专利名称：静电卡盘及真空处理装置的利记博彩app
技术领域：
本发明主要涉及适合保持玻璃基板或蓝宝石基板等具有透光性的处理基板的静 电卡盘以及使用该静电卡盘的真空处理装置。
背景技术：
以往，作为静电卡盘，公知有一种具有由电介质构成的卡盘平板、设置于卡盘平板 的第1电极和第2电极，并且通过对第1和第2两电极间施加电压，将处理基板吸附在卡盘 平板的表面的静电卡盘。(例如，参照专利文献1)。并且，当处理基板是绝缘性基板时，通 过对第1和第2电极间施加电压而产生的梯度力使处理基板吸附在卡盘平板的表面，当处 理基板是非绝缘性基板时，通过对第1和第2电极间施加电压而产生的库仑力使处理基板 吸附在卡盘平板的表面。然而，若对玻璃基板或蓝宝石基板等具有透光性的处理基板实施等离子体蚀刻或 等离子体CVD处理，则来自等离子体的光被照射到处理基板，该光通过处理基板入射到卡 盘平板。这样，形成卡盘平板的电介质的一部分通过光电效应被导电化，从而导致吸附力降 低。但是，以往，没有对所涉及的吸附力的降低寻求对策，而成为处理基板在静电卡盘 上位置偏离的主要原因。专利文献1 日本特开2004-31502号公报
发明内容
本发明鉴于上述问题而提出，目的在于提供一种即使由于光电效应造成吸引力降 低，也能够切实地保持处理基板的静电卡盘以及使用该静电卡盘的真空处理装置。为了解决上述课题，本发明的静电卡盘具有由电介质构成的卡盘平板和设置于卡 盘平板的第1电极和第2电极，并且通过对第1和第2两电极间施加电压，将处理基板吸附 在卡盘平板的表面，其特征在于，在卡盘平板的表面的一部分，设置了对处理基板具有粘接 力的基板保持部。此外，本发明的真空处理装置具有真空处理槽以及设置在真空处理槽内的静电卡 盘，其使静电卡盘保持具有透光性的处理基板，对处理基板实施伴随光的照射的处理，其特 征在于，使用上述发明的静电卡盘作为静电卡盘。根据本发明的静电卡盘，即使由于光电效应而造成静电卡盘的吸引力降低，也可 以通过基板保持部的粘接力使处理基板切实地保持在卡盘主体的表面上。因此，根据本发 明的真空处理装置，不拘于对具有透光性的处理基板实施伴随光的照射的处理，也可以防 止处理基板在静电卡盘上位置偏离的问题。并且，在本发明的静电卡盘中，基板保持部的表面在自由状态下从卡盘平板的表 面突出规定高度，优选为，当对第1和第2电极间施加电压来将处理基板吸附在卡盘平板的 表面时，基板保持部被压缩以使得基板保持部的表面与卡盘平板的表面成为一个面。由此，通过处理基板吸附时的基板保持部的压缩，基板保持部被处理基板强力按压，使处理基板 切实地粘接于基板保持部。
图1是表示本发明的实施方式的真空处理装置的概略剖视图。图2是图1的真空处理装置具有的静电卡盘的放大剖视图。图3是图2的静电卡盘的俯视图。
具体实施例方式图1表示对玻璃基板或蓝宝石基板等具有透光性的处理基板S实施等离子体蚀刻 (干蚀刻)处理的真空处理装置。该真空处理装置具有使用图外的真空泵对内部进行抽真 空的真空处理槽1。真空处理槽1的上部由电介质侧壁Ia形成，并且利用被设置在该侧壁 Ia的外侧的3个磁场线圈4、22、4在槽内形成环状的磁中性线。在中间的磁场线圈22与 电介质侧壁Ia之间配置有等离子体发生用的高频天线线圈3。高频天线线圈3被构成为与 高频电源4连接，沿着上述磁中性线施加交变电场，产生放电等离子体。基板电极5借助绝缘部件fe被安装在真空处理槽1的下部，在该基板电极5上固 定有保持并冷却处理基板S的静电卡盘6。基板电极6通过隔直电容器7a与施加高频偏置 电力的高频电源7连接。此外，真空处理槽1的顶板Ib被密封固定于电介质侧壁Ia的上 部凸缘，呈电位浮动状态的反向电极由顶板Ib构成。在顶板Ib的下表面设置有向真空处 理槽1内导入蚀刻气体的气体导入部8。于是，将蚀刻气体等离子化，并对静电卡盘6上的 处理基板S进行规定的蚀刻处理。在基板电极5中形成有冷却水循环用的通路51、和供用于冷却静电卡盘6上的处 理基板S的冷却气体(例如氦气)流动的气体流通路52。冷却气体通过与基板电极5的下 表面连接的导入管53从外部装置被供给。静电卡盘6具有作为电介质的例如使用陶瓷材料形成的卡盘平板61。参照图2、 图3，在卡盘平板61中形成有使来自气体流通路52的冷却气体向处理基板S的背面流出的 多个气体流出孔62。并且，在卡盘平板61中埋设有第1电极63i和第2电极632。第1电极63i和第2 电极6 形成梳齿状，并被配置成其齿的部分以相互非接触状态啮合。并且，通过对第1电 极63i和第2电极6 之间，从省略了图示的电源施加直流电压，使得处理基板S被吸附在 卡盘平板61的表面。并且，玻璃基板或蓝宝石基板是绝缘性基板，并借助对第1和第2两 电极63^6 间施加电压而产生的梯度力而被吸附于卡盘平板61。但是，若进行等离子体蚀刻处理，则来自等离子体的光被照射到处理基板S，该光 通过处理基板S而被入射到卡盘平板61。这样，在卡盘平板61的表层部上，形成卡盘平板 61的电介质的一部分通过光电效应被导电化，因而在蚀刻处理中存在吸附力降低的情况。因此，在卡盘平板61的表面的一部分设置对处理基板S有粘接力的基板保持部 64。在本实施方式中，在卡盘平板61的表面边缘部形成锪孔部65，并由该锪孔部65中安装 的胶带构成基板保持部64。并且，如图2的虚线所示，基板保持部64的表面在自由状态下 从卡盘平板61的表面突出规定高度(例如、100 μ m)。
由此，通过对第1和第2两电极63^6 间施加电压将处理基板S吸附于卡盘平板 61的表面时，基板保持部64被压缩而使得基板保持部64的表面与卡盘平板61的表面成为 一个面。并且，通过基板S的压缩，基板保持部64被处理基板S强力按压，使处理基板S切 实地黏着于基板保持部64。因此，即使在蚀刻处理中由于光电效应而使静电卡盘6的吸引 力降低，也可以利用基板保持部64的粘接力使处理基板S在卡盘平板61的表面上不发生 位置偏离而被切实地保持。此外，卡盘平板61的外径比处理基板S的外径稍小，处理基板S的外周部分向卡 盘平板61的外方伸出。在基板电极5，与从卡盘平板61伸出的处理基板S的外周部分的背 面面对地，自如升降地插设有多个顶针M。并且，在蚀刻处理结束后，借助图外的驱动源使 顶针M上升，将处理基板S从基板保持部64剥离，并向静电卡盘6的上方举起，在该状态 下将处理基板S交接给图外的输送机器人。上面，虽然参照附图对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不限于此。例 如，在上述实施方式中，在卡盘平板61的表面边缘部设置了基板保持部64，但还可以在卡 盘平板61的表面的多个地方分散设置基板保持部。此外，上述实施方式的静电卡盘6将 1枚处理基板S保持在卡盘平板61上，但将岛状的多个卡盘部突出设置在卡盘平板的上表 面，并在各个卡盘部埋设电极，在各卡盘部上能够保持各1枚处理基板的静电卡盘，也可以 通过在各卡盘部的表面的一部分设置基板保持部同样地适用本发明。此外，上述实施方式虽然将本发明适用于进行等离子体蚀刻处理的真空处理装 置。但是，本发明还可以广泛适用于等离子CVD装置或具有对处理基板进行加热的灯的装 置等对透光性处理基板实施伴随光的照射的处理的真空处理装置。S…处理基板；1…真空处理槽；6…静电卡盘；61…卡盘平板；63广.第1电极； 632…第2电极；64…基板保持部。
权利要求
1.一种静电卡盘，其具有由电介质构成的卡盘平板和设置于卡盘平板的第1电极和第 2电极，并通过对第1和第2两电极间施加电压，将处理基板吸附于卡盘平板的表面，其特征在于，在卡盘平板的表面的一部分，设置了对处理基板具有粘接力的基板保持部。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述基板保持部的表面在自由状态下从所述卡盘平板的表面突出规定高度，当对所述 第1和第2两电极间施加电压而将处理基板吸附于卡盘平板的表面时，基板保持部被压缩 以使得基板保持部的表面与卡盘平板的表面成为一个面。
3.一种真空处理装置，其具有真空处理槽和设置在真空处理槽内的静电卡盘，使静电 卡盘保持具有透光性的处理基板，对处理基板实施伴随光的照射的处理，其特征在于，使用权利要求1或2所述的静电卡盘作为静电卡盘。
全文摘要
本发明提供一种静电卡盘，其在通过使静电卡盘保持具有透光性的处理基板，对处理基板实施伴随光照射的处理时，即使由于光电效应而使吸引力降低，也能够切实地保持处理基板。静电卡盘(6)具有由电介质构成的卡盘平板(61)和设置于卡盘平板(61)的第1电极(631)和第2电极(632)，并通过对第1和第2两电极(631)、(632)间施加电压，将处理基板(S)吸附于卡盘平板(61)的表面。在卡盘平板(61)的表面的一部分，设置了由对处理基板(S)具有粘接力的粘接片等构成的基板保持部(64)。
文档编号H02N13/00GK102132395SQ20098013359
公开日2011年7月20日 申请日期2009年8月17日 优先权日2008年8月27日
发明者中村久三, 佐藤正幸, 冈正 申请人:爱发科股份有限公司