用于铂金通道电加热调功器的电路结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本申请属于玻璃制造领域，涉及到一种液晶玻璃基板制造过程中用于铂金通道电加热调功器的电路结构，特别是能够防止调功器的可控硅二次击穿的保护电路。
【背景技术】
[0002]在TFT-1XD玻璃基板制程中，铂金通道是连接窑炉区与成型区的一个工艺区。铂金区将窑炉区已经充分熔化的玻璃液加温并进行澄清，之后进行气氛和组分的调节，经均化、搅拌与冷却，将符合成型温度、粘度条件的玻璃液送入用于成型的马弗炉。
[0003]在铂金通道区域，优选的对玻璃液进行电加热的方法是铂金通道的直接电加热。所谓直接电加热，即将两相380V或单相220V工频交流电经调功器与低电压大电流变压器连接输至电加热负载一一铂金通道的一种电加热方式。所谓晶闸管调功器，亦称为可控硅，是一种以晶闸管为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制器件。传统的调功器一般应用于电阻性负载，且各调功器间独立工作。用于铂金通道电加热的调功器以低电压大电流的变压器为调功器负载，且变压器二次侧的电加热负载是具有较高R冷比和R热比的铂金或铂系贵金属合金，且电加热回路在变压器二次侧存在共用法兰与共用部分电加热负载现象。
[0004]由于可控硅承受过电流和过电压的能力都很差，因而在其应用的标准电路的设计中均含有过电流与过电压的保护电路。标准的保护电路包括:
[0005]在以纯感抗的变压器为调功器直接负载，而又以具有较高R冷比和R热比的铂金或铂系贵金属合金为最终负载，并且不同回路间存在共同负载的这种铂金通道电加热特有的使用条件下，标准的调功器晶闸管保护电路显然不足以起到应有的保护作用。
【发明内容】
[0006]本申请的目的是为了保证在电加热工作过程中使电加热回路具有足够的耐压能力，从而避免调功器的可控硅由于二次击穿而损坏的技术难题，设计了用于铂金通道电加热调功器的电路结构，通过在可控硅的输入和输出端并联压敏电阻的方法来提高电路的过压保护性能。
[0007]本申请为实现发明目的采用的技术方案是，用于铂金通道电加热调功器的电路结构，包括由控制调功器功率大小的可控硅、并联在可控硅输入、输出端的保护电路、变压器以及铂金通道负载组成的电加热回路，上述的保护电路的结构中增设有压敏电阻，以上压敏电阻并联在可控娃的输入、输出端。
[0008]本申请考虑到可能对调功器造成损坏的因素如下:
[0009]I)、一般在对铂金通道负载进行电加热时，采用多电加热回路共同为铂金通道负载进行加热的方式。第一电加热回路在铂金通道上产生的交流电压通过共用回路的变压器升压，在第二电加热回路调功器晶闸管两端进行叠加。由于各电加热回路相序的不确定性，叠加的结果可能造成晶闸管两端电压成倍增加，超过反复电压峰值VDRM时会导致回路B的晶闸管二次击穿。
[0010]2)、在铂金负载冷态时，未限制导通斜率电压的瞬间导通会因导通时的dIT/dt超限而将本回路或共用回路的晶闸管击穿。
[0011]根据以往的经验，在铂金通道区域因存在变压器二次侧共用负载以及调功器移相触发和低电压大电流变压器作为调功器二次侧负载以及大R冷&R热比电加热负载等实际情况，基本的调功器保护很难保障该区域电加热元件的安全。针对该区域具体情况，为了在最短的时间内(纳秒级)，对晶闸管调功元件进行可靠有效的保护，在可控硅的输入和输出端并联一个压敏电阻，压敏电阻的参数根据实际需要选取。优点是:可在铂金通道升温、运行、来电恢复以及工艺调整的情况下，对用于铂金通道区域电加热的晶闸管进行可靠有效的过电压保护。
【附图说明】
[0012]图1是本申请的具体实施电路原理图。
【具体实施方式】
[0013]用于铂金通道电加热调功器的电路结构，包括由控制调功器功率大小的可控硅S1、并联在可控硅SI输入、输出端的保护电路、变压器Tl以及铂金通道负载M组成的电加热回路，上述的保护电路的结构中增设有压敏电阻R1，以上压敏电阻Rl并联在可控硅SI的输入、输出端。
[0014]上述的压敏电阻Rl的标称电压是650?800V。
[0015]上述的压敏电阻Rl的通流容量是9000?11000A。
[0016]上述的保护电路中还设置有由电阻R3和电容Cl串联形成的标准过压保护电路。
[0017]在可控硅SI的输入端还串联有快熔保险丝Fl。
[0018]上述的电加热回路的数量是2个或2个以上，电加热回路的输出端共用铂金通道负载M。
[0019]所述的压敏电阻指的是电阻值对电压敏感的电阻器件。
【主权项】
1.用于铂金通道电加热调功器的电路结构，包括由控制调功器功率大小的可控硅(SI)、并联在可控硅(SI)输入、输出端的保护电路、变压器(Tl)以及铂金通道负载(M)组成的电加热回路，其特征在于:所述的保护电路的结构中增设有压敏电阻(R1)，以上压敏电阻(Rl)并联在可控娃(SI)的输入、输出端。2.根据权利要求1所述的用于铂金通道电加热调功器的电路结构，其特征在于:所述的压敏电阻(Rl)的标称电压是650?800V。3.根据权利要求1或2所述的用于铂金通道电加热调功器的电路结构，其特征在于:所述的压敏电阻(Rl)的通流容量是9000?11000A。
【专利摘要】用于铂金通道电加热调功器的电路结构，为了保证在电加热工作过程中使电加热回路具有足够的耐压能力，从而避免调功器的可控硅由于二次击穿而损坏的技术难题，采用的技术方案是，电路结构中包括由控制调功器功率大小的可控硅、并联在可控硅输入、输出端的保护电路、变压器以及铂金通道负载组成的电加热回路，上述的保护电路的结构中增设有压敏电阻，以上压敏电阻并联在可控硅的输入、输出端。本申请可在铂金通道升温、运行、来电恢复以及工艺调整的情况下，对用于铂金通道区域电加热的晶闸管进行可靠有效的过电压保护。
【IPC分类】H02H9/04
【公开号】CN104979815
【申请号】CN201510398213
【发明人】单云峰
【申请人】单云峰
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年6月30日