可快速降温的高灵敏度变阻器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电工装置，尤其涉及可快速降温的高灵敏度变阻器。
【背景技术】
[0002]滑动变阻器通过移动滑片的位置来改变自身的电阻，即可以保护电路，又可以改变电路中的电流大小，从而改变用电器两端电压大小是电路中的一个重要元件。但是作为电阻，变阻器在使用一段时间后，会产生发热现象，而变阻器的单位电阻会随着温度的变化而变化，严重影响变阻器的灵敏度；现有技术所提出的散热型滑动变阻器，效果还是不理雄
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【发明内容】
[0003]本实用新型的主要目的在于针对现有技术存在的问题，而提出一种灵敏度高的可快速降温的高灵敏度变阻器。
[0004]为了达到上述目的，本实用新型的技术方案如下:
[0005]本实用新型所涉及的变阻器包括两个支撑架、瓷套、滑杆和散热装置;所述的瓷套和滑杆设置在两个支撑架之间，所述的瓷套用设置在支撑架外侧的螺钉进行紧固连接，所述的滑杆穿过所述支撑架的上端并进行固定，所述的瓷套为中空结构，所述的散热装置为一组纵横交错的散热片，所述的散热片放置在所述的瓷套内，所述的瓷套上还设置有贯穿瓷套表面的散热孔。
[0006]所述的滑杆上套接有接触滑片。
[0007]所述的滑杆的两端为上接线柱。
[0008]所述的支撑架的下端外侧设置有下接线柱。
[0009]所述的散热孔为均匀密布排列。
[0010]所述的下接线柱与所述的电阻螺线圈相连接。
[0011]本实用新型的有益效果在于:本实用新型通过在线圈瓷套内设置散热器的方式，可以很好的控制滑动变阻器的温度始终处于室温，滑动变阻器的单位电阻变化量小，灵敏度较高。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型的正视图；
[0013]图2为本实用新型的侧视图；
[0014]其中:1为支撑架，2为散热孔，3为下接线柱，4为螺钉，5为上接线柱，6为瓷套，7为滑杆，8为接触滑片，9为散热片。
【具体实施方式】
[0015]下面将结合附图和具体实施例来对本实用新型做进一步说明:
[0016]如图1-2所示，本实用新型所涉及的变阻器包括两个支撑架1、瓷套6、滑杆7和散热装置;瓷套6和滑杆7设置在两个支撑架1之间，滑杆7上套接有接触滑片8，瓷套6用设置在支撑架1外侧的螺钉4进行紧固连接，滑杆7穿过所述支撑架1的上端并进行固定，滑杆7的两端为上接线柱5，瓷套6为中空结构，散热装置为一组纵横交错的散热片9，散热片9放置在所述的瓷套6内，瓷套6上还设置有贯穿瓷套6表面的散热孔2，散热孔2为均匀密布排列，瓷套6外表面缠绕有电阻螺线圈，支撑架1的下端外侧设置有下接线柱3，下接线柱3与所述的电阻螺线圈相连接。
[0017]本实施例通过在线圈瓷套内设置散热器的方式，可以很好的控制滑动变阻器的温度始终处于室温，滑动变阻器的单位电阻变化量小，灵敏度较高。
【主权项】
1.可快速降温的高灵敏度变阻器，其特征在于:所述的变阻器包括两个支撑架(1)、瓷套(6)、滑杆(7)和散热装置;所述的瓷套(6)和滑杆(7)设置在两个支撑架(1)之间，所述的瓷套(6)用设置在支撑架(1)外侧的螺钉(4)进行紧固连接，所述的滑杆(7)穿过所述支撑架(1)的上端并进行固定，所述的瓷套(6)为中空结构，所述的散热装置为一组纵横交错的散热片(9)，所述的散热片(9)放置在所述的瓷套(6)内，所述的瓷套(6)上还设置有贯穿瓷套(6)表面的散热孔(2)，所述的瓷套(6)外表面缠绕有电阻螺线圈。2.根据权利要求1所述的可快速降温的高灵敏度变阻器，其特征在于:所述的滑杆(7)上套接有接触滑片(8)。3.根据权利要求1所述的可快速降温的高灵敏度变阻器，其特征在于:所述的滑杆(7)的两端为上接线柱(5)。4.根据权利要求1所述的可快速降温的高灵敏度变阻器，其特征在于:所述的支撑架(1)的下端外侧设置有下接线柱(3)。5.根据权利要求1所述的可快速降温的高灵敏度变阻器，其特征在于:所述的散热孔(2)为均匀密布排列。6.根据权利要求4所述的可快速降温的高灵敏度变阻器，其特征在于:所述的下接线柱(3)与电阻螺线圈相连接。
【专利摘要】本实用新型提供可快速降温的高灵敏度变阻器，所述的变阻器包括两个支撑架、瓷套、滑杆和散热装置；所述的瓷套和滑杆设置在两个支撑架之间，所述的瓷套用设置在支撑架外侧的螺钉进行紧固连接，所述的滑杆穿过所述支撑架的上端并进行固定，所述的瓷套为中空结构，所述的散热装置为一组纵横交错的散热片，所述的散热片放置在所述的瓷套内，所述的瓷套上还设置有贯穿瓷套表面的散热孔。本实用新型的有益效果在于：本实用新型通过在线圈瓷套内设置散热器的方式，可以很好的控制滑动变阻器的温度始终处于室温，滑动变阻器的单位电阻变化量小，灵敏度较高。
【IPC分类】H01C1/084, H01C10/38
【公开号】CN205159016
【申请号】CN201520772097
【发明人】李彦飞
【申请人】李彦飞
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月30日