抗断裂式芯片的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及芯片加工领域，尤其涉及一种抗断裂式芯片。
【背景技术】
[0002]在上述各种处理芯片的工艺中，芯片常会受到程度不同的外力作用。一般而言，芯片上的各种功能结构通常设置于芯片具有最大面积的主要表面上，并且各结构常会在芯片上造成材料上的缺陷，而容易在这些缺陷上产生应力集中的现象。当所受到的外力逐渐增加时，这些区域上的应力集中现象会更加剧烈。由于目前的芯片材料都是使用脆性的材质，例如，硅晶圆，因此上述应力集中现象容易使得芯片应力集中处产生裂痕甚至导致芯片破裂，进而降低芯片合格率同时提高其生产成本。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型是为解决芯片受力后易受损的问题而提供的一种抗断裂式芯片。
[0004]本实用新型通过下述技术手段解决上述技术问题:一种抗断裂式芯片，其特征在于，包括芯片本体，所述芯片本体呈矩形，所述芯片本体侧面设置有金属连接片，所述连接片端部设置有金属引脚，所述连接片连接至所述芯片本体内部的逻辑电路，所述芯片本体外部设置有纳米结构层。使用中的芯片本体的纳米结构层可以帮助分散受力，如果遇到金属引脚损坏，可以直接跟换，在整理芯片时，也可以将引脚扳至连接片上，放置受力损坏。
[0005]作为本实用新型的进一步改进，所述金属引脚呈L型，所述引脚与所述连接片为活动连接，由于引脚属于小微型部件，在十分容易折断，L型的引脚在使用中可以被扳至180度后贴合连接片。
[0006]本实用新型的有益效:(I)本实用新型的纳米结构层可以分散整个芯片块所承受的压力，有利于保持芯片本体的完整性；(2)本实用新型的引脚可以扳至贴合连接片，减少了引脚折断的问题。
【附图说明】
[0007]图1是本实用新型抗断裂式芯片的结构示意图。
[0008]I芯片本体2连接片3引脚4纳米结构层。
【具体实施方式】
[0009]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0010]本实用新型实施例1:一种抗断裂式芯片，包括芯片本体1，所述芯片本体I呈矩形，所述芯片本体I侧面设置有金属连接片2，所述连接片2端部设置有金属引脚3，所述连接片2连接至所述芯片本体I内部的逻辑电路，所述芯片本体I外部设置有纳米结构层4。使用中的芯片本体的纳米结构层可以帮助分散受力，如果遇到金属引脚损坏，可以直接跟换，在整理芯片时，也可以将引脚扳至连接片上，放置受力损坏，由于引脚属于小微型部件，在十分容易折断，L型的引脚在使用中可以被扳至180度后贴合连接片。
[0011]本实用新型实施例2:—种抗断裂式芯片，包括芯片本体1，所述芯片本体I呈矩形，所述芯片本体I侧面设置有金属连接片2，所述连接片2端部设置有金属引脚3，所述连接片2连接至所述芯片本体I内部的逻辑电路，所述芯片本体I外部设置有纳米结构层4，所述金属引脚3呈L型，所述引脚3与所述连接片2为活动连接。使用中的芯片本体的纳米结构层可以帮助分散受力，如果遇到金属引脚损坏，可以直接跟换，在整理芯片时，也可以将引脚扳至连接片上，放置受力损坏，由于引脚属于小微型部件，在十分容易折断，L型的引脚在使用中可以被扳至180度后贴合连接片。
[0012]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种抗断裂式芯片，其特征在于，包括芯片本体(I )，所述芯片本体(I)呈矩形，所述芯片本体(I)侧面设置有金属连接片(2 )，所述连接片(2 )端部设置有金属引脚(3 )，所述连接片(2 )连接至所述芯片本体(I)内部的逻辑电路，所述芯片本体(I)外部设置有纳米结构层⑷。2.根据权利要求1所述的抗断裂式芯片，其特征在于，所述金属引脚(3)呈L型，所述引脚(3)与所述连接片(2)为活动连接。
【专利摘要】本实用新型公开了一种抗断裂式芯片，其特征在于，包括芯片本体，所述芯片本体呈矩形，所述芯片本体侧面设置有金属连接片，所述连接片端部设置有金属引脚，所述连接片连接至所述芯片本体内部的逻辑电路，所述芯片本体外部设置有纳米结构层。本实用新型的有益效果：（1）本实用新型的纳米结构层可以分散整个芯片块所承受的压力，有利于保持芯片本体的完整性；（2）本实用新型的引脚可以扳至贴合连接片，减少了引脚折断的问题。
【IPC分类】H01L23/49, H01L23/28
【公开号】CN204946887
【申请号】CN201520680824
【发明人】张帮岭
【申请人】铜陵晶越电子有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年9月6日