Tft背板的利记博彩app及tft背板的利记博彩app
【专利摘要】本发明提供一种TFT背板的利记博彩app及TFT背板。本发明的TFT背板的利记博彩app，通过在缓冲层上制作包括含氧非晶硅薄膜以及位于所述含氧非晶硅薄膜上的不含氧非晶硅薄膜的非晶硅薄膜，使得采用硼离子诱导固相晶化法对所述非晶硅薄膜进行晶化处理时，由于所述非晶硅薄膜与缓冲层的接触界面为含氧非晶硅薄膜，而含氧非晶硅薄膜在高温结晶过程中不容易产生晶核，从而使得晶核的产生仅发生在非晶硅薄膜上表面的硼离子掺杂层中，并且自上而下发生结晶，晶粒质量好，薄膜均一性好，从而达到提高结晶质量及改善均一性的效果。本发明的TFT背板，制程简单，其中的多晶硅层的结晶质量与均一性较好，提升了TFT的性能，增强其驱动效果。
【专利说明】
TFT背板的利记博彩app及TFT背板
技术领域
[0001] 本发明设及显示技术领域，尤其设及一种TFT背板的利记博彩app及TFT背板。
【背景技术】
[0002] 0LED(0rganic Light-Emitting Diode,有机发光二极管）显示器，也称为有机电 致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发 光亮度高、工作溫度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕 显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用 前景。
[0003] OL抓按照驱动方式可W分为无源矩阵型OL抓（Passive Matrix 0LED，PM0LED)和 有源矩阵型化邸(Active Matrix 0LED，AM0LED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻 址两类。其中，AMOL邸具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作 高清晰度的大尺寸显示装置。
[0004] 薄膜晶体管（Thin Film Transistor,简称TFT)是AMOL抓显示装置中的主要驱动 元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结 构的薄膜晶体管的有源层的材料也具有多种，低溫多晶娃化OW Temperature Poly- silicon，简称LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低溫多晶娃的原子规则排列，载流子 迁移率高，对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低溫多晶娃薄 膜晶体管可W更好的满足驱动电流要求。
[0005] 目前采用的一种形成低溫多晶娃薄膜的方法是棚离子（Boron)诱导固相晶化 (SPC)法，该方法是在非晶娃(a-Si)薄膜的上表面植入棚离子诱导产生晶核，然后自上而下 结晶最终形成多晶娃(POly-Si)薄膜，但是，在晶化过程中，通常在非晶娃薄膜的下表面，即 非晶娃薄膜与缓冲(buffer)层的界面处也会随机产生一些晶核，发生自下而上的结晶，一 般由于应力作用，从下方开始的结晶缺陷比较多，堆叠也不是很好，另一方面下方随机的结 晶，也会影响多晶娃薄膜整体的均一性。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种TFT背板的利记博彩app，在非晶娃薄膜的晶化过程中可 抑制下表面晶核的形成，从而提高结晶质量，改善均一性。
[0007] 本发明的目的还在于提供一种TFT背板，多晶娃层的结晶质量与均一性较好，提升 了 TFT的性能，增强其驱动效果。
[000引为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT背板的利记博彩app，包括如下步骤：
[0009] 步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上沉积缓冲层；
[0010] 步骤2、在所述缓冲层上形成非晶娃薄膜，所述非晶娃薄膜包括位于所述缓冲层上 的含氧非晶娃薄膜W及位于所述含氧非晶娃薄膜上的不含氧非晶娃薄膜；
[0011] 步骤3、对所述非晶娃薄膜进行棚离子渗杂，在所述非晶娃薄膜的上表面形成一棚 离子渗杂层，对所述非晶娃薄膜进行快速热退火处理，使所述非晶娃薄膜结晶转化为低溫 多晶娃薄膜，所述低溫多晶娃薄膜包括位于所述缓冲层上的含氧低溫多晶娃薄膜及位于所 述含氧低溫多晶娃薄膜上的不含氧低溫多晶娃薄膜；
[0012] 步骤4、去除所述低溫多晶娃薄膜上表面的棚离子渗杂层，对所述低溫多晶娃薄膜 进行图形化处理，得到间隔设置的第一多晶娃层与第二多晶娃层；
[0013] 步骤5、在所述第一多晶娃层、第二多晶娃层、及缓冲层上形成栅极绝缘层，采用一 道掩模对所述第一多晶娃层的两侧、及整个第二多晶娃层进行N型或者P型重渗杂，在所述 第一多晶娃层的两侧形成源极接触区与漏极接触区，所述源极接触区与漏极接触区之间的 区域形成沟道区，所述第二多晶娃层经过N型或者P型重渗杂后形成导体；
[0014] 步骤6、在所述栅极绝缘层上形成对应于所述第一多晶娃层上方的栅极、及对应于 所述第二多晶娃层上方的存储电容电极;所述存储电容电极与第二多晶娃层形成存储电 容；
[0015] 在所述栅极、存储电容电极、及栅极绝缘层上沉积层间介电层，在所述层间介电层 及栅极绝缘层上形成分别对应于源极接触区及漏极接触区上方的第一通孔、及第二通孔；
[0016] 步骤7、在所述层间介电层上形成源极与漏极，所述源极、及漏极分别通过第一通 孔、及第二通孔与第一多晶娃层的源极接触区、及漏极接触区相接触。
[0017] 所述含氧非晶娃薄膜的厚度为所述非晶娃薄膜的厚度的十分之一至二十分之一。 [001引所述步骤2包括：
[0019] 步骤21、在所述缓冲层上方通入硅烷气体和氧气的混合气体，在所述缓冲层上沉 积得到含氧非晶娃薄膜；
[0020] 步骤22、在所述缓冲层上方通入硅烷气体，在所述缓冲层上沉积得到不含氧非晶 娃薄膜。
[0021] 所述步骤21中，所述硅烷气体的流量一直保持不变，所述氧气的流量在步骤21开 始时最大，之后逐渐减小，到步骤21结束时减少为零。
[0022] 所述步骤21中，所述氧气的流量小于或等于所述硅烷气体的流量的十分之一;所 述步骤21与步骤22中，所述硅烷气体包括甲硅烷、及乙硅烷中的一种或多种。
[0023] 所述TFT背板的利记博彩app还包括:在所述步骤5之后步骤6之前、在所述步骤6形成 栅极与存储电容电极之后沉积层间介电层之前、或者在所述步骤6沉积层间介电层之后形 成第一通孔与第二通孔之前，对整个基板进行快速热退火处理，使所述步骤5中在所述第一 多晶娃层的源极接触区与漏极接触区、及整个第二多晶娃层中渗杂的N型或P型离子活化。
[0024] 还包括步骤8、在所述源极、漏极、及层间介电层上形成平坦层，在所述平坦层上形 成对应于所述漏极上方的第=通孔，在所述平坦层上形成像素电极，所述像素电极通过第 =通孔与所述漏极相接触；
[0025] 在所述像素电极、及平坦层上形成像素定义层，在所述像素定义层上形成对应于 所述像素电极上方的第四通孔；
[0026] 在所述像素定义层上形成间隔设置的数个间隔物。
[0027] 本发明还提供一种TFT背板，包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的缓冲层、设于 所述缓冲层上且间隔设置的第一多晶娃层与第二多晶娃层、设于所述第一多晶娃层、第二 多晶娃层、及缓冲层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上且对应于所述第一多晶娃层 上方的栅极、设于所述栅极绝缘层上且对应于所述第二多晶娃层上方的存储电容电极、设 于所述栅极、存储电容电极、及栅极绝缘层上的层间介电层、设于所述层间介电层上的源极 与漏极；
[0028] 其中，所述第一多晶娃层包括位于两侧的源极接触区与漏极接触区、及位于源极 接触区与漏极接触区之间的沟道区；所述源极接触区与漏极接触区均为N型重渗杂区或均 为P型重渗杂区；
[0029] 所述层间介电层及栅极绝缘层上设有分别对应于源极接触区及漏极接触区上方 的第一通孔、及第二通孔，所述源极、及漏极分别通过第一通孔、及第二通孔与第一多晶娃 层的源极接触区、及漏极接触区相接触；
[0030] 整个第二多晶娃层为N型重渗杂区或P型重渗杂区，所述第二多晶娃层与存储电容 电极形成存储电容；
[0031] 所述第一多晶娃层、及第二多晶娃层均包括位于所述缓冲层上的含氧低溫多晶娃 薄膜及位于所述含氧低溫多晶娃薄膜上的不含氧低溫多晶娃薄膜。
[0032] 所述含氧低溫多晶娃薄膜的厚度为所述第一多晶娃层、及第二多晶娃层的厚度的 十分之一至二十分之一。
[0033] 所述TFT背板还包括:设于所述源极、漏极、及层间介电层上的平坦层、设于所述平 坦层上的像素电极、设于所述像素电极、及平坦层上的像素定义层、W及设于所述像素定义 层上且间隔设置的数个间隔物；
[0034] 所述平坦层上设有对应于所述漏极上方的第=通孔，所述像素电极通过第=通孔 与所述漏极相接触;所述像素定义层上设有对应于所述像素电极上方的第四通孔。
[0035] 本发明的有益效果:本发明提供的一种TFT背板的利记博彩app，通过在缓冲层上制作 包括含氧非晶娃薄膜W及位于所述含氧非晶娃薄膜上的不含氧非晶娃薄膜的非晶娃薄膜， 使得采用棚离子诱导固相晶化法对所述非晶娃薄膜进行晶化处理时，由于所述非晶娃薄膜 与缓冲层的接触界面为含氧非晶娃薄膜，而含氧非晶娃薄膜在高溫结晶过程中不容易产生 晶核，从而使得晶核的产生仅发生在非晶娃薄膜上表面的棚离子渗杂层中，并且自上而下 发生结晶，晶粒质量好，薄膜均一性好，从而达到提高结晶质量及改善均一性的效果。本发 明提供的一种TFT背板，制程简单，其中的多晶娃层的结晶质量与均一性较好，提升了 TFT的 性能，增强其驱动效果。
[0036] 为了能更进一步了解本发明的特征W及技术内容，请参阅W下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加W限制。
【附图说明】
[0037] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其它有益效果显而易见。
[003引附图中，
[0039] 图1为本发明的TFT背板的利记博彩app的流程图；
[0040] 图2为本发明的TFT背板的利记博彩app的步骤1的示意图；
[0041] 图3为本发明的TFT背板的利记博彩app的步骤2的示意图；
[0042] 图4-5为本发明的TFT背板的利记博彩app的步骤3的示意图；
[0043] 图6为本发明的TFT背板的利记博彩app的步骤4的示意图；
[0044] 图7为本发明的TFT背板的利记博彩app的步骤5的示意图；
[0045] 图8为本发明的TFT背板的利记博彩app的步骤6的示意图；
[0046] 图9为本发明的TFT背板的利记博彩app的步骤7的示意图；
[0047] 图10为本发明的TFT背板的利记博彩app的步骤8的示意图暨本发明的TFT背板的结构 示意图。
【具体实施方式】
[0048] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，W下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0049] 请参阅图1，本发明首先提供一种TFT背板的利记博彩app，包括如下步骤：
[0050] 步骤1、如图2所示，提供一衬底基板10,在所述衬底基板10上沉积缓冲层20。
[0051] 具体的，所述衬底基板10为玻璃基板。
[0052] 具体的，所述步骤1还包括:在所述衬底基板10上沉积缓冲层20之前，对所述衬底 基板10进行清洗和烘烤。
[0053] 具体的，所述缓冲层20包括氮化娃(SiNx)层、及氧化娃(SiOx)层中的一种或两种的 组合。具体的，所述氮化娃层、及氧化娃层的厚度分别为500A…2000A。
[0054] 步骤2、如图3所示，在所述缓冲层20上形成非晶娃薄膜310,所述非晶娃薄膜310包 括位于所述缓冲层20上的含氧非晶娃薄膜311W及位于所述含氧非晶娃薄膜311上的不含 氧非晶娃薄膜312。
[0055] 具体的，所述含氧非晶娃薄膜311的厚度为所述非晶娃薄膜310的厚度的十分之一 至二十分之一，优选为十分之一。
[0056] 具体的，所述步骤2包括：
[0057] 步骤21、在所述缓冲层20上方通入硅烷气体和氧气的混合气体，在所述缓冲层20 上沉积得到含氧非晶娃薄膜311。
[0058] 具体的，所述步骤21中，所述硅烷气体的流量一直保持不变，所述氧气的流量在步 骤21开始时最大，之后逐渐减小，到步骤21结束时减少为零。
[0059] 优选的，所述步骤21中，所述氧气的流量小于或等于所述硅烷气体的流量的十分 之一。
[0060] 步骤22、在所述缓冲层20上方通入硅烷气体，在所述缓冲层20上沉积得到不含氧 非晶娃薄膜312。
[0061] 具体的，所述步骤21与步骤22中，所述硅烷气体包括甲硅烷（SiH4)、及乙硅烷 (Si2也）中的一种或多种。
[0062] 步骤3、如图4-5所示，对所述非晶娃薄膜310进行棚离子渗杂，在所述非晶娃薄膜 310的上表面形成一棚离子渗杂层313,对所述非晶娃薄膜310进行快速热退火处理，使所述 非晶娃薄膜310结晶转化为低溫多晶娃薄膜330,所述低溫多晶娃薄膜330包括位于所述缓 冲层20上的含氧低溫多晶娃薄膜331及位于所述含氧低溫多晶娃薄膜331上的不含氧低溫 多晶娃薄膜332。
[0063] 具体的，所述步骤3的晶化过程中，由于所述非晶娃薄膜310与缓冲层20的接触界 面为含氧非晶娃薄膜311，所述含氧非晶娃薄膜311在高溫结晶过程中不容易产生晶核，使 得晶核的产生仅发生在上表面的棚离子渗杂层313中，并且自上而下发生结晶，晶粒质量 好，薄膜均一性好。
[0064] 具体的，所述步骤3中，所述快速热退火处理的退火溫度为600°C~730°C，退火保 溫时间为IOmin-化。
[0065] 具体的，所述步骤3中，所述棚离子渗杂制程植入的离子浓度为1 X l〇is~1 X I〇i6i〇ns/cm2，离子能量为 5 ~20keV。
[0066] 步骤4、如图6所示，去除所述低溫多晶娃薄膜330上表面的棚离子渗杂层313,对所 述低溫多晶娃薄膜330进行图形化处理，得到间隔设置的第一多晶娃层30与第二多晶娃层 40 O
[0067] 具体的，所述步骤4中，去除所述低溫多晶娃薄膜330上表面的棚离子渗杂层313的 方法为:对所述低溫多晶娃薄膜330进行干蚀刻处理。
[0068] 具体的，所述步骤4还包括:对所述第一多晶娃层30进行沟道渗杂。
[0069] 具体的，所述沟道渗杂的制程可W为:对整个第一多晶娃层30进行P型轻渗杂，或 者对所述第一多晶娃层30的中间区域进行P型轻渗杂。
[0070] 具体的，所述P型轻渗杂制程植入的离子为棚离子(B+)。
[0071 ] 具体的，所述P型轻渗杂制程植入的离子浓度为1 X 1〇12~1 X l〇i3ions/cm2,离子能 量为5~20keV。
[0072] 步骤5、如图7所示，在所述第一多晶娃层30、第二多晶娃层40、及缓冲层20上形成 栅极绝缘层50,采用一道掩模对所述第一多晶娃层30的两侧、及整个第二多晶娃层40进行N 型或者P型重渗杂，在所述第一多晶娃层30的两侧形成源极接触区31与漏极接触区32,所述 源极接触区31与漏极接触区32之间的区域形成沟道区33,所述第二多晶娃层40经过N型或 者P型重渗杂后形成导体。
[0073] 具体的，所述N型重渗杂制程植入的离子为憐离子(P+)，优选的，采用憐化氨(P出） 气体进行憐离子渗杂。
[0074] 具体的，所述P型重渗杂制程植入的离子为棚离子，优选的，采用乙棚烧(B抽6)气体 进行棚离子渗杂。
[0075] 具体的，所述N型重渗杂制程植入的离子浓度为1 X l〇is~1 X l〇i6ions/cm2,离子能 量为5~50keV;所述P型重渗杂制程植入的离子浓度为1 X l〇is~1 X l〇i6ions/cm2,离子能量 为5~50keV。
[0076] 步骤6、如图8所示，在所述栅极绝缘层50上形成对应于所述第一多晶娃层30上方 的栅极61、及对应于所述第二多晶娃层40上方的存储电容电极62;所述存储电容电极62与 第二多晶娃层40形成存储电容；
[0077] 在所述栅极61、存储电容电极62、及栅极绝缘层50上沉积层间介电层70,在所述层 间介电层70及栅极绝缘层50上形成分别对应于源极接触区31及漏极接触区32上方的第一 通孔71、及第二通孔72。
[0078] 具体的，所述栅极61、及存储电容电极62的形成方法为:在所述栅极绝缘层50上沉 积栅极金属层，采用一道光刻制程对所述栅极金属层进行图形化处理，得到栅极61、及存储 电容电极62。
[0079] 具体的，所述栅极绝缘层50包括氮化娃层、及氧化娃层中的一种或两种的组合。具 体的，所述氮化娃层、及氧化娃层的厚度分别为5001 ~~^2000A。
[0080] 具体的，所述栅极61、及存储电容电极62均包括两钢(Mo)层及位于两钢层之间的 一侣（Al)层、或仅包括单层钢层或单层侣层。具体的，所述栅极61的厚度为 1500A ~2000A。
[0081] 具体的，所述层间介电层70包括氮化娃层、及氧化娃层中的一种或两种的组合。具 体的，所述层间介电层70的厚度为2000A~6000A。
[0082] 具体的，所述TFT背板的利记博彩app还包括:在所述步骤5之后步骤6之前、在所述步 骤6形成栅极61与存储电容电极62之后沉积层间介电层70之前、或者在所述步骤6沉积层间 介电层70之后形成第一通孔71与第二通孔72之前，对整个基板进行快速热退火处理，使所 述步骤5中在所述第一多晶娃层30的源极接触区31与漏极接触区32、及整个第二多晶娃层 40中渗杂的N型或P型离子活化，提高其有效性。所述快速热退火处理的退火溫度为450°C~ 650 °C，退火保溫时间为Imin-化。
[0083] 步骤7、如图9所示，在所述层间介电层70上形成源极81与漏极82,所述源极81、及 漏极82分别通过第一通孔71、及第二通孔72与第一多晶娃层30的源极接触区31、及漏极接 触区32相接触。
[0084] 具体的，所述源极81与漏极82均包括两钢层及位于两钢层之间的一侣层、或仅包 括单层钢层或单层侣层。具体的，所述源极81与漏极82的厚度分别为1500A~2000A,.
[0085] 步骤8、如图10所示，在所述源极81、漏极82、及层间介电层70上形成平坦层90,在 所述平坦层90上形成对应于所述漏极82上方的第=通孔91，在所述平坦层90上形成像素电 极100,所述像素电极100通过第=通孔91与所述漏极82相接触；
[0086] 在所述像素电极100、及平坦层90上形成像素定义层110,在所述像素定义层110上 形成对应于所述像素电极100上方的第四通孔111;
[0087] 在所述像素定义层110上形成间隔设置的数个间隔物130。
[0088] 具体的，所述第四通孔111内用于形成化抓器件的有机发光层，所述间隔物130用 于在封装后支撑上方的盖板。
[0089] 具体的，所述间隔物130的材料为有机材料。
[0090] 具体的，所述平坦层90与像素定义层110为有机材料。
[0091 ]具体的，所述像素电极100的材料为氧化铜锡(ITO)。
[0092] 上述TFT背板的利记博彩app，通过在缓冲层20上制作包括含氧非晶娃薄膜311W及位 于所述含氧非晶娃薄膜311上的不含氧非晶娃薄膜312的非晶娃薄膜310,使得采用棚离子 诱导固相晶化法对非晶娃薄膜310进行晶化处理时，由于所述非晶娃薄膜310与缓冲层20的 接触界面为含氧非晶娃薄膜311，而含氧非晶娃薄膜311在高溫结晶过程中不容易产生晶 核，使得晶核的产生仅发生在非晶娃薄膜310上表面的棚离子渗杂层313中，并且自上而下 发生结晶，晶粒质量好，薄膜均一性好，从而达到提高结晶质量及改善均一性的效果。
[0093] 请参阅图10,基于上述TFT背板的利记博彩app，本发明还提供一种TFT背板，包括:衬 底基板10、设于所述衬底基板10上的缓冲层20、设于所述缓冲层20上且间隔设置的第一多 晶娃层30与第二多晶娃层40、设于所述第一多晶娃层30、第二多晶娃层40、及缓冲层20上的 栅极绝缘层50、设于所述栅极绝缘层50上且对应于所述第一多晶娃层30上方的栅极61、设 于所述栅极绝缘层50上且对应于所述第二多晶娃层40上方的存储电容电极62、设于所述栅 极61、存储电容电极62、及栅极绝缘层50上的层间介电层70、设于所述层间介电层70上的源 极81与漏极82;
[0094] 其中，所述第一多晶娃层30包括位于两侧的源极接触区31与漏极接触区32、及位 于源极接触区31与漏极接触区32之间的沟道区33;所述源极接触区31与漏极接触区32均为 N型重渗杂区或均为P型重渗杂区；
[0095] 所述层间介电层70及栅极绝缘层50上设有分别对应于源极接触区31及漏极接触 区32上方的第一通孔71、及第二通孔72,所述源极81、及漏极82分别通过第一通孔71、及第 二通孔72与第一多晶娃层30的源极接触区31、及漏极接触区32相接触；
[0096] 整个第二多晶娃层40为N型重渗杂区或P型重渗杂区，所述第二多晶娃层40与存储 电容电极62形成存储电容；
[0097] 所述第一多晶娃层30、及第二多晶娃层40均包括位于所述缓冲层20上的含氧低溫 多晶娃薄膜331及位于所述含氧低溫多晶娃薄膜331上的不含氧低溫多晶娃薄膜332。
[0098] 具体的，所述TFT背板还包括:设于所述源极81、漏极82、及层间介电层70上的平坦 层90、设于所述平坦层90上的像素电极100、设于所述像素电极100、及平坦层90上的像素定 义层110、W及设于所述像素定义层110上且间隔设置的数个间隔物130;
[0099] 所述平坦层90上设有对应于所述漏极82上方的第=通孔91，所述像素电极100通 过第=通孔91与所述漏极82相接触;所述像素定义层110上设有对应于所述像素电极100上 方的第四通孔111。
[0100] 具体的，所述第四通孔111内用于形成OL邸器件的有机发光层。
[0101] 具体的，所述间隔物130的材料为有机材料。
[0102] 具体的，所述平坦层90与像素定义层110为有机材料。
[0103] 具体的，所述像素电极100的材料为氧化铜锡。
[0104] 具体的，所述衬底基板10为玻璃基板。
[0105] 具体的，所述缓冲层20包括氮化娃层、及氧化娃层中的一种或两种的组合。具体 的，所述氮化娃层、及氧化娃层的厚度分别为50QA~20OQ朵。
[0106] 具体的，所述含氧低溫多晶娃薄膜331的厚度为所述第一多晶娃层30、及第二多晶 娃层40的厚度的十分之一至二十分之一。优选为十分之一。
[0107] 具体的，所述栅极绝缘层50包括氮化娃层、及氧化娃层中的一种或两种的组合。具 体的，所述氮化娃层、及氧化娃层的厚度分别为500人~2000A。
[0108] 具体的，所述栅极61、及存储电容电极62均包括两钢层及位于两钢层之间的一侣 层、或仅包括单层钢层或单层侣层。具体的，所述栅极61的厚度为1500A~2000A。
[0109] 具体的，所述N型重渗杂区中渗入的离子为憐离子，所述P型重渗杂区中渗入的离 子为棚离子。
[0110] 优选的，所述沟道区33为P型轻渗杂区，所述P型轻渗杂区中渗入的离子为棚离子。 [011。 具体的，所述N型重渗杂区中渗入的离子浓度为1 X 1 0is~1 X l0i6ions/cm2，所述P 型重渗杂区中渗入的离子浓度为lXl0is~lXl0i6ions/cm2,所述P型轻渗杂区中渗入的离 子浓度为I X 1012~I X I0i3i0ns/cm2。
[0112] 具体的，所述层间介电层70包括氮化娃层、及氧化娃层中的一种或两种的组合。具 体的，所述层间介电层70的厚度为2000A~6000A。
[0113] 具体的，所述源极81与漏极82均包括两钢层及位于两钢层之间的一侣层、或仅包 括单层钢层或单层侣层。具体的，所述源极81与漏极82的厚度分别为1500A~2000A。
[0114] 具体的，本发明的TFT背板中，所述栅极61、源极81、漏极82、及第一多晶娃层30构 成一驱动TFT，用于驱动OL邸器件的有机发光层发光。
[0115] 上述TFT背板，制程简单，其中的第一多晶娃层30与第二多晶娃层40的结晶质量与 均一性较好，提升了 TFT的性能，增强其驱动效果。
[0116] 综上所述，本发明提供一种TFT背板的利记博彩app及TFT背板。本发明的TFT背板的制 作方法，通过在缓冲层上制作包括含氧非晶娃薄膜W及位于所述含氧非晶娃薄膜上的不含 氧非晶娃薄膜的非晶娃薄膜，使得采用棚离子诱导固相晶化法对所述非晶娃薄膜进行晶化 处理时，由于所述非晶娃薄膜与缓冲层的接触界面为含氧非晶娃薄膜，而含氧非晶娃薄膜 在高溫结晶过程中不容易产生晶核，从而使得晶核的产生仅发生在非晶娃薄膜上表面的棚 离子渗杂层中，并且自上而下发生结晶，晶粒质量好，薄膜均一性好，从而达到提高结晶质 量及改善均一性的效果。本发明的TFT背板，制程简单，其中的多晶娃层的结晶质量与均一 性较好，提升了 TFT的性能，增强其驱动效果。
[0117] W上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可W根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有运些改变和变形都应属于本发明权利要求的 保护化围。
【主权项】
1. 一种TFT背板的利记博彩app，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积缓冲层(20); 步骤2、在所述缓冲层(20)上形成非晶硅薄膜(310)，所述非晶硅薄膜(310)包括位于所 述缓冲层(20)上的含氧非晶硅薄膜(311)以及位于所述含氧非晶硅薄膜(311)上的不含氧 非晶硅薄膜(312); 步骤3、对所述非晶硅薄膜(310)进行硼离子掺杂，在所述非晶硅薄膜(310)的上表面形 成一硼离子掺杂层（313)，对所述非晶硅薄膜(310)进行快速热退火处理，使所述非晶硅薄 膜(310)结晶转化为低温多晶硅薄膜(330)，所述低温多晶硅薄膜(330)包括位于所述缓冲 层（20)上的含氧低温多晶硅薄膜(331)及位于所述含氧低温多晶硅薄膜(331)上的不含氧 低温多晶硅薄膜(332); 步骤4、去除所述低温多晶硅薄膜(330)上表面的硼离子掺杂层(313)，对所述低温多晶 硅薄膜(330)进行图形化处理，得到间隔设置的第一多晶硅层(30)与第二多晶硅层(40); 步骤5、在所述第一多晶硅层（30)、第二多晶硅层(40)、及缓冲层（20)上形成栅极绝缘 层(50)，采用一道掩模对所述第一多晶硅层(30)的两侧、及整个第二多晶硅层(40)进行N型 或者P型重掺杂，在所述第一多晶硅层(30)的两侧形成源极接触区（31)与漏极接触区（32)， 所述源极接触区（31)与漏极接触区（32)之间的区域形成沟道区（33)，所述第二多晶硅层 (40)经过N型或者P型重掺杂后形成导体； 步骤6、在所述栅极绝缘层(50)上形成对应于所述第一多晶硅层(30)上方的栅极(61)、 及对应于所述第二多晶硅层(40)上方的存储电容电极(62);所述存储电容电极(62)与第二 多晶硅层(40)形成存储电容； 在所述栅极(61)、存储电容电极(62)、及栅极绝缘层(50)上沉积层间介电层(70)，在所 述层间介电层（70)及栅极绝缘层（50)上形成分别对应于源极接触区（31)及漏极接触区 (32)上方的第一通孔(71)、及第二通孔(72); 步骤7、在所述层间介电层（70)上形成源极（81)与漏极（82)，所述源极（81)、及漏极 (82)分别通过第一通孔(71)、及第二通孔(72)与第一多晶硅层(30)的源极接触区（31)、及 漏极接触区（32)相接触。2. 如权利要求1所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，所述含氧非晶硅薄膜(311)的 厚度为所述非晶硅薄膜(310)的厚度的十分之一至二十分之一。3. 如权利要求1所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，所述步骤2包括： 步骤21、在所述缓冲层(20)上方通入硅烷气体和氧气的混合气体，在所述缓冲层（20) 上沉积得到含氧非晶硅薄膜(311); 步骤22、在所述缓冲层(20)上方通入硅烷气体，在所述缓冲层(20)上沉积得到不含氧 非晶硅薄膜(312)。4. 如权利要求3所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，所述步骤21中，所述硅烷气体 的流量一直保持不变，所述氧气的流量在步骤21开始时最大，之后逐渐减小，到步骤21结束 时减少为零。5. 如权利要求3所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，所述步骤21中，所述氧气的流 量小于或等于所述硅烷气体的流量的十分之一;所述步骤21与步骤22中，所述硅烷气体包 括甲硅烷、及乙硅烷中的一种或多种。6. 如权利要求1所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，还包括:在所述步骤5之后步 骤6之前、在所述步骤6形成栅极(61)与存储电容电极(62)之后沉积层间介电层(70)之前、 或者在所述步骤6沉积层间介电层(70)之后形成第一通孔(71)与第二通孔(72)之前，对整 个基板进行快速热退火处理，使所述步骤5中在所述第一多晶硅层(30)的源极接触区（31) 与漏极接触区（32)、及整个第二多晶硅层(40)中掺杂的N型或P型离子活化。7. 如权利要求1所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，还包括步骤8、在所述源极 (81)、漏极(82)、及层间介电层(70)上形成平坦层(90)，在所述平坦层(90)上形成对应于所 述漏极(82)上方的第三通孔(91)，在所述平坦层(90)上形成像素电极（100)，所述像素电极 (100)通过第三通孔(91)与所述漏极(82)相接触； 在所述像素电极（100)、及平坦层（90)上形成像素定义层（110)，在所述像素定义层 (110)上形成对应于所述像素电极（100)上方的第四通孔(111); 在所述像素定义层（110)上形成间隔设置的数个间隔物（130)。8. -种TFT背板，其特征在于，包括:衬底基板（10)、设于所述衬底基板(10)上的缓冲层 (20)、设于所述缓冲层(20)上且间隔设置的第一多晶硅层(30)与第二多晶硅层(40)、设于 所述第一多晶硅层(30)、第二多晶硅层(40)、及缓冲层(20)上的栅极绝缘层(50)、设于所述 栅极绝缘层(50)上且对应于所述第一多晶硅层(30)上方的栅极(61)、设于所述栅极绝缘层 (50)上且对应于所述第二多晶硅层(40)上方的存储电容电极(62)、设于所述栅极(61)、存 储电容电极(62)、及栅极绝缘层(50)上的层间介电层(70)、设于所述层间介电层(70)上的 源极(81)与漏极(82); 其中，所述第一多晶硅层（30)包括位于两侧的源极接触区（31)与漏极接触区（32)、及 位于源极接触区（31)与漏极接触区（32)之间的沟道区（33);所述源极接触区（31)与漏极接 触区（32)均为N型重掺杂区或均为P型重掺杂区； 所述层间介电层（70)及栅极绝缘层（50)上设有分别对应于源极接触区（31)及漏极接 触区（32)上方的第一通孔(71)、及第二通孔(72)，所述源极(81)、及漏极(82)分别通过第一 通孔(71)、及第二通孔(72)与第一多晶硅层(30)的源极接触区（31)、及漏极接触区（32)相 接触； 整个第二多晶硅层(40)为N型重掺杂区或P型重掺杂区，所述第二多晶硅层(40)与存储 电容电极(62)形成存储电容； 所述第一多晶硅层(30)、及第二多晶硅层(40)均包括位于所述缓冲层(20)上的含氧低 温多晶硅薄膜（331)及位于所述含氧低温多晶硅薄膜（331)上的不含氧低温多晶硅薄膜 (332)〇9. 如权利要求8所述的TFT背板，其特征在于，所述含氧低温多晶硅薄膜(331)的厚度为 所述第一多晶硅层(30)、及第二多晶硅层(40)的厚度的十分之一至二十分之一。10. 如权利要求8所述的TFT背板，其特征在于，所述TFT背板还包括：设于所述源极 (81)、漏极(82)、及层间介电层（70)上的平坦层(90)、设于所述平坦层（90)上的像素电极 (100)、设于所述像素电极（100)、及平坦层(90)上的像素定义层（110)、以及设于所述像素 定义层（110)上且间隔设置的数个间隔物（130); 所述平坦层（90)上设有对应于所述漏极（82)上方的第三通孔（91)，所述像素电极 (100)通过第三通孔(91)与所述漏极(82)相接触;所述像素定义层（110)上设有对应于所述 像素电极(100)上方的第四通孔(111)。
【文档编号】H01L21/84GK106098628SQ201610399170
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月7日
【发明人】周星宇
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司