高导热led封装结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体发光器件，尤其是一种高导热LED封装结构。
【背景技术】
[0002]随着LED技术的不断发展，LED封装技术已日渐成熟，但现有的LED封装结构产品都普遍存在光衰大、使用寿命短的问题，特别是大功率LED封装结构产品，结构中封装了较多颗LED芯片，LED芯片较集中，热量无法第一时间散发出去，影响了 LED的稳定工作，导致LED芯片光衰较大，寿命严重缩短，功率越大，产品就越不稳定。
【实用新型内容】
[0003]有鉴于此，本实用新型提供一种高导热LED封装结构，使LED芯片散热更快，能够有效降低光衰，延长使用寿命。
[0004]其技术方案如下:
[0005]一种高导热LED封装结构，包括铜基板和白光芯片，所述铜基板上设有开槽，白光芯片固晶在该开槽内。采用以上结构，铜基板的导热系数高于铝基板或陶瓷基板，大大提高了 LED芯片的散热效果，能够有效降低光衰，延长使用寿命。
[0006]优选地，所述开槽内壁上镀有光学反光膜，形成LED的反光镜，使LED光的输出角度更大。
[0007]优选地，所述开槽内封装有光学胶体，使LED发光更均匀。
[0008]优选地，所述开槽截面呈上宽下窄、左右对称的梯形，白光芯片设置在该开槽的底面上，采用以上结构，能够使开槽内壁形成散射发光面，进一步增大LED光的输出角度。
[0009]优选地，所述开槽呈上大下小的碗状结构，其上端面呈椭圆形，以使造型更加美观大方。
[0010]有益效果:
[0011]采用以上技术方案的高导热LED封装结构，散热效果好，使LED芯片散热更快、结温低，能够有效降低光衰，延长使用寿命，同时，LED光的输出角度大，发光均匀。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型实施例1的正视图；
[0013]图2为本实用新型实施例1的侧视图；
[0014]图3为本实用新型实施例2的正视图；
[0015]图4为本实用新型实施例2的使用状态参考图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步说明。
[0017]实施例1:
[0018]如图1所示，一种高导热LED封装结构，包括铜基板I和白光芯片2，铜基板I呈长条形，沿所述铜基板I长度方向上均匀分布有开槽3，白光芯片2固晶在该开槽3内。
[0019]由图2可以看出，所述开槽3截面呈上宽下窄、左右对称的梯形，白光芯片2设置在该开槽3的底面上，开槽3内壁上镀有光学反光膜4，开槽3内封装有光学胶体5。
[0020]实施例2:
[0021]如图3所示，一种高导热LED封装结构，包括铜基板I和白光芯片2，铜基板I为圆形，该铜基板I上分布有多个开槽3，该开槽3呈上大下小的碗状结构，其上端面呈椭圆形，白光芯片2固晶在开槽3底部中央。
[0022]如图1或图3所示，在长条形或圆形的铜基板I上封装9颗IW的LED芯片2，整个基板可以构成一个9W的照明灯具，用作灯管或者筒灯等室内产品。
[0023]请参照图4，由3个圆形铜基板I封装拼装成27W照明灯具，可用于筒灯等，以此类推，可以根据需要组装不同大小的LED灯具。
[0024]根据铜基板I的不同大小，开槽3数量可设为3?200个。
[0025]最后需要说明的是，上述描述仅仅为本实用新型的优选实施例，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不违背本实用新型宗旨及权利要求的前提下，可以做出多种类似的表示，这样的变换均落入本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高导热LED封装结构，其特征在于:包括铜基板(I)和白光芯片(2)，所述铜基板(I)上设有开槽(3)，白光芯片(2)固晶在该开槽(3)内。
2.根据权利要求1所述的高导热LED封装结构，其特征在于:所述开槽(3)内壁上镀有光学反光膜(4)。
3.根据权利要求2所述的高导热LED封装结构，其特征在于:所述开槽(3)内封装有光学胶体(5)。
4.根据权利要求1或2或3所述的高导热LED封装结构，其特征在于:所述开槽(3)截面呈上宽下窄、左右对称的梯形，白光芯片(2)设置在该开槽(3)的底面上。
5.根据权利要求1或2或3所述的高导热LED封装结构，其特征在于:所述开槽(3)呈上大下小的碗状结构，其上端面呈椭圆形。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高导热LED封装结构，包括铜基板和白光芯片，所述铜基板上设有开槽，白光芯片固晶在该开槽内，所述开槽内壁上镀有光学反光膜，开槽内封装有光学胶体。本实用新型的高导热LED封装结构，散热效果好，使LED芯片散热更快、结温低，能够有效降低光衰，延长使用寿命，同时，LED光的输出角度大，发光均匀。
【IPC分类】H01L33-64, H01L33-48
【公开号】CN204375786
【申请号】CN201420810314
【发明人】王超, 种衍兵, 李黎明, 牟亚宇
【申请人】重庆新天阳照明科技股份有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年12月19日