一种应用于集成电路的高压取电电路的利记博彩app
【专利摘要】本发明公开了一种应用于集成电路的高压取电电路，其包括场效应管J0、用于限流的电阻R、用于稳压的齐纳二极管Z0、MOS管N0、用于稳压的电容C、输出电压端Vreg；场效应管J0漏极与高压VPP连接，电阻R另一端、齐纳二极管Z0阴极均与MOS管N0栅极连接，输出电压端Vreg、电容C正极均与MOS管N0源极连接，场效应管J0栅极、齐纳二极管Z0阳极、电容C负极、MOS管N0衬底电极均接地GND。其中，本发明只需要场效应管J0、电阻R、齐纳二极管Z0、MOS管N0、电容C等几个简单的电子元器件构成的电路，即实现高压取电，保持输出电压恒定，电路结构简单、实用，而且电路功耗较低。
【专利说明】—种应用于集成电路的高压取电电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及高压取电电路【技术领域】，尤其涉及一种应用于集成电路的高压取电电路。
【背景技术】
[0002]集成电路是一种微型电子器件或部件，它采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。在电路设计【技术领域】，有时需要在集成电路中设置高压取电电路，例如:从几百甚至上千伏特的高压中取电。现有技术中应用于集成电路的高压取电电路，技术很复杂，电子元器件众多，不实用。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种电路结构简单的应用于集成电路的闻压取电电路。
[0004]为了实现上述目的，本发明提供一种应用于集成电路的高压取电电路，包括场效应管J0、用于限流的电阻R、用于稳压的齐纳二极管ZO、MOS管NO、用于稳压的电容C、输出电压端Vreg ；
[0005]所述场效应管JO漏极与高压VPP连接，所述电阻R —端、MOS管NO漏极均与场效应管JO源极连接，所述电阻R另一端、齐纳二极管ZO阴极均与MOS管NO栅极连接，所述输出电压端Vreg、电容C正极均与MOS管NO源极连接，所述场效应管JO栅极、齐纳二极管ZO阳极、电容C负极、MOS管NO衬底电极均接地GND。
[0006]较佳地，所述MOS管NO为NMOS管，且MOS管NO为功率管。
[0007]本发明有益效果在于:
[0008]本发明只需要场效应管J0、电阻R、齐纳二极管ZO、MOS管NO、电容C等几个简单的电子元器件构成的电路，即实现高压取电，保持输出电压恒定，电路结构简单、实用，而且电路功耗较低。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本发明的电路原理图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本发明作进一步的说明。
[0011]请参考图1，本发明应用于集成电路的高压取电电路，包括场效应管J0、用于限流的电阻R、用于稳压的齐纳二极管Z0、M0S管NO、用于稳压的电容C、输出电压端Vreg。
[0012]其中，场效应管JO漏极与高压VPP连接，电阻R—端、MOS管NO漏极均与场效应管JO源极连接，电阻R另一端、齐纳二极管ZO阴极均与MOS管NO栅极连接，输出电压端Vreg、电容C正极均与MOS管NO源极连接，场效应管JO栅极、齐纳二极管ZO阳极、电容C负极、MOS管NO衬底电极均接地GND。
[0013]在本实施例中，MOS管NO为NMOS管，且MOS管NO为功率管。
[0014]假设场效应管JO源极的电压为Vpch，MOS管NO栅极的电压为Vz，MOS管NO的阈值电压为Vthn，则本发明的具体工作原理，如下:在场效应管JO的作用下，Vpch可以在较低范围内波动，相对VPP的几百甚至上千伏特的高压而言，Vpch只有几十伏特，利用齐纳二极管ZO的击穿特性，Vz保持恒定，电阻R起到限流作用，电容C起到稳压的作用，通过MOS管NO的作用，所以输出电压Vreg=Vz-Vthn,而Vz、Vthn均为一定的，从而保持输出电压Vreg恒定。
[0015]因此，本发明只需要场效应管J0、电阻R、齐纳二极管Z0、M0S管NO、电容C等几个简单的电子元器件构成的电路，即实现高压取电，保持输出电压恒定，电路结构简单、实用，而且电路功耗较低。
[0016]最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
【权利要求】
1.一种应用于集成电路的高压取电电路，其特征在于:包括场效应管(J0)、用于限流的电阻(R)、用于稳压的齐纳二极管(ZO)、MOS管(NO)、用于稳压的电容(C)、输出电压端(Vreg)； 所述场效应管(JO)漏极与高压(VPP)连接，所述电阻(R) —端、MOS管(NO)漏极均与场效应管(JO)源极连接，所述电阻(R)另一端、齐纳二极管(ZO)阴极均与MOS管(NO)栅极连接，所述输出电压端(Vreg)、电容(C)正极均与MOS管(NO)源极连接，所述场效应管(JO)栅极、齐纳二极管(ZO )阳极、电容(C)负极、MOS管(NO )衬底电极均接地(GND )。
2.根据权利要求1所述的应用于集成电路的高压取电电路，其特征在于:所述MOS管(NO)为NMOS管，且MOS管(NO)为功率管。
【文档编号】H02M3/155GK103887969SQ201410077741
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2014年3月4日 优先权日:2014年3月4日
【发明者】刘成军 申请人:东莞博用电子科技有限公司