流线圈的所述一端，所述谐振电路的第四连接点连到所述第三扼流线圈的一端，从所述第五和第六电容器的另一端之间获得差分信号输出作为振荡输出。
12.如权利要求10或11所述的振荡电路，其特征在于所述外部负电阻产生电路和谐振电路安装在IC封装内。
13.如权利要求10或11所述的振荡电路，其特征在于由介电衬底上的条状线来形成所述谐振器，由所述介电衬底上的导体图案来形成所述第一和第二变容二极管的阴极之间的连接图案，所述第一和第二变容二极管作为裸露芯片安装在所述连接图案上，所述外部负电阻产生电路安装在所述介电衬底上。
全文摘要
本发明的一个目的是提供没有诸如S/N比因外部电磁干扰而降低等特性的高频振荡电路，其中第一和第二振荡晶体管的基极直接或经由在振荡频率下阻抗足够低的电容器连接在一起，从第一和第二振荡晶体管的发射极之间获得差分信号输出作为振荡输出。本发明的另一个目的是提供用于振荡电路并提供高Q值因子的谐振电路以及使用此谐振电路的高频振荡电路，以使振荡电路IC具有高的S/N比。
文档编号H03B5/12GK1495993SQ0310607
公开日2004年5月12日 申请日期1998年7月24日 优先权日1997年7月25日
发明者安藤敏晃, 坂仓真, 三浦毅, 小杉裕昭, 石田薰, 昭 申请人:松下电器产业株式会社