一种高压整流二极管芯片的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型公开了一种高压整流二极管芯片，该芯片在P?型阳极区的四周设有钝化沟槽，钝化沟槽延伸至N型衬底，钝化沟槽的内表面设有玻璃钝化膜，P?型阳极区的正面设有SiO2膜和阳极金属电极，阳极金属电极与P?型阳极区之间设有P+型阳极区，P+型阳极区与钝化沟槽之间留有间距。该芯片通过在P+型阳极区与钝化沟槽之间设置一定的间距，使PN结终端的耗尽层始终在P?型阳极区，确保表面电场与体内电场强度一致，从而使耗尽层有更大的扩展空间，反向击穿多数发生在体内击穿，有效提高了反向击穿电压；同时该芯片结构简单，制造成本低，有效提高了芯片的制造效率和质量。
【专利说明】
一种高压整流二极管芯片
技术领域
[0001]本实用新型属于整流二极管芯片技术领域，具体是涉及一种高压整流二极管芯片。
【背景技术】
[0002]目前，大于2000V的高压整流二极管芯片的制造难度较大，由于高电压要求其具有比较大的空间电荷层扩展空间以及比较低的PN结终端的表面电场强度。而常规的整流二极管工艺中浓硼的扩散层严重影响了空间电荷区的扩展，击穿优先发生在表面，从而使二极管的击穿电压比理想的偏低。如要达到高反向击穿电压，只能通过增加衬底的电阻率、硅片的厚度和钝化沟槽的深度来实现，但制造成本和硅片的碎片率也会随之增加。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单，制造成本低，且具有高反向击穿电压的整流二极管芯片。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是:
[0005]—种高压整流二极管芯片，包括N型衬底，N型衬底的背面设有N+型阴极区，N+型阴极区的背面设有阴极金属电极，N型衬底的正面设有P—型阳极区，P—型阳极区的四周设有钝化沟槽，钝化沟槽延伸至N型衬底，钝化沟槽的内表面设有玻璃钝化膜，P—型阳极区的正面设有S12膜和阳极金属电极，阳极金属电极与P—型阳极区之间设有P+型阳极区，P+型阳极区与钝化沟槽之间留有间距。
[0006]进一步的，所述P+型阳极区与钝化沟槽之间的间距为20_50μπι。
[0007]更进一步的，所述P+型阳极区的结深为5_50μπι。
[0008]与现有技术相比，本实用新型的优点是:本实用新型的芯片通过在P+型阳极区与钝化沟槽之间设置一定的间距，使PN结终端的耗尽层始终在P—型阳极区，确保表面电场与体内电场强度一致，从而使耗尽层有更大的扩展空间，反向击穿多数发生在体内击穿，有效提高了反向击穿电压；同时该芯片结构简单，制造成本低，有效提高了芯片的制造效率和质量。
【附图说明】
[0009]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述。
[00?0]图1是本实用新型的结构不意图；
[0011 ]图2是本实用新型PN结反偏时空间电荷区的扩展图。
[0012]其中，1、阳极金属电极，2、Si02膜，3、Ρ+型阳极区，4、Ρ—型阳极区，5、玻璃钝化膜，6、N型衬底，7、N+型阴极区，8、阴极金属电极，9、钝化沟槽。
[0013]【具体实施方式】:
[0014]如图1所示，一种高压整流二极管芯片，包括N型衬底6，Ν型衬底6的背面设有N+型阴极区7，N+型阴极区7的背面设有阴极金属电极8，N型衬底6的正面设有P—型阳极区4，P一型阳极区4的四周设有钝化沟槽9，钝化沟槽9延伸至N型衬底6，钝化沟槽9的内表面设有玻璃钝化膜5，P—型阳极区4的正面设有S12膜2和阳极金属电极I，阳极金属电极I与P—型阳极区4之间设有P+型阳极区3，P+型阳极区3与钝化沟槽9之间留有20-50μπι的间距，P+型阳极区3的结深为5-50μηι。
[0015]如图2所示，由于P+型阳极区3位于P—型阳极区4的上部中心位置，且与钝化沟槽9之间存在间距，当PN结终端的耗尽层(图中虚线部分)在表面向上弯曲时，由于PN结终端的上部没有P+扩散层，该耗尽层始终在P—型阳极区4内，确保了表面电场与体内电场强度的一致性，且随着反向电压的增加，表面与体内的PN耗尽层同时扩展，直至PN结在体内发生击穿，从而有效提高了芯片的反向击穿电压。
【主权项】
1.一种高压整流二极管芯片，包括N型衬底，所述N型衬底的背面设有N+型阴极区，所述N+型阴极区的背面设有阴极金属电极，所述N型衬底的正面设有P—型阳极区，其特征在于:所述P—型阳极区的四周设有钝化沟槽，所述钝化沟槽延伸至N型衬底，所述钝化沟槽的内表面设有玻璃钝化膜，所述P—型阳极区的正面设有S12膜和阳极金属电极，所述阳极金属电极与P一型阳极区之间设有P+型阳极区，所述P+型阳极区与钝化沟槽之间留有间距。2.根据权利要求1所述的一种高压整流二极管芯片，其特征在于:所述P+型阳极区与钝化沟槽之间的间距为20-50μηι。3.根据权利要求1或2所述的一种高压整流二极管芯片，其特征在于:所述P+型阳极区的结深为5-50μηι。
【文档编号】H01L29/06GK205428950SQ201620192024
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年3月14日
【发明人】那雪梅, 王成森, 张超, 姜瑞
【申请人】江苏捷捷微电子股份有限公司