专利名称：一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及谐振驱动电路，特别涉及一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路。
背景技术：
对高压，大容量的电容进行充电、能量压缩后，再瞬间释放，这个过程所产生的脉冲在科学研究、工业CT、激光技术方面都有着广阔的应用，而这种技术的先进性很大程度上依赖于电容的充电精度。原理上电容的充电精度取决于充电平均电流的大小，电流越大，充电的精度就越低，充电电流越小，充电精度就越高。目前电容充电的逆变谐振充电电路已经比较成熟，无论是全桥还是半桥的驱动电路相对比较固定，整个谐振回路参数按照功率，开关频率一但设计完成，对电容负载充电的的精度就已经确定。如果要想近一步提高电容的充电精度的话，就需要设计两台或者多台充电平均电流比较小的充电电源，充电起始阶段，多台充电电源并联工作，充电最后阶段，利用控制只让一台或者几台电源对电容进行小电流充电，以达到提高电容的充电精度的目的，这种做法一方面是资源比较浪费，成本较高，另一方面是控制起来比较麻烦，整机利用率不高。提供一种简单的电容充电电路，以达到提高电容充电精度的目的是现有技术需要解决的问题。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路，以达到提高电容充电精度的目的。为达到上述目的，本实用新型的技术方案是，一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路，其特征在于所述的驱动电路为基准电平经过电位器RPl分压成两个基准电平后分别接入比较器Cl、C2，取样电平分别接入比较器Cl、C2 ;比较器C2通过三极管Ql依次经过电位器RP2、RP3后接入脉宽调制集成电路；比较器Cl直接接入脉宽调制集成电路，从而通过比较器Cl、C2对基准电平、取样电平进行比较后，控制脉宽调制集成电路关断，提高电容充电精度。所述的基准电平分别接入比较器Cl、C2的同相端，从而按照基准电平的比例与取样电平进行比较。所述的电位器RP2和电位器RP3为并联结构。所述的脉宽调制集成电路的型号为TL494。所述的电位器RP3接入脉宽调制集成电路的3号引脚，实现对脉宽调制集成电路驱动宽度大小的控制。一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路，由于采用上述电路结构，该电路具有以下优点1、以简单的电路结构实现提高电容充电精度的目的；2、采用较为常见的电子元件,生产成本低。以下结合附图
和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明；图I为本实用新型一种用于提闻电容充电精度的谐振驱动电路的电路图；图2为原始充电的谐振充电电流波形图；图3为本实用新型一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路的谐振充电电流波形图；在图I中，I、脉宽调制集成电路。
具体实施方式
如图I所示，本实用新型为基准电平经过电位器RPl分压成两个基准电平后分别接入比较器Cl、C2，取样电平分别接入比较器C1、C2 ;比较器C2通过三极管Ql依次经过电位器RP2、RP3后接入脉宽调制集成电路I ;比较器Cl直接接入脉宽调制集成电路1，从而通过比较器Cl、C2对基准电平、取样电平进行比较后，控制脉宽调制集成电路驱动宽度大小以及关断，提闻电容充电精度。基准电平分别接入比较器Cl、C2的同相端，从而按照基准电平的比例与取样电平进行比较。脉宽调制集成电路I的型号为TL494。电位器RP3接入脉宽调制集成电路I的3号引脚，实现对脉宽调制集成电路驱动宽度大小的控制。本实用新型将电容设定电压值的基准电平通过电位器RPl分压成两个不同的基准电平分别送到比较器Cl和比较器C2的同相端，两个不同的电平的比例关系可以通过电位器RPl调节，充电起始阶段，由于取样电平小于两个基准电平，比较器Cl和比较器C2均不翻转，电位器RP2和电位器RP3并联电阻值决定了脉宽调制集成电路I的3脚电位。当电容的充电电压达到电位器RPl所设定的值时，比较器C2发生翻转，三极管Ql导通，电位器RP2被短路，电位器RP3的阻值决定脉宽调制集成电路I的3脚电位。当电容的充电电压达到基准电平所设定的值时，比较器Cl发生翻转，脉宽调制集成电路I关断，谐振过程结束，充电完成。谐振电流经过整流滤波以后，它的大小直接决定了实际的电容充电平均电流的大小，从而影响到电容的充电精度。上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路，其特征在于所述的驱动电路为基准电平经过电位器(RPl)分压成两个基准电平后分别接入比较器(Cl、C2)，取样电平分别接入比较器(C1、C2);比较器(C2)通过三极管(Ql)经过电位器(RP2、RP3)后接入脉宽调制集成电路；比较器(Cl)直接接入脉宽调制集成电路。
2.根据权利要求I所述的一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路，其特征在于所述的基准电平分别接入比较器(C1、C2)的同相端。
3.根据权利要求I所述的一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路，其特征在于所述的电位器(RP2)和电位器(RP3)为并联结构。
4.根据权利要求I所述的一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路，其特征在于所述的脉宽调制集成电路(I)的型号为TL494。
5.根据权利要求I或4所述的一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路，其特征在于所述的电位器(RP3)接入脉宽调制集成电路⑴的3号引脚。
专利摘要本实用新型公开了一种用于提高电容充电精度的谐振驱动电路，其特征在于所述的驱动电路为基准电平经过电位器RP1分压成两个基准电平后分别接入比较器C1、C2，取样电平分别接入比较器C1、C2；比较器C2通过三极管Q1依次经过电位器RP2、RP3后接入脉宽调制集成电路；比较器C1直接接入脉宽调制集成电路，由于采用上述电路结构，该电路具有以下优点1、以简单的电路结构实现提高电容充电精度的目的；2、采用较为常见的电子元件，生产成本低。
文档编号H02M9/04GK202435305SQ20112052780
公开日2012年9月12日 申请日期2011年12月16日 优先权日2011年12月16日
发明者刘新明, 程辉, 程黎 申请人:芜湖国睿兆伏电子股份有限公司