一种PoP堆叠封装结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及微电子封装技术以及三维集成技术领域，特别涉及一种三维PoP封装技术及其制造方法。
【背景技术】
[0002]随着电子封装产品向高密度、多功能、低功耗、小型化方向的不断发展，采用三维集成技术的系统级封装(System in Package，SiP)取得了突飞猛进的发展。现有成熟的三维集成技术主要为堆叠封装(Package on Package，PoP)。在PoP封装中，上封装通过焊球作为互联结构实现与下封装，以及外部环境的三维导通。由于上、下封装结构的差异，导致制造工艺过程中封装翘曲难以得到有效控制，严重影响焊球互联结构的可靠性。另外，由于焊球互联结构的存在，PoP封装的高度无法进一步的降低，难以满足小型化的要求。
[0003]因此，仍然需要新的封装结构和制造技术，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
[0004]本实用新型针对三维PoP封装技术提出一种封装结构和制造方法，以解决现有PoP封装技术所存在的封装密度和成本问题。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用下述技术方案。
[0006]本实用新型提出一种PoP堆叠封装结构，包括PoP封装的第一封装体(下封装体)和第二封装体(上封装体)1P堆叠封装通过上、下封装堆叠形成，其中下封装为塑封型BGA、CSP封装等表面贴装型封装，上封装为至少具有一个插针的PGA封装等插装型封装。下封装的塑封材料至少具有一个模塑通孔，导电材料填充于模塑通孔中。上封装的插针完全插入下封装模塑通孔中的导电材料中。
[0007]利用该结构，上封装的插针完全插入下封装模塑通孔中的导电材料中，与下封装基板上的互联接口形成互联，从而实现上封装与下封装体之间，以及与外部环境的互联。由于上、下封装之间无需焊球互联结构存在，而是直接通过插针实现互联，不仅提高了封装的热-机械可靠性，而且还降低了封装的整体高度。
[0008]根据本实用新型的实施例，导电材料可以是但不局限于焊料、铜等金属材料。
[0009]根据本实用新型的实施例，导电材料的上表面低于塑封材料的上表面。
[0010]根据本实用新型的实施例，上封装的插针的高度不大于塑封材料的高度。
[0011]本实用新型公开了一种PoP堆叠封装结构的制造方法，所述方法包括以下步骤。
[0012]步骤1:准备塑封型BGA、CSP封装等表面贴装型封装，作为PoP堆叠封装的下封装。
[0013]步骤2:在下封装的塑封材料中制作模塑通孔，裸露出下封装基板上的互联接口。
[0014]步骤3:在模塑通孔中填充导电材料。
[0015]步骤4:准备至少具有一个插针的PGA封装等插装型封装，作为PoP堆叠封装的上封装。
[0016]步骤5:将上封装的插针完全插入下封装模塑通孔中的导电材料中，形成PoP堆叠封装。
[0017]根据本实用新型的实施例，模塑通孔采用激光或者机械开孔，或者采用特制塑封模具直接塑封形成。
[0018]根据本实用新型的实施例，导电材料通过电镀或者液态金属填充，或者钎料膏印刷方法制作。
【附图说明】
[0019]图1是PoP堆叠封装的下封装的示意图。
[0020]图2是在下封装的塑封材料中制作模塑通孔的示意图。
[0021 ]图3是在模塑通孔中填充导电材料的示意图。
[0022]图4是准备PoP堆叠封装的上封装的示意图。
[0023]图5是PoP堆叠封装的一实施例的示意图。
【具体实施方式】
[0024]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细描述。
[0025]图5为根据本实用新型的一实施例绘制的PoP堆叠封装的示意图。PoP堆叠封装通过上、下封装堆叠形成。在本实用新型中，上、下封装中芯片的数量不限，芯片的配置方式不限，可以为引线键合方式，也可以为倒装上芯方式，或者为两者的混合模式。本实施例中，上、下封装均采用引线键合方式。PoP堆叠封装的下封装包含基板1、芯片2、粘贴材料3、金属导线4、塑封料5和焊球610P堆叠封装的上封装包含基板21、芯片23、粘贴材料22、金属导线24、塑封料25和插针26。导电材料7填充于下封装的塑封料5的模塑通孔中。
[0026]下面将以图5所述实施例的PoP堆叠封装结构为例，以图1至图5来详细说明PoP堆叠封装结构的制造流程。
[0027]步骤1:准备塑封型BGA、CSP封装等表面贴装型封装，作为PoP堆叠封装的下封装，如图1所示。
[0028]请参照图1，准备塑封型BGA、CSP封装等表面贴装型封装，作为PoP堆叠封装的下封装。在本实用新型中，下封装中芯片的数量不限，芯片的配置方式不限，可以为引线键合方式，也可以为倒装上芯方式，或者为两者的混合模式。本实施例中，下封装均采用引线键合方式。PoP堆叠封装的下封装包含基板1、芯片2、粘贴材料3、金属导线4、塑封料5和焊球6。
[0029]步骤2:在下封装的塑封材料中制作模塑通孔，裸露出下封装基板上的互联接口，如图2所示。
[0030]请参照图2，在下封装的塑封材料5中制作模塑通孔，裸露出下封装基板上的互联接口。在本实施例中，模塑通孔可以采用激光或者机械开孔，或者采用特制塑封模具直接塑封形成。
[0031]步骤3:在模塑通孔中填充导电材料，如图3所示。
[0032]请参照图3，在模塑通孔中填充导电材料7。在本实用新型中，采用电镀或者液态金属填充，或者钎料膏印刷方法制作导电材料7。导电材料7可以是但不局限于焊料、铜等金属材料。导电材料7的上表面低于塑封材料的上表面。
[0033]步骤4:准备至少具有一个插针的PGA封装等插装型封装，作为PoP堆叠封装的上封装，如图4所示。
[0034]请参照图4，准备至少具有一个插针的PGA封装等插装型封装，作为PoP堆叠封装的上封装。在本实用新型中，上封装中芯片的数量不限，芯片的配置方式不限，可以为引线键合方式，也可以为倒装上芯方式，或者为两者的混合模式。本实施例中，下封装均采用引线键合方式。PoP堆叠封装的上封装包含基板21、芯片23、粘贴材料22、金属导线24、塑封料25和插针26。
[0035]步骤5:将上封装的插针完全插入下封装模塑通孔中的导电材料中，形成PoP堆叠封装，如图5所示。
[0036]请参照图5，将上封装的插针26完全插入下封装模塑通孔中的导电材料7中，形成PoP堆叠封装。在本实用新型中，上封装的插针26的高度不大于下封装的塑封材料5的高度。在本实用新型中，如果填充的导电材料7为焊料等材料，那么在完全插入插针26后需进行回流焊工艺以形成完整的焊接互联。
[0037]对本实用新型的实施例的描述是出于有效说明和描述本实用新型的目的，并非用以限定本实用新型，任何所属本领域的技术人员应当理解:凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种PoP堆叠封装结构，其特征在于，所述结构包括: PoP堆叠封装结构通过上、下封装堆叠形成，其中下封装为塑封型BGA、CSP封装表面贴装型封装，上封装为至少具有一个插针的PGA封装插装型封装;下封装的塑封材料至少具有一个模塑通孔，导电材料填充于模塑通孔中；上封装的插针完全插入下封装模塑通孔中的导电材料中。2.根据权利要求1所述一种PoP堆叠封装结构，其特征在于，导电材料可以是但不局限于焊料、铜金属材料。3.根据权利要求1所述一种PoP堆叠封装结构，其特征在于，导电材料的上表面低于塑封材料的上表面。4.根据权利要求1所述一种PoP堆叠封装结构，其特征在于，上封装的插针的高度不大于塑封材料的高度。
【专利摘要】本实用新型公开了一种PoP堆叠封装结构。该PoP堆叠封装通过上、下封装堆叠形成，其中下封装为塑封型BGA、CSP封装等表面贴装型封装，上封装为至少具有一个插针的PGA封装等插装型封装。下封装的塑封材料至少具有一个模塑通孔，导电材料填充于模塑通孔中。上封装的插针完全插入下封装模塑通孔中的导电材料中，形成PoP堆叠封装。
【IPC分类】H01L25/00, H01L23/48, H01L23/52, H01L23/31
【公开号】CN205376518
【申请号】CN201620063675
【发明人】夏国峰, 尤显平, 葛卫国
【申请人】重庆三峡学院, 夏国峰
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2016年1月23日