一种ic键合打火杆固定装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子元器件封装技术领域，特别是涉及一种IC键合打火杆固定
目.0
【背景技术】
[0002]目前IC键合设备EFO打火杆普遍采用常规方式固定，即打火杆一次性固定在固定座(绝缘板)上，这种固定方式的缺点是打火杆固定后不能根据具体情况进行调整，或者只能利用紧固件和孔间的间隙在某一方向进行调整，如图1所示，孔为椭圆形孔，螺栓能沿着孔水平方向移动，这样打火杆可以在水平方向作调整，竖直方向不能调整。因此，打火杆常常不是处于最佳工作效果状态。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中存在的问题而设计的一种IC键合打火杆固定装置，包括固定座和连接块，固定座上设置长的上下贯通的孔，连接块一端插在固定座内并能绕着固定座在竖直方向旋转，连接块另一端固定打火杆，紧固件在长的孔内水平移动可以调整打火杆在水平方向移动，使连接块在竖直方向内旋转，可调整打火杆竖直方向移动。这样可以同时将打火杆在水平和竖直方向同时调整。方便将打火杆调整至的最佳工作位置。如果将固定座和连接块连接处设计相互啮合的齿轮、齿槽结构，还可以很精确的调整打火杆的位置。
[0004]本实用新型所要求解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现:
[0005]一种IC键合打火杆固定装置，包括固定座、连接块和复数个紧固件，所述固定座有上下贯通的孔，所述紧固件能在上下贯通的孔内移动并能停留在任意位置将固定座固定，所述固定座一端有槽，所述连接块的一端插在固定座一端的槽内并能相对固定座在竖直方向旋转，所述连接块与固定座通过紧固件紧固连接。
[0006]所述连接块插入的一端有圆弧形表面，在圆弧形表面均布若干卡槽，所述固定座凹槽内有对应的齿，所述固定座内的齿能卡在卡槽内。
[0007]由于采用了如上技术方案，本实用新型具有如下特点:
[0008]能水平和竖直方向同时调整打火杆的位置，使打火杆处于最佳工作位置。
【附图说明】
[0009]图1为现有常规键合打火杆固定装置结构示意图。
[0010]图2为本实用新型结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0012]如图2所示，本实用新型包括固定座1、连接块2和若干紧固件3。固定座I上开上下贯通的孔，固定座I的一端有凹槽。连接块2用绝缘材料制成，连接块2的一端连接打火杆，另一端插在固定座I的凹槽内，连接块2与固定座I用紧固件3连接。连接块2能相对固定座I在竖直面内旋转。
[0013]紧固件3插在固定座I的上下贯通的孔内，可以将固定座I固定在固定物上。固定座I的上下贯通的孔为长的孔，紧固件3在孔内来回移动可以使固定座I做水平方向移动，进而带动打火杆水平方向移动。连接块2能绕着固定座I竖直方向旋转可以带动打火杆上下移动。可以很方便的同时调整打火杆水平和竖直方向移动。
[0014]本实用新型的连接块2插入的一端有圆弧形表面，在圆弧形表面上均匀的设置若干卡槽，同时在固定座I的凹槽内设置对应的齿，齿能卡在卡槽内，这样可以精准的调整连接块I的旋转角度，进而准确的调控打火杆上下移动位移。
[0015]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
【主权项】
1.一种IC键合打火杆固定装置，其特征在于，包括固定座、连接块和复数个紧固件，所述固定座有上下贯通的孔，所述紧固件能在上下贯通的孔内移动并能停留在任意位置将固定座固定，所述固定座一端有槽，所述连接块的一端插在固定座一端的槽内并能相对固定座在竖直方向旋转，所述连接块与固定座通过紧固件紧固连接。
2.如权利要求1所述的一种IC键合打火杆固定装置，其特征在于，所述连接块插入的一端有圆弧形表面，在圆弧形表面均布若干卡槽，所述固定座凹槽内有对应的齿，所述固定座内的齿能卡在卡槽内。
【专利摘要】本实用新型公开了一种IC键合打火杆固定装置，包括固定座、连接块和复数个紧固件，固定座有上下贯通的孔，紧固件能在上下贯通的孔内移动并能停留在任意位置将固定座固定，固定座一端有槽，连接块的一端插在固定座一端的槽内并能相对固定座在竖直方向旋转，连接块与固定座通过紧固件紧固连接。本实用新型能水平和竖直方向同时调整打火杆的位置，使打火杆处于最佳工作位置。本实用新型结构简单，调节方便。
【IPC分类】H01L21-60
【公开号】CN204497194
【申请号】CN201520078830
【发明人】廖红伟, 朱辉兵
【申请人】武汉芯茂半导体科技有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年2月4日