太阳能电池用封装胶膜和太阳能电池的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种太阳能电池用封装胶膜，及采用该太阳能电池用封装胶膜的太阳能电池。
【背景技术】
[0002]太阳能电池是收集太阳光并进行光伏转换的装置，由于太阳能电池能够将太阳能转换为电能，可以极大降低电能的制造成本，因此，太阳能电池在人们生活、生产的各个领域均得到了广泛的应用。
[0003]太阳能电池中进行光伏转换的材料一般主要为硅晶片，然而硅晶片如果直接暴露在大气中，其光电转换机能会衰减，因此，太阳能电池一般都需要用封装胶膜将其封装，以保护硅晶片。
[0004]现有有在贴近背板的胶膜中添加白色填料，以增加反射，但是白色填料易溢出到硅晶片表面，损伤硅晶片，而且目前的封装胶膜的水汽阻隔性较差，一般依靠背板提供水汽阻隔，背板材料一旦出现损伤，封装胶膜将无法阻隔水汽。
[0005]因此，目前急需一种光线反射率强且不损伤硅晶片、而且水汽阻隔性好的太阳能电池用封装胶膜。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的是克服现有技术的上述缺陷，提供一种光线反射率强且不损伤硅晶片、而且水汽阻隔性好的太阳能电池用封装胶膜，及采用该太阳能电池用封装胶膜的太阳能电池。
[0007]一方面，本实用新型提供了一种太阳能电池用封装胶膜，所述太阳能电池用封装胶膜包括依次层叠的基体层、阻隔层和隔离层，所述基体层为白色聚烯烃层，所述阻隔层为无机氧化物蒸镀层，所述隔离层为热固性透明树脂层。
[0008]优选地，所述基体层为白色聚乙烯层；更优选地，所述基体层为白色热塑性聚乙烯层O
[0009]优选地，所述阻隔层为氧化硅和/或氧化铝蒸镀层。
[0010]优选地，所述隔离层为聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯共聚物和甲基丙烯酸甲酯共聚物中的至少一种的树脂层。
[0011]优选地，所述基体层的厚度为0.1-lmm。
[0012]优选地，所述阻隔层的厚度为40-1000nm。
[0013]优选地，所述隔离层的厚度为10-500 μ m。
[0014]另一方面，本实用新型提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括依次层叠的硅晶片、太阳能电池用封装胶膜和背板，所述太阳能电池用封装胶膜为如上所述的太阳能电池用封装胶膜，所述太阳能电池用封装胶膜的隔离层贴近所述硅晶片一侧设置。
[0015]本实用新型提供的太阳能电池用封装胶膜，基体层为白色聚烯烃层，因此具有较强的光线反射率，且具有一定的水汽阻隔性；阻隔层为无机氧化物蒸镀层，因此具有较好的水汽阻隔性；隔离层为热固性透明树脂层，能够防止白色填料溢出到硅晶片上，能够较好的保护硅晶片，同时提供较好的粘结性。因此，本实用新型的太阳能电池用封装胶膜具有较强的光线反射率和较好的水汽阻隔性，本实用新型的太阳能电池具有较高的光电转换率。
[0016]本实用新型的其它特征和优点将在随后的【具体实施方式】部分予以详细说明。
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型的太阳能电池用封装胶膜的结构示意图。
[0018]附图标记说明
[0019]I基体层；2阻隔层；3隔离层
【具体实施方式】
[0020]以下对本实用新型的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。
[0021]如图1所示，一方面，本实用新型提供了一种太阳能电池用封装胶膜，该太阳能电池用封装胶膜包括依次层叠的基体层1、阻隔层2和隔离层3，基体层I为白色聚烯烃层，阻隔层2为无机氧化物蒸镀层，隔离层3为热固性透明树脂层。
[0022]本实用新型中，基体层I为白色聚烯烃层，白色聚烯烃可以为本领域常用的白色聚烯烃，例如，可以由白色填料与聚烯烃按照本领域常规的方法制备而成。白色填料可以采用本领域常用的各种白色填料，例如可以为二氧化钛和/或二氧化硅。聚烯烃例如可以为聚乙烯和/或聚丙烯，优选为聚乙烯，熔点优选为60-130°C，聚乙烯可以为热塑性聚乙烯，也可以为热固性聚乙烯，优选为热塑性聚乙烯。因此，基体层I优选为白色聚乙烯层，更优选为白色热塑性聚乙烯层。
[0023]本实用新型中，阻隔层2为无机氧化物蒸镀层，无机氧化物蒸镀层可以为本领域常规的无机氧化物蒸镀层，如本领域技术人员所公知，无机氧化物蒸镀层即为在真空环境下将无机氧化物加热并镀到基体层I上形成的层。本实用新型中，阻隔层2优选为氧化硅和/或氧化铝蒸镀层。
[0024]本实用新型中，隔离层3为热固性透明树脂层，对于树脂无特殊要求，可以采用本领域常用的树脂，例如可以为聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)和甲基丙烯酸甲酯共聚物(EMMA)中的至少一种。S卩，隔离层3可以为聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯共聚物和甲基丙烯酸甲酯共聚物中的至少一种的树脂层。本领域技术人员应该理解的是，树脂层中还可以含有交联剂、偶联剂、光稳定剂、抗氧化剂等。
[0025]本实用新型中，基体层I的厚度优选为0.1-1_，更优选为0.2-0.4mm ;阻隔层2的厚度优选为40-1000nm，更优选为50_600nm ;隔离层3的厚度优选为10-500 μ m，更优选为30-100 μmD
[0026]本实用新型的太阳能电池用封装胶膜，可以采用本领域技术人员所能想到的各种方法制备，例如，可以在基体层I上通过蒸镀无机氧化物形成阻隔层2，然后在阻隔层2上热压树脂组合物形成隔离层3，从而得到本实用新型的太阳能电池用封装胶膜。
[0027]本领域技术人员应该理解的是，在实际使用时，隔离层3贴近硅晶片一侧。
[0028]另一方面，本实用新型提供了一种太阳能电池，太阳能电池包括依次层叠的硅晶片、太阳能电池用封装胶膜和背板，太阳能电池用封装胶膜为如上所述的太阳能电池用封装胶膜，太阳能电池用封装胶膜的隔离层3贴近硅晶片一侧设置。
[0029]本领域技术人员应该理解的是，本实用新型的创新点在于太阳能电池用封装胶膜，因此，对于太阳能电池的其他组件和设置方式均无特殊要求，例如，太阳能电池可以由依次层叠的玻璃层、透明的封装膜、硅晶片、太阳能电池用封装胶膜和背板组成，透明的封装膜可以采用与太阳能电池用封装胶膜的隔离层3相同材质的膜。对于其他层的厚度可以采用本领域常规的厚度，此为本领域技术人员所公知，在此不再赘述。
[0030]本实用新型提供的太阳能电池用封装胶膜，基体层I为白色聚烯烃层，因此具有较强的光线反射率，且具有一定的水汽阻隔性；阻隔层2为无机氧化物蒸镀层，因此具有较好的水汽阻隔性；隔离层3为热固性透明树脂层，能够防止白色填料溢出到硅晶片上，能够较好的保护硅晶片，同时提供较好的粘结性。因此，本实用新型的太阳能电池用封装胶膜具有较强的光线反射率和较好的水汽阻隔性，本实用新型的太阳能电池具有较高的光电转换率。
[0031]以上结合附图详细描述了本实用新型的优选实施方式，但是，本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的技术构思范围内，可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。
[0032]另外需要说明的是，在上述【具体实施方式】中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本实用新型对各种可能的组合方式不再另行说明。
[0033]此外，本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本实用新型的思想，其同样应当视为本实用新型所公开的内容。
【主权项】
1.一种太阳能电池用封装胶膜，其特征在于，所述太阳能电池用封装胶膜包括依次层叠的基体层(1)、阻隔层(2)和隔离层(3)，所述基体层(I)为白色聚烯烃层，所述阻隔层(2)为无机氧化物蒸镀层，所述隔离层(3)为热固性透明树脂层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池用封装胶膜，其特征在于，所述基体层(I)为白色聚乙烯层。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池用封装胶膜，其特征在于，所述基体层(I)为白色热塑性聚乙烯层。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池用封装胶膜，其特征在于，所述阻隔层(2)为氧化硅和/或氧化铝蒸镀层。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池用封装胶膜，其特征在于，所述隔离层(3)为聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯共聚物和甲基丙烯酸甲酯共聚物中的至少一种的树脂层。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的太阳能电池用封装胶膜，其特征在于，所述基体层(I)的厚度为0.1-1_。
7.根据权利要求1-5中任意一项所述的太阳能电池用封装胶膜，其特征在于，所述阻隔层(2)的厚度为40-1000nmo
8.根据权利要求1-5中任意一项所述的太阳能电池用封装胶膜，其特征在于，所述隔离层(3)的厚度为10-500 μ m。
9.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括依次层叠的硅晶片、太阳能电池用封装胶膜和背板，所述太阳能电池用封装胶膜为权利要求1-8中任意一项所述的太阳能电池用封装胶膜，所述太阳能电池用封装胶膜的隔离层(3)贴近所述硅晶片一侧设置。
【专利摘要】本实用新型公开了一种太阳能电池用封装胶膜，所述太阳能电池用封装胶膜包括依次层叠的基体层(1)、阻隔层(2)和隔离层(3)，所述基体层(1)为白色聚烯烃层，所述阻隔层(2)为无机氧化物蒸镀层，所述隔离层(3)为热固性透明树脂层。本实用新型还公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括依次层叠的硅晶片、太阳能电池用封装胶膜和背板，所述太阳能电池用封装胶膜为如上所述的太阳能电池用封装胶膜，所述太阳能电池用封装胶膜的隔离层(3)贴近所述硅晶片一侧设置。本实用新型的太阳能电池用封装胶膜具有较强的光线反射率和较好的水汽阻隔性，本实用新型的太阳能电池具有较高的光电转换率。
【IPC分类】B32B27-08, H01L31-048
【公开号】CN204289478
【申请号】CN201420696916
【发明人】白守萍, 黄江
【申请人】比亚迪股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年11月19日