阵列基板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型的至少一个实施例涉及一种阵列基板、显示装置。
【背景技术】
[0002]高级超维场转换(AdvancedSuper Dimens1n Switch，ADS)技术由于具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差等优点而被广泛应用于各类显示装置中。在ADS液晶显示装置中，像素电极和公共电极都设置于阵列基板上，例如，像素电极可以具有板状结构，公共电极可以具有狭缝状结构，像素电极设置于公共电极和阵列基板的衬底基板之间。通过对公共电极和像素电极加载数据电压可以控制液晶分子的偏转，进而控制通过液晶面板的光线。
[0003]阵列基板上设置有多条栅线和多条数据线，这些栅线和数据线彼此交叉以限定多个子像素单元。例如，可以通过对栅线依次施加栅扫描信号以实现图像显示。为更好地满足显示效果的需要，像素电极上的电压通常需要能够保持在某个电压值上，直到下一帧栅扫描信号到来。如果维持在像素电极上的电压过早下降，则会降低ADS液晶显示装置的显示效果。因此，通常ADS阵列基板中的每一子像素单元都包括一个存储电容来满足保持像素电极电压稳定的要求。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的至少一个实施例提供一种阵列基板、显示装置，以在保证子像素单元的开口率的前提下增大阵列基板的存储电容。
[0005]本实用新型的至少一个实施例提供了一种阵列基板，其包括子像素单元，所述子像素单元包括第一透明公共电极、像素电极和第二透明公共电极；所述像素电极设置于所述第一透明公共电极上方并且与所述第一透明公共电极相绝缘，所述第一透明公共电极在所述像素电极所在面上的正投影与所述像素电极有重叠部分；以及所述第二透明公共电极设置于所述像素电极上方并且与所述像素电极相绝缘。
[0006]例如，所述阵列基板还可以包括平坦层其设置于所述像素电极与所述第二透明公共电极之间。
[0007]例如，所述第一透明公共电极的所述正投影可以位于所述像素电极所在区域内。
[0008]例如，所述阵列基板还包括栅线和数据线，栅线和数据线彼此交叉以限定所述子像素单元，所述栅线和所述数据线中的至少之一在所述第一透明公共电极所在面上的正投影可以位于所述第一透明公共电极所在区域之外。
[0009]例如，所述阵列基板还可以包括公共电极线，所述第一透明公共电极可以与所述公共电极线直接接触，并且二者之间的接触区域与所述第一透明公共电极在所述公共电极线所在面上的正投影所在的区域一致。
[0010]例如，所述公共电极线与所述栅线同层设置，则所述阵列基板还可以包括覆盖所述栅线的端部的导电结构，所述导电结构可以与所述第一透明公共电极同层设置；或者所述公共电极线与所述数据线同层设置，则所述阵列基板还可以包括覆盖所述数据线的端部的导电结构，所述导电结构可以与所述第一透明公共电极同层设置。
[0011]例如，所述第一透明公共电极可以具有镂空部，所述镂空部在所述像素电极所在面上的正投影位于所述像素电极所在区域中。
[0012]例如，沿所述第一透明公共电极所在面方向，所述镂空部的平面形状可以为多边形、圆形或椭圆形。
[0013]例如，所述子像素单元还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层与所述第一透明公共电极可以同层设置。
[0014]本实用新型的至少一个实施例还提供了一种显示装置，其包括以上任一项所述的阵列基板。
[0015]在本实用新型实施例提供的阵列基板、显示装置中，通过设置与像素电极交叠的第一透明公共电极，使得第一透明公共电极和像素电极之间产生电容，以获得更大的存储电容；第一透明公共电极设置为透明，可以保证阵列基板的开口率；此外，第一透明公共电极设置于像素电极的远离第二透明公共电极的一侧，可以尽量避免对像素电极与第二透明公共电极之间产生的用于控制液晶的电场造成影响。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制。
[0017]图1a为一种ADS阵列基板的俯视不意图；
[0018]图1b为沿图1a中AA线、BB线和CC线的剖视示意图；
[0019]图2a为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；
[0020]图2b为本实用新型实施例提供的一种阵列基板沿图2a中aa线、bb线和cc线的剖视示意图；
[0021]图3a为本实用新型实施例提供的阵列基板中栅线的端部设置有导电结构的俯视示意图；
[0022]图3b为沿图3a中EE线的剖视示意图；
[0023]图4为本实用新型实施例提供的另一种阵列基板沿图2a中aa线、bb线和cc线的剖视示意图；
[0024]图5a和图5b为本实用新型实施例提供的阵列基板中第一透明公共电极设置有镂空部的俯视不意图；
[0025]图6为本实用新型实施例提供的显示装置的剖视示意图；
[0026]图7为本实用新型实施例提供的阵列基板的利记博彩app的流程图；
[0027]图8a和图Sb为本实用新型实施例提供的利用形成有源层的材料制作第一透明公共电极的不意图；
[0028]图9a为本实用新型实施例提供的阵列基板的利记博彩app中形成第一透明公共电极后的俯视不意图；
[0029]图9b为本实用新型实施例提供的阵列基板的利记博彩app中形成像素电极后的俯视示意图；
[0030]图9c为本实用新型实施例提供的阵列基板的利记博彩app中形成第二透明公共电极后的俯视不意图。
【具体实施方式】
[0031]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0032]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0033]图1a为一种ADS阵列基板的俯视示意图；图1b为沿图1a中AA线、BB线和CC线的剖视示意图。如图1a和图1b所示，该ADS阵列基板包括多条栅线101和多条数据线102，这些栅线101和数据线102彼此交叉以限定多个子像素单元。例如，每个子像素单元包括薄膜晶体管110以及设置于平坦层150上且通过绝缘层170彼此绝缘的像素电极160和公共电极180。薄膜晶体管110包括栅极111、栅绝缘层112、有源层113、源极114和漏极115，栅极111可以与栅线101 —体形成，源极114可以与数据线102 —体形成，漏极115与像素电极160例如通过过孔161电连接。该ADS阵列基板还可以包括与公共电极180电连接的公共电极线130，该公共电极线130例如与栅线101同层设置。
[0034]在研究中，本申请的发明人注意到，ADS阵列基板中的存储电容通常是通过公共电极180和像素电极160之间的交叠部分产生，但存储电容的大小往往受到绝缘层170的厚度或分辨率等因素的限制而很难增大。
[0035]如图2a和图2b所示，本实用新型的至少一个实施例提供了一种阵列基板20，其包括子像素单元200，子像素单元200包括第一透明公共电极290、像素电极260和第二透明公共电极280，像素电极260设置于第一透明公共电极290上方并且与第一透明公共电极290相绝缘(S卩，二者之