一种dfn0603 84排单芯引线框架的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种引线框架，特别是一种DFN0603 84排单芯引线框架。
【背景技术】
[0002]引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为DFN0603 (DFN是小型电子元器件的芯片封装单元型号，单芯引线框架表示其单个芯片封装单元内设置有一个放置晶体管的芯片槽，0603表示单个芯片单元的尺寸为长0.6mm、宽0.3mm)时，要在相同的引线框架尺寸布置更多的芯片，就需要对布置形式进行合理设计。
[0003]如目前的引线框架产品，如市场上的48*220mm尺寸的引线框架，每片大约能布置10560个产品，该引线框架长度为220mm，宽度为48mm，这种产品的晶体管的密度低，导致生产效率低且生产成本高，该框架背面使用的胶底带，不利于芯片和铜线的焊接。另外，目前低利用率的产品，其所耗用的资源浪费大。随着市场用量的增长，目前的设备和产品的设计生产力已经不能满足市场需要，需要提高产品的有效利用率，随着生产成本和劳力成本的提高，有必要通过技术改良降低生产成本。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于:针对现有技术存在的问题，提供一种密度大、成本低，更有利于焊接的DFN0603 84排单芯引线框架。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为:
[0006]一种DFN0603 84排单芯引线框架，包括承装的框架，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，所述框架从上至下间隔排列有84排晶体管的焊接区域，所述84排焊接区域每排有544个放置晶体管的单个封装单元，所述单个封装单元内设置有一个芯片槽，所述每排上的544个单个封装单元位于框架的同一水平线上，所述单个封装单元的长度方向与框架的宽度方向平行布置，沿框架的长度方向将框架等分为四个A、B、C、D区域，每个区域之间间隔10mm，靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm，所述四个区域之间的框架背面上沿框架的宽度方向设置有间隔凹槽。
[0007]由于DFN0603型号的单个封装单元的尺寸是固定的0.6*0.3mm，因此在框架尺寸固定的情况下，合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率，本引线框架沿框架长度方向分成四个相同的区域，且单个封装单元的长度方向与框架的宽度方向平行布置，每排有544个放置晶体管的单个封装单元，那么每个区域内布置136个单个封装单元即可；该框架的长为250mm，除去A、B、C、D区域之间的间隔尺寸以及边缘的预留尺寸，每个区域用于布置单个封装单元的尺寸为50mm，而0.3*136为40.8mm，满足框架上每排布置544个放置晶体管的封装单元的需求；而框架的宽为70mm，单个封装单元的长度为0.6mm，0.6*84为50.4mm，完全满足使用需求，这样的设置增加了框架密度，提高了设备效率，降低成本。
[0008]所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置的间隔凹槽增大了框架背面的表面积，使得其在塑封是增加了塑封体与框架的接触面积，提高密封性和稳定性；另夕卜，由于该引线框架分区合理，各个区域都留有间隔尺寸，有利于封装单元的焊接和安装。
[0009]作为本实用新型的优选方案，所述间隔凹槽的数量为6个，间隔凹槽的槽宽为6mm、长为10mm。间隔凹槽的数量设为6个，且长度为10臟，刚好合理利用了框架的宽度尺寸，使得框架背面的表面积增量最大，有利于提高塑封时的塑封效果。
[0010]综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是:DFN0603 84排单芯引线框架
[0011]1、本引线框架合理地将框架分成四个相同的区域，尺寸分布合理，完全满足将DFN0603型号的单个封装单元在固定的框架尺寸下布置84排/45696个封装单元即晶体管的需求，增加了框架密度，提高了设备效率，降低成本；且由于该引线框架分区合理，各个区域都留有间隔尺寸，有利于封装单元的焊接和安装；
[0012]2、所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置的间隔凹槽增大了框架背面的表面积，使得其在塑封是增加了塑封体与框架的接触面积，提高密封性和稳定性；
[0013]3、提高生产效率，前段提高40%的设备效率.Molding提高4.3倍的效率；
[0014]4、提高资源利用率，框架利用率提高40%，Compound用量降低50% ；
[0015]5、通过不锈钢底带取代胶底带，增加框架的焊接强度和稳定性以及降低产品的厚度。
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型DFN0603 84排单芯引线框架的结构示意图。
[0017]图2为图1中A区域中的E部放大图。
[0018]图中标记:1-框架，2-单个封装单元，3-间隔凹槽，4-框架固定孔。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。
[0020]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0021]实施例1
[0022]如图1和图2所示，图1是本实用新型DFN0603 84排单芯引线框架的结构示意图，图中有4个相同的区域A、B、C、D，图2为图1中A区域中的E部放大图，从图2中可以看出单个封装单元内设置有一个放置晶体管的芯片槽。本实施例的DFN0603 84排单芯引线框架(DFN0603是小型电子元器件的封装型号)，包括承装的框架1，所述框架I长度为250 土0.1mm，宽度为70 土0.05mm，所述框架I从上至下间隔排列有84排晶体管的焊接区域，所述84排焊接区域每排有544个放置晶体管的单个封装单元2，所述单个封装单元2内设置有一个芯片槽，所述每排上的544个单个封装单元2位于框架I的同一水平线上，所述单个封装单元2的长度方向与框架I的宽度方向平行布置，沿框架I的长度方向将框架I等分为四个A、B、C、D区域，每个区域之间间隔10mm，靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm，所述四个区域之间的框架背面上沿框架I的宽度方向设置有间隔凹槽3。
[0023]由于DFN0603型号的单个封装单元的尺寸是固定的0.6*0.3mm，因此在框架尺寸固定的情况下，合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率，本引线框架沿框架长度方向分成四个相同的区域，且单个封装单元的长度方向与框架的宽度方向平行布置，每排有544个放置晶体管的单个封装单元，那么每个区域内布置136个单个封装单元即可；该框架的长为250mm，除去A、B、C、D区域之间的间隔尺寸以及边缘的预留尺寸，每个区域用于布置单个封装单元的尺寸为50mm，而0.3*136为40.8mm，满足框架上每排布置544个放置晶体管的封装单元的需求；而框架的宽为70mm，单个封装单元的长度为0.6mm，0.6*84为50.4mm，完全满足使用需求，这样的设置增加了框架密度，提高了设备效率，降低成本。
[0024]所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置的间隔凹槽增大了框架背面的表面积，使得其在塑封是增加了塑封体与框架的接触面积，提高密封性和稳定性；另夕卜，由于该引线框架分区合理，各个区域都留有间隔尺寸，有利于封装单元的焊接和安装。
[0025]在本实施例中，所述间隔凹槽3的数量为6个，间隔凹槽3的槽宽为6mm、长为10mm。间隔凹槽的数量设为6个，且长度为10mm，刚好合理利用了框架的宽度尺寸，使得框架背面的表面积增量最大，有利于提高塑封时的塑封效果。
[0026]如图1中所示，在框架I的框架边缘设置有多个固定孔4，便于该引线框架的塑封固定及框架装配；而且，把框架I的宽度方向边缘设置成了凹凸形的不平边，这样的设置有利于引线框架与其他配件的连接，也有利于多个引线框架叠加存放时的固定，节约空间。
[0027]本实用新型承装晶体管密度提高的同时，前段需要防止框架氧化和保证焊接可靠性，并且在后工序中按要求去除多余的废料。
[0028]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种DFN0603 84排单芯引线框架，包括承装的框架，其特征在于，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，所述框架从上至下间隔排列有84排晶体管的焊接区域，所述84排焊接区域每排有544个放置晶体管的单个封装单元，所述单个封装单元内设置有一个芯片槽，所述每排上的544个单个封装单元位于框架的同一水平线上，所述单个封装单元的长度方向与框架的宽度方向平行布置，沿框架的长度方向将框架等分为四个A、B、C、D区域，每个区域之间间隔10mm，靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm，所述四个区域之间的框架背面上沿框架的宽度方向设置有间隔凹槽。
2.根据权利要求1所述的DFN060384排单芯引线框架，其特征在于，所述间隔凹槽的数量为6个，间隔凹槽的槽宽为6mm、长为1mm0
【专利摘要】本实用新型涉及一种引线框架，具体涉及一种DFN0603 84排单芯引线框架，包括承装的框架，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，所述框架从上至下间隔排列有84排晶体管的焊接区域，所述84排焊接区域每排有544个放置晶体管的单个封装单元，所述单个封装单元内设置有一个芯片槽，所述每排上的544个单个封装单元位于同一水平线上，所述单个封装单元的长度方向与框架的宽度方向平行布置，沿框架的长度方向将框架等分为四个A、B、C、D区域，每个区域之间间隔10mm，靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm，所述四个区域之间的框架背面上沿框架的宽度方向设置有间隔凹槽。该引线框架较传统的引线框架结构增大了产品的密度，提高了生产效率，降低了成本，利于焊接。
【IPC分类】H01L23-495
【公开号】CN204497223
【申请号】CN201520249662
【发明人】罗天秀, 樊增勇, 许兵, 任伟, 崔金忠
【申请人】成都先进功率半导体股份有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年4月23日