陶瓷热敏电阻的制备工艺的利记博彩app

文档序号:10698081阅读:1001来源:国知局
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【专利摘要】本发明公开了陶瓷热敏电阻的制备工艺,所述的热敏电阻的制备步骤如下:1)选取原料,搅拌混合均匀,2)加固体氯化锰MnCl2,加水成为浓度为5.5%氯化锰MnCl2溶液,3)经预烧、细磨、烧结固相形成热敏电阻的外部外壳,4)对形成外部外壳进行60?200℃的热处理,5)在热处理的外部外壳内部进行印刷电极即可;本发明依靠按对角面对排列的支承肋及弹片,可以将该元件准确地分离并维持其绝缘状态,可以避免机器的损伤以及误操作,其体积小,提高PTC热敏电阻的技术指标,具有感应灵敏、响应时间短的技术特点。
【专利说明】
陶瓷热敏电阻的制备工艺
技术领域
[0001]本发明涉及一种热敏电阻,尤其涉及陶瓷热敏电阻的制备工艺。
【背景技术】
[0002]一般的热敏电阻元件与普通金属不同,可以将其分为随着温度升高电阻值降低的或者随着温度升高电阻值增加的,PTC热敏电阻作为温度感应变送器件,所需要的最关键特性是响应速度、控温点和敏感性,即温控点准确、电阻率低、Cl系数高并具有良好的体积特性,但是,现有的热敏电阻器,在室温下进行1000小时的通电试验时发现,随时间的变化室温电阻显著增加。

【发明内容】

[0003]本发明的主要目的在于针对现有技术存在的问题,而提出了陶瓷热敏电阻的制备工艺。
[0004]为了达到上述目的,本发明的技术方案如下:
[0005]本发明所涉及的热敏电阻的制备步骤如下:
[0006]I)、选取碳酸钡,碳酸钙,二氧化钛,二氧化硅,五氧化二铌,搅拌混合均匀;
[0007]2)、加固体氯化锰MnCl2,加水成为浓度为5.5%氯化锰MnCl2溶液;
[0008]3)、经预烧、细磨、烧结固相形成热敏电阻的外部外壳;
[0009]4)、对形成外部外壳进行60-200°C的热处理;
[0010]5)、在热处理的外部外壳内部进行印刷电极即可。
[0011]本发明的有益效果在于:本发明依靠按对角面对排列的支承肋及弹片,可以将该元件准确地分离并维持其绝缘状态,可以避免机器的损伤以及误操作,其体积小,提高PTC热敏电阻的技术指标,具有感应灵敏、响应时间短的技术特点。
【具体实施方式】
[0012]实施例1
[0013]本实施例的制备步骤如下:
[0014]I)、选取碳酸钡60 %,碳酸钙5 %,二氧化钛40 %,二氧化硅0.5 %,五氧化二铌10%,搅拌混合均匀;
[0015]2)、加固体氯化锰MnCl2,加水成为浓度为5.5%氯化锰MnCl2溶液;
[0016]3)、经预烧、细磨、烧结固相形成热敏电阻的陶瓷坯体,预烧温度为150°C ;
[0017]4)、对形成外部外壳进行200°C的热处理;
[0018]5)、在热处理的外部外壳内部进行光束光刻印刷进行电极即可。
[0019]实施例2
[0020]本实施例的制备步骤如下:
[0021]I)、选取碳酸钡50%,碳酸钙2 %,二氧化钛30%,二氧化硅0.2%,五氧化二铌5%,搅拌混合均勻;
[0022]2)、加固体氯化锰MnCl2,加水成为浓度为5.5%氯化锰MnCl2溶液;
[0023]3)、经预烧、细磨、烧结固相形成热敏电阻的陶瓷坯体,预烧温度为50°C ;
[0024]4)、对形成外部外壳进行60°C的热处理;
[0025]5)、在热处理的外部外壳内部进行光束光刻印刷进行电极即可。
[0026]由上述实施例可以看出:本发明依靠按对角面对排列的支承肋及弹片,可以将该元件准确地分离并维持其绝缘状态,可以避免机器的损伤以及误操作,其体积小,提高PTC热敏电阻的技术指标,具有感应灵敏、响应时间短的技术特点。
【主权项】
1.陶瓷热敏电阻的制备工艺,其特征在于:所述的热敏电阻的制备步骤如下: 1)、选取原料,搅拌混合均匀; 2)、加固体氯化锰MnCl2,加水成为浓度为5.5%氯化锰MnCl2溶液; 3)、经预烧、细磨、烧结固相形成热敏电阻的外部外壳; 4)、对形成外部外壳进行60-200°C的热处理; 5)、在热处理的外部外壳内部进行印刷电极即可。2.根据权利要求1所述的,其特征在于陶瓷热敏电阻的制备工艺:所述的原料为碳酸钡,碳酸钙,二氧化钛,二氧化硅,五氧化二铌。3.根据权利要求1所述的,其特征在于陶瓷热敏电阻的制备工艺:所述的原料的重量百分比为碳酸钡50% -60%,碳酸钙2% -5%,二氧化钛30% -40%,二氧化硅0.2% -0.5%,五氧化二铌 5% -10%。4.根据权利要求1所述的,其特征在于陶瓷热敏电阻的制备工艺:所述的外部外壳为陶瓷坯体。5.根据权利要求1所述的,其特征在于陶瓷热敏电阻的制备工艺:所述的预烧温度为50-150°C。6.根据权利要求1所述的,其特征在于陶瓷热敏电阻的制备工艺:所述的印刷电极使用光束光刻印刷进行。
【文档编号】H01C17/30GK106067356SQ201410636686
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2014年11月12日 公开号201410636686.3, CN 106067356 A, CN 106067356A, CN 201410636686, CN-A-106067356, CN106067356 A, CN106067356A, CN201410636686, CN201410636686.3
【发明人】牟晓梦
【申请人】西安烨森电子科技有限责任公司
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