多晶硅片的链式制绒设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池中的多晶硅片的链式制绒设备。
【背景技术】
[0002]晶体硅太阳电池在光伏行业占有非常大的市场份额，其中，多晶硅太阳电池的制作成本比较低，受到行业内的热捧。在制备多晶硅太阳电池的过程中，为减少多晶太阳电池的光反射，通常会在其受光面上制作绒面。单晶硅片因在碱性条件下腐蚀时存在各向异性，易形成减反效果较好的金字塔绒面，然而多晶硅表面存在多种晶向且杂乱无序，各向异性腐蚀效果的碱溶液无法在多晶硅表面形成类金字塔的绒面。因而多晶硅制绒通常采用硝酸和氢氟酸的混合液进行酸性制绒，多晶硅片的腐蚀为各向同性，硝酸先将硅氧化成氧化硅，氢氟酸随后与氧化硅反应从而去除多晶硅片表面的损伤层形成虫洞状凹坑绒面。
[0003]由于多晶硅存在很多晶界及表面缺陷，且上述酸反应过程是一个先氧化后溶解的过程，因此反应优先在晶界及表面缺陷处发生。若希望得到较为均匀的绒面效果，需要让多晶硅片表面的反应液流动以及反应过程中生成的气体及时排出。因此，在湿法制绒中，如何使多晶硅片表面绒面更加均匀化，已成为业界亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本实用新型提供了一种多晶硅片的链式制绒设备，该制绒设备中，通过对滚轴的改进，可以使多晶硅片表面的反应液流动以及反应过程中生成的气体及时排出，进而获得更为均匀的绒面效果。
[0005]为了达到上述的目的，本实用新型采用了如下的技术方案:
[0006]一种多晶硅片的链式制绒设备，包括刻蚀槽体，其中，所述刻蚀槽体中连接有至少一个第一滚轴和多个第二滚轴，位于多晶硅片下方的多个第二滚轴用于传送所述多晶硅片，所述第一滚轴位于所述多晶硅片的制绒面上，所述第一滚轴包括滚轴主体以及凸起地均匀分布于所述滚轴主体外周的微结构，当所述多晶硅片在所述刻蚀槽体中传送时，所述微结构压印于所述多晶硅片的制绒面上。
[0007]进一步地，所述微结构凸起于所述滚轴主体的高度为0.1?1000 μπι。
[0008]进一步地，所述微结构的形状为长方体、正方体、圆柱体、梯形体、圆锥体或圆台。
[0009]进一步地，所述微结构的形状为长方体或正方体，其截面的边长为0.1?lOOOnm。
[0010]进一步地，所述第一滚轴可顺时针旋转或逆时针旋转。
[0011 ] 进一步地，所述第一滚轴旋转的转速为5?200转/分钟。
[0012]进一步地，所述滚轴主体的长度为10?100cm，直径为I?20cm。
[0013]本实用新型提供的多晶硅片的链式制绒设备，通过对位于多晶硅片的制绒面上第一滚轴进行改进，在第一滚轴的滚轴主体外周设置有凸起的均匀分布的微结构。该滚轴表面的微结构与多晶硅片表面接触使得附着在硅片表面的反应液流动，保持反应界面溶液浓度不变，进而使得反应在硅片表面均匀进行；进一步地，该些微结构可以使反应过程中生成的气体及时排出，进而获得更为均匀的绒面效果。另外，该滚轴转动的过程中，第一滚轴上的微结构在制绒过程中可以反向的转移到多晶硅片表面，从而获得更为均匀的绒面效果，可以形成具有良好陷光效果的绒面，减少多晶硅片表面的光反射。
【附图说明】
[0014]图1是本实用新型实施例中的链式制绒设备的结构示意图。
[0015]图2是本实用新型实施例中的第一滚轴的结构示意图。
[0016]图3是本实用新型实施例中对多晶硅片进行制绒时的立体图示。
[0017]图4是本实用新型实施例中对多晶硅片进行制绒时的剖面图示。
【具体实施方式】
[0018]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实例，而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护范围。
[0019]参阅图1-4，本实施例中的多晶硅片的链式制绒设备，包括刻蚀槽体10以及连接于刻蚀槽体10中的至少一个第一滚轴20和多个第二滚轴30。其中，位于多晶硅片40下方的多个第二滚轴30用于传送所述多晶硅片40。
[0020]具体地，所述第一滚轴20位于所述多晶硅片40的制绒面401上，所述第一滚轴20包括滚轴主体201以及凸起地均匀分布于所述滚轴主体201外周的微结构202。本实施例中，第一滚轴20的滚轴主体201的长度为100cm，直径为16cm。在另外的一些实施例中，滚轴主体201的长度可以选择的范围是10?100cm，直径可以选择的范围是I?20cm。
[0021]更具体地，本实施例中，所述微结构202的形状为正方体，其凸起于所述滚轴主体201的高度为10 μ m，其截面的边长为10nm。在另外的一些实施例中，所述微结构202的形状也可以是长方体，其凸起于所述滚轴主体201的高度可以选择的范围是0.1?1000 μπι，其截面的边长可以选择的范围是0.1?lOOOnm。当然，所述微结构202的形状也可以有其他的选择，例如可以是圆柱体、梯形体、圆锥体或圆台。
[0022]更进一步地，第一滚轴20和第二滚轴30的材质可以选择为乙烯-四氟乙烯共聚物(ethylene-tetra-fluoro-ethylene，ETFE)、聚偏氟乙稀(Polyvinylidene fluoride,PVDF)、聚醚醚酮poly (ether-ether-ketone，PEEK)、ABS工程塑料、环稀径共聚物(copolymers of cycloolefin, C0C)等。
[0023]如图3和图4所示的，对多晶硅片40进行制绒工艺时，首先配制腐蚀液注入到刻蚀槽体10中；然后放入多晶硅片40，由第二滚轴30带动多晶硅片40在腐蚀液中传送进行刻蚀。在刻蚀的过程中，第一滚轴20表面的微结构202与多晶硅片40的制绒面401接触，使得附着在多晶硅片40表面的反应液流动，保持反应界面溶液浓度不变，进而使得反应在多晶硅片40的制绒面401均匀进行；进一步地，该些微结构202不停地转动，可以使反应过程中生成的气体及时排出，进而获得更为均匀的绒面效果。另外，该第一滚轴20转动的过程中，该些微结构202对多晶硅片40的制绒面401具有压印作用，将微结构转移到多晶硅片40表面，形成具有与微结构相反向的压印图形，可以形成具有良好陷光效果的绒面，减少多晶硅片40表面的光反射。其中，第一滚轴20可顺时针旋转或逆时针旋转，其转速的范围是5?200转/分钟。
[0024]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0025]以上所述仅是本申请的【具体实施方式】，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
【主权项】
1.一种多晶硅片的链式制绒设备，包括刻蚀槽体(10)，其特征在于，所述刻蚀槽体(10)中连接有至少一个第一滚轴(20)和多个第二滚轴(30)，位于多晶硅片(40)下方的多个第二滚轴(30)用于传送所述多晶硅片(40)，所述第一滚轴(20)位于所述多晶硅片(40)的制绒面(401)上，所述第一滚轴(20)包括滚轴主体(201)以及凸起地均匀分布于所述滚轴主体(201)外周的微结构(202)，当所述多晶硅片(40)在所述刻蚀槽体(10)中传送时，所述微结构(202)压印于所述多晶硅片(40)的制绒面(401)上。
2.根据权利要求1所述的多晶硅片的链式制绒设备，其特征在于，所述微结构(202)凸起于所述滚轴主体(201)的高度为0.1?1000 μ m。
3.根据权利要求2所述的多晶硅片的链式制绒设备，其特征在于，所述微结构(202)的形状为长方体、正方体、圆柱体、梯形体、圆锥体或圆台。
4.根据权利要求2所述的多晶硅片的链式制绒设备，其特征在于，所述微结构(202)的形状为长方体或正方体，其截面的边长为0.1?lOOOnm。
5.根据权利要求2所述的多晶硅片的链式制绒设备，其特征在于，所述第一滚轴(20)可顺时针旋转或逆时针旋转。
6.根据权利要求2所述的多晶硅片的链式制绒设备，其特征在于，所述第一滚轴(20)旋转的转速为5?200转/分钟。
7.根据权利要求1-6任一所述的多晶硅片的链式制绒设备，其特征在于，所述滚轴主体(201)的长度为10?100cm，直径为I?20cm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种多晶硅片的链式制绒设备，包括刻蚀槽体，其中，所述刻蚀槽体中连接有至少一个第一滚轴和多个第二滚轴，位于多晶硅片下方的多个第二滚轴用于传送所述多晶硅片，所述第一滚轴位于所述多晶硅片的制绒面上，所述第一滚轴包括滚轴主体以及凸起地均匀分布于所述滚轴主体外周的微结构，当所述多晶硅片在所述刻蚀槽体中传送时，所述微结构压印于所述多晶硅片的制绒面上。该制绒设备中，通过对滚轴的改进，不仅可以使多晶硅片表面的反应液流动以及反应过程中生成的气体及时排出，而且第一滚轴上的微结构在制绒过程中可以反向的转移到多晶硅片表面，从而获得更为均匀的绒面效果。
【IPC分类】C30B33-10, H01L31-18
【公开号】CN204441311
【申请号】CN201520158911
【发明人】铁生年, 高梦宇, 王军, 侯思懿, 周莲, 房玉双
【申请人】青海大学
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年3月20日