一种电磁线绕包用220级聚酰亚胺烧结膜的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及电磁线绕包用烧结膜的技术领域，尤其设及一种电磁线绕包用 220级聚酷亚胺烧结膜。
【背景技术】
[0002] 电磁线是用W制造电工产品中的线圈或绕组的绝缘电线，是实现磁电转换的重要 部件，其基本组成包括导电线忍和电绝缘层。绕包是在导线外加付绝缘层的步骤。
[0003] 目前，电磁线绕包使用的聚酷亚胺烧结膜中，最常用的是聚酷亚胺-聚全氣乙丙 締复合薄膜。中国专利CN201220068260. 9设及一种多层耐电晕聚酷亚胺-氣46复合薄膜 烧结线，其结构包括铜导线和绕包于其上的至少两层聚酷亚胺-氣46复合薄膜；中国专利 201020294622. 7设及深井潜油电机用高溫聚酷亚胺薄膜烧结圆铜线，其结构为在铜线的外 面覆有聚酷亚胺-氣46复合薄膜，所述复合薄膜是将聚全氣乙丙締树脂复合在聚酷亚胺薄 膜的单面或者双面。
[0004] 由于受到聚全氣乙丙締树脂的耐热性、绝缘强度和粘接能力的影响，该烧结膜的 耐热等级为200级，且需要12. 5ym的高粘接层厚度。而应用领域的发展，对电磁线绕包用 烧结膜的整体耐热性、厚度提出了更高的要求。 【实用新型内容】 阳0化]为了解决现有技术的上述不足，本实用新型的目的在于提供一种220级聚酷亚胺 烧结膜。
[0006] 本实用新型采用的技术方案：一种电磁线绕包用220级聚酷亚胺烧结膜，包括聚 酷亚胺薄膜层，W及复合在所述聚酷亚胺薄膜层上的至少一层可热烙性聚酷亚胺树脂层；
[0007] 所述电磁线绕包用220级聚酷亚胺烧结膜，其中可热烙性聚酷亚胺树脂层复合在 聚酷亚胺薄膜层的单面或者双面；
[0008] 所述电磁线绕包用220级聚酷亚胺烧结膜，其中聚酷亚胺薄膜层的厚度为5~ 250ym，所述可热烙性聚酷亚胺树脂层的厚度为1~12. 5ym。
[0009] 所述电磁线绕包用220级聚酷亚胺烧结膜，其中所述复合为涂覆。
[0010] 与现有技术相比，本实用新型采用可热烙性聚酷亚胺树脂层作为绕包粘接层，该 树脂比聚全氣乙丙締具有更高的耐热性，从而提高了烧结膜的耐热等级。由于该树脂的电 气性能和粘接力强，能有效降低粘接层厚度，从而减轻绝缘层的体积和重量。
【附图说明】
[0011] 图1为单面涂覆可热烙性聚酷亚胺树脂的聚酷亚胺烧结膜结构示意图；
[0012] 图2为双面涂覆可热烙性聚酷亚胺树脂的聚酷亚胺烧结膜结构示意图。
【具体实施方式】
[0013] W下用结合附图I和2对本实用新型进行详细的说明。
[0014] 实施例1
[0015] 电磁线绕包用220级聚酷亚胺烧结膜（图1)，它包括聚酷亚胺薄膜层2,W及单面 涂覆在所述聚酷亚胺薄膜层上的可热烙性聚酷亚胺树脂层1 ;其中，聚酷亚胺薄膜层的厚 度为5~250ym，可热烙性聚酷亚胺树脂层厚度为1~12. 5ym。
[0016] 实施例2
[0017] 电磁线绕包用220级聚酷亚胺烧结膜（图2)，它包括聚酷亚胺薄膜层2,W及双面 涂覆在所述聚酷亚胺薄膜层上的可热烙性聚酷亚胺树脂层1和3 ;其中聚酷亚胺薄膜层的 厚度为5~250ym，可热烙性聚酷亚胺树脂层厚度为1~12. 5ym。 阳〇1引 实施例3
[0019] 制备方法：在聚酷亚胺薄膜（民ayipoly饭HN型聚酷亚胺薄膜）层上单面或双面 涂覆可热烙型聚酷亚胺树脂前驱体（聚酷胺酸）（找ayip:oly?TPA树脂）溶液层，然后除 去溶剂并亚胺化。
[0020] 制备实施例1和实施例2的聚酷亚胺烧结膜，与聚酷亚胺-氣46复合薄膜一起测 试其性能，结果如下表1和表2:
[0021] 表1实施例1制备的聚酷亚胺烧结膜的性能参数
[0023] 表2实施例2制备的聚酷亚胺烧结膜的性能参数
[0024]
【主权项】
1. 一种电磁线绕包用220级聚酰亚胺烧结膜，其特征在于包括一聚酰亚胺薄膜层，以 及复合在所述聚酰亚胺薄膜层上的至少一层可热熔性聚酰亚胺树脂层。2. 如权利要求1所述的电磁线绕包用220级聚酰亚胺烧结膜，其特征在于所述可热熔 性聚酰亚胺树脂层复合在聚酰亚胺薄膜层的单面或者双面。3. 如权利要求1所述的电磁线绕包用220级聚酰亚胺烧结膜，其特征在于所述聚酰亚 胺薄膜层的厚度为5~250ym，所述可热恪性聚酰亚胺树脂层厚度为1~12. 5ym。4. 如权利要求1所述的电磁线绕包用220级聚酰亚胺烧结膜，其特征在于所述复合为 涂覆。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电磁线绕包用220级聚酰亚胺烧结膜，包括聚酰亚胺薄膜层，以及涂覆在所述聚酰亚胺薄膜层上的可热熔性聚酰亚胺树脂层。本实用新型具有良好的耐热性和电气性能，且粘接力强，能减轻电磁线绝缘层的体积和重量。
【IPC分类】H01B17/62, H01B7/02, H01B17/60
【公开号】CN204904944
【申请号】CN201520571094
【发明人】胡勇, 刘龙泉
【申请人】深圳瑞华泰薄膜科技有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年7月31日