专利名称：电源输出功率调控电路的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种电源输出功率调控电路。
背景技术：
电源作为一种广泛应用的供电器件，其输出功率的控制技术对于电子设备在各种环境下 工作的稳定性至关重要。 一般而言，电源输出功率调控电路的驱动级采用自激电路产生控制 信号，进而调控电源的输出功率。然而，自激电路的工作性能受环境变化影响较大，尤其是 其抗共模干扰能力差，使得调控电源输出功率的控制信号稳定性不高。如何提供一种能稳定 调控电源输出功率的电路成为一个亟待解决的问题。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种电源输出功率调控电路，能稳定调控电源的输出功率。
一种电源输出功率调控电路，其包括一信号产生电路、 一光电耦合电路、 一变压转换电 路及一晶闸管，所述晶闸管用来连接在电源与负载之间，所述信号产生电路产生一占空比可 调的第一脉冲信号，提供给所述光电耦合电路，所述第一脉冲信号为高电平时，所述光电耦 合电路内部导通并输出一正弦信号，所述正弦信号通过所述变压转换电路转换为一第二脉冲 信号以控制所述晶闸管的通断，所述第二脉冲信号为高电平时，所述晶闸管导通，所述电源 对负载供电，所述第二脉冲信号为低电平时，所述晶闸管截止，所述电源不对负载供电。
相较于现有技术，本发明电源输出功率调控电路采用所述光电耦合电路隔离所述信号产 生电路与所述变压转换电路，所述光电耦合电路能有效抑制共模干扰，所述信号产生电路通 过调节第一脉冲信号的占空比调控电源在单位时间内对负载的供电时间，从而调控电源在单 位时间内的输出功率。
图l是本发明电源输出功率调控电路的较佳实施方式的电路原理图。
具体实施例方式
下面参照附图结合具体实施方式
对本发明作进一步详细描述
请参照图l，本发明电源输出功率调控电路用于调控一电源U对负载PL的输出功率，其较 佳实施方式包括一信号产生电路IO、 一光电耦合电路20、 一变压转换电路30及一晶闸管VT。 所述电源U可为直流电源或交流电源。所述信号产生电路10包括三个电阻R1、 R2、 R3、 一电容C1及一单结晶体管V1，所述电阻 Rl为一可变电阻器，所述单结晶体管V 1的发射极通过所述电阻R1连接一直流电源Vcc并通过 所述电容C1接地，所述单结晶体管V1的第一基极通过所述电阻R3接地，所述单结晶体管V1的 第二基极通过所述电阻R2连接所述直流电源Vcc。
所述光电耦合电路20包括一光电耦合器11、两个电阻R4、 R5、 一二极管D2及一三极管 V3，所述光电耦合器11包括一发光二极管D1及一光敏三极管V2，所述发光二极管D1的阳极连 接所述单结晶体管V1的第一基极，所述发光二极管D1的阴极接地，所述光敏三极管V2的发射 极连接所述三极管V3的基极并通过所述电阻R4接地，所述光敏三极管V2的集电极与所述三极 管V3的集电极相连后通过所述电阻R5连接所述直流电源Vcc，所述三极管V3的发射极连接所 述二极管D2的阴极，所述二极管D2的阳极接地。
所述变压转换电路30包括一脉冲变压器T1、 一二极管D3、 一电阻R6及一电容C2，所述脉 冲变压器T1输入级的两端分别连接所述三极管V3的发射极及地端，所述脉冲变压器T1输出级 的两端分别连接所述二极管D3的阳极及所述电源U的负极，所述二极管D3的阴极通过所述电 阻R6连接所述晶闸管VT的控制极，所述电容C2的两端分别连接所述晶闸管VT的控制极及所述 电源U的负极，所述晶闸管VT的第一主电极通过所述负载PL连接所述电源U的正极，所述晶闸 管VT的第二主电极连接所述电源U的负极。
所述直流电源Vcc通过所述电阻R1为所述电容C 1充电，当所述电容C 1两端的电压达到所 述单结晶体管V1的导通电压时，所述单结晶体管V1导通，所述电容C1通过所述电阻R3放电， 当所述电容C1两端的电压小于所述单结晶体管V1的导通电压时，所述单结晶体管V1截止，所 述直流电源Vcc再次通过所述电阻Rl为所述电容Cl充电，重复上述过程。所述直流电源Vcc为 所述电容C1循环充电，使得所述单结晶体管V1的第一基极输出一脉冲信号P1。当所述脉冲信 号P1为高电平时，所述发光二极管D1及所述光敏三极管V2均导通，所述直流电源Vcc为所述 三极管V3提供静态工作电压，所述三极管V3导通。所述三极管V3的发射极输出一正弦信号， 所述正弦信号通过所述脉冲变压器T1耦合至所述二极管D3的阳极，所述二极管D3的阴极输出 一脉冲信号P2，所述脉冲信号P2经过所述电容C2滤波后控制所述晶闸管VT的通断。当所述脉 冲信号P2为高电平时，所述晶闸管VT导通，所述电源U对负载PL供电，反之，所述晶闸管VT 截止，所述电源U不对负载PL供电。当所述脉冲信号P1为低电平时，所述光电耦合电路20与 所述变压转换电路30均不工作，所述晶闸管VT截止，所述电源U不对负载PL供电。
所述脉冲信号Pl的占空比由所述电容Cl的充电系数rl化l及放电系数(r3+rbl)化l决定 。其中，rl为所述电阻Rl的阻值，r3为所述电阻R3的阻值，rbl为所述单结晶体管Vl的第一基极电阻的阻值，cl为所述电容Cl的容值。通过调节所述电阻R1的阻值即可调节所述电容 Cl的充电系数rl化l，从而调节所述脉冲信号P1的占空比。在单位时间内，所述脉冲信号P1 为高电平的时间即为所述发光二极管D1及所述光敏三极管V2的导通时间，也为所述三极管V3 的发射极输出正弦信号及所述二极管D3输出所述脉冲信号P2的时间。而所述脉冲信号P2在单 位时间内为高电平的时间即为所述晶闸管VT的导通时间及所述电源U对负载的供电时间。故 ，通过调节所述电阻R1的阻值即可调节所述电源U在单位时间内对外供电时间及输出功率。
所述光电耦合器11中的发光二极管D1与光敏三极管V2之间的耦合电容很小，所述脉冲信 号P1通过极间耦合电容对所述光电耦合器11的输出电流影响很小，因而所述光电耦合器ll共 模抑制比很高。故，本发明电源输出功率调控电路的较佳实施方式采用所述光电耦合电路 20隔离所述信号产生电路10与所述变压转换电路30，所述光电耦合电路20能有效抑制共模干 扰，所述信号产生电路10通过调节第一脉冲信号P1的占空比能稳定调控所述电源U在单位时 间内对所述负载PL的供电时间，从而调控所述电源U在单位时间内的输出功率。
权利要求
1.一种电源输出功率调控电路，其包括一信号产生电路、一光电耦合电路、一变压转换电路及一晶闸管，所述晶闸管用来连接在电源与负载之间，所述信号产生电路产生一占空比可调的第一脉冲信号，提供给所述光电耦合电路，所述第一脉冲信号为高电平时，所述光电耦合电路内部导通并输出一正弦信号，所述正弦信号通过所述变压转换电路转换为一第二脉冲信号以控制所述晶闸管的通断，所述第二脉冲信号为高电平时，所述晶闸管导通，所述电源对负载供电，所述第二脉冲信号为低电平时，所述晶闸管截止，所述电源不对负载供电。
2.如权利要求l所述的电源输出功率调控电路，其特征在于所述 信号产生电路包括一第一电阻、 一第二电阻、 一第三电阻、 一电容及一单结晶体管，所述第 一电阻为 一可变电阻器，所述信号产生电路通过调节所述第一 电阻的阻值改变所述第一脉冲 信号的占空比，所述单结晶体管的发射极通过所述第一电阻连接一直流电源且通过所述电容 接地，所述单结晶体管的第一基极通过所述第三电阻接地，所述单结晶体管的第二基极通过 所述第二电阻连接所述直流电源，所述单结晶体管的第一基极输出所述信号产生电路产生的 第一脉冲信号给所述光电耦合电路。
3.如权利要求l所述的电源输出功率调控电路，其特征在于所述 光电耦合电路包括一光电耦合器、 一第一电阻、 一第二电阻、一二极管及一三极管，所述光 电耦合器包括一发光二极管及一光敏三极管，所述发光二极管的阳极连接所述信号产生电路 以接收所述第一脉冲信号，所述发光二极管的阴极接地，所述光敏三极管的发射极连接所述 三极管的基极并通过所述第一 电阻接地，所述光敏三极管的集电极与所述三极管的集电极相 连后通过所述第二电阻连接一直流电源，所述三极管的发射极连接所述二极管的阴极且与所 述变压转换电路相连，所述二极管的阳极接地。
4.如权利要求l所述的电源输出功率调控电路，其特征在于所述 变压转换电路包括一脉冲变压器、一二极管、 一电阻及一电容，所述脉冲变压器输入级的两 端分别连接所述光电耦合电路及地端，所述脉冲变压器输出级的两端分别连接所述二极管的阳极及所述电源的负极，所述二极管的阴极通过所述电阻连接所述晶闸管的控制极并用来输 出所述第二脉冲信号，所述电容的两端分别连接所述晶闸管的控制极及所述电源的负极，所 述晶闸管的第一主电极用来通过所述负载连接所述电源的正极，所述晶闸管的第二主电极用 来连接所述电源的负极。
全文摘要
一种电源输出功率调控电路，其包括一信号产生电路、一光电耦合电路、一变压转换电路及一晶闸管，晶闸管用来连接在电源与负载之间，信号产生电路产生一占空比可调的第一脉冲信号，提供给光电耦合电路，第一脉冲信号为高电平时，光电耦合电路内部导通并输出一正弦信号，正弦信号通过变压转换电路转换为一第二脉冲信号以控制晶闸管的通断，第二脉冲信号为高电平时，晶闸管导通，电源对负载供电，第二脉冲信号为低电平时，晶闸管截止，电源不对负载供电。本发明电源输出功率调控电路采用光电耦合电路隔离信号产生电路与变压转换电路，光电耦合电路能有效抑制共模干扰，信号产生电路通过调节第一脉冲信号的占空比调控电源在单位时间内的输出功率。
文档编号H02M1/06GK101630898SQ20081030277
公开日2010年1月20日 申请日期2008年7月17日 优先权日2008年7月17日
发明者赵泉亮, 龙俊成 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司