砷化镓光敏传感器的制造方法
【专利摘要】本实用新型具体涉及光敏传感器。砷化镓光敏传感器，包括光敏传感器主体，光敏传感器主体包括至少一个光敏芯片，光敏芯片外设有一封装体，光敏芯片包括基底，基底是由砷化镓制成的基底；光敏芯片包括一光敏面，光敏面呈一外凸型曲面。本实用新型通过优化传统的光敏传感器光敏芯片的基底，将传统由硅制成的基底改良为由砷化镓制成的基底，提高了光敏传感器的性能的性能，信号传输性能优异。本实用新型通过优化传统光敏面的结构，采用外凸型曲面，提高了光敏传感器的监测范围。
【专利说明】
砷化镓光敏传感器
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及机械技术领域，具体涉及光敏传感器。
【背景技术】
[0002]砷化镓是电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料。砷化镓的电子迀移率比硅大5?6倍。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。
[0003]现有的光敏传感器的芯片的基底，往往是由硅制成的，性能不够优异。目前市面上还不存有采用砷化镓用于光敏传感器。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于，提供砷化镓光敏传感器，以解决上述至少一种问题。
[0005]本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0006]砷化镓光敏传感器，包括光敏传感器主体，所述光敏传感器主体包括至少一个光敏芯片，所述光敏芯片外设有一封装体，所述光敏芯片包括基底，其特征在于，所述基底是由神化嫁制成的基底；
[0007]所述光敏芯片包括一光敏面，所述光敏面呈一外凸型曲面；
[0008]所述光敏面的横截面呈一圆心角为5°?10°的圆弧，所述圆弧的半径为Icm?2cm。
[0009]本实用新型通过优化传统的光敏传感器光敏芯片的基底，将传统由硅制成的基底改良为由砷化镓制成的基底，提高了光敏传感器的性能的性能，信号传输性能优异。本实用新型通过优化传统光敏面的结构，采用外凸型曲面，提高了光敏传感器的监测范围。保证光敏面的监测精度的同时，扩大监测面。
[0010]所述基底的厚度为230μπι?250μπι。
[0011]本实用新型优化了传统光敏芯片基底的厚度，在减少厚度的同时，保证了其性能，节约了生产成本。
[0012]所述封装体内嵌有一温度传感器，所述温度传感器是一无线温度传感器。
[0013]本实用新型通过温度传感器，便于实现控温，对于砷化镓在高温情况下具有毒性，本实用新型通过设有温度传感器便于监控光敏芯片的温度，防止在温度过高的情况下，污染物的产生。
[0014]所述光敏传感器主体包括至少四个光敏芯片，所述至少四个光敏芯片呈矩阵式排布，相邻光敏芯片的间距为Imm?1.5mm。
[0015]本实用新型通过设有多个光敏芯片，提高单个光敏芯片寿命的同时，扩大了传感精度。
[0016]所述封装体上设有信号输出端，所述信号输出端为导电体，所述封装体的外壁上设有由磁铁构成的磁性层，所述磁性层与所述导电体位于所述封装体的同侧。
[0017]本实用新型优化了传统光敏传感器封装体的结构，保证电性能通信稳定性的同时，便于光敏传感器的可拆卸。
[0018]所述封装体的下端部设有一万向装置。
[0019]便于实现光敏传感器主体不同方向的运动，实现不同方向的监测。
【附图说明】
[0020]图1为本实用新型的一种部分结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示进一步阐述本实用新型。
[0022]参照图1，砷化镓光敏传感器，包括光敏传感器主体，光敏传感器主体包括至少一个光敏芯片11，光敏芯片11外设有一封装体12，光敏芯片11包括基底，基底是由砷化镓制成的基底;光敏芯片11包括一光敏面，光敏面呈一外凸型曲面。本实用新型通过优化传统的光敏传感器光敏芯片11的基底，将传统由硅制成的基底改良为由砷化镓制成的基底，提高了光敏传感器的性能的性能，信号传输性能优异。本实用新型通过优化传统光敏面的结构，采用外凸型曲面，提高了光敏传感器的监测范围。光敏面的横截面呈一圆心角为5°?10°的圆弧，圆弧的半径为Icm?2cm。保证光敏面的监测精度的同时，扩大监测面。
[0023]基底的厚度为230μπι?250μπι。本实用新型优化了传统光敏芯片11基底的厚度，在减少厚度的同时，保证了其性能，节约了生产成本。
[0024]封装体12内嵌有一温度传感器，温度传感器是一无线温度传感器。本实用新型通过温度传感器，便于实现控温，对于砷化镓在高温情况下具有毒性，本实用新型通过设有温度传感器便于监控光敏芯片11的温度，防止在温度过高的情况下，污染物的产生。
[0025]光敏传感器主体包括至少四个光敏芯片11，至少四个光敏芯片11呈矩阵式排布，相邻光敏芯片11的间距为Imm?1.5mm。本实用新型通过设有多个光敏芯片11，提高单个光敏芯片11寿命的同时，扩大了传感精度。
[0026]封装体12上设有信号输出端，信号输出端为导电体14，封装体12的外壁上设有由磁铁构成的磁性层13，磁性层13与导电体14位于封装体12的同侧。本实用新型优化了传统光敏传感器封装体12的结构，保证电性能通信稳定性的同时，便于光敏传感器的可拆卸。导电体伸出封装体的长度等于磁性层的厚度。
[0027]封装体的下端部设有一万向装置。便于实现光敏传感器主体不同方向的运动，实现不同方向的监测。
[0028]光敏芯片从上至下依次设有上电极层、NiCr导电膜层、η型砷化镓缓冲层、基底、In或者AuGeNi的合金层、下电极层。实现光电转换。NiCr导电膜层的厚度为250μηι?300μηι;η型砷化镓缓冲层的厚度为260μηι?380μηι;合金层的厚度为250μηι?380μηι。
[0029]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.砷化镓光敏传感器，包括光敏传感器主体，所述光敏传感器主体包括至少一个光敏芯片，所述光敏芯片外设有一封装体，所述光敏芯片包括基底，其特征在于，所述基底是由神化嫁制成的基底； 所述光敏芯片包括一光敏面，所述光敏面呈一外凸型曲面； 所述光敏面的横截面呈一圆心角为5°?10°的圆弧，所述圆弧的半径为I Cm?2cm。2.根据权利要求1所述的砷化镓光敏传感器，其特征在于，所述基底的厚度为230μπι?250μπιο3.根据权利要求1所述的砷化镓光敏传感器，其特征在于，所述光敏传感器主体包括至少四个光敏芯片，所述至少四个光敏芯片呈矩阵式排布，相邻光敏芯片的间距为Imm?1.5mm ο4.根据权利要求1所述的砷化镓光敏传感器，其特征在于，所述封装体上设有信号输出端，所述信号输出端为导电体，所述封装体的外壁上设有由磁铁构成的磁性层，所述磁性层与所述导电体位于所述封装体的同侧。5.根据权利要求1所述的砷化镓光敏传感器，其特征在于，所述封装体的下端部设有一万向装置。
【文档编号】H01L31/0304GK205488173SQ201620065350
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年1月22日
【发明人】程治国, 王良
【申请人】上海长翊科技股份有限公司