专利名称：一种新型漏电保护线路的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种新型漏电保护线路。
背景技术：
随着漏电断路器使用推广及人民生活水平提高，家用电器等设备增加，而家用电器普遍属于感性负载，感性负载在使用中易产生感应电动势及浪涌电压，从而要求漏电断路器对抗浪涌电压等干扰越来越强，使漏电断路器在浪涌电压情况下能可靠使用，确保漏电断路器不出现误跳现象。目前市场上漏电断路器漏电保护线路有2种，分别是分立线路、集成线路。这2种线路尽管能满足使用功能要求，但对抗浪涌电压干扰性很差，容易引起漏电断路器跳闸，因此会造成用户误认线路中有漏电而引起漏电断路器跳闸这现象，而可控硅SCR没有足够的保护线路，在感性负载的情况下，会产生极高的感应电动势，这样易引起可控硅出现炸裂及击穿现象，使漏电断路器易出现误跳及损坏的缺点。
实用新型内容针对上述的不足，本实用新型的目的是提供一种有较强的抗浪涌电压干扰的新型漏电保护线路。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种新型漏电保护线路，其包括分立线路和集成线路，所述分立线路和集成线路均包括可控硅和脱扣器线圈，所述可控硅的阳极和阴极之间并联滤波电路。所述滤波电路包括电阻和电容，所述电阻和电容串联。本实用新型的有益效果是，在原有的漏电保护电路的可控硅的阳极和阴极之间并联一个滤波电路，当负载或电网产生浪涌电压时，可以吸收了该浪涌电压，从而有效的防止了因浪涌电压引起的可控硅击穿、炸裂，使漏电断路器在使用中更可靠。
图1是本实用新型的实施例1的电路原理图。图2是本实用新型的实施例2的电路原理图。图中，SCR、可控硅，TR、脱扣器线圈，VD1、电桥，TA、线圈，Rl、R2、R3、R4、电阻，Cl、C2、C3、C4、C5、C6、C7、电容，VR、变阻器，V5、二极管。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步说明实施例1是本实用新型的分立线路，参见图1，其漏电功能工作原理图与现有的漏电保护线路的分立线路一致，属于本领域技术人员已知的技术，其工作原理当TA没有检测到漏电信号或检测到的漏电信号未达到可控硅SCR控制极与阴极动作电压值时，可控硅SCR处于断开状态，电源电压主要加在可控硅SCR阳极和阴极两端，TR脱扣器线圈不能产生足够吸力带动开关QF动作，漏电断路器处于正常工作状态。当TA检测到的漏电信号及该漏电信号达到可控硅SCR控制极与阴极动作电压值时，可控硅SCR处于导通状态，电源电压主要加在TR脱扣器线圈两端，脱扣器线圈TR产生足够的吸力带动开关QF动作，开关QF处于断电保护状态。所述可控硅SCR的控制极和阴极之间并联滤波电路，所述滤波电路为电阻R3和电容C3串联构成，当感性负载或电网产生了浪涌电压，通过R3给C3充电，吸收了该浪涌电压，从而有效防止了因浪涌电压引起可控硅击穿、炸裂，使漏电断路器在使用中更可靠。调整C3、R3的值，可以调整吸收各种浪涌电压波形，扩展了漏电断路器使用范围。实施例2是本实用新型的集成线路，参见图2，其漏电功能工作原理图与现有的漏电保护线路的集成线路一致，属于本领域技术人员已知的技术，其工作原理当TA没有检测到漏电信号或检测到的漏电信号未达动作值时则芯片IC5123的7脚保持为低电平信号，即可控硅SCR控制极为低电平信号，主要电压加在可控硅SCR阳阴极两端，漏电断路器处于正常工作状态。当TA检测到的漏电信号达动作值时则芯片IC5123的7脚输出高电平信号，即可控硅SCR控制极为高电平信号，可控硅SCR阳极和阴极导通，主要电压加在脱扣线圈TR两端，脱扣线圈产生足够大的吸力，带动开关QF动作，开关QF处于断电保护状态。所述可控硅SCR的控制极和阴极之间并联滤波电路，所述滤波电路为电阻R3和电容C3串联构成，当感性负载或电网产生了浪涌电压，通过R3给C3充电，吸收了该浪涌电压，从而有效防止了因浪涌电压引起可控硅击穿、炸裂，使漏电断路器在使用中更可靠。调整C3、R3的值，可以调整吸收各种浪涌电压波形，扩展了漏电断路器使用范围。实施例不应视为对本实用新型的限制，但任何基于本实用新型的精神所作的改进，都应在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种新型漏电保护线路，其包括分立线路和集成线路，所述分立线路和集成线路均包括可控硅SCR和脱扣器线圈TR，其特征在于所述可控硅SCR的阳极和阴极之间并联滤波电路。
2.根据权利要求1所述的一种新型漏电保护线路，其特征在于所述滤波电路包括电阻R3和电容C3，所述电阻R3和电容C3串联。
专利摘要本实用新型提供一种新型漏电保护线路，其包括分立线路和集成线路，所述分立线路和集成线路均包括可控硅和脱扣器线圈，所述可控硅的阳极和阴极之间并联滤波电路,所述滤波电路包括电阻和电容，所述电阻和电容串联。本实用新型在原有的漏电保护电路的可控硅的阳极和阴极之间并联一个滤波电路，当负载或电网产生浪涌电压时，可以吸收了该浪涌电压，从而有效的防止了因浪涌电压引起的可控硅击穿、炸裂，使漏电断路器在使用中更可靠。
文档编号H02H3/32GK202906438SQ20122061563
公开日2013年4月24日 申请日期2012年11月20日 优先权日2012年11月20日
发明者范奇文, 王昭万, 李红, 吴碧如 申请人:浙江天正电气股份有限公司