一种球栅阵列封装结构及其制备方法

一种球栅阵列封装结构及其制备方法
【专利摘要】本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种球栅阵列封装结构及其制备方法。一种球栅阵列封装结构，包括基板，基板的一面设有多个焊盘，每一焊盘上设置一焊球，基板的设定区域内嵌导电结构，用以导通设定区域的等电位焊球。本发明利用液态金属在基板中制作导电结构，用于将等电位锡球导通，以降低导通电阻，提升封装结构的性能。
【专利说明】
一种球栅阵列封装结构及其制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种球栅阵列封装结构及其制备方法。
【背景技术】
[0002]BGA (BalI Grid Array，球栅阵列)封装是目前电子封装领域广泛应用的一种表面贴装封装形式，通过在芯片的背面按阵列方式制作焊球作为外引脚，实现芯片与印制电路板的连接，常规BGA封装结构剖视图参照图1所示，在实现等电位的焊球连接时，常常通过BGA封装体I于印制电路板上相应的电位点连接，存在导通电阻较大的缺点，影响电路性會K。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于，提供一种球栅阵列封装结构，解决以上技术问题；
[0004]本发明的目的还在于，提供一种球栅阵列封装结构的制备方法，解决以上技术问题。
[0005]本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0006]—种球栅阵列封装结构，其中，包括基板，所述基板的一面设有多个焊盘，每一所述焊盘上设置一焊球，所述基板的设定区域内嵌导电结构，用以导通设定区域的等电位焊球。
[0007]本发明的球栅阵列封装结构，所述基板于所述预定区域形成有凹槽，所述凹槽中填充液态金属并使之凝固以形成导电金属块，以所述导电金属块作为所述导电结构。
[0008]本发明的球栅阵列封装结构，所述基板于所述预定区域形成有凹槽，一导电金属片覆盖于所述凹槽上形成空腔，所述空腔中填充液态金属以作为所述导电结构。
[0009]本发明的球栅阵列封装结构，所述基板上设置芯片，所述芯片与所述基板通过引线键合的方式连接。
[0010]本发明的球栅阵列封装结构，所述基板上设置芯片，所述芯片通过倒装的方式与所述基板连接。
[0011]本发明的球栅阵列封装结构，包括第一设定区域和第二设定区域，所述第一设定区域的面积大于所述第二设定区域的面积。
[0012]本发明还提供一种球栅阵列封装结构的制备方法，其中，包括以下步骤，
[0013]步骤1，采用半导体工艺于所述基板的设定区域形成凹槽；
[0014]步骤2，于所述凹槽中填充液态金属；
[0015]步骤3，使所述液体金属凝固以形成导电金属块，用于导通设定区域的等电位焊球。
[0016]本发明的球栅阵列封装结构的制备方法，采用刻蚀工艺于所述基板的设定区域形成所述凹槽。
[0017]有益效果:由于采用以上技术方案，本发明利用液态金属在基板中制作导电结构，可以采用液体金属作为导电机构或者液体金属凝固后形成的导电金属块作为导电机构，用于将等电位锡球导通，以降低导通电阻，提升封装结构的性能。
【附图说明】
[0018]图1为常规芯片封装结构剖视图；
[0019]图2为本发明的封装结构剖视图；
[0020]图3为本发明的封装结构的流程图。
【具体实施方式】
[0021]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0022]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0023]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0024]参照图2，一种球栅阵列封装结构，其中，包括基板2，基板2的一面设有多个焊盘，每一焊盘上设置一焊球4，基板2的设定区域内嵌导电结构，用以导通设定区域的等电位焊球4。
[0025]本发明的球栅阵列封装结构，基板2于预定区域形成有凹槽3，凹槽3中填充液态金属并使之凝固以形成导电金属块，以该导电金属块作为导电结构。
[0026]或者一导电金属片覆盖于凹槽3上形成空腔，空腔中填充液态金属以作为导电结构。如，可以在该导电金属片上设置一微孔，用于向空腔液态金属。
[0027]本发明的球栅阵列封装结构，基板2上设置芯片，芯片与基板2通过引线键合的方式连接。或者，芯片通过倒装的方式与基板2连接。
[0028]本发明的球栅阵列封装结构，包括第一设定区域和第二设定区域，第一设定区域的面积大于第二设定区域的面积。
[0029]本发明一种球栅阵列封装结构的制备方法，其中，参照图3，包括以下步骤，
[0030]步骤1，采用半导体工艺于基板2的设定位置上形成凹槽；
[0031]步骤2，于凹槽中填充液态金属；
[0032]步骤3，液态金属于凹槽中固化后形成导电金属块用于导通设定区域的等电位焊球。
[0033]步骤3之后，还包括步骤4，用于在焊盘上植入焊球。
[0034]本发明的球栅阵列封装结构的制备方法，可以采用刻蚀工艺于基板2的设定区域形成凹槽。
[0035]本发明的球栅阵列封装结构的制备方法，步骤I之后，步骤2之前，可以于凹槽上覆盖导电金属片，以形成空腔，向空腔中充满液态金属，利用液态金属形成导电结构。
[0036]本发明可以采用液体金属作为导电机构或者液体金属凝固后形成的导电金属块作为导电机构，用于将等电位锡球导通，以降低导通电阻，提升封装结构的性能。
[0037]以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种球栅阵列封装结构，其特征在于，包括基板，所述基板的一面设有多个焊盘，每一所述焊盘上设置一焊球，所述基板的设定区域内嵌导电结构，用以导通设定区域的等电位焊球。2.根据权利要求1所述的球栅阵列封装结构，其特征在于，所述基板于所述预定区域形成有凹槽，所述凹槽中填充液态金属并使之凝固以形成导电金属块，以所述导电金属块作为所述导电结构。3.根据权利要求1所述的球栅阵列封装结构，其特征在于，所述基板于所述预定区域形成有凹槽，一导电金属片覆盖于所述凹槽上形成空腔，所述空腔中填充液态金属以作为所述导电结构。4.根据权利要求1所述的球栅阵列封装结构，其特征在于，所述基板上设置芯片，所述芯片与所述基板通过引线键合的方式连接。5.根据权利要求1所述的球栅阵列封装结构，其特征在于，所述基板上设置芯片，所述芯片通过倒装的方式与所述基板连接。6.根据权利要求1所述的球栅阵列封装结构，其特征在于，包括第一设定区域和第二设定区域，所述第一设定区域的面积大于所述第二设定区域的面积。7.一种球栅阵列封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤， 步骤1，采用半导体工艺于所述基板的设定区域形成凹槽； 步骤2，于所述凹槽中填充液态金属； 步骤3，使所述液体金属凝固以形成导电金属块，用于导通设定区域的等电位焊球。8.根据权利要求7所述的球栅阵列封装结构的制备方法，其特征在于，采用刻蚀工艺于所述基板的设定区域形成所述凹槽。
【文档编号】H01L23/488GK105990299SQ201510064477
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月6日
【发明人】朱小荣
【申请人】展讯通信（上海）有限公司