具有实现光学擦拭的光发生器的数字检测器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种固态辐射检测器(10)，包括光敏传感器(13)以及光发生器(14)，所述光敏传感器包括组织成矩阵的光敏元件(16)，所述光发生器旨在对光敏元件(16)进行光学擦拭。根据本发明，光发生器(14)包括：发光层(21)，其分布在所述传感器(13)的表面上；至少一个电极(22，23)，其连续地覆盖所述发光层(21)，并且电子能够在所述至少一个电极中流动，发光层(21)发射的光能够通过所述电极(22，23)；以及附加的电导体(24，36)，其与所述电极(22，23)电接触，所述附加的电导体(24，36)形成了在所述电极(22，23)的表面上延伸的分支，并且在空间上分布于所述电极(22，23)的表面上。
【专利说明】
具有实现光学擦拭的光发生器的数字检测器
技术领域
[0001]本发明涉及一种固态X辐射检测器，其包括能够与辐射转换器组合的光敏传感器。该类型的检测器的应用领域尤其是放射学:射线照相术，荧光镜检查，乳房X线照相术，以及非破坏性测试。
【背景技术】
[0002]该福射检测器例如描述于法国专利FR2 803 081中，其中由非晶娃光电二极管形成的传感器与辐射转换器组合。将对该辐射检测器的操作和结构进行简要概述。
[0003]光敏传感器通常由布置成矩阵的固态光敏元件制成。光敏元件由半导体材料制成，通常是用于CCD或CMOS型传感器的单晶硅、多晶硅或非晶硅。光敏元件包括至少一个光电二极管、光电晶体管或光敏电阻器。这些元件沉积到衬底上，衬底通常是玻璃板。
[0004]这些元件通常不直接对诸如X辐射线或伽马辐射线的极短波长的辐射敏感。出于此原因，光敏传感器与包括一层闪烁物质的辐射转换器组合。该物质具有如下性质:当其被该辐射线激发时，会发射较长波长的辐射线，例如可见光或近可见光，传感器对该波长的辐射线敏感。辐射转换器所发射的光照射传感器的光敏元件，其实施光电转换且输送能够由适合的电路使用的电信号。辐射转换器在说明书的其余部分称为闪烁器。
[0005]为了提高有用图像的品质，基于通常在操作循环开始时取得和存储的称为“偏差图像”或“暗像”的图像来实施有用图像的校正。该偏差图像是当光敏设备暴露于零强度信号时所获得的图像且对应于一类背景图像。偏差图像根据光敏元件的部件的电状态以及根据在其电特性上面的扩散而变化。当光敏设备已经暴露于与暴露于X辐射线对应的有用信号时，读取该有用的图像。有用图像包含偏差图像。校正包含了从有用图像中减去偏差图像。
[0006]为了产生有用图像或偏差图像，进行图像循环，即通过取图像阶段、之后是读出阶段、然后是擦拭和复位阶段所形成的序列，如专利申请FR-A-2760 585中所解释的。在取图像阶段中，光敏元件暴露于待检测信号，无论该信号是最大照度还是暗度。在读出阶段中，读脉冲施加到寻址的行导体，从而读出在取图像的同时所累积的电荷量。在擦拭阶段中，光敏元件借助均匀地分布在全部的光敏点上的闪光来进行光学擦拭。在复位阶段，光敏元件恢复到它们接受取新图像的状态。该恢复是通过临时借助在行导体上送出的电脉冲而使得开关(开关二极管或晶体管元件)导电从而允许对矩阵寻址来实施的。
[0007]当前，闪光是通过由放置在检测器的背面上的发光二极管矩阵形成的光发生器来获得的。按惯例，检测器的正面称为暴露于X辐射线的面，而背面称为与正面相反的面。在闪光期间，发光二极管矩阵发射可见辐射线，该可见辐射线通过形成光敏传感器的衬底的玻璃板，然后在到达光敏元件之前从位于光敏传感器13的上游的面反射。光发生器还可以通过也是放置在检测器的背面上的灯来产生。
[0008]在一些医疗成像应用中，检测器在诸如体层密度测量法的检查期间处于运动中，例如，存在于光发生器与检测器之间的薄的空气层在厚度上会随着检测器的运动而变化。该空气层的变化会导致光发生器在检测器发出的图像中形成重影。该重影在文献中称为术语“网格效应”。
[0009]通过发光二极管或灯产生的光发生器的另一缺陷在于该发生器的厚度。
[0010]还尝试将下文称为OLED的有机发光二极管层放置在检测器的背面上。这种类型的二极管制成位于两个电极之间的发光材料的形式，其中至少一个电极是透明的，从而允许光发射到该层之外。对于0LED，公知的惯例是使用由锡掺杂氧化铟制成的透明电极，下文将“铟锡氧化物”称为ΙΤ0。该类型的电极尤其适合于具有小的表面积的OLED层。具体地，已经观察到，ITO具有高的电阻率。对于具有大的表面积的OLED层，发光度不是均质的。在层的边缘处比在中心处的亮度大。X辐射检测器有必要尺寸大，因为其实际上由于其高能不可能聚集该类型的辐射线。在医疗放射学中，已经生产出数字检测器，其尺寸可以比拟为那些在过去使用的银膜的尺寸。当前，存在其尺寸超过每侧400mm的检测器。在该尺寸下，具有ITO电极的OLED层的使用将不允许产生均质的闪光。
【发明内容】
[0011]本发明目的是通过提出如下的一种固态数字辐射检测器来克服上述问题中的全部或一些问题:均匀分布的闪光允许像素被复位。本发明对X辐射线检测非常有利。尽管如此，实现本发明用于其它类型的辐射线是可能的，诸如例如伽马辐射线。
[0012]为此目的，本发明的主题是一种用于检测入射辐射线的固态数字检测器，所述检测器包括光敏传感器和光发生器，所述光敏传感器包含组织成矩阵的光敏元件，所述光发生器的用途是对所述光敏元件进行光学擦拭，其特征在于，所述光发生器包括:
[0013].电致发光层，其分布在所述传感器的表面上；
[0014].至少一个电极，其连续地覆盖所述电致发光层，并且电子可以在所述至少一个电极中自由地流动，所述电致发光层发射的光能够通过所述电极；以及
[0015].附加的电导体，其与所述电极电接触，所述附加的电导体形成了在所述电极(22，23)的表面上延伸的分支，并且在空间上分布于所述电极的表面上。
【附图说明】
[0016]在阅读了通过示例的方式给出的各个实施例的详细描述时，将更好的理解本发明，并且进一步的优点将变得显而易见，该说明是通过随附的附图来图示说明的，在附图中:
[0017]图la，lb和Ic图解地以剖视图示出了根据本发明的数字检测器的多种构造；
[0018]图2a图解地以剖视图示出了属于根据本发明的数字检测器的示范性的光发生器14;
[0019]图2b以立体图示出了光发生器14的电极和附加的电导体；
[0020]图3图解地以放大剖视图示出了图1b的构造中的检测器；
[0021]图4图解地以放大剖视图示出了图1a的构造中的检测器；
[0022]图5示出了检测器的附加的电导体的示范的分布；
[0023]图6图解地以放大剖视图示出了图1b的构造中的检测器的变型例。
[0024]为了清晰起见，图不是按比例绘制的。另外地，在各图中相同的元件赋予了相同的^Κτ?? ο
【具体实施方式】
[0025]根据本发明的固态数字检测器10允许图像作为固态数字检测器所敏感的入射辐射线(例如X辐射线11)的函数被形成。检测器10包括:闪烁器12，该闪烁器允许X辐射线11转换成可见辐射线;光敏传感器13，其允许闪烁器12发出的可见辐射线转换成用于形成图像的电信号；以及光发生器14，其用途是对传感器13的光敏元件进行光学擦拭。当然，检测器10可包括其它部件。本发明可以实现在没有闪烁器且其传感器实施辐射线11到电信号的直接转换的数字检测器中。为此目的，光敏传感器13包括直接感测入射辐射线的光电导体。
[0026]更具体地，在检测器10获得图像的操作期间，实施操作序列，该序列是通过检测器10经受X辐射线的取图像阶段、之后是光敏元件中的每一个发出的电信号被读取的读出阶段、然后是全部光敏元件被均匀地照射的光学擦拭阶段以及最后是将全部光敏点电复位的阶段而形成的。
[0027]图la，lb和Ic实现了三种构造，其中本发明可以实现图示的。按惯例，检测器10的正面被定义为首先接收X辐射线的面，背面与该正面相反。检测器的各部件相对于彼此的位置也是关于X辐射线的传播方向来定义的。例如，可以说，闪烁器12位于光敏传感器13的上游，因为闪烁器12在光敏传感器13之前接收X辐射线。实际上，传感器13仅接收极少量的X辐射线，因为X辐射线被闪烁器12几乎完全转换成可见辐射线。上游和下游的概念还可以扩展到闪烁器12在传感器13的方向上发射的可见辐射线的传播方向。
[0028]在图1a中，从上游到下游定位有:闪烁器12，传感器13和光发生器14。换言之，光发生器14位于检测器10的背面上。光敏传感器13包括衬底15和光敏元件16。在该构造中，由发生器14发射从而对光敏点16进行光学擦拭的闪光通过衬底15，在光敏元件16之间通过且在到达光敏元件16的上游面之前从位于光敏传感器13上游的面反射出。更具体地，闪光可以从闪烁器12的衬底反射出和/或在光学指数不连续发生的面上从位于闪烁器12与光敏传感器13之间的界面反射出。衬底15必须对发生器14发射的光可透过。当玻璃板用于制成衬底15时就是这种情况。换言之，光敏传感器13包括衬底15，光敏元件16位于衬底15上。光发生器14位于衬底15的下游。光发生器14所发射的光能够通过衬底15。
[0029]用于闪光的该路径是复杂的，并且仅发生器14发射的光的部分实际上用于对光敏元件16进行光学擦拭。直接到达光敏元件16的背面的发射光由于光敏元件16的不透明性而无助于擦拭。在该构造中，到达光敏元件16的光的部分较少且对应于像素中材料的缺失。而且，在到达光敏元件16之前，光必须从位于光敏传感器13的上游的面反射出，从而导致额外的损失。通常获得10%量级的有用光。光的损失的部分必须通过增加发光强度以及因此增加光发生器14的耗电来弥补。尽管如此，该构造可以是有用的，因为其允许光发生器14不放置在光敏元件16的上游。
[0030]在图1b中，从上游到下游定位有:闪烁器12、光发生器14和传感器13。换言之，光发生器14位于闪烁器12与光敏传感器13之间。该构造允许发生器14所发射的全部的光用于光学擦拭，或者通过发生器14与光敏元件16之间的直接路径，或者在发生器15发射的光从闪烁器12反射出之后。在图1b的构造中，相对于图1a的构造，对于等价的结果，可以实质上降低发生器14的发光强度。这允许降低光发生器14的耗电。然而，发生器14存在于闪烁器12与传感器13之间使得闪烁器12远离传感器13，从而不利地影响了如此构造的检测器10所发出的图像的品质。然而，由于光发生器14的小的厚度，该缺陷得以减轻。耗电的节省有助于光发生器14的厚度的节省。
[0031]图1a和Ib还可以图示说明没有闪烁器的辐射检测器，其光敏传感器13直接感测入射辐射线。对于此，从图1a和Ib中去除闪烁器是足够的。于是，光敏传感器13包括直接感测入射福射线11的光电导体。
[0032]在图1c中，从上游到下游定位有:光发生器14，闪烁器12和传感器13。换言之，光发生器14位于闪烁器12的上游。在该构造中，闪烁器12吸收发生器14发射的光的部分。光发生器14发射的光的部分丢失，与图1a的构造一样。然而，图1c的构造有利之处在于，改善了传感器13接收到的光的均质性。具体地，接收的光不受光敏元件16阻碍。由于该改善的均质性，图1c的构造允许发生器14用于其它用途，诸如用于校准像素。
[0033]在比较图1b和图1c的构造时，通过将光发生器14放置在闪烁器12与传感器13之间，光发生器14不与X辐射线相互作用，因为其被闪烁器12吸收。降低了光发生器14过早老化的风险，老化会发生于图1c的构造中，其中X辐射线穿过光发生器14。
[0034]图2以剖视图示出了根据本发明的示范性的光发生器14。光发生器14包括电致发光层21。该层由能够将电能变换成光的材料构成。该层例如通过有机发光二极管21来形成。当今，已知许多系列的有机发光二极管，并且它们可实现在本发明中，诸如例如有机发光二极管，下文称为0LED。其它类型的层可以实现，诸如例如聚合物发光二极管(PLED)层。OLED和PLED是有机层。要实现本发明，无需电致发光层是有机的。在说明书的其余部分，术语uOLED “将用于任何电致发光层。
[0035]另外，发生器14包括电极22，发生器14发射的光能够在到达传感器13之前通过该电极22。电极22可以是透明的或半透明的。电极22通过以连续方式覆盖而位于OLED层的一个面上。第二电极23位于OLED层的另一面上。发生器14所发射的光不一定能够通过第二电极23，除了图1b的构造而使得闪烁器12发射的光可以通过光发生器14的情况之外。光发生器14和闪烁器所发射的光通常是位于可见光的相邻波长。电极22和23是电导体，电子可以在其中自由地流动。电极分别连接到电位，例如通过连接垫块。电极22和23以其导电率来(以Ω-1表达)来表征，该导电率可通过施加连续电压以及测量流动的电流而在所讨论的电极的两个远离点之间进行测量。矩形电极的表面导电率可通过将在矩形的两个对角之间测得的导电率除以矩形的表面积来定义。
[0036]例如，OLED层是通过多个层的层叠物制成的:用于传输空穴的层、发射层以及用于传输电子的层。传输层例如用半导体材料来形成。通过在电极22与23之间施加电压，电子和空穴贯穿发射层。根据发光原理，电子和空穴在在发射光子的同时组合。
[0037]在图1a和图1c的构造中，第二电极23可以对发生器14发射的光不透明。第二电极可由例如金属或合金制成。在图1c的构造中，光发生器14位于闪烁器12的上游，第二电极23可以例如由对X辐射线具有良好透明度的铝合金制成且还可以起到传感器10的入口窗和密封传感器10的作用。铝合金能够确保良好的密封，允许闪烁器12受到保护而免于任何外部入侵。闪烁器12可以例如由对潮气敏感的碘化铯制成。第二电极23的铝合金因此可用于封装闪烁器12且保护其免于潮气。
[0038]电极22包括例如锡掺杂氧化铟，通常称为其代表“铟锡氧化物”的首字母缩略词ITO。该材料由于其在实现在薄层时的光学透明性质而为人熟知。ITO也具有良好的导电性质。然而，要保持良好的透明度，需要减小其厚度，从而使得其导电率降级。可以实现其它金属氧化物，诸如例如铝掺杂氧化锌，通常称为其首字母缩略词ΑΖ0。为了制成透明的电极，还可以实现其厚度为纳米级的金属层或者甚至是碳纳米管。允许制成电极22的所有这些材料的共同特征是，它们可以自由地传导电子，即，无源地且无需任何特定激励。这些材料没有禁止带。换言之，价带和导带重叠，不同于半导体材料。
[0039]当使用光发生器14来对传感器10的光敏元件16进行光学擦拭时，分别为22和23的单个电极位于OLED层21的每个面上，覆盖了整个OLED层21。
[0040]对光发生器14供应电力是通过其边缘来完成的。对于具有较大表面积的发生器14，距发生器14的边缘越远，电极22中的电流所行进从而向OLED层21供给电力的距离变得越大。这导致发生器14的中心处于的发光度相对于在其边缘处获得的发光度下降。
[0041]为克服该问题，根据本发明的光发生器14包括附加的电导体24，其与电极22电接触且形成在电极22的表面上延伸的分支。附加的电导体24在空间上分布于电极22的表面上。附加的电导体24的导电率与电极22的导电率相加，从而改善由电极22和附加的电导体24形成的组件的总的导电率。
[0042]图2b以立体图示出了电极22和附加的电导体24。形成附加的电导体24的分支彼此平行地延伸，基本上在电极22的边缘22a与相反的边缘22b之间。在矩形电极22的情况下，分支与矩形的一边22c平行，该边22c垂直于边22a和22b。电导体25可以与分支24电连接。导体25沿着边缘22b定位且在定位在光发生器14的有用表面之外。电极22和附加的导体24通过位于电极22的角处的连接垫块26连接到电位源。替选地，连接垫块的功能可通过电导体25来满足。
[0043]有益地，附加的电导体24的空间分布以矩形方式在电极22的整个表面上实施，从而允许光发生器14发出的光的均匀性得以提高。
[0044]附加的电导体24的规则分布允许光发生器14的总的发光度均质化。在每个分支之间获得发光度的下降。发光度的下降分布在发生器14的整个表面上。这些发光度的下降比在缺少附加的电导体24的情况下所获得的发光度的下降小。附加的电导体24的数量以及因此它们的间距是根据期望的均质度水平来选择的。
[0045]例如，附加的电导体24对光发生器14所发射的光不透明，从而允许可能的用于生产这些导体的材料的选择增多。附加的电导体24可以例如由金属或金属合金制成，从而允许比要获得的电极22的导电率大得多的导电率。通过示例的方式，附加的导体可由铝、金、铂或这些金属的合金制成。不透明导体24的导电率在总的导电率中占优，并且发光度的下降仅发生在每个不透明的附加的电导体24之间。
[0046]在医疗放射学中，常见的是实现每侧为430mm的方形检测器。通过金属，对于该导体可以获得5至ΙΟμπι宽的附加的电导体24、在其430mm长度上小于3k Ω的电阻。内部测试表明，通过该附加的导体，可以获得多于80%的空间发光均质度。
[0047]电导体24，25以及垫块26可以用相同的材料来制作。
[0048]图3以放大剖视图示出了图1b的构造的检测器，其中光发生器14位于传感器13与闪烁器12之间。借助于该构造显示的光发生器14的结构可应用于借助图1a和图1c所描述的其它构造。光敏传感器13包括组织成矩阵的光敏元件。在图3中，出现了三个光敏元件16。实际上，光敏传感器13可以包括例如数百万量级的大量的光敏元件16。光敏元件16不覆盖光敏传感器13的整个表面。在相邻的光敏元件16之间形成间隙31。部件32可以位于间隙31内。部件32允许光敏元件16操作。例如，存在与各个光敏元件16相关联的跟随晶体管、读出晶体管和复位晶体管。术语“像素”与由光敏元件和关联的部件32形成的组件有关。电导体33也在间隙31中延伸，从而允许各光敏元件16通过部件32被供给电力、被控制以及读取。
[0049]对于借助图1b和图1c所描述的构造，S卩，当光发生器14位于辐射线11的传播方向上光敏传感器13的上游时，附加的电导体24有益地定位成朝向将光敏元件16分隔的间隙
31。附加的电导体24可以减少发生器14发射的光的传输，而不阻碍发生器14关于光敏元件16的效力。甚至可以在不受阻碍的情况下实现不透明的附加的电导体24。
[0050]在图3所示的示例中，附加的电导体24不覆盖光敏元件16。可替选地，可以接受附加的电导体24对光敏元件16的部分覆盖。该覆盖可由于间隙31的尺寸而引起。这些尺寸不一定在光敏元件16的周边是恒定不变的。在图1b的构造中，附加的电导体24会阻碍闪烁器12发射的光的传输，并且部分覆盖有损光敏元件16对闪烁器12发射的光的米集。然而，该问题不存在于图1a和图1c的其它构造中。
[0051]覆盖程度是根据发生器14关于光敏元件16的效力与通过电极22和附加的电导体24形成的组件的导电率的提高之间的折中来确定的。
[0052]在图1b的构造中，光发生器置于闪烁器12与传感器13之间，光发生器14对闪烁器12在传感器13的方向上发射的光完全透过。附加的电导体24的存在允许减小电极22的厚度，从而提高光发生器的关于闪烁器12所发射的光的透光度。
[0053]图4以放大剖视图示出了图1a的构造的检测器，其中光发生器14定位在光敏传感器13的背面之间。换言之，光发生器14位于辐射线11的传播方向上光敏传感器13的下游。
[0054]在该构造中，附加的电导体24有益地定位成朝向光敏传感器13的不透明区域。特别地，不透明区域是光敏元件16所在的区域。光敏传感器13具有透明区域，尤其是在间隙31中，更具体地，在部件32之间。附加的电导体24不阻碍光发生器14发射的光朝向光敏传感器13的透明区域的传输。
[0055]光敏兀件16规则地分布在传感器14的表面上。有益地，附加的电导体24的分布的规则度是光敏元件16的倍数。附加的电导体24在图3的变型例中可放置成朝向每个间隙31，或者在图4的变型例中朝向每个光敏元件16。还可以间隔附加的电导体24或者仅覆盖N个间隙31或光敏元件16中的一个，N是大于I的整数。该数字N是根据两个附加的电导体24之间的可接受的发光度减小来选择的。
[0056]图5示出了附加的电导体24朝向间隙31的示范性的分布。为了不使得图过度复杂，在立体图中仅示出了光敏元件16和附加的电导体24。光敏元件16沿着垂直方向X和y以矩阵来组织。方向z垂直于方向X和y。间隙31 a沿着方向x分隔光敏元件16，并且间隙31 b沿着方向y分隔光敏元件16。附加的电导体24a定位成朝向间隙31a，附加的电导体24b定位成朝向间隙31b。换言之，附加的电导体24a具有与间隙31a相同的沿着X轴的横坐标，并且附加的电导体24b具有与间隙31b相同的沿着y轴的纵坐标。与间隙相关联且与附加的电导体相关联的附标a和b仅提供用于分开两个方向X和y。当然，带索引的对象具有与上文无附标情况下呈现的特性相同的特性。
[0057]在图5所示的示例中，附加的电导体24a或24b覆盖全部间隙31a或31b。如上所述，可以仅对每N个间隙31a或31b设有附加的电导体。可以对于每N个间隙31a设有附加的电导体24a且对每M个间隙31 b设有附加的电导体24b，其中N不同于M。
[0058]当然，附加导体的该交叉分布能够转移到图4的变型例。于是，附加的电导体24a或24b覆盖光敏元件16。换言之，附加的电导体包括相互平行的第一系列分支24a和相互平行的第二系列分支24b。第一系列24a和第二系列24b交叉。
[0059 ]进而，可以仅在两个方向X或y中的一个方向上设有附加的电导体。
[0060]检测器10可以包括钝化层34，该钝化层位于光敏传感器13与光发生器14之间。该层例如由氮化硅制成。在光发生器14不存在于闪烁器12与传感器13之间的情况下，有用的是将阻挡层定位在钝化层与闪烁器之间从而保护传感器13免于闪烁器12的电势分解产物破坏。光发生器14存在于闪烁器12与传感器13之间允许省去该阻挡层。
[0061]光发生器14有益地被封装。具体地，OLED层21必须隔离于大气。具体地，OLED层21在受潮时严重降级。封装是通过覆盖第二电极23和光发生器14的横向面的层35来产生的。可以在两片玻璃之间产生封装，这能够实现在图1a和图1c的构造中，其中光发生器位于光敏传感器13与闪烁器12形成的组件之外。对于图1b的构造，光发生器位于光敏传感器13与闪烁器12之间，优选地使用通常实现在OLED层中的阻挡膜。
[0062]有可能省去钝化层34且直接在传感器13上产生光发生器14。封装层35于是覆盖光发生器14和光敏元件16。
[0063]在图1a和Ic的构造中，闪烁器12发射的光不通过光发生器14，第二电极23可以对可见光完全不透明。在这些构造中，对电极23的厚度有些约束，并且可以在检测器10的整个表面上使用金属片，例如导电率足够高的铝合金。另一方面，在图1b的构造中，闪烁器12所发射的光通过光发生器14，第二电极23必须足够透明。当今，半透明金属电极存在。半透明金属电极的透明度是70%的量级。期望提高这种电极的透明度。这可通过减小其厚度来实现，但是该减小造成了与电极22相同的导电率降低的问题。作为半透明金属电极的替选物，可以制成ITO的第二电极。
[0064]关于电极22，可以将附加的电导体36添加到电极23，附加的电导体36与电极23电接触。关于电极22，附加的电导体36在空间上规则地分布于电极23的表面上。它们的分布有益地等同于附加的电导体24的分布。
[0065]附加的电导体24和36可以由厚的金属材料制成，诸如例如铝或铬合金。有可能将附加的电导体24和36定位在OLED层21之内或之外。
[0066]两个电极22和23的电连接实现在光发生器14的边缘处。在图1b的构造中，图3中更详细显示出，电极22位于传感器13的中部附近。能够确保经由衬底15与电极22连接。该衬底已经承载了光敏元件、部件32和电导体33。为此目的，检测器10包括将电极22与制作在衬底上的导体38相连的通孔37。通孔37穿过钝化层34。该连接方法还可以实现在图1a的构造中，在图4中更详细显示出，其中光发生器14位于检测器10的背面上。在该构造中，通孔37穿过衬底15。确保经由衬底15的电连接允许通过将传感器13连接到可以位于衬底15的独立衬底上的用于控制和读取检测器10的电路而使用现有的连接方式。
[0067]对于图3和图4而言，电极23的电连接可通过穿过封装层35的另一通孔39来实现。通孔39连接电极23和例如通过金属沉积而制作在封装层35上的垫块40。垫块40与用于控制检测器10的电路的连接例如通过柔性印刷电路板(未示出)来实现。
[0068]OLED层21可以在其整个表面上连续，如图3和图4所示的。可替选地，OLED层21可以是不连续的。OLED层21例如在附加的电导体24的水平处中断。具体地，由于这些导体可以是不透明的，或者至少减少了通过其中的光的传输，所以朝向附加的电导体24的发光材料可省去。这允许获得施加到OLED层21上的电压的改进的分布，并且因此，获得光的改进的均匀度。
[0069]图6示出了传感器10的示范性的实施例，其中OLED层21是不连续的。图6对应于图1b和图3的构造。如图3所示，图6所示的电极22位于钝化层34上。需要注意的是钝化层34是可选的。电极22是连续的，并且附加的电导体24定位在朝向将光敏元件16分隔的间隙31的位置处。OLED层21沉积成朝向光敏元件16且当朝向间隙31时被中断。
[0070]电极23可以是不连续的，如图4所示，或者又在OLED层21的整个表面上是连续的。
[0071]在图1b和图1c的构造中，光发生器14位于传感器13的上游，OLED层21中的不连续部分被定位成朝向将光敏元件16分隔的间隙31。在图1a的构造中，光发生器14定位在传感器13的下游，OLED层21中的不连续部分定位成朝向传感器13的不透明区域，尤其是朝向光敏元件16。
【主权项】
1.一种用于检测入射的辐射线(11)的固态数字检测器，所述检测器(10)包括光敏传感器(13)、光发生器(14)，所述光敏传感器包括组织成矩阵的光敏元件(16)，所述光发生器的用途是对所述光敏元件(16)进行光学擦拭，其特征在于，所述光发生器(14)包括: ?电致发光层(21)，其分布在所述传感器(13)的表面上； ?至少一个电极(22，23)，其连续地覆盖所述电致发光层(21)，并且电子能够在所述至少一个电极中自由地流动，所述电致发光层(21)发射的光能够通过所述电极(22，23);以及 ?附加的电导体(24，36)，其与所述电极(22，23)电接触，所述附加的电导体(24，36)形成了在所述电极(22，23)的表面上延伸的分支，并且在空间上分布于所述电极(22，23)的表面上。2.根据权利要求1所述的检测器，其特征在于，所述光敏元件(16)规则地分布在所述传感器(14)的表面上。3.根据权利要求2所述的检测器，其特征在于，所述附加的电导体(24)的分布是规则的且是所述光敏元件(16)的倍数。4.根据前述权利要求中的一项所述的检测器，其特征在于，所述附加的电导体包括相互平行的第一系列分支(24a)以及相互平行的第二系列分支(24b)，并且所述第一系列分支(24a)和所述第二系列分支(24b)交叉。5.根据前述权利要求中的一项所述的检测器，其特征在于，所述检测器包括闪烁器(12)，所述闪烁器将所述入射辐射线(11)转换成第二类型的辐射线，所述传感器(13)对所述第二类型的辐射线敏感。6.根据权利要求1至4中的一项所述的检测器，其特征在于，所述光敏传感器(13)包括直接感测所述入射辐射线(11)的光电导体。7.根据前述权利要求中的一项所述的检测器，其特征在于，所述附加的电导体(24)对所述光发生器(14)所发射的光不透明。8.根据前述权利要求中的一项所述的检测器，其特征在于，所述光发生器(14)位于所述第一类型的辐射线(11)的传播方向上所述光敏传感器(13)的上游，在相邻的光敏元件(16)之间形成有间隙(31)，并且附加的电导体(24)定位成朝向分隔所述光敏元件(16)的间隙(31)。9.根据权利要求8所述的检测器，其特征在于，所述附加的电导体(24)不与所述光敏元件(16)重叠。10.根据权利要求5以及权利要求8和9中的任一项所述的检测器，其特征在于，所述光发生器(14)位于所述闪烁器(12)与所述光敏传感器(13)之间。11.根据权利要求10所述的检测器，其特征在于，所述检测器包括钝化层(34)，所述钝化层位于所述光敏传感器(13)与所述光发生器(14)之间。12.根据权利要求5以及权利要求7至9中的任一项所述的检测器，其特征在于，所述光发生器(14)位于所述第一类型的辐射线(11)的传播方向上所述闪烁器(12)的上游。13.根据权利要求1至7中的任一项所述的检测器，其特征在于，所述光发生器(14)位于所述第一类型的辐射线(11)的传播方向上所述光敏传感器(13)的下游，并且所述附加的电导体(24)定位成朝向所述光敏传感器(13)的不透明区域(16)。14.根据权利要求13所述的检测器，其特征在于，所述光敏传感器(13)包括衬底(15)，所述光敏元件(16)位于所述衬底上，所述光发生器(14)位于所述衬底(15)的下游，并且所述光发生器(14)发射的光能够通过所述衬底(15)。15.根据前述权利要求中的一项所述的检测器，其特征在于，所述电致发光层(21)在所述附加的电导体(24，26)的水平处中断。16.根据前述权利要求中的一项所述的检测器，其特征在于，所述附加的电导体(24)由金属或金属合金制成。
【文档编号】H01L33/38GK105934825SQ201480065967
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2014年11月4日
【发明人】B·拉辛, R·内雷, B·科梅尔
【申请人】特里赛尔公司