一种rena湿法刻蚀设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域，更具体地说，涉及一种RENA湿法刻蚀设备。
【背景技术】
[0002]晶体硅太阳能电池常规生产工艺一般包括以下步骤:清洗、制绒、扩散、刻蚀、去PSG、PECVD、丝网印刷和烧结。其中刻蚀是其中的一个重要环节，其目的是去掉硅片背面和硅片四周的PN结，使正面和背面绝缘。目前，“RENA in-line”式结构的设备是一种常用的湿法刻蚀设备，其原理是:在HF/HN03体系中，利用表面张力和毛吸力的作用去除边缘和背面的PN结，而不会影响太阳能电池的工艺结构。这种设备包括:刻蚀槽、水喷淋槽、碱槽、水喷淋槽、去PSG槽、水喷淋槽和吹干装置。
[0003]然而，目前利用RENA湿法刻蚀设备进行生产的过程中，存在如下问题:其刻蚀槽盖板常出现水汽凝结的现象，凝结的液滴会滴落在正在流通的硅片上，在硅片上发生腐蚀反应，导致硅片的外观不良甚至PN结被破坏，使得硅片返工，这就造成成本的浪费。
【实用新型内容】
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种RENA湿法刻蚀设备，能够防止盖板冷凝滴液，从而减少硅片返工，提升刻蚀良率。
[0005]本实用新型提供的一种RENA湿法刻蚀设备，包括设置于RENA湿法刻蚀盖板上部的加热装置。
[0006]优选的，在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述加热装置为浴霸灯。
[0007]优选的，在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述加热装置为功率范围为I千瓦至20千瓦的加热装置，用于将所述RENA湿法刻蚀盖板加热到20°C至80°C的温度范围。
[0008]优选的，在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述加热装置与所述RENA湿法刻蚀盖板之间的距离的范围为1mm至50mm。
[0009]优选的，在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述加热装置的数量为四个，且四个所述加热装置在所述湿法刻蚀盖板上方等距离设置。
[0010]优选的，在上述RENA湿法刻蚀设备中，还包括设置于所述湿法刻蚀盖板侧部的多个附属加热装置。
[0011]优选的，在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述附属加热装置的数量为四个，且分别设置于所述RENA湿法刻蚀设备盖板的四个侧边处。
[0012]优选的，在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述加热装置设置于透明防腐蚀罩内。
[0013]从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的一种RENA湿法刻蚀设备，能够加热盖板，且能够提高液面和盖板之间的水汽的温度，以减少水汽和盖板之间的温差，因此能够防止水汽在盖板处冷凝而出现滴液现象，从而减少硅片返工，提升刻蚀良率。
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0015]图1为本申请实施例提供的一种RENA湿法刻蚀设备的示意图。
【具体实施方式】
[0016]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0017]本申请实施例提供的一种RENA湿法刻蚀设备如图1所示，图1为本申请实施例提供的一种RENA湿法刻蚀设备的示意图。该设备包括设置于RENA湿法刻蚀盖板I上部的加热装置2。
[0018]RENA湿法刻蚀盖板上凝结的水汽主要来源于刻蚀槽后的水喷淋槽，水在喷淋过程中会形成大量的水汽，尤其是在气温较高的夏季，水的温度较高，往往要高于生产车间的温度，水的蒸汽分压也较大，大量的水蒸汽会进入到刻蚀槽中，而RENA湿法刻蚀盖板的温度是受车间温度控制的，会低于进入槽体内的水蒸气的温度，当水蒸气遇到温度较低的RENA湿法刻蚀盖板时就发生凝结。
[0019]本申请实施例所提供的一种RENA湿法刻蚀设备，能够加热盖板1，且能够提高液面和盖板I之间的水汽的温度，以减少水汽和盖板I之间的温差，因此能够防止水汽在盖板I处冷凝而出现滴液现象，从而减少硅片返工，提升刻蚀良率。
[0020]在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述加热装置可以优选为浴霸灯。这种浴霸灯较为常见，易于得到，且其热量散发的范围能够基本覆盖盖板的表面，从而使加热效果更好。
[0021]在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述加热装置为功率范围为I千瓦至20千瓦的加热装置，用于将所述RENA湿法刻蚀盖板加热到20°C至80°C的温度范围。在这种功率范围内，既能够有效的减少盖板和水汽之间的温差，又不至于对刻蚀的环境造成不利影响。
[0022]在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述加热装置与所述RENA湿法刻蚀盖板之间的距离的范围为1mm至50mm。这种优选的距离范围能够保证对盖板的加热效果足够好，而且也不至于对刻蚀环境造成不利影响。
[0023]在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述加热装置的数量可以优选为四个，且四个所述加热装置在所述湿法刻蚀盖板上方等距离设置。这样能够使对盖板的加热更为均匀，使对水滴的防止效果更好。
[0024]在上述RENA湿法刻蚀设备中，还包括设置于所述湿法刻蚀盖板侧部的多个附属加热装置。这种优选方案能够使热量从盖板的侧面进入，能够增强加热效果，全方位的防止水汽在盖板处冷凝。
[0025]进一步的，所述附属加热装置的数量为四个，且分别设置于所述RENA湿法刻蚀设备盖板的四个侧边处。
[0026]在上述RENA湿法刻蚀设备中，所述加热装置设置于透明防腐蚀罩内。这样能防止刻蚀所用的液体溅出而对加热装置造成腐蚀，从而提高加热装置的使用寿命。
[0027]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，包括设置于RENA湿法刻蚀盖板上部的加热装置，所述加热装置为浴霸灯。2.根据权利要求1所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，所述加热装置为功率范围为I千瓦至20千瓦的加热装置，用于将所述RENA湿法刻蚀盖板加热到20°C至80°C的温度范围。3.根据权利要求1所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，所述加热装置与所述RENA湿法刻蚀盖板之间的距离的范围为1mm至50mm。4.根据权利要求1所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，所述加热装置的数量为四个，且四个所述加热装置在所述湿法刻蚀盖板上方等距离设置。5.根据权利要求1-4任一项所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，还包括设置于所述湿法刻蚀盖板侧部的多个附属加热装置。6.根据权利要求5所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，所述附属加热装置的数量为四个，且分别设置于所述RENA湿法刻蚀设备盖板的四个侧边处。7.根据权利要求1-4任一项所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，所述加热装置设置于透明防腐蚀罩内。
【专利摘要】本申请公开了一种RENA湿法刻蚀设备，包括设置于RENA湿法刻蚀盖板上部的加热装置。本申请提供的所述RENA湿法刻蚀设备，能够加热盖板，且能够提高液面和盖板之间的水汽的温度，以减少水汽和盖板之间的温差，因此能够防止水汽在盖板处冷凝而出现滴液现象，从而减少硅片返工，提升刻蚀良率。
【IPC分类】H01L31/18
【公开号】CN204760408
【申请号】CN201520419173
【发明人】黄华, 蒋方丹, 金浩
【申请人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年6月17日