一种凹嵌式发光单元的利记博彩app
【专利摘要】一种凹嵌式发光单元，基材上设置有两个U形沟槽，基材为硅衬底，缓冲层成型在基材的表面及U形沟槽上，下化合物层成型在缓冲层上，量子阱层成型在下化合物层上，上化合物层成型在量子阱层上，量子阱层可以在下化合物层和上化合物层之间形成量子阱电载波，保护层覆盖U形沟槽，不覆盖上电极和下电极，上化合物层上成型有电流扩散层，欧姆接触层覆盖于电流扩散层上，欧姆接触层上成型透明导电层。对于形成在沟槽中的结构的优点是，在从U形的沟槽的垂直表面上的光发射可以比平坦表面更强，发光效率从而可以显著增加。
【专利说明】
一种凹嵌式发光单元
技术领域
[0001]本实用新型属于半导体领域，更具体的说本实用新型涉及一种半导体发光器件。
【背景技术】
[0002]固态光源，例如发光二极管(LED)和激光二极管，比白炽灯或荧光灯等形式的照明具有显著的优势。将红色，绿色和蓝色三种原色以合理阵列形式布置，可以调节作为白光或彩色光源。此时，固态光源是通常更有效，并比传统的白炽灯或荧光灯产生更少的热量。固态照明技术虽然在技术上具有一定的优势，但现有的半导体结构和器件用于固态照明费用相对昂贵。传统的固态光源是通过在诸如碳化硅或蓝宝石之类的衬底上设置发光材料层来实现发光，目前衬底和发光材料均是平面布置相对面积较大，相同基板的面积下实际发光面积也受到了局限。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型提供了一种凹嵌式发光单元，通过器件表面的设置改善发光效果。
[0004]—种凹嵌式发光单元，基材上设置有两个U形沟槽，基材为硅衬底，缓冲层成型在基材的表面及U形沟槽上，下化合物层成型在缓冲层上，量子阱层成型在下化合物层上，上化合物层成型在量子阱层上，量子阱层可以在下化合物层和上化合物层之间形成量子阱电载波，保护层覆盖U形沟槽，不覆盖上电极和下电极，上化合物层上成型有电流扩散层，欧姆接触层覆盖于电流扩散层上，欧姆接触层上成型透明导电层，上化合物层在U形沟槽一侧相对下化合物层具有凸起，上电极连接于上化合物凸起处，U形沟槽另一侧为两U形沟槽相邻处，该处设置有下电极，下电极搭接在基材上方两侧与下化合物层连通。
[0005]本实用新型的有益效果:对于形成在沟槽中的LED结构的优点是，在从U形的沟槽的垂直表面上的光发射可以比平坦表面更强，发光效率从而可以显著增加。
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型剖视图；
[0007]附图标记:1、上电极；2、透明导电层；3、欧姆接触层；4、电流扩散层；5、上化合物层;6、量子阱层;7、下电极;8、下化合物层;9、缓冲层;10、基材。
【具体实施方式】
[0008]—种凹嵌式发光单元，基材上设置有两个U形沟槽，基材为硅衬底，缓冲层成型在基材的表面及U形沟槽上，下化合物层成型在缓冲层上，量子阱层成型在下化合物层上，上化合物层成型在量子阱层上，量子阱层可以在下化合物层和上化合物层之间形成量子阱电载波，保护层覆盖U形沟槽，不覆盖上电极和下电极，上化合物层上成型有电流扩散层，欧姆接触层覆盖于电流扩散层上，欧姆接触层上成型透明导电层，上化合物层在U形沟槽一侧相对下化合物层具有凸起，上电极连接于上化合物凸起处，U形沟槽另一侧为两U形沟槽相邻处，该处设置有下电极，下电极搭接在基材上方两侧与下化合物层连通。基材可由硅，氧化硅或者玻璃制成。下化合物层的材质是η型半导体，而上化合物层的材质是P型半导体。
[0009]需要注意的是，而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种凹嵌式发光单元，其特征在于:基材上设置有两个U形沟槽，基材为硅衬底，缓冲层成型在基材的表面及U形沟槽上，下化合物层成型在缓冲层上，量子阱层成型在下化合物层上，上化合物层成型在量子阱层上，量子阱层可以在下化合物层和上化合物层之间形成量子阱电载波，保护层覆盖U形沟槽，不覆盖上电极和下电极，上化合物层上成型有电流扩散层，欧姆接触层覆盖于电流扩散层上，欧姆接触层上成型透明导电层，上化合物层在U形沟槽一侧相对下化合物层具有凸起，上电极连接于上化合物凸起处，U形沟槽另一侧为两U形沟槽相邻处，该处设置有下电极，下电极搭接在基材上方两侧与下化合物层连通。2.如权利要求1所述的一种凹嵌式发光单元，其特征在于:基材可由硅，氧化硅或者玻璃制成。3.如权利要求1所述的一种凹嵌式发光单元，其特征在于:下化合物层的材质是η型半导体，而上化合物层的材质是P型半导体。
【文档编号】H01L33/20GK205488190SQ201620066603
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年1月25日
【发明人】牛宝
【申请人】河北易贝信息技术有限公司