专利名称：变电站站域集中信号预处理电路的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及的是一种电力系统技术领域的装置，具体是一种变电站站域集中信号预处理电路。
背景技术：
目前，电力系统中普遍使用的开入回路是由前端限流电阻、TVS、分压电阻，经光耦前端输入，经过光耦后端输出而构成。但是光耦器件是由发光二极管、光敏输入三极管等构成，其中发光二极管存在着物理磨损的现象，即发光二极管的发光功率会越来越小，而最终导致光敏三极管无法接受光信号，使开入信号无法正确传送。而后端的光敏输入三极管也存在着随着温度的变化而改变其输出特性，导致信号无法正确传送。另外由于光耦器件的特性，使得在生产过程中，各个光耦的特性参数差别很大，从而使得开入回路一致性变得很差，影响整个开入回路的信号采集。
实用新型内容本实用新型针对现有技术存在的上述不足，提供一种变电站站域集中信号预处理电路，具备更高的隔离电压以及无物理磨损的特点。本实用新型是通过以下技术方案实现的，本实用新型包括连接器、加速电容、限流电阻、巨阻式隔离芯片和上拉电阻，其中连接器的输出端与并联的加速电容和限流电阻相连，加速电容和限流电阻的另一端与巨阻式隔离芯片的输入端相连，巨阻式隔离芯片的输出端与连接电源的上拉电阻相连。本实用新型通过在开入回路中的前端一次侧信号电压或电流从前端子连接器引入，连接至限流电阻，同时并联一个加速电容，信号连接至巨阻式数字隔离芯片前端电感输入，由于巨阻效应的隔离，信号从该芯片的后端集电极开入门耦合出来，经上拉电阻的匹配，最终将信号电平转换后输出给后端CPU芯片处理。由于使用了具有巨阻效应的隔离芯片，而巨阻效应具有高达3000V以上的隔离电压，无物理磨损等特性，从而达到了提高开入回路的性能及可靠性。本实用新型采用了巨阻式效应隔离，带来了更高的隔离电压，无物理磨损等特点， 达到了提高开入回路采集的性能和可靠性。
图1是本实用新型示意图图。
具体实施方式
下面对本实用新型的实施例作详细说明，本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。[0009]实施例如图1所示，本实施例包括连接器1、加速电容2、限流电阻3、巨阻式隔离芯片4 和上拉电阻5，其中连接器1的输出端与并联的加速电容2和限流电阻3相连，加速电容2 和限流电阻3的另一端与巨阻式隔离芯片4的输入端相连，巨阻式隔离芯片4的输出端与连接电源的上拉电阻5相连。本实施例中所述的加速电容2取值范围为0. 01微法拉至0. 1微法拉；所述的限流电阻3取值范围为5千欧至30千欧；本实施例中的巨阻式隔离芯片4采用型号为IL610A，其内部设有前端感应线圈、 巨阻效应材料和运算放大器及推挽输出M0SFET。所述的上拉电阻5取值为4. 7千欧至10千欧。信号经限流电阻的限流及加速电容的滤波处理后，流经巨阻式隔离芯片的输入前端，经过巨阻隔离后，将该信号进一步放大后，经上拉电阻的电平匹配后输出。使用该技术之后，能达到使开入回路的没有物理磨损的现象，故可靠性更高；提供了更高的隔离电压； 以及具有更好的开入回路一致性特点，为电力系统的可靠性提供了更好的保障。
权利要求1.一种变电站站域集中信号预处理电路，其特征在于，包括连接器、加速电容、限流电阻、巨阻式隔离芯片和上拉电阻，其中连接器的输出端与并联的加速电容和限流电阻相连，加速电容和限流电阻的另一端与巨阻式隔离芯片的输入端相连，巨阻式隔离芯片的输出端与连接电源的上拉电阻相连。
2.根据权利要求1所述的变电站站域集中信号预处理电路，其特征是，所述的加速电容取值范围为0. 01微法拉至0. 1微法拉。
3.根据权利要求1所述的变电站站域集中信号预处理电路，其特征是，所述的加速电容所述的限流电阻取值范围为5千欧至30千欧。
4.根据权利要求1所述的变电站站域集中信号预处理电路，其特征是，所述的上拉电阻取值为4. 7千欧至10千欧。
5.根据权利要求1所述的变电站站域集中信号预处理电路，其特征是，所述的巨阻式隔离芯片采用型号为IL610A，其内部设有前端感应线圈、巨阻效应材料和运算放大器及推挽输出MOSFET。
专利摘要一种电力系统技术领域的变电站站域集中信号预处理电路，包括连接器、加速电容、限流电阻、巨阻式隔离芯片和上拉电阻，连接器的输出端与并联的加速电容和限流电阻相连，加速电容和限流电阻的另一端与巨阻式隔离芯片的输入端相连，巨阻式隔离芯片的输出端与连接电源的上拉电阻相连。本装置具备更高的隔离电压以及无物理磨损的特点，达到了提高开入回路采集的性能和可靠性。
文档编号H02B1/24GK202034680SQ20112015977
公开日2011年11月9日 申请日期2011年5月18日 优先权日2011年5月18日
发明者林海鹰, 茅小庆 申请人:上海思源弘瑞自动化有限公司