一种采用mosfet的驱动电路的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型公开了一种采用MOSFET的驱动电路，包括三极管Q1、电阻R1、MOS管Q4、二极管D1、电容C1和三极管Q2，所述电阻R1一端连接控制信号Vi电阻R1另一端连接三极管Q1基极，三极管Q1发射极接地，三极管Q1集电极分别连接电阻R2和电阻R3，电阻R3另一端连接三极管Q2基极，三极管Q2发射极分别连接电源VCC、电阻R2另一端和二极管D4正极，二极管D4负极连接MOS管Q4的D极，三极管Q2集电极分别连接二极管D3正极、三极管Q3基极和电阻R4。本实用新型提供一种采用电平控制MOSFET开关的驱动电路，栅?源极之间断路连接，能耗低，节能性好。
【专利说明】
一种采用MOSFET的驱动电路
技术领域
[0001 ] 本实用新型涉及一种驱动电路，具体是一种采用MOSFET的驱动电路。【背景技术】
[0002]随着现代社会科技的发展，自动控制已经深入人们的日常生活，现有的很多自动控制技术都是通过控制电源的通断来控制负载设备的开启和关闭，而控制电源通断的方案有很多种，最简单的就是通过开关元件手动控制负载开关，另外现有的一些MOSFET开关电路在M0S管的栅-源极之间加入大阻值的电阻来控制M0S管开关的方式能耗较高，本实用新型提供一种采用电平控制MOSFET开关的驱动电路，栅-源极之间断路连接，能耗低，节能性好。【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种采用MOSFET的驱动电路，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]—种采用MOSFET的驱动电路，包括三极管Q1、电阻R1、M0S管Q4、二极管D1、电容C1 和三极管Q2,所述电阻R1—端连接控制信号Vi电阻R1另一端连接三极管Q1基极，三极管Q1 发射极接地，三极管Q1集电极分别连接电阻R2和电阻R3，电阻R3另一端连接三极管Q2基极， 三极管Q2发射极分别连接电源VCC、电阻R2另一端和二极管D4正极，二极管D4负极连接M0S 管Q4的D极，三极管Q2集电极分别连接二极管D3正极、三极管Q3基极和电阻R4,电阻R4另一端分别连接三极管Q3集电极、二极管D2负极和电阻R6,二极管D2正极连接二极管D1正极，二极管D1负极分别连接电容C1、电阻R5、电阻R6另一端和M0S管Q4的G极，电阻R5另一端连接二极管D3负极，电容C1另一端连接三极管Q3发射极，M0S管Q4的S极连接输出端Vo。
[0006]作为本实用新型进一步的方案:所述二极管D1为稳压二极管。
[0007]作为本实用新型再进一步的方案:所述电源VCC电压为12V。
[0008]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型提供一种采用电平控制 MOSFET开关的驱动电路，栅-源极之间断路连接，能耗低，节能性好。【附图说明】
[0009]图1为采用MOSFET的驱动电路的电路图。【具体实施方式】
[0010]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0011]请参阅图1，本实用新型实施例中，一种采用M0SFET的驱动电路，包括三极管Q1、电阻R1、M0S管Q4、二极管D1、电容C1和三极管Q2,所述电阻R1—端连接控制信号Vi电阻R1另一端连接三极管Q1基极，三极管Q1发射极接地，三极管Q1集电极分别连接电阻R2和电阻R3,电阻R3另一端连接三极管Q2基极，三极管Q2发射极分别连接电源VCC、电阻R2另一端和二极管 D4正极，二极管D4负极连接M0S管Q4的D极，三极管Q2集电极分别连接二极管D3正极、三极管 Q3基极和电阻R4,电阻R4另一端分别连接三极管Q3集电极、二极管D2负极和电阻R6,二极管 D2正极连接二极管D1正极，二极管D1负极分别连接电容C1、电阻R5、电阻R6另一端和M0S管 Q4的G极，电阻R5另一端连接二极管D3负极，电容C1另一端连接三极管Q3发射极，M0S管Q4的 S极连接输出端Vo;所述二极管D1为稳压二极管;所述电源VCC电压为12V。[0〇12] 请参阅图1，控制信号Vi为高电平时，Q1和Q2导通，电源通过Q2、D4以及R5与C1向Q4 放电，直至Q4完全导通，Q3截止，当Q4导通时，忽略Q4的漏极和源极之间的电压降，则Q4的源极电压等于电源VCC电压;控制信号Vi为低电平时，Q1和Q2均截止，Q3导通，Q4的栅-源极电压通过R5与C1的及Q3迅速释放，直至Q4关断，Q4关断时，电阻R6使其栅-源电压为零，0V的栅-源极电压使Q4关断。
[0013]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0014]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种采用MOSFET的驱动电路，包括三极管Q1、电阻R1、M0S管Q4、二极管D1、电容Cl和 三极管Q2,其特征在于，所述电阻R1—端连接控制信号Vi电阻R1另一端连接三极管Q1基极， 三极管Q1发射极接地，三极管Q1集电极分别连接电阻R2和电阻R3,电阻R3另一端连接三极 管Q2基极，三极管Q2发射极分别连接电源VCC、电阻R2另一端和二极管D4正极，二极管D4负 极连接M0S管Q4的D极，三极管Q2集电极分别连接二极管D3正极、三极管Q3基极和电阻R4,电 阻R4另一端分别连接三极管Q3集电极、二极管D2负极和电阻R6,二极管D2正极连接二极管 D1正极，二极管D1负极分别连接电容C1、电阻R5、电阻R6另一端和M0S管Q4的G极，电阻R5另 一端连接二极管D3负极，电容C1另一端连接三极管Q3发射极，M0S管Q4的S极连接输出端Vo。2.根据权利要求1所述的采用MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述二极管D1为稳压二 极管。3.根据权利要求1所述的采用MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述电源VCC电压为 12V〇
【文档编号】H02M1/08GK205622490SQ201620348127
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2016年4月20日
【发明人】唐晨光
【申请人】唐晨光