一种超高精度过功率补偿电路的利记博彩app
【专利摘要】本发明公开了一种超高精度过功率补偿电路，包括斜波电压发生器电路，时间参数设置电路，斜波电压采样保持电路，斜波电压补偿电路和过功率点比较电路，斜波电压发生器电路、斜波电压采样保持电路，斜波电压补偿电路和过功率点比较电路顺序连接，时间参数设置电路与斜波电压发生器电路和斜波电压补偿电路连接，斜波电压发生器电路、斜波电压采样保持电路和斜波电压补偿电路外接开关电源控制单元输出的PWM信号，过功率点比较电路外接开关电源控制单元的CS端口。将本发明所述超高精度过功率补偿电路应用于开关电源中，可以合理地改变不同输入电压下变压器初级线圈峰值电流的阈值电压，从而弥补了不同输入电压下最大输入功率点不同带来的影响。
【专利说明】
-种超高精度过功率补偿电路
技术领域
[0001] 本发明设及电子电路技术领域，尤其设及一种应用于开关电源的超高精度过功率 补偿电路。
【背景技术】
[0002] 随着电子产品消费强劲的需求W及各种电子产品的更新换代，对电源模块的要求 也越来越高。电源模块通常为功能模块提供恒定的电压或恒定的电流，W保证它们稳定的 工作。
[0003] 在全范围交流输入条件下，不管是高精度的输出功率，还是高精度的输出电流，都 要求在高或者低的交流输入条件下流过变压器初级电感峰值电流差异必须尽量小。为了方 便说明，假设系统工作在非连续模式（DCM)。在理想状态下，变压器初级电感电流流过导通 的功率管W后，经采样电阻将动作电压传输到控制忍片CS端口，当CS检测到当前采样电压 数值达到阔值电压后，马上控制功率管关断，变压器初级电感峰值电流由如下公 式决定：
实际工作中，当CS检测到当前采样电压数值达到阔值电压后，内部控制信号 关断功率管存在延迟时间。延迟时间主要由内部逻辑信号的延时和输出功率管栅电容引起 的延时组成，假设总的延迟时间为Td,因此实际的变压器初级电感峰值电流为：
:忍片内部设定的用于控制变压器初级电感峰值电流的阔值电压； :忍片CS端口到地的采样电阻值； ?:交流输入电压经过桥式整流电路W后的电压值； 1||:变压器初级电感量； ||激：功率管开始导通到CS端电压达到燃惠电压所对应的时间； l|:cs电压达到f|嫁泳W后，从发出控制信号到实际关断功率管的延迟时间； 实际的变压器初级电感峰值电流； P馈弦:系统输出功率； X:控制忍片工作频率； f:系统工作效率； 从公式（2)和（3)中可W看出：变压器初级电感峰值电流和系统输出功率都随着|||、 ?和胃的变化而变化。假定胃时间是固定的，如果flSi燃粟保持不变，很明显地可W看到高 输入交流电压条件下满議大，低输入交流电压条件下庐沒滋小。应用在大功率电源系统中， 运种差异更加明显。
[0004] 由上述可知，需要对变压器初级电感峰值电流的阔值电压进行补偿，让其在高输 入交流电压时偏小，在低输入交流电压时偏大，运样才能保证在不同的交流输入电压下过 功率点趋于一致。
【发明内容】
[0005] 针对上述技术问题，本发明的目的在于提供一种超高精度过功率补偿电路，将该 电路应用于开关电源中，能够合理地改变不同输入电压下变压器初级电感峰值电流的阔值 电压，从而弥补了不同输入电压下最大输入功率点不同带来的影响，避免了高输入电压时 系统过功率保护点过大带来的危害。
[0006] 为达此目的，本发明采用W下技术方案： 一种超高精度过功率补偿电路，包括：斜波电压发生器电路，时间参数设置电路，斜波 电压采样保持电路，斜波电压补偿电路和过功率点比较电路； 所述斜波电压发生器电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号和时间参数设置 电路输出的比较结果，用于根据PWM信号和时间参数设置电路输出的比较结果生成相应的 斜波电压； 所述时间参数设置电路，与斜波电压发生器电路和斜波电压补偿电路电连接，用于比 较斜波电压和预设的电压数值，并将比较的结果输出到斜波电压发生器电路，同时，根据比 较的结果生成触发信号发送到斜波电压补偿电路； 所述斜波电压采样保持电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与斜波 电压发生器电路和斜波电压补偿电路电连接，用于对PWM信号导通时产生的斜波电压峰值 进行采样和保持，并将其输出到斜波电压补偿电路； 所述斜波电压补偿电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与过功率点 比较电路电连接，用于比较PWM信号和时间参数设置电路生成的触发信号，结合斜波电压 采样保持电路输出的斜波电压峰值，进而生成相应地补偿电压； 所述过功率点比较电路，外接开关电源的控制单元的CS端口，用于比较斜波电压补偿 电路生成的补偿电压和开关电源的控制单元的CS端口电压，进而生成关闭PWM的逻辑电 平信号。
[0007] 特别的，所述斜波电压发生器电路包括第一与非口、第一非Π ，第一电流源、第一 PM0S晶体管、第一 NM0S晶体管、和第一电容，所述第一与非口输入端分别连接PWM信号和时 间参数设置电路，输出端连接第一 PM0S晶体管栅极；所述第一电流源正极外接电源，负极 连接第一 PM0S晶体管源极；所述第一 PM0S晶体管漏极经第一电容接地；所述第一非口输 入端连接PWM信号，输出端连接第一 NM0S晶体管栅极；所述第一 NM0S晶体管源极接地，漏 极连接第一 PM0S晶体管漏极；所述第一 PM0S晶体管漏极与第一 NM0S晶体管漏极公共端做 为斜波电压发生器电路输出端，输出斜波电压到时间参数设置电路和斜波电压采样保持电 路。
[000引特别的，所述时间参数设置电路包括第一比较器和D触发器，所述第一比较器正 输入端预设合适的固定电压值，负输入端连接斜波电压发生器电路输出端，输出端同时连 接D触发器控制端和斜波电压发生器电路，输出ctra信号；所述D触发器D端外接电源，清 零端连接L邸前沿消隐信号，正输出端做为时间参数设置电路输出端连接斜波电压补偿电 路。
[0009] 特别的，所述斜波电压采样保持电路包括延时器、第二NM0S晶体管、第Ξ NM0S晶 体管、第二电容、第Ξ电容和第一运算放大器，所述延时器输入端外接PWM信号，输出端连 接第Ξ NM0S晶体管栅极；所述第二NM0S晶体管栅极连接PWM信号，漏极连接斜波电压发生 器电路输出端；所述第二NM0S晶体管源极与第Ξ NM0S晶体管漏极均经第二电容接地；所 述第Ξ NM0S晶体管源极经第Ξ电容接地；所述第一运算放大器正输入端连接第Ξ NM0S晶 体管源极，输出端与负输入端相连形成负反馈，做为斜波电压采样保持电路输出端。
[0010] 特别的，所述斜波电压补偿电路包括第二与非口，第二非口，第四NM0S晶体管，第 五NM0S晶体管、第二电流源、第四电容、第五电容和第二运算放大器，所述第二与非口输入 端连接PWM信号和时间参数设置电路输出端，输出端连接第四NM0S晶体管栅极；所述第四 NM0S晶体管漏极连接斜波电压采样保持电路输出端，源极连接第五NM0S晶体管漏极；所述 第二非口输入端连接第二与非口输出端，输出端连接第五NM0S晶体管栅极；所述第五MN0S 晶体管源极经第二电流源接地，漏极经第四电容接地；所述第二运算放大器正输入端连接 第五MN0S晶体管漏极，负输入端经第五电容接地，输出端与负输入端相连形成负反馈，做 为斜波电压补偿电路输出端。
[0011] 特别的，所述过功率电比较电路包括第二比较器，所述第二比较器正输入端连接 斜波电压补偿电路输出端，负输入端外接开关电源的控制单元的CS端口电压输出端，输出 端输出用于关闭PWM的逻辑电平信号。
[0012] 本发明提出的超高精度过功率补偿电路应用于开关电源中，斜波电压发生器电路 根据PWM信号和时间参数设置电路输出的比较结果生成相应的斜波电压，经斜波电压采样 保持电路对斜波电压峰值进行采样和保持，并输出到斜波电压补偿电路，斜波电压补偿电 路比较PWM信号和时间参数设置电路生成的触发信号，结合斜波电压采样保持电路输出的 斜波电压峰值，进而生成相应地补偿电压，功率点比较电路比较斜波电压补偿电路生成的 补偿电压和开关电源的控制单元的CS端口电压，进而生成关闭PWM的逻辑电平信号。结合 高交流电压输入条件下，PWM导通时间短；低交流电压输入条件下，PWM导通时间长的开关 电源特性，从而实现在高交流电压输入条件下变压器初级电感峰值电流的阔值电压低，低 交流电压输入条件下变压器初级电感峰值电流的阔值电压高，合理地改变不同输入电压下 的变压器初级电感峰值电流的阔值电压，从而弥补了不同输入电压下最大输入功率点不同 带来的影响，避免了高输入电压时系统过功率保护点过大带来的危害。
【附图说明】
[0013] 图1是本发明实施例提供的超高精度过功率补偿电路的结构框图。
[0014] 图2是本发明实施例提供的超高精度过功率补偿电路的电路结构示意图。
[0015] 图3是本发明实施例提供的超高精度过功率补偿电路的时序信号关系图。
【具体实施方式】
[0016] 下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可W理解的是，此处所描述的具 体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描 述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容，除非另有定义，本文所使用的所有 的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在 本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发 明。本文所使用的术语"及/或"包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0017] 实施例一 请参照图1、2所示，图1为本发明实施例提供的超高精度过功率补偿电路的结构框图。 图2为本发明实施例提供的超高精度过功率补偿电路的电路结构示意图。
[0018] 本实施例中，超高精度过功率补偿电路包括斜波电压发生器电路101、时间参数设 置电路102、斜波电压采样保持电路103、斜波电压补偿电路104和过功率点比较电路105。
[0019] 所述斜波电压发生器电路101外接开关电源的控制单元输出的PWM信号和时间 参数设置电路102输出的比较结果，用于根据PWM信号和时间参数设置电路102输出的比 较结果生成相应的斜波电压，具体包括：第一与非口 A1、第一非口 A2,第一电流源II、第一 PM0S晶体管PM1、第一 NM0S晶体管醒1、和第一电容C1，所述第一与非口 A1的输入端分别 连接PWM信号和时间参数设置电路，输出端连接第一 PM0S晶体管PM1的栅极；所述第一电 流源II的正极外接电源，负极连接第一 PM0S晶体管PM1的源极；所述第一 PM0S晶体管PM1 的漏极经第一电容C1接地；所述第一非口 A2的输入端连接PWM信号，输出端连接第一 NM0S 晶体管醒1的栅极；所述第一 NM0S晶体管醒1的源极接地，漏极连接第一 PM0S晶体管PM1 的漏极；所述第一 PM0S晶体管PM1的漏极与第一 NM0S晶体管醒1的漏极公共端做为斜波 电压发生器电路101的输出端，输出斜波电压到时间参数设置电路102和斜波电压采样保 持电路103。
[0020] 斜波电压发生器电路101中，当时间参数设置电路102输出的比较结果ctra处于 高电平，PWM导通时，第一 PM0S晶体管PM1导通，第一电容C1充电；当ctra处于低电平时， 第一 PM0S晶体管PM1关断，第一电容C1上电压维持；直至PWM关断，第一 NM0S晶体管醒1 导通，第一电容C1放电到零电压。第一电容C1上产生的电压V_saw作为斜波电压输出。 若PWM导通时间长，则第一电容C1充电产生的斜波电压V_saw上升到内部固定设置的电压 Vset时，ctra处于低电平，第一电容C1上电压维持在Vset，直至PWM关断，第一电容C1放 电；若PWM导通时间短，则第一电容C1上产生斜波电压V_saw没有上升到Vset时，PWM关 断，则斜波电压V_saw峰值小于固定Vset，具体受到PWM导通时间控制。
[0021] 所述时间参数设置电路102与斜波电压发生器电路101和斜波电压补偿电路104 电连接，用于比较斜波电压和预设的电压数值，并将比较的结果输出到斜波电压发生器电 路101，同时，根据比较的结果生成触发信号发送到斜波电压补偿电路104,具体包括：第一 比较器C0MP1和D触发器，所述第一比较器C0MP1的正输入端预设合适的固定电压值Vset， 负输入端连接斜波电压发生器电路101输出端，输出端同时连接D触发器的控制端和斜波 电压发生器电路101中第一与非口 A1的输入端，输出ctra信号；所述D触发器采用下降沿 触发，D端外接电源，清零端连接L邸前沿消隐信号，正输出端作为时间参数设置电路102输 出端连接斜波电压补偿电路104。
[002引时间参数设置电路102中，随着PWM导通时间推移，斜波电压V_saw逐渐升高，当 V_saw峰值电压大于预设的固定电压Vset时，第一比较器COMP1输出信号Ctra从高电平变 成低电平，进而触发D触发器的输出端TIME_A变成电源电压信号，也就是高电平。上述可 知，设置固定电压Vset的值，既能错位住斜波电压V_saw的峰值，又设置TIME_A得大小。
[0023] 所述斜波电压采样保持电路103外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时 与斜波电压发生器电路101和斜波电压补偿电路104电连接，用于对PWM信号导通时产生 的斜波电压峰值进行采样和保持，并将其输出到斜波电压补偿电路104,具体包括：延时器 T1、第二NM0S晶体管醒2、第Ξ NM0S晶体管醒3、第二电容C0MP2、第Ξ电容C3和第一运算 放大器0P1，所述延时器T1输入端连接PWM信号，输出端连接第Ξ NM0S晶体管醒3的栅极； 所述第二NM0S晶体管醒2的栅极连接PWM信号，漏极连接斜波电压发生器电路101的输出 端；所述第二NM0S晶体管NM2的源极与第Ξ NM0S晶体管NM3的漏极均经第二电容C0MP2 接地；所述第SNM0S晶体管醒3的源极经第Ξ电容C3接地；所述第一运算放大器0P1的正 输入端连接第Ξ NM0S晶体管醒3的源极，输出端与负输入端相连形成负反馈，做为斜波电 压采样保持电路103的输出端。
[0024] 斜波电压采样保持电路103中，在PWM上一个导通时间内，第二NM0S晶体管醒2导 通，将斜波电压V_saw传递给第二电容C0MP2上，当PWM关断，虽然斜波电压V_saw被瞬间 拉低到零，但由于第二NM0S晶体管NM2也同时关断，故当PWM关断时第二电容C0MP2上电 压可W保持住PWM导通时产生的斜波电压V_saw的峰值；同时，当PWM关断时，延时器T1导 通，延时器T1在PWM信号每个下降沿产生一个10化左右的高脉冲Ctrb信号，高脉冲信号 Ctrb将第Ξ NM0S晶体管醒3导通来采样第二电容C0MP2上的电压，故第Ξ电容C3上产生 的电压为PWM关断时、PWM上一个导通时间内产生的斜波电压V_saw峰值，定义为V_sawb。 V_sawb通过第一运算放大器0P1跟随到第一运算放大器0P1的负端，定义为V_sawc，作为 斜波电压采样保持电路103输出电压输出到所述斜波电压补偿电路104。
[0025] 所述斜波电压补偿电路104外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与过 功率点比较电路105电连接，用于比较PWM信号和时间参数设置电路102生成的触发信号， 结合斜波电压采样保持电路103输出的斜波电压峰值，进而生成相应地补偿电压，具体包 括：第二与非口 A3,第二非口 A4,第四NM0S晶体管NM4,第五NM0S晶体管醒5、第二电流源 12、第四电容C4、第五电容巧和第二运算放大器0P2，所述第二与非口 A3的输入端连接PWM 信号和时间参数设置电路102中D触发器的输出端，输出端连接第四NM0S晶体管NM4的栅 极；所述第四NM0S晶体管NM4的漏极连接斜波电压采样保持电路103的输出端，源极连接 第五NM0S晶体管醒5的漏极；所述第二非口 A4的输入端连接第二与非口 A3的输出端，输 出端连接第五NM0S晶体管醒5的栅极；所述第五MN0S晶体管醒5的源极经第二电流源12 接地，漏极经第四电容C4接地；所述第二运算放大器0P2的正输入端连接第五MN0S晶体管 醒5的漏极，负输入端经第五电容巧接地，输出端与负输入端相连形成负反馈，做为斜波电 压补偿电路104的输出端。
[0026] 斜波补偿电路104中，PWM和接第二与非口 A3的输入端，判断PWM导通 时间是否大于设置时间TIME_A。若PWM导通时间小于TIME_A，则第四NM0S晶体管NM4导 通，将斜波电压采样保持电路103输出的电压V_sawc传递给第四电容C4 ;若PWM开启时间 大于TIEM_A，则在TIEM_A时间内，第四NMOS晶体管NM4导通，将斜波电压采样保持电路103 输出的电压V_sawc传递给第四电容C4,在PWM开启时间大于TIME_A的时间，第四NM0S晶 体管NM4关断，第五NM0S晶体管醒5导通，第四电容C4上的电压又W固定的斜率下降，电 压下降的斜率受到第二电流源12的控制。第四电容C4上产生的电压定义为V_sawd，通过 第二运算放大器0P2跟随到第二运算放大器0P2的负端，定义为V_ocp，作为补偿电压输出 到过功率点比较电路105。
[0027] 所述过功率点比较电路105外接开关电源的控制单元的CS端口，用于比较斜波电 压补偿电路104生成的补偿电压和开关电源的控制单元的CS端口电压，进而生成用于关闭 PWM的逻辑电平信号，具体包括：第二比较器C0MP2,所述第二比较器C0MP2的正输入端连 接斜波电压补偿电路104的输出端，负输入端外接开关电源的控制单元的CS端口电压输出 端，输出端输出关闭PWM的逻辑电平信号。
[002引过功率点比较电路105中，比较斜波电压补偿电路105输出的补偿电压V_ocp和 开关电源的控制电源的CS端口电压Vcs，若Vcs上升到V_ocp，则第二比较器C0MP2输出信 号GATEJFF为低电平，进而关断PWM信号。
[0029] 本实施例中，超高精度过功率补偿电路的工作原理为： 在高交流电压输入条件下，根据开关电源特性可知PWM导通时间短，如附图3中时序图 所示，PWM导通时间为T0N_B，斜波电压的V_saw峰值上升到预设固定电压值Vset的时间 为T0N_A，T0N_B小于T0N_A。上述情况下，PWM导通、ctra信号为高电平时，第一 PM0S晶 体管PM1导通，第一电容C1充电，生成斜波电压V_saw，V_saw经导通的第二NM0S晶体管 醒2传递到第二电容C2 ;PWM关断时，第一 NM0S晶体管醒1导通，第一电容C1断电，斜波电 压V_saw被拉为零。但同时第二NM0S晶体管醒2关断，故第二电容C2上的电压在PWM关 断时不会降低，会始终保持PWM上一个导通时间内斜波电压V_saw达到的峰值电压。PWM关 断时，经延时器T1产生一个10化S的TIME_B高脉冲信号，该高脉冲信号使第Ξ NM0S晶体 管醒3导通，采样到PWM关断时的第二电容C2上的电压，传递至第Ξ电容C3上，该电压定 义为V_sawb。V_sawb通过第一运算放大器0P1跟随到第一运算放大器0P1的负端，定义为 V_sawc。因 T0N_B小于T0N_A，故第四NM0S晶体管NM4导通，V_sawc经导通的第四NM0S晶 体管NM4传递到第四电容C4,该电压定义为V_sawd。V_sawd通过第二运算放大器0P2跟随 到第二运算放大器0P2的负端，定义为￥_〇〇9,作为补偿电压输出到过功率点比较电路105。 其中，因 T0N_B小于T0N_A，斜波电压V_saw峰值小于预设的固定电压Vset，ctra信号一直 为高电平，斜波电压V_saw峰值只受PWM导通时间T0N_B控制。补偿电压V_ocp与V_sawa、 V_saw b、V_sawc相等，为PWM上一个导通时间内斜波电压V_saw达到的峰值，小于预设固 定电压值Vset，只与PWM导通时间T0N_B有关，如图3时序图中前Ξ个波形所示。
[0030] 在低交流电压输入条件下，根据开关电源特性可知PWM导通时间长，如附图3中时 序图所示，PWM导通时间为T0N_C，斜波电压V_saw的峰值上升到预设固定电压值Vset的时 间为T0N_A，T0N_C大于T0N_A。上述情况下，PWM导通、ctra信号为高电平时，第一 PM0S晶 体管PM1导通，第一电容C1充电，生成斜波电压V_saw，当斜波电压V_saw峰值上升至预 设的固定电压Vset时，ctra信号变成低电平，第一 PM0S晶体管PM1关断，第一电容C1上的 电压保持为Vset，故V_saw峰值为Vset。Vset经导通的第二NM0S晶体管NM2传递到第二 电容C2。如图3时序图中后两个波形所示。同时，当斜波电压V_saw峰值上升至预设的固 定电压Vset时，ctra信号变成低电平，进而D触发器的输出端TIME_A变成高电平。此时， 第四NMOS晶体管NM4关断，第五NMOS晶体管醒5导通，第四电容C4放电，第四电容C4上 的电压下降，补偿电压V_〇cp下降。需要注意的是放电电流源电流值需小于充电电流源电 流值，保证放电斜率小于充电斜率。如图3时序图可W看出，TON_C比TON_A大的越多，贝U 第四电容C4放电时间越长，VD电压越小，通过第二运算放大器0P2跟随过去的电压V_ocp 也就越小。当PWM关断时，经延时器T1产生一个10化S的TIME_B高脉冲信号，该高脉冲信 号使第Ξ NMOS晶体管醒3导通，采样到PWM关断时的第二电容C2上的电压，传递至第Ξ电 容C3上，该电压定义为V_sawb。V_sawb通过第一运算放大器OP1跟随到第一运算放大器 OP1的负端，定义为V_sawc。因 PWM关断，故第四NMOS晶体管NM4导通，V_sawc经导通的 第四NMOS晶体管NM4传递到第四电容C4,该电压定义为V_sawd。V_sawd通过第二运算放 大器OP2跟随到第二运算放大器OP2的负端，定义为V_ocp，作为补偿电压输出到过功率点 比较电路105。其中，斜波电压V_saw峰值为预设的固定电压Vset，故补偿电压V_ocp为 PWM上一个导通时间内斜波电压V_saw达到的峰值，即Vset。
[0031] 运样就形成了如图3所示的曲线，T0N_A为拐点。通过调整Vset电压来控制T0N_ A，通过调整第二电流源12的电流控制下降斜率，就能非常精确地实现不同交流输入条件 下的过功率点。
[0032] 上述描述可知，在高交流电压输入条件下的Vocp电压数值低于在低交流电压输 入条件下的电压数值，将该Vocp电压作为变压器初级线圈峰值电流的阔值电压，通过过功 率点比较电路105与开关电源的控制单元的CS端口电压相比较，获得GATEJFF信号，当发 生过功率保护时，GATE_0FF触发关断PWM信号。从而实现在高交流电压输入条件下变压器 初级线圈峰值电流的阔值电压低，低交流电压输入条件下变压器初级线圈峰值电流的阔值 电压高，合理地改变不同输入电压下的变压器初级线圈峰值电流的阔值电压，从而弥补了 不同输入电压下最大输入功率点不同带来的影响，避免了高输入电压时系统过功率保护点 过大带来的危害。
[0033] 注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解， 本发明不限于运里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、 重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过W上实施例对本发明进行 了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于W上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还 可W包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1. 一种超高精度过功率补偿电路，其特征在于，包括：斜波电压发生器电路，时间参数 设置电路，斜波电压采样保持电路，斜波电压补偿电路和过功率点比较电路； 所述斜波电压发生器电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号和时间参数设置 电路输出的比较结果，用于根据PWM信号和时间参数设置电路输出的比较结果生成相应的 斜波电压； 所述时间参数设置电路，与斜波电压发生器电路和斜波电压补偿电路电连接，用于比 较斜波电压和预设的电压数值，并将比较的结果输出到斜波电压发生器电路，同时，根据比 较的结果生成触发信号发送到斜波电压补偿电路； 所述斜波电压采样保持电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与斜波 电压发生器电路和斜波电压补偿电路电连接，用于对PWM信号导通时产生的斜波电压峰值 进行采样和保持，并将其输出到斜波电压补偿电路； 所述斜波电压补偿电路，外接开关电源的控制单元输出的PWM信号，同时与过功率点 比较电路电连接，用于比较PWM信号和时间参数设置电路生成的触发信号，结合斜波电压 采样保持电路输出的斜波电压峰值，进而生成相应地补偿电压； 所述过功率点比较电路，外接开关电源的控制单元的CS端口，用于比较斜波电压补偿 电路生成的补偿电压和开关电源的控制单元的CS端口电压，进而生成关闭PWM的逻辑电 平信号。2. 根据权利要求1所述的超高精度过功率补偿电路，其特征在于，所述斜波电压发生 器电路包括第一与非门、第一非门，第一电流源、第一 PMOS晶体管、第一 NMOS晶体管、和第 一电容，所述第一与非门输入端分别连接PWM信号和时间参数设置电路，输出端连接第一 PMOS晶体管栅极；所述第一电流源正极外接电源，负极连接第一 PMOS晶体管源极；所述第 一 PMOS晶体管漏极经第一电容接地；所述第一非门输入端连接PWM信号，输出端连接第一 NMOS晶体管栅极；所述第一 NMOS晶体管源极接地，漏极连接第一 PMOS晶体管漏极；所述第 一 PMOS晶体管漏极与第一 NM0S晶体管漏极公共端做为斜波电压发生器电路输出端，输出 斜波电压到时间参数设置电路和斜波电压采样保持电路。3. 根据权利要求1所述的超高精度过功率补偿电路，其特征在于，所述时间参数设置 电路包括第一比较器和D触发器，所述第一比较器正输入端预设合适的固定电压值，负输 入端连接斜波电压发生器电路输出端，输出端同时连接D触发器控制端和斜波电压发生器 电路，输出ctra信号；所述D触发器D端外接电源，清零端连接LEB前沿消隐信号，正输出 端做为时间参数设置电路输出端连接斜波电压补偿电路。4. 根据权利要求1所述的超高精度过功率补偿电路，其特征在于，所述斜波电压采样 保持电路包括延时器、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第二电容、第三电容和第一运 算放大器，所述延时器输入端外接PWM信号，输出端连接第三NMOS晶体管栅极；所述第二 NMOS晶体管栅极连接PWM信号，漏极连接斜波电压发生器电路输出端；所述第二NMOS晶体 管源极与第三NMOS晶体管漏极均经第二电容接地；所述第三NMOS晶体管源极经第三电容 接地；所述第一运算放大器正输入端连接第三NMOS晶体管源极，输出端与负输入端相连形 成负反馈，做为斜波电压采样保持电路输出端。5. 根据权利要求1所述的超高精度过功率补偿电路，其特征在于，所述斜波电压补偿 电路包括第二与非门，第二非门，第四NMOS晶体管，第五NMOS晶体管、第二电流源、第四电 容、第五电容和第二运算放大器，所述第二与非门输入端连接PWM信号和时间参数设置电 路输出端，输出端连接第四NMOS晶体管栅极；所述第四NMOS晶体管漏极连接斜波电压采样 保持电路输出端，源极连接第五NMOS晶体管漏极；所述第二非门输入端连接第二与非门输 出端，输出端连接第五NMOS晶体管栅极；所述第五MNOS晶体管源极经第二电流源接地，漏 极经第四电容接地；所述第二运算放大器正输入端连接第五MN0S晶体管漏极，负输入端经 第五电容接地，输出端与负输入端相连形成负反馈，做为斜波电压补偿电路输出端。6.根据权利要求1所述的超高精度过功率补偿电路，其特征在于，所述过功率电比较 电路包括第二比较器，所述第二比较器正输入端连接斜波电压补偿电路输出端，负输入端 外接开关电源的控制单元的CS端口电压输出端，输出端输出用于关闭PWM的逻辑电平信 号。
【文档编号】H02M1/32GK105871184SQ201510766873
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2015年11月12日
【发明人】向磊, 吴强, 余小强, 许刚颍, 唐波
【申请人】成都启臣微电子有限公司