专利名称：低电磁干扰直流升压转换器的利记博彩app
技术领域：
本发明为一种应用于发光二极管驱动电路的改良，特别是应用于发光二极管交流转换电路及发光二极管电源供应器上。
背景技术：
应用于发光二极管电压转换器中直流对直流转换器(DC/DC Converter)，为现今一种应用于发光二极管驱动电路的改良，特别是应用于发光二极管交流转换电路及发光二极管电源供应器上。请参考图1，为现有技术的耦合电感式转换器。请参考图2及图3，于现有技术中，因金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)寄生电容(Parasitic Component)，例如闸汲电容21、闸源电容22及源汲电容23以及PCB布线线路(PCB Layout Line)或电路零件(Part)的杂散组件(Stray Component),例如杂散电感11、12，会在切换时产生震荡的电压/电流尖波(Voltage/Current Spike, AV/At,Λ i/ △ t)，此尖波不但会造成电路转换效率下降，并因含高频成份，也会产生辐射性电磁干扰(Radiation EMI)，造成线路上讯号干扰，严重时甚至导致运作停摆。由此可见，上述现有物品仍有诸多缺失，实非良好的设计，而亟待加以改良。
发明内容
本发明的目的在于利用现有技术中变更电路架构，加入二极管及电容以吸收杂散组件能量，降低电磁干扰，并可提升转换器效率，先前产品转换效率约为85 90%，发明可提升转换效率至90%以上。本发明为低电磁干扰直流升压转换器，包括独立电压源，该独立电压源负端接地；第一电容，该电容一端与该独立电压源正端于点界接，该电容另一端接地；耦合电感一次绕组，该耦合电感一次绕组一端与该独立电压源正端于点界接；开关组件，该开关组件为三端组件，其中具有输入端于点连接该耦合电感一次绕组的另一端，开关组件输入端由控制脉宽调变(PWM)输入讯号，输入端接地；第一二极管，该二极管正端与该稱合电感一次绕组的另一端于点界接，第一二极管负端于点与第二电容器一端连接；第二电容，该电容一端与该稱合电感一次绕组一端于点界接，该电容另一端于点与该第一二极管负端界接；一率禹合电感二次绕组，该耦合电感二次绕组一端与该第一二极管负端于点界接；第二二极管，该二极管正端与该耦合电感二次绕组的另一端界接；第三电容，该电容一端于点连接于该第二二极管的负端，第三电容另一端接地。该耦合电感一次绕组及二次绕组为直接绕线于铁心的磁性组件或绕线于绕线架的磁性组件。该耦合电感一次绕组及二次绕组利用不使用绝缘胶、胶带及增加绕线架盖的开口以增加散热空间。该第一二极管及第二二极管为超快速恢复二极管或萧特基二极管。该第一电容、第二电容及第三电容为陶瓷电容或电解电容。本发明为一直流对直流转换器，使用具一次绕组及二次绕组耦合电感为能量储存装置，耦合电感一次绕组及二次绕组间具二极管及电容，提供开关组件于截止时，耦合电感及杂散组件的放电路径，以降低电压/电流尖波。
图I为本发明的现有技术耦合电感式转换器线路图；图2为金属氧化物半导体场效晶体管寄生电容示意图；图3为电路零件及电路布线的杂散组件示意图；图4为本发明的第一实施例电路架构图；图5为本发明的第二实施例电路架构图；图6为本发明的第三实施例电路架构图；以及图7为本发明的第四实施例电路架构图；附图标记11、12、杂散电感；21、闸汲电容；22、闸源电容；23、源汲电容；111、第一电容；112、第二电容；113、第三电容；121、耦合电感一次绕组；122、耦合电感二次绕组；131、第一二极管；132、第二二极管；141、开关组件；151、152、153、154、155、156、节点；211、第一电容；212、第二电容；213、第三电容；221、耦合电感一次绕组；222、耦合电感二次绕组；231、第一二极管；232、第二二极管；241、开关组件；251、252、253、254、255、256、节点；311、第一电容；312、第二电容；321、耦合电感一次绕组；322、耦合电感二次绕组；331、第一二极管；332、第二二极管；341、开关组件；351、352、353、354、355、356、节点；411、第一电容；412、第二电容；413、第三电容；421、耦合电感一次绕组；422、耦合电感二次绕组；431、第一二极管；432、第二二极管；441、开关组件；451、452、453、454、455、456、节点。
具体实施例方式请参考图4，为本发明为低电磁干扰直流升压转换器的第一实施例，包括独立电压源，该独立电压源负端接地；第一电容111，该电容一端与该独立电压源正端于节点151界接，该电容另一端接地；稱合电感一次绕组121,该稱合电感一次绕组一端与该独立电压源正端于节点151界接；开关组件141，该开关组件141为三端组件，其中具有输入端于节点152连接该耦合电感一次绕组的另一端，开关组件于节点156输入控制脉宽调变(PWM)讯号，输出端接地；第一二极管131，该二极管正端与该耦合电感一次绕组121的另一端于节点152界接，第一二极管131负端于节点153与第二电容112 —端连接；第二电容112，该电容一端与该耦合电感一次绕组121 —端于节点151界接，该电容另一端于节点153与该第一二极管131负端界接；耦合电感二次绕组122，该耦合电感二次绕组一端与该第一二极管131负端于节点153界接；第二二极管132，该二极管正端与该耦合电感二次绕组的另一端界接于节点154 ;第三电容113，该电容一端于节点155连接于该第二二极管132的负端，第三电容113另一端接地。该耦合电感一次绕组121及二次绕组122为直接绕线于铁心的磁性组件或绕线于绕线架的磁性组件。该耦合电感一次绕组121及二次绕组122利用不使用绝缘胶、胶带及增加绕线架盖的开口以增加散热空间。该第一二极管131及第二二极管132为超快速恢复二极管或萧特基二极管。该第一电容111、第二电容112及第三电容113为陶瓷电容或电解电容。本发明为直流对直流转换器，使用具一次绕组及二次绕组耦合电感为能量储存装置，耦合电感一次绕组及二次绕组间具二极管及电容，提供开关组件于截止时，耦合电感及杂散组件的放电路径，以降低电压/电流尖波。请参考图5，为本发明为低电磁干扰直流升压转换器的第二实施例，包括独立电压源，该独立电压源负端接地；第一电容211，该电容一端与该独立电压源正端于节点251界接，该电容另一端接地；耦合电感一次绕组221，该耦合电感一次绕组一端与该独立电压源正端界接；开关组件241，该开关组件为三端组件，其中输入端于节点252连接该耦合电感一次绕组221的另一端，另于节点256输入控制脉宽调变(PWM)讯号，输出端接地；第一二极管231,该二极管正端与该稱合电感一次绕组的另一端于节点252界接；第二电容212，该电容一端与该第一二极管负端于节点253界接，该电容另一端接地；耦 合电感二次绕组222，该耦合电感二次绕组的一端与该第一二极管231负端于节点253界接；第三电容213，该电容一端于节点253连接该耦合电感二次绕组222的一端；第二二极管232，该二极管正端与该耦合电感二次绕组的另一端于节点255界接，第二二极管负端与该第三电容另一端于节点254界接。该耦合电感一次绕组221及二次绕组222为直接绕线于铁心的磁性组件或绕线于绕线架的磁性组件。该耦合电感一次绕组221及二次绕组222利用不使用绝缘胶、胶带及增加绕线架盖的开口以增加散热空间。该第一二极管231及第二二极管232为超快速恢复二极管或萧特基二极管。该第一电容211、第二电容212及第三电容213为陶瓷电容或电解电容。本发明为直流对直流转换器，使用具一次绕组及二次绕组耦合电感为能量储存装置，耦合电感一次绕组及二次绕组间具二极管及电容，提供开关组件于截止时，耦合电感及杂散组件的放电路径，以降低电压/电流尖波。请参考图6，为本发明为低电磁干扰直流升压转换器的第三实施例，包括独立电压源，该独立电压源负端接地；第一电容311，该电容一端与该独立电压源正端于节点351界接，该电容另一端接地；耦合电感一次绕组321，该耦合电感一次绕组与该独立电压源正端于节点351界接；开关组件341，该开关组件为三端组件，其中输入端于节点352连接该耦合电感一次绕组的另一端，另于节点356由控制脉宽调变(PWM)输入讯号，输出端接地；第一二极管331，该二极管正端与该耦合电感一次绕组321的另一端于节点352界接；第二电容312，该电容一端与该第一二极管负端于节点353界接；耦合电感二次绕组322，该耦合电感二次绕组的一端与该第一二极管负端于节点353界接；第二二极管332，该二极管正端与该耦合电感二次绕组的另一端于节点355界接，负端与该第二电容312另一端于节点354界接；该耦合电感一次绕组321及二次绕组322为直接绕线于铁心的磁性组件或绕线于绕线架的磁性组件。该耦合电感一次绕组321及二次绕组322利用不使用绝缘胶、胶带及增加绕线架盖的开口以增加散热空间。该第一二极管331及第二二极管332为超快速恢复二极管或萧特基二极管。该第一电容311、第二电容312为陶瓷电容或电解电容。本发明为直流对直流转换器，使用具一次绕组及二次绕组耦合电感为能量储存装置，耦合电感一次绕组及二次绕组间具二极管及电容，提供开关组件于截止时，耦合电感及杂散组件的放电路径，以降低电压/电流尖波。请参考图7，为本发明为低电磁干扰直流升压转换器的第四实施例，包括独立电压源，该独立电压源负端接地；第一电容411，该电容一端与该独立电压源正端于节点451界接，该电容另一端接地；耦合电感一次绕组421，该耦合电感一次绕组421一端与该独立电压源正端于节点451界接；开关组件441，该开关组件为三端组件，其中输入端于节点452连接该耦合电感一次绕组421的另一端，另于节点455输入控制脉宽调变(PWM)讯号,输出端接地；第一二极管431,该二极管正端与该稱合电感一次绕组的另一端于节点452界接；第二电容412，该电容一端与该第一二极管431负端于节点453界接，该电容另一端接地；耦合电感二次绕组422，该耦合电感二次绕组的一端与该耦合电感一次绕组421的一端于节点451界接；第三电容413，该电容一端于节点453连接于该第一二极管431的负端，该电容另一端与第二二极管432负端于节点454界接；第二二极管432，该二极管正端与该耦合电感二次绕组422的另一端于节点456界接，第二二极管负端与第三电容413的一端于节点454界接。该耦合电感一次绕组421及二次绕组422为直接绕线于铁心的磁性组件或绕线于绕线架的磁性组件。该耦合电感一次绕组421及二次绕组422利用不使用绝缘胶、胶带及 增加绕线架盖的开口以增加散热空间。该第一二极管431及第二二极管432为超快速恢复二极管或萧特基二极管。该第一电容411、第二电容412及第三电容413为陶瓷电容或电解电容。本发明为直流对直流转换器，使用具一次绕组及二次绕组耦合电感为能量储存装置，耦合电感一次绕组具一二极管及电容，提供开关组件于截止时，耦合电感及杂散组件的放电路径，以降低电压/电流尖波。
权利要求
1.低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，包括 独立电压源，该独立电压源负端接地； 第一电容，该电容一端与该独立电压源正端界接，该电容另一端接地； 耦合电感一次绕组，该耦合电感一次绕组一端与该独立电压源正端界接； 开关组件，该开关组件为三端组件，其中具有输入端连接该耦合电感一次绕组的另一端，该开关组件输入端输入控制脉宽调变讯号，输出端接地； 第一二极管，该二极管正端与该耦合电感一次绕组的另一端界接，该第一二极管负端与第二电容器一端连接； 第二电容，该电容一端与该稱合电感一次绕组一端界接，该电容另一端与该第一二极管负端界接； 耦合电感二次绕组，该耦合电感二次绕组一端与该第一二极管负端界接； 第二二极管，该二极管正端与该耦合电感二次绕组的另一端界接； 第三电容，该电容一端连接于该第二二极管的负端，该第三电容另一端接地。
2.如权利要求I所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述耦合电感一次绕组及耦合电感二次绕组为直接绕线于铁心的磁性组件。
3.如权利要求I所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述耦合电感第一绕组及耦合电感第二绕组为绕线于绕线架的磁性组件。
4.如权利要求I所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述耦合电感第一绕组及耦合电感第二绕组利用不使用绝缘胶、胶带及增加绕线架盖的开口以增加散热空间。
5.如权利要求I所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一二极管及第二二极管为超快速恢复二极管。
6.如权利要求I所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一二极管及第二二极管为萧特基二极管。
7.如权利要求I所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一电容、第二电容及第三电容为陶瓷电容。
8.如权利要求I所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一电容、第二电容及第三电容为电解电容。
9.如权利要求I所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述开关组件为金属氧化物半导体场效晶体管。
10.如权利要求I所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述开关组件为双极性晶体管。
11.低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，包括 独立电压源，该独立电压源负端接地； 第一电容，该电容一端与该独立电压源正端界接，该电容另一端接地； 耦合电感一次绕组，该耦合电感一次绕组一端与该独立电压源正端界接； 开关组件，该开关组件为三端组件，其中输入端连接该耦合电感一次绕组的另一端，另一输入端输入控制脉宽调变讯号，输出端接地；第一二极管，该二极管正端与该稱合电感一次绕组的另一端界接；第二电容，该电容一端与该第一二极管负端界接，该电容另一端接地； 耦合电感二次绕组，该耦合电感二次绕组的一端与该第一二极管负端界接； 第三电容，该电容一端连接该耦合电感二次绕组的一端； 第二二极管，该二极管正端与该耦合电感二次绕组的另一端界接，该第二二极管负端与该第三电容另一端界接。
12.如权利要求11所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述耦合电感一次绕组及耦合电感二次绕组为直接绕线于铁心的磁性组件。
13.如权利要求11所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述耦合电感一次绕组及耦合电感二次绕组为绕线于绕线架的磁性组件。
14.如权利要求11所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述耦合电感一次绕组及耦合电感二次绕组利用不使用绝缘胶、胶带及增加绕线架盖的开口以增加散热空间。
15.如权利要求11所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一二极管及第二二极管为超快速恢复二极管。
16.如权利要求11所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一二极管及第二二极管为萧特基二极管。
17.如权利要求11所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述一电容、第二电容及第三电容为陶瓷电容。
18.如权利要求11所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一电容、第二电容及第三电容为电解电容。
19.如权利要求11所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述开关组件为金属氧化物半导体场效晶体管。
20.如权利要求11所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述开关组件为双极性晶体管。
21.低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，包括 独立电压源，该独立电压源负端接地； 第一电容，该电容一端与该独立电压源正端界接，该电容另一端接地； 耦合电感一次绕组，该耦合电感一次绕组与该独立电压源正端界接； 开关组件，该开关组件为三端组件，其中输入端连接该耦合电感一次绕组的另一端，另一输入端由控制脉宽调变输入讯号，输出端接地； 第一二极管，该二极管正端与该耦合电感一次绕组的另一端界接； 第二电容，该电容一端与该第一二极管负端界接； 耦合电感二次绕组，该耦合电感二次绕组的一端与该第一二极管负端界接； 第二二极管，该二极管正端与该耦合电感二次绕组的另一端界接，负端与该第二电容另一端界接。
22.如权利要求21所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述耦合电感一次绕组及耦合电感二次绕组为直接绕线于铁心的磁性组件。
23.如权利要求21所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述耦合电感一次绕组及耦合电感二次绕组为绕线于绕线架的磁性组件。
24.如权利要求21所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述耦合电感一次绕组及耦合电感二次绕组利用不使用绝缘胶、胶带及增加绕线架盖的开口以增加散热空间。
25.如权利要求21所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一二极管及第二二极管为超快速恢复二极管。
26.如权利要求21所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一二极管及第二二极管为萧特基二极管。
27.如权利要求21所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一电容及第二电容为陶瓷电容。
28.如权利要求21所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述第一电容及第二电容为电解电容。
29.如权利要求21所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述开关组件为金属氧化物半导体场效晶体管。
30.如权利要求21所述的低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，所述开关组件为双极性晶体管。
31.低电磁干扰直流升压转换器，其特征在于，包括 独立电压源，该独立电压源负端接地； 第一电容，该电容一端与该独立电压源正端界接，该电容另一端接地； 耦合电感一次绕组，该耦合电感一次绕组一端与该独立电压源正端界接； 开关组件，该开关组件为三端组件，其中输入端连接该耦合电感一次绕组的另一端，另一输入端输入控制脉宽调变讯号，输出端接地； 第一二极管，该二极管正端与该耦合电感一次绕组的另一端界接； 第二电容，该电容一端与该第一二极管负端界接，该电容另一端接地； 耦合电感二次绕组，该耦合电感二次绕组的一端与该耦合电感一次绕组的一端界接；第三电容，该电容一端连接于该第一二极管的负端，该电容另一端与第二二极管负端界接; 第二二极管，该二极管正端与该耦合电感二次绕组的另一端界接，第二二极管负端与第三电容的一端界接。
全文摘要
本发明公开了一种低电磁干扰直流升压转换器，包括独立电压源、第一电容、耦合电感一次绕组、开关组件、第一二极管、第二电容、耦合电感二次绕组、第二二极管、第三电容；该耦合电感一次绕组及二次绕组为直接绕线于铁心的磁性组件或绕线于绕线架的磁性组件。该耦合电感一次绕组及二次绕组利用不使用绝缘胶、胶带及增加绕线架盖的开口以增加散热空间。该第一二极管及第二二极管为超快速恢复二极管或萧特基二极管。该第一电容、第二电容及第三电容为陶瓷电容或电解电容。本发明为直流对直流转换器，使用具一次绕组及二次绕组耦合电感为能量储存装置，耦合电感一次绕组及二次绕组间具二极管及电容，提供开关组件于截止时，耦合电感及杂散组件的放电路径，以降低电压/电流尖波。
文档编号H02M3/335GK102638166SQ201110035920
公开日2012年8月15日 申请日期2011年2月10日 优先权日2011年2月10日
发明者李逢滨, 苏子龙 申请人:力铭科技股份有限公司