一种分立器件圆胞排布结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体制造技术领域，特别涉及一种分立器件圆胞排布结构。
【背景技术】
[0002]现有的分立器件的圆胞结构，如图1和2所示，因为寄生三极管效应，寄生体电阻较大，限制了雪崩冲击和短路能力。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种分立器件圆胞排布结构。
[0004]本实用新型的技术方案是，一种分立器件圆胞排布结构，所述分立器件圆胞排布结构的接触孔Contact的宽度小于源区N+的宽度，圆胞结构的源区N+是间隔排列。
[0005]所述分立器件的器件类型是VDMOS或IGBT。
[0006]所述分立器件的Poly结构是平面结构或者沟槽结构。
[0007]本实用新型通过减小接触孔Contact与源区N+的接触面积，降低寄生电阻效应，提升雪崩冲击和短路能力。本实用新型可以降低寄生三极管的体电阻效应，提高圆胞的雪崩冲击和短路能力。
【附图说明】
[0008]通过参考附图阅读下文的详细描述，本实用新型示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本实用新型的若干实施方式，其中:
[0009]图1是现有分立器件的一种圆胞结构俯视图。
[0010]图2是现有分立器件的另一种圆胞结构俯视图。
[0011]图3是本实用新型的圆胞结构俯视图。
[0012]图4是现有常规圆胞结构的剖面图。
[0013]图5是本实用新型的圆胞结构部分剖面图。
[0014]其中，I——多晶(Poly)，2——接触孔(Contact)，3——源区(N+)，4——P+阱区(P+Body)，5--N 型外延区。
【具体实施方式】
[0015]如图3所示，一种分立器件圆胞排布结构，所述分立器件圆胞排布结构的接触孔Contact的宽度小于源区N+的宽度，圆胞结构的源区N+是间隔排列。
[0016]其中，对于Poly⑶不限，可以随器件性能要求做尺寸调整。
[0017]对于Contact⑶不限，可以随器件性能要求做尺寸调整。
[0018]对于N+⑶和间距不限，可以随器件性能要求做尺寸调整。
[0019]对于分立器件的器件类型不限，可以是VDM0S，IGBT等各种分立器件。
[0020]对于分立器件的Poly结构不限，可以是平面结构或者沟槽结构。
[0021]Poly⑶是多晶的条宽，Contact⑶是接触孔的条宽，N+⑶是源区的条宽。
[0022]传统的分立器件圆胞结构，因为寄生三极管效应，寄生体电阻较大，雪崩冲击和短路能力较差，本实用新型可以显著降低寄生三极管的体电阻，改善雪崩冲击和短路能力。
[0023]值得说明的是，虽然前述内容已经参考若干【具体实施方式】描述了本实用新型创造的精神和原理，但是应该理解，本实用新型创造并不限于所公开的【具体实施方式】，对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合，这种划分仅是为了表述的方便。本实用新型创造旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。
【主权项】
1.一种分立器件圆胞排布结构，其特征在于，所述分立器件圆胞排布结构的接触孔Contact的宽度小于源区N+的宽度。2.如权利要求1所述分立器件圆胞排布结构，其特征在于，圆胞的源区N+是间隔排列。3.如权利要求1所述分立器件圆胞排布结构，其特征在于，所述分立器件的器件类型是 VDMOS 或 IGBT。
【专利摘要】本实用新型公开了一种分立器件圆胞排布结构，减小所述分立器件圆胞排布结构的接触孔Contact与源区N+的接触面积，所述分立器件的器件类型是VDMOS或IGBT。所述分立器件的Poly结构是平面结构或者沟槽结构。本实用新型可以显著降低寄生三极管的体电阻,改善雪崩冲击和短路能力。
【IPC分类】H01L29/06
【公开号】CN204857727
【申请号】CN201520542021
【发明人】陆怀谷
【申请人】深圳市谷峰电子有限公司, 香港谷峰半导体有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年7月23日