Lte双工器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高速无限通讯领域，特别是一种LTE双工器。
【背景技术】
[0002]LTE (Long Term Evolut1n)即 3GPP 长期演进(LTE)项目是 2006 年以来 3GPP启动的最大的新技术研发项目，这种以0FDM/FDMA为核心的技术可以被看作“准4G”技术。LTE项目是3G的演进，它改进并增强了 3G的空中接入技术，采用OFDM和MMO作为其无线网络演进的唯一标准。在20MHz频谱带宽下能够提供下行100Mbit/s与上行50Mbit/s的峰值速率，直至2010年12月6日国际电信联盟把LTE Advanced正式称为4G。
[0003]LTE是应用于手机及数据卡终端的高速无线通讯标准。目前LTE网络在全球部署中，LTE直放站做为解决通信网络延伸覆盖能力的一种优选方案。它与基站相比有结构简单、投资较少和安装方便等优点，可广泛用于难于覆盖的盲区和弱区，如商场、宾馆、机场、码头、车站、体育馆、娱乐厅、地铁、隧道、高速公路、海岛等各种场所，提高通信质量，解决掉话等问题，具有补盲和延伸覆盖等优点，直放站又同时具有体积小，成本低，安装便利等优点。因此在LTE网络建设中具有广泛的应用前景，LTE双工器做为直放站的重要部件，其作用是将上行和下行讯号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作。它是由两组不同频率的滤波器组成。在LTE直放站中，要求双工器具有更高的带外抑制，这通常需要增加谐振腔的级数来达到，这样会增加LTE双工器的尺寸及成本，因此这里提出一种体积小，带外抑制高，成本低的LTE双工器。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种体积小、带外抑制高和成本低的LTE双工器。
[0005]本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:LTE双工器，它包括腔体，所述的腔体由上行信号谐振腔和下行信号谐振腔组成，所述的腔体的前端壁上设置有信号公共端口，所述的上行信号谐振腔和下行信号谐振腔分别与信号公共端口连通，所述的腔体的后端壁上设置有与上行信号谐振腔对应的上行信号输入端口，腔体的后端壁上还设置有与下行信号谐振腔相对应的下行信号输入端口，所述的上行信号谐振腔内分隔成多个小型上行信号谐振腔体，相邻两个小型上行信号谐振腔体之间通过一上行耦合窗口连通，且上行耦合窗口将所有的小型上行信号谐振腔体串联连通，所述的下行信号谐振腔内分隔成多个小型下行信号谐振腔体，相邻两个小型下行信号谐振腔体之间通过一下行耦合窗口连通，且下行耦合窗口将所有的小型下行信号谐振腔体串联连通，所述的小型上行信号谐振腔体内设置有上行谐振杆，小型下行信号谐振腔体内设置有下行谐振杆。
[0006]所述的上行信号谐振腔内设有八个小型上行信号谐振腔体，且每一个小型信号谐振腔体内设置有一根上行信号谐振杆。
[0007]所述的下行信号谐振腔内设有八个小型下行信号谐振腔体，且每一个小型信号谐振腔体内设置有一根下行信号谐振杆。
[0008]所述的上行信号谐振腔内设有I个上行交叉耦合。
[0009]所述的下行信号谐振腔内设有I个下行交叉耦合。
[0010]本实用新型具有以下优点:本实用新型的LTE双工器做为直放站的重要部件，是将上行和下行信号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作。由于LTE双工器采用同轴谐振腔结构，并且采用交叉耦合技术，因而在不增加谐振腔的级数的前提下得到了较高的带外抑制，这样降低了 LTE双工器的尺寸及成本，简化了装配和调试流程，有效提高了器件的稳定性及可靠性。因此是一种体积小、参数优良、成本低和可靠性高的LTE双工器，可广泛应用于LTE直放站和LTE干线放大器等设备，降低了产品体积及成本，有效提高了设备的稳定性及抗干扰性能。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的结构示意图
[0012]图中，1-腔体，2-信号公共端口，3-上行信号输入端口，4-下行信号输入端口，
5-上行信号谐振腔，6-下行信号谐振腔，7-上行谐振杆，8-下行谐振杆，9-上行耦合窗口，10-下行耦合窗口，11-上行交叉耦合，12-下行交叉耦合，13-小型上行信号谐振腔体，14-小型下行信号谐振腔体。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型做进一步的描述，本实用新型的保护范围不局限于以下所述:
[0014]如图1所示，LTE双工器，它包括腔体1，所述的腔体I由上行信号谐振腔5和下行信号谐振腔6组成，所述的腔体I的前端壁上设置有信号公共端口 2，所述的上行信号谐振腔5和下行信号谐振腔6分别与信号公共端口 2连通，所述的腔体I的后端壁上设置有与上行信号谐振腔5对应的上行信号输入端口 3，腔体I的后端壁上还设置有与下行信号谐振腔3相对应的下行信号输入端口 4，所述的上行信号谐振腔5内分隔成多个小型上行信号谐振腔体13，相邻两个小型上行信号谐振腔体13之间通过一上行耦合窗口 9连通，且上行耦合窗口 9将所有的小型上行信号谐振腔体13串联连通，所述的下行信号谐振腔6内分隔成多个小型下行信号谐振腔体14，相邻两个小型下行信号谐振腔体14之间通过一下行耦合窗口 10连通，且下行耦合窗口 10将所有的小型下行信号谐振腔体14串联连通，所述的小型上行信号谐振腔体13内设置有上行谐振杆7，小型下行信号谐振腔体14内设置有下行谐振杆8，在本实施例中，所述的上行信号谐振腔内5设有八个小型上行信号谐振腔体13，且每一个小型信号谐振腔体13内设置有一根上行信号谐振杆7，所述的下行信号谐振腔内6设有八个小型下行信号谐振腔体14，且每一个小型信号谐振腔体14内设置有一根下行信号谐振杆8。
[0015]在本实施例中，所述的上行信号谐振腔5内设有I个上行交叉耦合11，所述的下行信号谐振腔6内设有I个下行交叉耦合12，采用交叉耦合可以在不增加谐振腔级数的前提下提高带外抑制，且简化了装配和调试难度，提高了生产效率和产品电性能指标。
[0016]本实用新型的工作过程如下:当同时接入上行信号和下行信号时，上行信号从上行信号输入端口 3输入由八根上行谐振杆7组成的上行信号谐振腔5，下行信号从下行信号输入端口 4输入由8根下行谐振杆8组成的下行信号谐振腔6，所述的上行信号谐振腔5滤除上行信号中的带外信号，然后上行信号从信号公共端口 2输出；所述的下行信号谐振腔6滤除下行信号中的带外信号，然后下行信号从信号公共端口 2输出；上下行信号形成相互隔离并且同时从信号公共端口输出，保证接收和发射信号都能同时正常工作，并且具有上下行信号之间具有较高的相互抑制而不会互相干扰。
【主权项】
1.LTE双工器，其特征在于:它包括腔体(1)，所述的腔体(I)由上行信号谐振腔(5)和下行信号谐振腔(6)组成，所述的腔体(I)的前端壁上设置有信号公共端口(2)，所述的上行信号谐振腔(5)和下行信号谐振腔(6)分别与信号公共端口(2)连通，所述的腔体(I)的后端壁上设置有与上行信号谐振腔(5)对应的上行信号输入端口(3)，腔体(I)的后端壁上还设置有与下行信号谐振腔(3)相对应的下行信号输入端口(4)，所述的上行信号谐振腔(5)内分隔成多个小型上行信号谐振腔体(13)，相邻两个小型上行信号谐振腔体(13)之间通过一上行耦合窗口(9)连通，且上行耦合窗口(9)将所有的小型上行信号谐振腔体(13)串联连通，所述的下行信号谐振腔(6)内分隔成多个小型下行信号谐振腔体(14)，相邻两个小型下行信号谐振腔体(14)之间通过一下行耦合窗口( 10)连通，且下行耦合窗口( 10)将所有的小型下行信号谐振腔体(14)串联连通，所述的小型上行信号谐振腔体(13)内设置有上行谐振杆(7)，小型下行信号谐振腔体(14)内设置有下行谐振杆(8)。
2.根据权利要求1所述的LTE双工器，其特征在于:所述的上行信号谐振腔内(5)设有八个小型上行信号谐振腔体(13)，且每一个小型信号谐振腔体(13)内设置有一根上行信号谐振杆(7)。
3.根据权利要求1所述的LTE双工器，其特征在于:所述的下行信号谐振腔内(6)设有八个小型下行信号谐振腔体(14)，且每一个小型信号谐振腔体(14)内设置有一根下行信号谐振杆(8)。
4.根据权利要求1所述的LTE双工器，其特征在于:所述的上行信号谐振腔(5)内设有I个上行交叉耦合(11)。
5.根据权利要求1所述的LTE双工器，其特征在于:所述的下行信号谐振腔(6)内设有I个下行交叉耦合(12)。
【专利摘要】本实用新型公开了LTE双工器，它包括腔体（1），腔体（1）由上行信号谐振腔（5）和下行信号谐振腔（6）组成，腔体（1）的前端壁上设置有信号公共端口（2），腔体（1）的后端壁上设置有上行信号输入端口（3）和下行信号谐振腔（3）相对应的下行信号输入端口（4），上行信号谐振腔（5）内分隔成多个小型上行信号谐振腔体（13），相邻两个小型上行信号谐振腔体（13）之间通过一上行耦合窗口（9）连通，下行信号谐振腔（6）内分隔成多个小型下行信号谐振腔体（14），相邻两个小型下行信号谐振腔体（14）之间通过一下行耦合窗口（10）连通。本实用新型的有益效果是：它具有体积小、带外抑制高和成本低的优点。
【IPC分类】H01P1-208, H01P1-20
【公开号】CN204464421
【申请号】CN201520177893
【发明人】李俊画, 马剑, 高红
【申请人】四川天邑康和通信股份有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年3月27日