半导体加工设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及的是一种ICP装置，具体涉及一种半导体加工设备。
【背景技术】
[0002]感应耦合等离子体刻蚀系统是半导体制造中干法刻蚀的关键工艺设备。RIE，全称是Reactive 1n Etching，反应离子刻蚀，一种微电子干法腐蚀工艺。是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10?10MHz的高频电压(RF，rad1 frequency)时会产生数百微米厚的离子层(1n sheath)，在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE。传统的RIE设备存在刻蚀速率、选择比、均匀性都低的问题，大大降低了企业生产效率。
【实用新型内容】
[0003]针对现有技术上存在的不足，本实用新型目的是在于提供一种半导体加工设备，结构简单，采用双射频电源，实现了离子浓度和离子轰击强度分开控制，使刻蚀速率、选择比、均匀性都得到提高。
[0004]为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现:半导体加工设备，包括气体入口、反应腔、静电屏蔽装置、RF线圈、基片和温度控制器，反应腔顶部设置有气体入口，反应腔内设置有静电屏蔽装置，静电屏蔽装置上绕有RF线圈，静电屏蔽装置与RF电源连接形成电磁场，电磁场下方设置有基片，基片设置在温度控制器上，温度控制器接分子泵。
[0005]作为优选，所述的RF线圈为螺旋线圈。
[0006]本实用新型，结构简单，采用双射频电源，实现了离子浓度和离子轰击强度分开控制，使刻蚀速率、选择比、均匀性都得到提高。
【附图说明】
[0007]下面结合附图和【具体实施方式】来详细说明本实用新型；
[0008]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本实用新型。
[0010]参照图1，本【具体实施方式】采用以下技术方案:半导体加工设备，包括气体入口 1、反应腔2、静电屏蔽装置3、RF线圈4、基片5和温度控制器6，反应腔2顶部设置有气体入口 1，反应腔2内设置有静电屏蔽装置3，静电屏蔽装置3上绕有RF线圈4，静电屏蔽装置3与RF电源连接形成电磁场，电磁场下方设置有基片5，基片5设置在温度控制器6上，温度控制器6接分子泵。
[0011]值得注意的是，所述的RF线圈4为螺旋线圈。
[0012]本【具体实施方式】采用了双射频电源，其中一个射频电源通过螺旋线圈控制高密度等离子体的产生。另一射频电源施加偏置电场控制等离子体轰击能量。实现了离子浓度和离子轰击强度分开控制，使刻蚀速率、选择比、均匀性都得到提高。
[0013]本【具体实施方式】的ICP反应腔体主要由温度控制、气路控制、射频电源和真空控制系统四部分组成。刻蚀气体由反应腔上方引入，其流量由气路系统通过质量流量计控制。两套射频源各尽其能。真空控制系统自动控制和保持反应腔的工作压力，及时将刻蚀生成物从硅片两边由涡轮分子泵抽走。温度控制(He背冷)系统可使基片的温度满足不同的刻蚀需要。
[0014]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.半导体加工设备，其特征在于，包括气体入口(1)、反应腔(2)、静电屏蔽装置(3)、RF线圈(4)、基片(5)和温度控制器(6)，反应腔(2)顶部设置有气体入口(1)，反应腔(2)内设置有静电屏蔽装置(3)，静电屏蔽装置(3)上绕有RF线圈(4)，静电屏蔽装置(3)与RF电源连接形成电磁场，电磁场下方设置有基片(5)，基片(5)设置在温度控制器(6)上，温度控制器(6)接分子泵。
2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述的RF线圈(4)为螺旋线圈。
【专利摘要】本实用新型公开了一种半导体加工设备，它涉及。包括气体入口、反应腔、静电屏蔽装置、RF线圈、基片和温度控制器，反应腔顶部设置有气体入口，反应腔内设置有静电屏蔽装置，静电屏蔽装置上绕有RF线圈，静电屏蔽装置与RF电源连接形成电磁场，电磁场下方设置有基片，基片设置在温度控制器上，温度控制器接分子泵。本实用新型结构简单，采用双射频电源，实现了离子浓度和离子轰击强度分开控制，使刻蚀速率、选择比、均匀性都得到提高。
【IPC分类】H01L21-67
【公开号】CN204407297
【申请号】CN201420720817
【发明人】张明
【申请人】天津市信拓电子科技有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2014年11月25日