一种发光二极管的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型提供了一种发光二极管，包括组装的一外延结构和一支架，外延结构的底部具有一通孔，支架具有一凸起，外延结构通过凸起插入通孔内，使支架与外延结构快速组装，并且当注入一定电流后，外延结构发射一定波长的光线。本实用新型无需电极蒸镀制程制作电极，从而简化了发光二极管的制程，降低了其生产成本；并且在后续的封装制程中，无需传统的打线，直接通过支架接入外接电源，即可完成封装，从而大大简化了封装流程，降低了封装成本。另外,无电极的发光二极管，减少了电极pad的遮光面积，可进一步提升发光二极管亮度。
【专利说明】
一种发光二极管
技术领域
[0001]本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管。
【背景技术】
[0002]目前发光二极管的结构包括水平结构、垂直结构和倒装结构，三种结构的发光二极管各具优势和不足，就制作工序而言，水平结构的发光二极管制作工序较垂直结构和倒装结构简单;而就封装工序而言，水平结构需P、N电极打线封装，而垂直结构和倒装结构简化了打线或无需打线操作。
[0003]另外，水平结构的发光二极管在制作工序中，为满足打线，通常需采用镀膜工艺蒸镀P、N电极，具体地还包括光刻、清洗、蒸镀、剥离(剥去多余的金属)、去胶等复杂工序。
[0004]因此，若简化设置省略电极制作工序和打线工序，可大大缩减发光二极管的生产成本以及封装成本。
【发明内容】
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供了一种发光二极管，包括一外延结构和一支架，所述外延结构包括依次层叠的绝缘衬底、N型层、发光层、P型层、电流扩展层、以及位于所述N型层、发光层和P型层侧面的绝缘层，所述支架包括金属竖直结构和金属水平结构，其特征在于:所述发光二极管由所述外延结构和支架组装而成，所述绝缘衬底具有一通孔，所述金属水平结构具有一凸起，所述凸起插入通孔内与N型层接触，所述金属竖直结构上端与所述电流扩展层接触，下端通过绝缘的铰链与所述金属水平结构连接，当所述支架注入电流后，所述外延结构发光。
[0006]优选的，所述通孔的深度为D，绝缘衬底的厚度为L1，N型层的厚度为L2，D、L1和L2的关系符合:L1<D<L1+L2。
[0007]优选的，所述凸起的高度为H，所述通孔的深度为D，H和D的关系符合:H=D。
[0008]优选的，所述金属竖直结构上端具有一方形接触部，所述金属竖直结构通过接触部与电流扩展层接触。
[0009]优选的，所述方形接触部宽度等于绝缘层厚度，高度小于等于电流扩展层厚度。
[0010]优选的，所述金属竖直结构上端具有一指状接触部，所述指状接触部具有复数个接触凸起，所述电流扩展层侧面具有复数个凹陷区，所述接触凸起插入所述凹陷区内，使所述金属竖直结构通过接触部与电流扩展层接触。
[0011 ]优选的，所述接触凸起和凹陷区数目相同。
[0012]本实用新型的有益效果包括:通过支架和外延结构快速组装成发光二极管，无需电极蒸镀制程制作电极，从而简化了发光二极管的制程，降低了其生产成本;并且在后续的封装制程中，无需传统的打线，直接通过支架接入外接电源，即可完成封装，从而大大简化了封装流程，降低了封装成本。另外，无电极的发光二极管，减少了电极pad的遮光面积，可进一步提升发光二极管亮度。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型实施例1之发光二极管结构示意图。
[0014]图2为本实用新型实施例1之外延结构示意图。
[0015]图3为本实用新型实施例1之支架结构示意图。
[0016]图4为本实用新型实施例2之指状接触部俯视示意图。
[0017]图5为本实用新型实施例2之电流扩展层俯视示意图。
[0018]图6为本实用新型实施例2之指状接触部和电流扩展层接触俯视示意图。
[0019]附图标注:
[0020]100.外延结构;110.绝缘衬底；111.通孔;120.N型层;130.发光层；140.P型层；150.电流扩展层;151.凹陷区；160.绝缘层；200.支架;210.金属水平结构；211.凸起;220.金属竖直结构;221.方形接触部;221’.指状接触部;2211.接触凸起;230.绝缘铰链。
【具体实施方式】
[0021]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。需说明的是，本发明的附图均采用非常简化的非精准比例，仅用以方便、明晰的辅助说明本发明。
[0022]实施例1
[0023]本实用新型公开了一种发光二极管，大大简化了电极的制程，降低发光二极管的生产成本，参看附图1，其包括一外延结构100和一支架200，支架200呈“00型，所述发光二极管由所述外延结构和支架组装而成。外延结构100和支架200组装成发光二极管，该发光二极管无需电极蒸镀制程制作电极，从而简化了发光二极管的制程，降低了其生产成本;并且在后续的封装制程中，无需传统的打线，直接通过支架200接入外接电源，即可完成封装，从而大大简化了封装流程，降低了封装成本。另外，无电极的发光二极管，减少了电极pad的遮光面积，可进一步提升发光二极管亮度。图1中所示外延结构100位于支架200的右侧为本实施例的优选方案，两者的位置关系并不限于此，例如支架200也可位于外延结构的右侧，此时支架呈反“可位型。
[0024]参看附图2，其中，外延结构100包括依次层叠的绝缘衬底110、N型层120、发光层130、P型层140、电流扩展层150、以及位于N型层120、发光层130和P型层140侧面的绝缘层160，绝缘衬底110具有一通孔111。如图2所示，通孔111的深度为D，绝缘衬底110厚度为LI，N型层的厚度为L2，D、L1和L2的关系符合:L1<D<L1+L2。绝缘衬底110优选蓝宝石材料，可为平片衬底也可为图形化衬底。电流扩展层150优选氧化铟锡材料。绝缘层160优选Si02、SiNx等材料。
[0025]参看附图1和3，支架200包括金属水平结构210和金属竖直结构220，金属水平结构220具有一凸起211，凸起211插入通孔111内与N型层120接触，金属竖直结构220上端具有一方形接触部221，其通过方形接触部221与电流扩展层150接触，下端通过绝缘铰链230与金属水平结构210连接，当支架200注入电流后，外延结构100发射一定波长的光线。凸起211和方形接触部221均为金属材质；凸起211的高度为H，H和D之间的关系符合:H=D，以保证凸起211和N型层120紧密接触。方形接触部221的宽度等于外延结构100侧面绝缘层160的厚度，其高度小于等于透明导电层150的厚度，以保证金属竖直结构220与透明导电层160紧密接触。金属水平结构210和金属竖直结构220通过绝缘铰链230连接，铰链230采用绝缘材料，是为使金属水平结构210和金属竖直结构220电性隔离，保证注入电流时，电流流经外延结构100使其发光，而不是电流选择最短路径，支架导通，无法使外延结构100发光。采用铰链230连接金属水平结构210和金属竖直结构220，是因为，在组装支架200和外延结构100时，需将金属竖直结构220远离外延结构100摆动一定角度，然后将外延结构100插入凸起211上，最后再将金属竖直结构220复位，以实现支架200和外延结构100的快速组装。
[0026]实施例2
[0027]本实施例与实施例1的区别在于:为了提高支架200与外延结构100的电性接触性，参看附图4，本实施例中金属竖直结构221上端具有一指状接触部221’其具有复数个接触凸起2211，与复数个接触凸起2211对应，参看附图5，电流扩展层150具有复数个凹陷区151，接触凸起2211与凹陷区151数目相同，并且接触凸起2211的下表面涂覆或蒸镀接触性能较好的Cr或Ti等金属材料，同样地，凸起211的上表面也涂覆或蒸镀接触性能较好的Cr或Ti等金属材料。为避免支架200吸收外延结构100发射的光线，支架200与外延结构100接触的侧面均涂覆或蒸镀反射性金属或支架200采用反射性金属制备而成。
[0028]应当理解的是，上述具体实施方案为本实用新型的优选实施例，本实用新型的范围不限于该实施例，凡依本实用新型所做的任何变更，皆属本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种发光二极管，包括一外延结构和一支架，所述外延结构包括依次层叠的绝缘衬底、N型层、发光层、P型层、电流扩展层、以及位于所述N型层、发光层和P型层侧面的绝缘层，所述支架包括金属竖直结构和金属水平结构，所述绝缘衬底具有一通孔，所述金属水平结构具有一凸起，所述凸起插入通孔内与N型层接触，所述金属竖直结构上端与所述电流扩展层接触，下端通过绝缘的铰链与所述金属水平结构连接，当所述支架注入电流后，所述外延结构发光。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于:所述通孔的深度为D，绝缘衬底的厚度为L1，N型层的厚度为L2，D、L1和L2的关系符合:L1<D<L1+L2。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于:所述凸起的高度为H，所述通孔的深度为D，H和D的关系符合:H=D。4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于:所述金属竖直结构上端具有一方形接触部，所述金属竖直结构通过接触部与电流扩展层接触。5.根据权利要求4所述的一种发光二极管，其特征在于:所述方形接触部宽度等于绝缘层厚度，高度小于等于电流扩展层厚度。6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于:所述金属竖直结构上端具有一指状接触部，所述指状接触部具有复数个接触凸起，所述电流扩展层侧面具有复数个凹陷区，所述接触凸起插入所述凹陷区内，使所述金属竖直结构通过接触部与电流扩展层接触。7.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于:所述接触凸起和凹陷区数目相同。
【文档编号】H01L33/38GK205657087SQ201620489291
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2016年5月26日 公开号201620489291.X, CN 201620489291, CN 205657087 U, CN 205657087U, CN-U-205657087, CN201620489291, CN201620489291.X, CN205657087 U, CN205657087U
【发明人】蔡家豪, 古静, 陈文志, 钟丹丹, 王宜丽, 刘晶, 邱智中, 张家宏
【申请人】安徽三安光电有限公司