一种二极管的优化生产工艺的利记博彩app
【专利摘要】本发明公开了一种二极管的优化生产工艺，将硅晶芯片切割成六边形的单元体酸洗后，进行清洗；在400~500℃下进行氧化反应；管芯在650~750℃下进行真空烧结，30分钟后进行镀膜；将管芯切割为六边形直棱柱；用30~50度角的锥形磨角器将管芯研磨出第一斜面，然后再在第一斜面的上沿研磨出同一角度的第二斜面；将切割好的管芯放置在酸溶液内进行酸洗，然后涂聚酰亚胺进行固化处理；进行模压处理，模压后在180℃下进行烘烤；最后对所得产品进行表面处理，通过再测试后，进行成品包装。本发明采用多层压接式的结构，降低管芯的热疲劳，减少漏电、性能良好；不使用焊接，有效防止电阻增加；在管芯真空烧结前进行酸洗，防止引线及焊片引入其他杂质元素。
【专利说明】
一种二极管的优化生产工艺
技术领域
[0001]本发明涉及一种半导体工艺，具体涉及一种二极管的优化生产工艺。
【背景技术】
[0002]二极管是最常用的电子元件之一，其最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，以及各种调制电路。
[0003]随着二极管在市场上的广泛应用，其需求量也越来越多。然而在传统的二极管生产工艺存在着很多问题，例如，磨片、喷砂时产生的损伤层，这些损伤会导致硅片易碎，并会形成扩散沟道。而对于较大的机械损伤，在腐蚀过程中非但消除不了，反而会更加扩大，使表面耐压大大下降。切割的损伤对芯片耐压的影响非常大;传统方法制造的二极管晶粒形状为正四棱台，N区与P区之间的夹角α = 180°，Ν结正好处于正四棱台靠近下底面的位置，在涂覆保护层时，该处包覆厚度小，容易造成电压击穿故障。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是传统二极管生产工艺存在诸多缺点，所得的二极管性能不好，目的在于提供一种二极管的优化生产工艺，进一步优化传统二极管生产工艺。
[0005]本发明通过下述技术方案实现:
一种二极管的优化生产工艺，包括以下步骤；
(1)将硅晶芯片切割成六边形的单元体；
(2)用混合酸进行酸洗后，再用超声波进行清洗；
(3)清洗完毕后，在400?500°C下通入氧气，进行氧化反应；
(4)管芯从下向上依次包括引线、焊片、芯片、焊片、引线，在650?750°C下进行真空烧结，烧结30分钟后，利用CVD气相沉积进行镀膜；
(5)将管芯切割为六边形直棱柱；
(6)首先使用30?50度角的锥形磨角器将管芯研磨出第一斜面，然后再在第一斜面的上沿研磨出同一角度的第二斜面；
(7)将切割好的管芯放置在酸溶液内进行酸洗，然后涂聚酰亚胺进行固化处理；
(8)进行模压处理，模压后在180°C下进行烘烤；
(9)最后对所得产品进行表面处理，通过再测试后，进行成品包装。
[0006]其中，聚酰亚胺，是主链含有酰亚氨基团(一C一N—C一)的聚合物。聚酰亚胺作为一种特种工程材料，已广泛应用在航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域。近来，各国都在将聚酰亚胺的研究、开发及利用列入21世纪最有希望的工程塑料之一。聚酰亚胺，因其在性能和合成方面的突出特点，不论是作为结构材料或是作为功能性材料，其巨大的应用前景已经得到充分的认识，被称为是〃解决问题的能手〃，并认为〃没有聚酰亚胺就不会有今天的微电子技术"。
[0007]一种二极管的优化生产工艺，所述步骤(2)的混合酸包括浓硫酸、硝酸、氢氟酸中的一种或多种。
[0008]一种二极管的优化生产工艺，所述步骤(7)中的酸溶液包括硝酸、氢氟酸、冰乙酸中的一种或多种。
[0009]—种二极管的优化生产工艺，所述步骤(6)中使用的锥形磨角器为45度。
[0010]—种二极管的优化生产工艺，所述步骤(9)中的测试为二极管电性测试。
[0011]在管芯烧结前进行酸洗，能有效避免管芯中焊片、引线与酸反应，引入其他杂质物质；采用多层压接式的芯片结构则取代了普通管芯片传统的焊接式结构，并且由于压接式多层结构的存在，解决了电力整流管芯片的热疲劳问题，整流管芯片漏电小、通态压降小，性能良好。
[0012]将酸洗后，经高温烘干水分的管芯表面涂一层硅橡胶使管芯P-N结与外界环境隔离开来，以避免周围杂质对器件性能的影响，可起保护管芯、稳定管芯表面的作用。
白胶固化工艺目的:固化上胶层使硅橡胶中心液剂进一步挥发，胶层固化使起与管芯牢固结合，使器件具有良好的可操作性能和避免成型时受到冲击而损伤的作用。模压的目的是使管芯与外界环境隔离，避免有害气体的侵蚀，并使表面光洁和具有特定的几何形状，起到保护管芯、稳定表面、固定管芯内引线，提高二极管机械强度，方便客户使用的作用。成型固化的目的是对模压后的二极管的塑封料通过高温烘烤，以提高塑封料的可靠性。挥发表面的油污和释放黑胶收缩压力，剔除早期不良品、失效管，提高二极管的稳定性。
[0013]CVD化学气相沉积是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。
[0014]进一步的，多角度搭配研磨工艺应用技术的出现，使得芯片台面具有更加完美的多角度台面造型，有效增大了电力整流管芯片承载更高工作电压的能力。完全突破了高压、大电流ZP芯片的制造瓶颈。
[0015]其中，将PN结边缘表面磨出一个斜角，以降低表面电场强度，使PN结的击穿首先发生在体内而不是表面。正斜角的特点:角Θ磨得越小，表面空间电荷区宽度拉得越长，表面电场强度越小，L>d，电压击穿首先发生在体内；表面最大电场强度不在PN结上，而是在低杂质浓度一边。角度Θ越小，离PN结越远。因此，正斜角对空间电荷区沿表面的展宽是有利的，因而能降低表面电场强度，提高表面耐压。斜面尺寸由低浓度向高浓度方向减小的磨角角度称为负斜角。对于负斜角而言，在90?45度之间，随Θ变小表面电场强度增大。在45度处，表面电场强度达到最大值。在O?45度之间，随Θ变小，表面最大电场强度下降。因此高压管必磨小负斜角。而表面最大电场强度不在PN结上而是在高浓度一侧。
[0016]进一步的，普通二极管的检测，包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管，是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
[0017]本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果:
1、本发明一种二极管的优化生产工艺，多层压接式的结构，降低管芯的热疲劳问题，减少漏电、性能良好。
[0018]2、本发明一种二极管的优化生产工艺，不使用焊接，有效防止电阻增加；
3、本发明一种二极管的优化生产工艺，在管芯真空烧结前进行酸洗，防止引线及焊片引入其他杂质元素。
【附图说明】
[0019]此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中:
图1为本发明结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例
[0021]如图1所示，本发明一种二极管的优化生产工艺，包括以下步骤；
(1)将硅晶芯片切割成六边形的单元体；
(2)用浓硫酸、硝酸以及氢氟酸的混合酸溶液进行酸洗后，再用超声波进行清洗;芯片
(3)清洗完毕后，在4700C下通入氧气，进行氧化反应；
(4)管芯从下向上依次包括引线、焊片、芯片、焊片、引线，在700°C下进行真空烧结，烧结30分钟后，利用CVD气相沉积进行镀膜；
(5)将管芯切割为六边形直棱柱；
(6)首先使用45度角的锥形磨角器将管芯研磨出第一斜面，然后再在第一斜面的上沿研磨出同一角度的第二斜面；
(7)将切割好的管芯放置在硝酸、氢氟酸、冰乙酸的酸溶液中进行酸洗，然后涂聚酰亚胺进行固化处理；
(8)进行模压处理，模压后在180°C下进行烘烤；
(9)最后对所得产品进行表面处理，通过再测试后，进行成品包装。
[0022]以上所述的【具体实施方式】，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的【具体实施方式】而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种二极管的优化生产工艺，其特征在于，包括以下步骤； (1)将硅晶芯片切割成六边形的单元体； (2)用混合酸进行酸洗后，再用超声波进行清洗； (3 )清洗完毕后，在400?500 °C下通入氧气，进行氧化反应； (4)管芯从下向上依次包括引线、焊片、芯片、焊片、引线，在650?750°C下进行真空烧结，烧结30分钟后，利用CVD气相沉积进行镀膜； (5)将管芯切割为六边形直棱柱； (6)首先使用30?50度角的锥形磨角器将管芯研磨出第一斜面，然后再在第一斜面的上沿研磨出同一角度的第二斜面； (7)将切割好的管芯放置在酸溶液内进行酸洗，然后涂聚酰亚胺进行固化处理； (8)进行模压处理，模压后在180°C下进行烘烤； (9)最后对所得产品进行表面处理，通过再测试后，进行成品包装。2.根据权利要求1所述的一种二极管的优化生产工艺，其特征在于，所述步骤(2)的混合酸包括浓硫酸、硝酸、氢氟酸中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的一种二极管的优化生产工艺，其特征在于，所述步骤(7)中的酸溶液包括硝酸、氢氟酸、冰乙酸中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的一种二极管的优化生产工艺，其特征在于，所述步骤(6)中使用的锥形磨角器为45度。5.根据权利要求1所述的一种二极管的优化生产工艺，其特征在于，所述步骤(9)中的测试为二极管电性测试。
【文档编号】H01L21/329GK106067419SQ201610692856
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年8月22日
【发明人】何勇, 胡苏 , 余凯
【申请人】成都众乐泰科技有限公司