一种等离子全方位真空镀膜电源及其镀膜方法
【专利摘要】本发明公开一种等离子全方位真空镀膜电源，该电源包括连接输入电源的电路，所述电路包括滤波器、整流电路、滤波电路、直流逆变电路、高频升压变压器、二次整流电路、二次滤波电路、IGBT斩波、等离子负载以及阻抗，本发明还提供了一种实现所述等离子全方位真空镀膜电源的镀膜方法，本发明具有较高的峰值电流，最高可达到1000A，高的峰值电流可以提高等离子体的离化率，制备出的涂层更加致密、结合力更好，具有降低成本，提高效率，降低次品率的优点。
【专利说明】一种等离子全方位真空镀膜电源及其镀膜方法
【技术领域】
[0001]本发明属于等离子体表面工程【技术领域】，涉及一种等离子全方位真空镀膜电源，以及用电源镀膜的方法。
【背景技术】
[0002]等离子体表面工程技术是近几十年发展起来的技术，它对当代制造业发展起着重要的作用，尤其是在高端制造业领域。等离子全方位离子镀膜技术是等离子表面工程技术的一种，它具有诸多优势，如:在工件不需要旋转的情况下对三维工件表面实现全方位镀膜，甚至可以对管道内壁进行镀膜；制备的类金刚石涂层具有较高的硬度，一般为金刚石的20%?30%，且具有极低的摩擦系数，一般在干摩擦条件下0.05?0.1，另外，涂层还具有耐腐蚀性的特点；技术嫁接容易。为了应用于结合力要求高的领域，通常可以在PIID镀膜之前使用物理气相沉积技术进行金属打底，也可以使用技术进行等离子体注入后再进行沉积，或者使用等离子体渗氮来提高结合力；镀膜成本较低。该技术属于化学气相沉积的一种，耗费的主要是气体和电能，由于在低温下沉积，所以用电量较少，通常单次镀膜消耗100KW.h左右，而气体的费用几乎可以忽略不计。对于批量化镀膜，夹具的设计与制作费用是主要的成本。
[0003]等离子体镀膜电源是使技术能够顺利进行的关键性设备之一，输出的波形一般有偏压直流和偏压脉冲两种，由于镀膜过程是工件表面释放电子到达真空壁形成循环，工件表面为阴极，真空壁为阳极，电源输出为单向负偏压。不同的技术对于电源的要求不同，对于PIID技术而言，电压较高，一般为几千伏，峰值电流达到几百甚至上千安培，高的峰值电流有助于提高等离子体内部的离化率，使涂层的质量显著提高，等离子全方位复合镀膜技术制备类金刚石膜过程中，镀膜电源同样极其重要，电源要具备性能参数基本满足镀膜要求、所制备的涂层均一性好、智能化程度高、自我保护能力强、寿命长等特点，对于PIID技术配套的电源，目前产业化应用上仍有一些问题需要攻克，主要在以下几个方面需要改进:第一、电源具有较高的输出功率，大的峰值电流；第二、当工件表面出现微打火时，电源需要迅速判断并断开主回路，或者通过限流装置保护工件不受损伤，而后还要自动闭合主回路使镀膜继续进行；第三、电源可以释放工件表面积累的电荷，从而可以制备厚膜，满足特殊环境的需求。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服现有技术缺陷，提供一种用于产业化的等离子全方位真空镀膜电源及用其电源镀膜的方法，主要解决产业化过程中电源输出参数不匹配、镀膜质量不佳、电源容易受到冲击等问题，使电源能够更好的为产业化服务。
[0005]本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
[0006]一种等离子全方位真空镀膜电源，该电源包括连接输入电源的电路，所述电路包括滤波器、整流电路、滤波电路、直流逆变电路、高频升压变压器、二次整流电路、二次滤波电路、IGBT斩波、等离子负载以及阻抗，
[0007]所述输入电源的三相火线通过开关组接入整流电路，输入电源与开关组之间三相火线的节点分别接入滤波器；
[0008]所述整流电路由三组并联的二极管构成，每组二极管为两个串联的单体二极管，三相火线通过开关组分别接入两个串联的单体二极管之间的节点；
[0009]所述滤波电路由两个串联的放电电容构成，滤波电路与整流电路并联，在整流电路与滤波电路之间安装有并联的限流电阻和限流电阻开关；
[0010]所述直流逆变电路由两组并联的IGBT构成，每组IGBT为两个串联的单体IGBT，直流逆变电路与滤波电路并联；
[0011]所述二次整流电路由两组并联的二极管构成，每组二极管为两个串联的单体二极管；
[0012]所述高频升压变压器连接直流逆变电路与二次整流电路，其两支脚分别接入直流逆变电路的两个串联的单体IGBT之间节点，其另外两支脚分别接入二次整流电路的两个串联的单体二极管之间节点；
[0013]所述二次滤波电路由电感线圈与两个并联的电容器串联构成，二次整流电路与二次滤波电路并联，二次滤波电路通过IGBT斩波与等离子负载相连，在IGBT斩波与等离子负载之间还设置有阻抗。
[0014]所述阻抗是由一个中空铜线圈在支架上绕制的电感，配以铁氧体磁芯来增加电感量，阻抗设有电感抽头、接线端A、接线端B。
[0015]所述中空铜线圈是由两根铜管对称设置，两根铜管外侧均安装有绝缘层，内侧装有去离子冷却水，所述铜管的直径为4?8毫米，铜管壁厚为I毫米。
[0016]将输入电源通过滤波器、整流电路、滤波电路、直流逆变电路、高频升压变压器、二次整流电路、二次滤波电路、IGBT斩波的方式获得脉冲电压，采用恒压模式输出。
[0017]所述电源设计高的电流峰值，通常为800?1000A。
[0018]本发明还提供一种实现所述等离子全方位真空镀膜电源的镀膜方法，该镀膜方法具体步骤为:
[0019]真空室充气，开启电源，电源将市电380V交流转化为O?6KV方波脉冲输出；
[0020]向真空镀膜室内充入Ar气，调节节流阀，使镀膜室内的气压保持在I?3Pa ;
[0021]打开镀膜电源冷却水循环，打开镀膜电源“启动”开关，闭合开关组，电流经整流电路、限流电阻、滤波电路后对放电电容进行充电，15秒后，限流电阻开关闭合，设定清洗参数:电压为4KV，频率500?4000Hz，脉宽5?20微秒，清洗时间I?3小时，按下“开始”按钮，等离子体清洗开始；
[0022]等离子渗氮，等离子清洗完毕后，关闭Ar充气阀，打开N2充气阀，依然保持气压稳定在l_3Pa，按下电源“修改参数”按钮，设定渗氮参数:电压为4KV，频率2000?4000Hz，脉宽5?25微秒，渗氮时间30分钟，按下“开始”按钮，等离子体渗氮开始；
[0023]过渡层镀膜，等离子渗氮结束后，关闭氮气充气阀，向真空镀膜室内充入过渡层气体，所述过渡层气体选自含硅的易于挥发的液态物质、TiCl4+H2+Ar;按下电源“修改参数”按钮，设定过渡层镀膜参数:镀膜气压为1.5?3Pa，电压为6KV，频率500?4000Hz，脉宽5?20微秒，镀膜时间30分钟，按下“开始”按钮，过渡层镀膜开始，此时工件表面颜色逐渐开始变化；
[0024]类金刚石镀膜，闭过渡层气源输入阀门，开启乙炔进气阀，按下电源“修改参数”按钮，设定过渡层镀膜参数:保持真空镀膜室内的气压为1.5?3Pa，所述工件上施加4.1KV脉冲电压，频率500?2000Hz，脉宽5?20微秒，镀膜持续I?4小时，按下“开始”按钮，类金刚石镀膜开始；
[0025]关闭电源，按下电源“修改参数”按钮，将电压设定为O后，按下“开始”按钮，脉冲停止，等离子体熄灭。
[0026]本发明的有益效果:本发明等离子全方位真空镀膜电源相对于现有的电源而言，具有$父尚的峰值电流，最尚可达到1000A，尚的峰值电流可以提尚等尚子体的尚化率，制备出的涂层更加致密、结合力更好。另外，大的峰值电流可以使镀膜时装载工件的量增加，降低单位成本，提高效率。本发明等离子全方位真空镀膜电源具备打火保护的功能，这样可以在镀膜过程中最大限度降低次品率，且可以保证打火后镀膜的顺利进行。本发明等离子全方位真空镀膜电源具备工件表面释放电荷的功能，可以制备厚的涂层，可达10?20 μπι。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本发明作进一步的说明。
[0028]图1为本发明等离子全方位真空镀膜电源制造流程图；
[0029]图2为本发明控制等离子全方位真空镀膜电源的电路示意图；
[0030]图3为本发明等离子全方位真空镀膜电源水负载调试电压电流波形图；
[0031]图4为本发明等离子全方位真空镀膜电源等离子负载调试电压电流波形图；
[0032]图5是本发明等离子全方位真空镀膜电源输出端阻抗设计原理图；
[0033]图6是本发明输出端阻抗绕组铜线剖面图；
[0034]其中:1、滤波器；2、整流电路；3、滤波电路；4、直流逆变电路；5、高频升压变压器；6、二次整流电路；7、二次滤波电路；8、IGBT斩波；9、等离子负载；10、开关组；11、限流电阻开关；12、限流电阻；13、铁氧体磁芯；14、接线端A ; 15、抽头；16、接线端B ; 17、中空铜线圈；18、支架；19、去离子冷却水；20、绝缘层；21、铜管；22、阻抗；23、信号控制与反馈系统。
【具体实施方式】
[0035]如图1至6所示，一种等离子全方位真空镀膜电源，包括控制等离子全方位真空镀膜电源的电路，所述控制等离子全方位真空镀膜电源的电路还包括滤波器1、整流电路2、滤波电路3、直流逆变电路4、高频升压变压器5、二次整流电路6、二次滤波电路7、IGBT斩波8、等离子负载9，所述输入电源经滤波器1、与整流电路2相连，整流电路2与滤波电路3相连、滤波电路3与直流逆变电路4相连、直流逆变电路4与高频升压变压器5相连，高频升压变压器5与二次整流电路6相连，二次整流电路6与二次滤波电路7相连，二次滤波电路7通过IGBT斩波8与等离子负载9相连，所述在整流电路2与滤波电路3之间还安装有限流电阻12和限流电阻开关11，限流电阻12和限流电阻开关13并联，所述在电源的输出端还设置有阻抗22，所述阻抗22是由一个中空铜线圈17在支架18上绕制的电感，配以铁氧体磁芯13来增加电感量，电感量可以通过铜线圈的匝数和磁芯的伸出长短来控制，一般为300?800mH，另外，由于电感抽头15和接线端A14、接线端B16之间的线圈匝数不同，抽头15用以调节电感量阻抗的位置需要和电源阴极相连，从电子流入端开始限流，所述中空铜线圈17是由两根铜管21对称设置，在两根铜管外侧均安装有绝缘层20，在两根铜管21内侧装有去离子冷却水19，所述阻抗与水泵的距离大于8米，铜管21的直径为四至八毫米，所述铜管21壁厚为一毫米。
[0036]具体的，输入电源的三相火线A、B、C通过开关组10接入整流电路2，输入电源与开关组10之间三相火线的节点分别接入滤波器I ;整流电路2由三组并联的二极管构成，每组二极管为两个串联的单体二极管，三相火线通过开关组10分别接入两个串联的单体二极管之间的节点；滤波电路3由两个串联的放电电容构成，滤波电路3与整流电路2并联，在整流电路2与滤波电路3之间安装有并联的限流电阻12和限流电阻开关11 ;直流逆变电路4由两组并联的IGBT构成，每组IGBT为两个串联的单体IGBT，直流逆变电路4与滤波电路3并联；二次整流电路6由两组并联的二极管构成，每组二极管为两个串联的单体二极管；高频升压变压器5连接直流逆变电路4与二次整流电路6，其两支脚分别接入直流逆变电路4的两个串联的单体IGBT之间节点，其另外两支脚分别接入二次整流电路6的两个串联的单体二极管之间节点；二次滤波电路7由电感线圈与两个并联的电容器串联构成，二次整流电路6与二次滤波电路7并联，二次滤波电路7通过IGBT斩波8与等离子负载9相连，在IGBT斩波8与等离子负载9之间还设置有阻抗22，信号控制与反馈系统23与IGBT斩波8连接，与等离子负载9并联。
[0037]一种用等离子全方位真空镀膜电源镀膜的方法，所述第一步，真空室充气，开启电源，电源将市电380V交流转化为O?6KV方波脉冲输出，输出形式为单向负偏压，等离子清洗；向真空镀膜室内充入Ar气，调节节流阀，使镀膜室内的气压保持在2Pa左右，此时，打开镀膜电源冷却水循环，同时打开镀膜电源“启动”开关，此时开关组10闭合，电流经整流电路2、限流电阻12、滤波电路3后对放电电容进行充电，十五秒后，限流电阻开关11闭合，设定清洗参数:电压为4KV，频率500?4000Hz，脉宽5?20微秒，清洗时间I?3小时，按下“开始”按钮，等离子体清洗开始；第二步，等离子渗氮，等离子清洗完毕后，关闭Ar充气阀，打开N2充气阀，依然保持气压稳定在I?3Pa(优选为2Pa)，按下电源“修改参数”按钮，设定渗氮参数:电压为4KV，频率2000?4000Hz，脉宽5?25微秒，渗氮时间30分钟，按下“开始”按钮，等离子体渗氮开始；第三步，过渡层镀膜，等离子渗氮结束后，关闭氮气充气阀，向真空镀膜室内充入过渡层气体，所述过渡层气体选自含硅的易于挥发的液态物质、TiCl4+H2+Ar ;按下电源“修改参数”按钮，设定过渡层镀膜参数:镀膜气压为1.5?3Pa，电压为6KV，频率500?4000Hz，脉宽5?20微秒，镀膜时间30分钟，按下“开始”按钮，过渡层镀膜开始，此时工件表面颜色逐渐开始变化；第四步，类金刚石镀膜，关闭过渡层气源输入阀门，开启乙炔进气阀，按下电源“修改参数”按钮，设定过渡层镀膜参数:保持真空镀膜室内的气压为1.5?3Pa，所述工件上施加4.1KV脉冲电压，频率500?2000Hz，脉宽5?20微秒，镀膜持续I?4小时。按下“开始”按钮，类金刚石镀膜开始，此时工件表面颜色逐渐稳定在灰黑色，从而在工件表面沉积碳氢薄膜，即类金刚石膜?DLC涂层，第五步，关闭电源，按下电源“修改参数”按钮，将电压设定为O后，按下“开始”按钮，脉冲停止，等离子体熄灭。这样做的目的是为了防止电源在工作过程中突然中断而造成冲击。按下“停止”按钮，开关组10、限流电阻开关11断开，关闭电源，停止冷却水循环。停止相关真空设备相关操作后，镀膜完毕，所述用等离子全方位真空镀膜电源镀膜的方法，将输入电源通过滤波器1、整流电路2、滤波电路3、直流逆变电路4、高频升压变压器5、二次整流电路6、二次滤波电路7、IGBT斩波8的方式获得脉冲电压，采用恒压模式输出，所述电源设计高的电流峰值，通常为800?1000A。
[0038]如图1所示，利用等离子全方位镀膜电源镀膜的方法包括:制定电源基本参数区间、设计电源主体电路方案、绘制电路图及购买安装、水负载调试、等离子体负载调试、设计输出阻抗并调整打火保护参数、优化电源并确定最终产品。
[0039]如图2所示，利用等离子全方位镀膜电源镀膜的方法主要通过控制等离子全方位镀膜电源的电路将市电(380V)交流信号稳定的以直流脉冲的形式加载到工件表面。为了避免脉冲的不一致以及电压的衰减，项目采用整体处理，而不是分压处理的方式进行，这样可以使输出更加稳定，同时对电源的要求也更高。电源安装完毕后要进行水负载调试和等离子体负载调试过程，水负载调试主要测试电源电压电流输出波形、功率输出等基本情况，并检测电路设计的合理性和稳定性。其电压电流输出波形如图3所示，上半部分为电压波形，下半部分为电流波形，电压为3KV左右(IV = 200V)，电流为25A左右(IV = 5A)。可见，在水负载情况下，电压和电流波形均接近于方波，这是因为水负载只是相当于一个纯电阻形式，电流与电压之间保持同步。
[0040]如图4为电源在等离子体负载下调试的电压电流波形图，其中，上半部分为电压波形，下半部分为电流波形，电压输出波形接近方波，脉宽接近20微秒。电流波形类似“山峰”形式，但放电时间很长(接近75微秒)，这是因为等离子体放电是连续碰撞式放电，一个脉冲内电压加载瞬间即产生放电电流，随着时间的延长电流逐渐增大，电压消失的瞬间电流达到最大，而后电压消失的几百微秒里，电流不是马上消失，而是随着碰撞次数逐渐减少，电流逐渐衰减。
[0041]图4可以看出，电压为2.7KV左右(IV= 1KV)，电流为75A左右(1V = 5A)。结合水负载波形可以看出，在电压接近的情况下，等离子体负载的电流急剧升高，对电源冲击较大。峰值电流的大小直接与两个因素相关，即电压和装炉量。电源峰值电流设计过小，意味着较低的电压就会使电源达到极限；装炉量较大阻抗较低的情况下，峰值电流也容易达到极限，因此，合理设计峰值电流非常重要。但是，峰值电流的设计也不是越大越好，IGBT是可以控制峰值电流的元器件，它也是电源成本最高的元器件之一，因此，不切合实际的设计只为使电源成本翻番，造成利用率低下。在峰值电流设计上还要考虑到打火保护的问题，以设计500A峰值电流为例，工件表面打火的电流如果超过400A就会使其表面较大损伤，这时需要设定一个保护值((400A)，当电流达到保护值时，高于保护值的电流部分被直接切掉。此外在电源的阴极输出端与真空室高压引线之间通常会串联一个阻抗，其实就是一个可以调节电感量的可变电感。它的作用即可以抑制打火产生的巨大电流，保护工件，也可以增加输入到真空室内的功率，在没有输出阻抗的情况下，会出现当电压稍稍增加一些的情况下，峰值电流急剧上升，尤其当装炉量较大的情况下表现明显。这就意味着，峰值电流很可能很快达到电源的极限值，有效功率不能满足工件的镀膜要求。在这种情况下，电源输出端和真空室端之间的接线上加一个阻抗显得尤为重要，该阻抗通常安装在电源输出端的(?)接线端。如图5所示，该阻抗其实是一个中空铜线圈17在支架18上绕制的电感，配以铁氧体磁芯13来增加电感量，电感量可以通过铜线圈的匝数和磁芯的伸出长短来控制，一般为300?800mH，另外，由于电感抽头15和接线端A 14、接线端B 16之间的线圈匝数不同，抽头15也可以调节电感量，有时会根据需要做若干个抽头。阻抗的位置需要和电源阴极相连，从电子流入端开始限流，这样才能保证阻抗作用在脉冲的前端，达到限流效果。由于阻抗在工作过程中会产生大量的热量，传统的风冷不能满足要求，因此，阻抗需要采用中空铜管饶制，内部通有高纯去离子冷却水，为了保证安全，水泵离阻抗之间的距离不少于8m，图6为输出端阻抗中空铜线的剖面图，其中，铜管21直径为4?8_，壁厚1_，铜线外为绝缘层20，内通有冷却用的去离子水19，另外当工件表面偶尔出现一两次的打火，即实际峰值电流在短暂的几个脉冲内超过峰值电流设定值，但小于设备的峰值电流极限值，IGBT自动切掉超过设定值的部分，减少工件表面的损伤；当一两次的工件表面打火激发持续打火时，实际峰值电流仍处于设定值和极限值之间，驱动信号会使IGBT短暂切断电路I?2ms，而后打火消失，镀膜持续进行；当实际峰值电流超过电源极限值时，设备主回路直接断开，设备开始报警。使用真空镀膜镀绝缘体涂层时，工件在镀膜后期的镀膜速率会慢慢下降，这是因为附着在工件表面的正电离子没有及时获得电子，使工件表面排斥外来的正电离子。本发明采用在负偏压的每个脉冲的末端增加若干微小的(+)脉冲，如图3电压波形所示，这样可以排斥掉工件表面的正电离子，并可以中和工件表面残余的电子，使下一步的沉积继续进行，这样可以制备超硬厚膜，可以达到10?20 μ mo
【权利要求】
1.一种等离子全方位真空镀膜电源，该电源包括连接输入电源的电路，所述电路包括滤波器(I)、整流电路(2)、滤波电路(3)、直流逆变电路(4)、高频升压变压器(5)、二次整流电路(6)、二次滤波电路(7)、IGBT斩波(8)、等离子负载(9)以及阻抗(22)，其特征在于: 所述输入电源的三相火线通过开关组(10)接入整流电路(2)，输入电源与开关组(10)之间三相火线的节点分别接入滤波器(I); 所述整流电路(2)由三组并联的二极管构成，每组二极管为两个串联的单体二极管，三相火线通过开关组(10)分别接入两个串联的单体二极管之间的节点； 所述滤波电路⑶由两个串联的放电电容构成，滤波电路⑶与整流电路⑵并联，在整流电路⑵与滤波电路⑶之间安装有并联的限流电阻(12)和限流电阻开关(11); 所述直流逆变电路(4)由两组并联的IGBT构成，每组IGBT为两个串联的单体IGBT，直流逆变电路⑷与滤波电路⑶并联； 所述二次整流电路(6)由两组并联的二极管构成，每组二极管为两个串联的单体二极管； 所述高频升压变压器(5)连接直流逆变电路(4)与二次整流电路￠)，其两支脚分别接入直流逆变电路(4)的两个串联的单体IGBT之间节点，其另外两支脚分别接入二次整流电路(6)的两个串联的单体二极管之间节点； 所述二次滤波电路(X)由电感线圈与两个并联的电容器串联构成，二次整流电路(6)与二次滤波电路(7)并联，二次滤波电路(7)通过IGBT斩波⑶与等离子负载(9)相连，在IGBT斩波(8)与等离子负载(9)之间还设置有阻抗(22)。
2.根据权利要求1所述的一种等离子全方位真空镀膜电源，其特征在于，所述阻抗(22)是由一个中空铜线圈(17)在支架(18)上绕制的电感，配以铁氧体磁芯(13)来增加电感量，阻抗(22)设有电感抽头(15)、接线端A(14)、接线端B(16)。
3.根据权利要求2所述的一种等离子全方位真空镀膜电源，其特征在于，所述中空铜线圈(17)是由两根铜管(21)对称设置，两根铜管(21)外侧均安装有绝缘层(20)，内侧装有去离子冷却水(19)，所述铜管(21)的直径为4?8毫米，铜管(21)壁厚为I毫米。
4.一种实现权利要求1?3任意一项所述等离子全方位真空镀膜电源的镀膜方法，其特征在于，该镀膜方法具体步骤为: 真空室充气，开启电源，电源将市电380V交流转化为O?6KV方波脉冲输出； 向真空镀膜室内充入Ar气，调节节流阀，使镀膜室内的气压保持在I?3Pa ; 打开镀膜电源冷却水循环，打开镀膜电源“启动”开关，闭合开关组，电流经整流电路、限流电阻、滤波电路后对放电电容进行充电，15秒后，限流电阻开关闭合，设定清洗参数:电压为4KV，频率500?4000Hz，脉宽5?20微秒，清洗时间I?3小时，按下“开始”按钮，等离子体清洗开始； 等离子渗氮，等离子清洗完毕后，关闭Ar充气阀，打开N2充气阀，依然保持气压稳定在I?3Pa，按下电源“修改参数”按钮，设定渗氮参数:电压为4KV，频率2000?4000Hz，脉宽5?25微秒，渗氮时间30分钟，按下“开始”按钮，等离子体渗氮开始； 过渡层镀膜，等离子渗氮结束后，关闭氮气充气阀，向真空镀膜室内充入过渡层气体，所述过渡层气体选自含硅的易于挥发的液态物质、TiCl4+H2+Ar ; 按下电源“修改参数”按钮，设定过渡层镀膜参数:镀膜气压为1.5?3Pa，电压为6KV，频率500?4000Hz，脉宽5?20微秒，镀膜时间30分钟，按下“开始”按钮，过渡层镀膜开始，此时工件表面颜色逐渐开始变化； 类金刚石镀膜，闭过渡层气源输入阀门，开启乙炔进气阀，按下电源“修改参数”按钮，设定过渡层镀膜参数:保持真空镀膜室内的气压为1.5?3Pa，所述工件上施加4.1KV脉冲电压，频率500?2000Hz，脉宽5?20微秒，镀膜持续I?4小时，按下“开始”按钮，类金刚石镀膜开始； 关闭电源，按下电源“修改参数”按钮，将电压设定为O后，按下“开始”按钮，脉冲停止，等离子体熄灭。
【文档编号】H02M5/458GK104506048SQ201510019589
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2015年1月15日 优先权日:2015年1月15日
【发明者】李灿民, 陶满 申请人:合肥永信等离子技术有限公司