专利名称：冲击高压线路的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种冲击高压线路，尤其是一种用于匝间冲击测试仪的冲击高压线路。
背景技术：
目前匝间冲击测试仪的高压发生电路，一般采用二种方法，第一种方法是采用高压变压器，把工频直接变换为所需的高压电，通过调压器进行调正，再经整流变成所需的直流电压。第二种方法是采用半桥式脉冲宽度调制开关稳压电源电路，产生可调节的直流高电压，此高电压直接用于冲击测试。以上二种方法对产生稳定的高电压都有一定的困难，所以影响了测试精度。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术中高电压不稳定的缺点而提供一种具有稳定高电压从而使匝间冲击测试仪的测试精度有很大提高的冲击高压线路。
本实用新型的目的是按如下的方式来实现的本实用新型所述的冲击高压线路，包括半桥式直流高压变换电路、比较电路、可编程逻辑器件、分压电路、触发电路、可控硅输出电路，半桥式直流高压变换电路经电阻R与电容C线连接，电容C的一端与可控硅输出电路相连接并与分压电路相连接，电容C的另一端与地相连接；分压电路与比较电路和半桥直流高压变换电路连接接，分压电路由来自单片机的信号P1-P8控制，半桥式直流高压变换电路与比较电路相联接，比较电路与可编程逻辑器件相连接，可编程逻辑器件与触发电路和半桥式直流高压变换电路相连接，触发电路与可控硅输出电路相联接。
本实用新型所述的冲击高压线路，其工作过程如下半桥式直流高压变换产生直流高压，直流高压通过电阻R对电容C进行充电，并通过分压后反馈到半桥式直流高压变换，通过单片机发出的P1～P8信号，对分压电路进行控制，改变电压的分压比，从而控制了电容C上的直流高电压，当单片机发出启动信号Pc，信号经编程逻辑器件，并发出脉冲信号关闭半桥式直流高压变换，半桥式直流高压变换停止工作，电容C上的电压下降，经分压电路后的Vm也随之下降，Ve是来自半桥式直流高压变换中稳定的基准电压，与Vm一同到比较电路，当Vm与Ve相同时，比较电路发出信号到可编程逻辑器件，此时可编程逻辑器件发出信号，通过触发电路触发可控硅导通，并同时启动AD取样。
本实用新型的积极效果如下在上述工作中，由于触发可控硅时的C上电压的稳定度是决定于Ve，并且是在半桥式直流高压变换在停止工作时触发的，此时噪声很小，所以此电路大大的提高了测试仪的精度。
图1是本实用新型电路方框图。
图2是本实用新型半桥式直流高压变换电路示意图。
图3是本实用新型比较电路示意图。
图4是本实用新型可编程逻辑器件电路示意图。
图5是本实用新型分压电路示意图。
图6是本实用新型触发电路示意图。
图7A、图7B是本实用新型可控硅输出电路示意图。
图1中1为半桥式直流高压变换电路 2为比较电路3为可编程逻辑器件分压电路 4为分压电路5为触发电路 6为可控硅输出电路具体实施方式
如图1所示，本实用新型所述的冲击高压线路，包括半桥式直流高压变换电路1、比较电路2、可编程逻辑器件3、分压电路4、触发电路5、可控硅输出电路6，半桥式直流高压变换电路1经电阻R与电容C线连接，电容C的一端与可控硅输出电路6相连接并与分压电路4相连接，电容C的另一端与地相连接；分压电路4与比较电路2和半桥直流高压变换电路1连接接，分压电路4由来自单片机的信号P1-P8控制，半桥式直流高压变换电路1与比较电路2相联接，比较电路2与可编程逻辑器件3相连接，可编程逻辑器件3与触发电路5和半桥式直流高压变换电路1相连接，触发电路5与可控硅输出电路6相联接。
如图2所示，所述的半桥式直流高压变换电路由集成电路U2(SG3525)产生调宽脉冲，脉冲的宽度是根据基准电压Ve与输出反馈电压Vm决定的，使输出电压Vh在规定值内，调宽脉冲经耦合变压器T1、功率管BG1、BG2到高压变压器T2，输出高电压经电阻R9，对电容C11、C12进行充电，充电电压Vh经分压电路反馈到Inv、iN，其特征在于可编程逻辑器件3有一信号SPR到集成电路U2的S-DOWN端，可控制半桥式直流高压变换工作或停止工作；Ve为一稳定电压，也可来自U2的Vre。
如图3所示，所述的比较电路由IC21、IC22、IC23相互连接而成，其IC22作为比较器，其一组信号来于Vm，另一组信号来于Ve，Ve通过R12、R13的分压到IC22。
如图4所示，可编程逻辑电路是由GAL16V8D组成，主要作用是单片机发出触发信号SCRi后，该电路发出SPR信号关闭半桥式直流高压变换中的集成电路U2，当收到来自比较电路的信号PB，该电路发出SCRO信号触发可控硅，该电路同时启动AD工作。
如图5所示，所述的分压电路，高电压Vh经R31、R32到由多组电阻并联而成的电阻网上，产生分压为Vm，MOS管GB3～GB10，可以控制每只并联电阻的导通与截止，即改变总并联电阻值，并联电阻阻值为R18＝2R16、R20＝2R18、R22＝2R20、R24＝2R22、R26＝2R24、R28＝2R26、R30＝2R28，P1～P8信号来自单片机可控制总并联电阻值，从而控制了Vh的电压值。
如图6所示，所述的触发电路由推动集成块IC51、电阻R33、电容C22、二极管D3、变压器T3组成，触发脉冲推动T3初级，当有多组可控硅串联时，次级由多组组成，分别推动可控硅。
如图7A、图7B所示，可控硅输出电路，根据不同的测试由多只可控硅串联或并联组成，每只可控硅并上一只电阻，使其反向电压均匀，经二极管D4后到被测线圈，经二极管D5后到一电感。
以上所述是本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型技术方案所做的改变，所产生的功能未超出本实用新型技术方案范围时，均属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种用于匝间冲击测试仪的冲击高压线路，其特征在于所述冲击高压线路包括半桥式直流高压变换电路、比较电路、可编程逻辑器件、分压电路、触发电路、可控硅输出电路，半桥式直流高压变换经电阻R与电容C线连接，电容C一端与可控硅电路相连接并与分压电路相连接，分压电路与比较电路与半桥直流高压变换连接，分压电路由来自单片机的信号控制，比较电路与可编程逻辑器件相连，比较电路与分压电路相联接，可编程逻辑器件与触发电路相连接，触发电路与可控硅相联接。
2.根据权利1所述的冲击高压线路，其特征在于半桥式直流高压变换电路中集成U2的S-DOWN端，与可编程逻辑器件信号线SPR相连接。
3.根据权利1所述的冲击高压线路，其特征在于所述的比较电路由IC21、IC22、IC23相互连接而成。
4.根据权利1所述的冲击高压线路，其特征在于所述的分压电路，由多组电阻R16、R18、R20、R22、R24、R26、R28、R30并联组成，并串上电阻R31、R32，每只并联电阻串有BG3～BG10。
5.根据权利4所述的冲击高压线路，其特征在于所述的BG3、BG4、BG5、BG6、BG7、BG8、BG9、BG10，均为VMOS晶体管，分别由来自单片机的信号P1～P8控制。
专利摘要本实用新型涉及一种冲击高压线路，尤其是一种用于匝间冲击测试仪的冲击高压线路。所述冲击高压线路包括半桥式直流高压变换电路、比较电路、可编程逻辑器件、分压电路、触发电路、可控硅输出电路，半桥式直流高压变换经电阻R与电容C线连接，电容C一端与可控硅电路相连接并与分压电路相连接。分压电路与比较电路与半桥直流高压变换连接。分压电路由来自单片机的信号控制。比较电路与可编程逻辑器件相连。比较电路与分压电路相联接。可编程逻辑器件与触发电路相连接。触发电路与可控硅相联接。本实用新型具有稳定高电压，从而使匝间冲击测试仪的测试精度有很大提高。
文档编号H02M3/04GK2891471SQ200520044219
公开日2007年4月18日 申请日期2005年8月11日 优先权日2005年8月11日
发明者竺香松, 竺北康, 吴启连, 徐新松 申请人:上海沪光电子控制设备厂