小型高反压功率晶体管的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及小型功率晶体，特别涉及一种高反压功率晶体管。
【背景技术】
[0002]高反压功率晶体管，一般耐压很高，Vcbo^ 500V，功率很大，放大倍数不大，常用于电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。高反压功率晶体管通过硅三重扩散平面工艺，输出特性好、电流容量大。反向电压和集电区的掺杂杂质浓度，集电结的深度，基区的宽度，电极的宽度有关。如何在不降低晶体管性能的前提下，减小芯片尺寸，是目前需要解决的问题。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种高反压，开关特性好，Icmax大的尺寸小的高反压功率晶体管。
[0004]小型高反压功率晶体管，晶圆片的表面积为1280 μ mX 1280 μ m，低掺杂N型硅集电区上设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区由若干等距离间隔排列的条状发射区组成，条状发射区的长度从晶圆片中心部向外逐步加长，所述条状发射区包括横向条状发射区和竖向条状发射区，形成逐步向外扩展的回字形；每个所述条状发射区上设有若干引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述发射区引线孔的四角的基区上设有基区引线孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分割开；所述小型高反压功率晶体管的晶圆片厚度为248±10 μ m，发射结深度为20 μ m，集电结的深度为58 μπι。
[0005]作为本实用新型的进一步改进，所述集电区的电阻率为50Ω.cm。
[0006]作为本实用新型的进一步改进，所述发射区引线孔为直径为26 μπι的圆孔，相邻两个发射区引线孔的中心距为98 μm，发射区金属化电极条宽度为40 μπι。
[0007]作为本实用新型的进一步改进，所述基区引线孔的为边长20 μπιΧ20 μπι的方形孔，基区引线孔上覆盖的金属基区引线面积为50μπιΧ50μπι，相邻的两个基区引线之间还设有金属连线，金属化电极条宽度为34 μπι。
[0008]作为本实用新型的进一步改进，相邻的两个所述基区引线孔之间的中心距为98 μπι，在每四个相邻的所述基区引线孔的中心部位设有一个所述集电区引线孔。
[0009]作为本实用新型的进一步改进，所述高掺杂P型硅基区的外围还设有低掺杂P型硅基区，低掺杂P型硅基区深度为20 μ m，低掺杂P型硅基区之外集电区上还设有高掺杂N型硅的保护环，高掺杂N型硅的保护环的深度为20 μπι，采用低浓度的基区、反向电压和消耗层的组合，替代多保护环的组合，减小晶圆面积，起到减小暗电流作用。
[0010]作为本实用新型的进一步改进，所述绝缘槽的宽度为12 μπι。
[0011]本实用新型采用低掺杂的集电区，获得高反压，通过扩大基极面积，扩大Icmax。本基区金属实用新型的版图，使发射极的宽度增加以达到更大的限流，引线孔采用一系列占相邻四个基区中心位置的小的圆形引线孔，所有发射极电流必须流经引线孔，这样的分布限流比宽发射区窄引线孔的分布限流效果更好，而且面积利用率极高。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型实施例1的结构示意图。
[0013]图2为本实用新型实施例1的晶格单元的结构示意图。
[0014]图3为本实用新型实施例1的保护环结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]如图1、图2和3所示，小型高反压功率晶体管100，长、宽、高为1280 μ mX 1280 μ mX 248 μ m、电阻率为50 Ω.cm的晶圆片设置为低掺杂N型硅衬底为集电区I，集电区I上设有圆角正方形的尚惨杂P型娃的基区2，基区2上设有尚惨杂N型娃的发射区3，基区2和发射区3上设有二氧化硅膜11。发射区3由若干等距离间隔排列的条状发射区31组成，条状发射区31在基区2上呈叉指状分布。条状发射区31的长度从晶圆片中心部向外逐步加长，条状发射区包括横向条状发射区31a和竖向条状发射区31b，两者共同形成逐步向外扩展的回字形。
[0016]每个条状发射区31上的二氧化硅膜11上设有发射区引线孔32，二氧化硅膜11上设有发射区金属化电极条4，发射区金属化电极条4连接至发射极电极5。
[0017]基区2的二氧化硅膜11上设有基区引线孔21，基区引线孔21上设有基区金属引线22，基区金属引线22由基区金属化电极条6连接至基极电极8 ;绝缘槽10将发射区金属化电极条4和基区金属化电极条6分割开。
[0018]如图2所示，高反压功率晶体管的芯片，厚度为248±10 μπι，集电结深度为58 μπι。四角的基区引线孔21和中心的发射区引线孔32构成一个晶格单元。条状发射区31的深度为20 μπι，相邻两个条状发射区31之间的中线距离为98 μπι，条状发射区31引线孔的直径为26 μm，发射区金属化电极条4的宽度为40 μπι。基区2的厚度为58 μπι，基区引线孔的为边长20 μ mX 20 μ m的方形孔，基区引线孔上覆盖的金属引线22面积为50 μ mX 50 μ m，相邻的两个基区引线之间还设有金属连线9，金属化电极条6宽度为34 μπι。相邻的两个基区引线孔21的中心距为98 μπι。绝缘槽10的宽度为12 μπι。
[0019]如图3所示，高掺杂P型硅基区2的外围还设有低掺杂P型硅基区91，低掺杂P型硅基区91深度为20 μ m，低掺杂P型硅基区91之外集电区上还设有高掺杂N型硅的保护环92，高掺杂N型硅的保护环92与高掺杂P型硅基区边缘的横向距离为125 μ m，深度为20 μ m
[0020]本实施例的高反压功率晶体管100的ν_=700ν，VCEO=400V, Ic=L 5A。
【主权项】
1.小型高反压功率晶体管，晶圆片的表面积为1280μ mX 1280 μ m，低掺杂N型硅集电区上设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，其特征是，所述发射区由若干等距离间隔排列的条状发射区组成，条状发射区的长度从晶圆片中心部向外逐步加长，所述条状发射区包括横向条状发射区和竖向条状发射区，形成逐步向外扩展的回字形；每个所述条状发射区上设有若干引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述发射区引线孔的四角的基区上设有基区引线孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分割开；所述小型高反压功率晶体管的晶圆片厚度为248±10 μ m，发射结深度为20 μ m，集电结的深度为58 μ m。
2.根据权利要求1所述的小型高反压功率晶体管，其特征是，所述集电区的电阻率为.50Ω.cm.
3.根据权利要求1所述的小型高反压功率晶体管，其特征是，所述发射区引线孔为直径为26 μ m的圆孔，相邻两个发射区引线孔的中心距为98 μ m，发射区金属化电极条宽度为.40 μ m.
4.根据权利要求1所述的小型高反压功率晶体管，其特征是，所述基区引线孔的为边长20 μηιΧ20 μπι的方形孔，基区引线孔上覆盖的金属基区引线面积为50 ymX50 μπι，相邻的两个基区引线之间还设有金属连线，金属化电极条宽度为34 μπι。
5.根据权利要求1所述的小型高反压功率晶体管，其特征是，相邻的两个所述基区引线孔之间的中心距为98 μπι，在每四个相邻的所述基区引线孔的中心部位设有一个所述集电区引线孔。
6.根据权利要求1所述的小型高反压功率晶体管，其特征是，所述绝缘槽的宽度为.12 μ m.
【专利摘要】小型高反压功率晶体管，晶圆片的表面积为1280μm×1280μm，低掺杂N型硅集电区上设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，发射区由若干等距离间隔排列的条状发射区组成，条状发射区的长度从晶圆片中心部向外逐步加长；每个条状发射区上设有若干引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个发射区引线孔的四角的基区上设有基区引线孔，基极引线由金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极电极条之间通过绝缘槽分割开；晶圆片厚度为248±10μm，发射结深度为20μm，集电结的深度为58μm。本实用新型的版图，使发射极的宽度增加达到更大的限流，且面积利用率高。
【IPC分类】H01L29-08, H01L23-48, H01L29-417, H01L29-73
【公开号】CN204497235
【申请号】CN201520177009
【发明人】崔峰敏
【申请人】傲迪特半导体(南京)有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年3月26日